專利名稱：半導(dǎo)體測試裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體測試裝置及其控制方法的發(fā)明。且特別是有關(guān)于一種同時對于多數(shù)的半導(dǎo)體元件進行測試的半導(dǎo)體測試裝置及其控制方法的發(fā)明。本申請與下述的日本申請案相關(guān)聯(lián)。關(guān)于已確可參照文獻的并入的指定國家，藉由參照下述的申請案中記載的內(nèi)容而并入本申請中，以作為本中請的一部分。
1.日本專利申請案特愿2003-174477 申請日期2003年06月19日2.日本專利申請案特愿2003-185679 申請日期2003年06月27日背景技術(shù)以前，作為對于出廠前的邏輯IC或者半導(dǎo)體存儲元件等半導(dǎo)體元件進行各種測試，我們已知可以使用半導(dǎo)體測試裝置。例如對于半導(dǎo)體存儲器進行的測試的一般性的半導(dǎo)體測試裝置，具有可以對多個元件同時進行測試的功能，對于多數(shù)的半導(dǎo)體元件的同一接腳，可以輸入同一測試數(shù)據(jù)圖案波形進行測試。由于通過具備此對多個元件同時測定的功能，可以利用小規(guī)模的資源對多數(shù)的半導(dǎo)體存儲裝置進行測定，所以裝置的規(guī)模不會太大，且可以降低成本。
在部分的半導(dǎo)體存儲元件中(例如部分快閃存儲器)，根據(jù)測試檢測出的包含不良存儲胞(cell)的存儲區(qū)域(例如存儲塊)的至少一部分中，由制造業(yè)者寫入可識別出該存儲區(qū)域為不良的不良區(qū)域資訊，藉此來屏蔽此不良區(qū)域。當(dāng)使用該半導(dǎo)體存儲元件的儀器從某存儲區(qū)域中讀出不良區(qū)域資訊時，就不會使用該存儲區(qū)域。
由于對多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件進行測試后，向各個半導(dǎo)體存儲元件的不良存儲區(qū)域?qū)懭氩涣紖^(qū)域資訊時，需要把指定的不良存儲區(qū)域的位址等作為個別資訊，個別輸入至各自的半導(dǎo)體存儲元件中。所以，存在著以下問題與上述的快閃存儲器等進行測試時一樣，不能同時對于多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件進行不良區(qū)域資訊的寫入，在寫入不良區(qū)域資訊的挽救操作方面，需要花費很多的時間。而且，以前，有時此挽救工作還需要使用專用的修復(fù)裝置進行，由于需要把檢測出不良存儲胞的半導(dǎo)體存儲元件從半導(dǎo)體測試裝置移至修復(fù)裝置，挽救操作需要的時間會更長。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明的目的在于提供可以解決上述課題的半導(dǎo)體測試裝置及其控制方法。此目的是通過權(quán)利要求中的獨立項目中記載的特征的組合實現(xiàn)的。而且，從屬項目中規(guī)定了本發(fā)明更加有利的具體事例。
根據(jù)本發(fā)明的第1形態(tài)，提供一種半導(dǎo)體測試裝置包括第1波形生成單元(生成與多數(shù)的半導(dǎo)體元件共通的共通資訊對應(yīng)的共通圖案波形)、第2波形生成單元(生成與上述多數(shù)的半導(dǎo)體元件分別對應(yīng)，與個別準(zhǔn)備的多數(shù)個別資訊對應(yīng)的個別圖案波形)、以及波形切換單元(選擇性地進行共通輸入利用上述的第1波形生成單元生成的上述共通圖案波形的操作、與個別輸入利用上述各個多數(shù)的第2波形生成單元生成的上述個別圖案波形的操作)。
上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件是半導(dǎo)體存儲元件，上述波形切換單元可以選擇性地進行向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸入利用上述第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形的操作、與把利用上述各個多數(shù)的第2波形生成單元生成的上述個別圖案波形作為應(yīng)該寫入數(shù)據(jù)的寫入位址進行個別輸入的操作。
還可以包括合格/失效的判定單元(根據(jù)與上述共通圖案波形或者上述個別的圖案波形相對應(yīng)的，從上述半導(dǎo)體存儲元件中輸出的輸出波形，進行上述半導(dǎo)體存儲元件內(nèi)的測試對象部位的合格/失效的判定)與失效存儲器(儲存使用上述合格/失效的判定單元判定的結(jié)果)。
還可以包括儲存上述個別資訊的存儲器，上述第2波形生成單元也可以讀出上述存儲器中儲存的上述個別資訊，并生成上述個別圖案波形。
上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件包括利用時序劃分輸入寫入位址及寫入數(shù)據(jù)的介面。上述波形切換單元在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入位址的時序中，個別經(jīng)過上述介面向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件分別輸入上述各個多數(shù)的個別圖案波形，在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸入寫入數(shù)據(jù)的時序中，共通經(jīng)過上述介面向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸入利用上述第1波形生成單元生成的上述共通圖案波形。
上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的上述介面按照時序劃分以輸入指令、上述寫入位址以及上述寫入數(shù)據(jù)。上述波形切換單元在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件分別輸入指令的時序中，會共通經(jīng)過上述介面向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件分別輸入利用上述第1波形生成單元生成的上述共通圖案波形，也可以在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件分別輸入寫入位址的時序中，個別經(jīng)過上述介面向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸入多數(shù)的上述各個個別圖案波形，還可以在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入數(shù)據(jù)的時序中，共通經(jīng)過上述介面，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入利用上述第1波形生成單元生成的上述共通圖案波形。
此外，還包括多數(shù)的合格/失效判定單元(以與利用上述第1波形生成單元生成的第1上述共通圖案波形或者利用上述多數(shù)的第2波形生成單元生成的上述多數(shù)的個別圖案波形相對應(yīng)，從上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲設(shè)備分別輸出的波形為基礎(chǔ)，進行該半導(dǎo)體存儲元件內(nèi)的測試對象的存儲領(lǐng)域的合格/失效的判定)、失效存儲器(儲存利用上述多數(shù)的合格/失效判定單元判定的多數(shù)判定結(jié)果)，不良存儲領(lǐng)域選擇單元(根據(jù)上述失效存儲器中儲存的多數(shù)的上述判定結(jié)果，把上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的識別不良存儲領(lǐng)域的資訊作為上述各個多數(shù)的個別資訊輸出)，上述各個多數(shù)的第2波形生成單元會生成顯示上述各個多數(shù)的個別資訊識別的、上述多數(shù)的半導(dǎo)體中的上述不良存儲區(qū)域的位址的上述個別圖案波形。上述第1波形生成單元會生成顯示識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的第2上述共通圖案波形，上述波形切換單元會向該半導(dǎo)體存儲元件中個別輸入作為顯示上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述不良存儲區(qū)域的上述寫入位址的上述個別圖案波形，也可以共通輸入作為顯示與上述寫入位址對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的上述寫入數(shù)據(jù)的上述第2共通圖案波形，并使其向上述寫入位址中寫入上述寫入數(shù)據(jù)。
上述不良存儲區(qū)域選擇單元，把與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的1個或者識別多數(shù)的不良存儲區(qū)域的資訊作為上述各個多數(shù)的個別資訊而輸出。上述各個多數(shù)的第2波形生成單元會生成利用上述各個多數(shù)的個別資訊識別的、顯示在上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的1個或者多數(shù)的上述不良存儲區(qū)域的位址的上述個別圖案波形。上述第1波形生成單元會生成會顯示識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的第2的上述共通圖案波形。上述波形切換單元向上述的各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件個別輸出作為該半導(dǎo)體存儲元件的1個或者顯示多數(shù)的上述不良存儲區(qū)域的1個或者多數(shù)的上述寫入位址的上述個別圖案波形，共通輸入作為1或者與多數(shù)的上述寫入位址對應(yīng)的1個或者顯示多數(shù)的存儲區(qū)域不良的上述寫入數(shù)據(jù)的上述第2共通圖案波形。在向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中，已經(jīng)完成了向所有的上述不良存儲區(qū)域中寫入上述寫入數(shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件中禁止寫入的狀態(tài)下，可以使其向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中，未完成向所有的上述不良存儲區(qū)域?qū)懭肷鲜鰧懭霐?shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件中寫入尚未完成寫入的上述數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的第2形態(tài)，提供一種半導(dǎo)體測試裝置的控制方法，測試多數(shù)的半導(dǎo)體元件，該控制方法的特征為包括第1波形生成階段(生成與各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件共通的共通資訊相對應(yīng)的共通圖案波形)、第2波形生成階段(生成與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件相對應(yīng)，與個別準(zhǔn)備的多數(shù)的個別資訊相對應(yīng)的個別圖案波形)、以及波形切換階段(選擇性地進行向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件共同輸入上述第1波形生成階段生成的上述共通圖案波形的操作、與個別輸入上述多數(shù)的第2波形生成階段生成的上述個別圖案波形的操作)。
根據(jù)本發(fā)明的第3形態(tài)，提供一種半導(dǎo)體測試裝置，對于多數(shù)半導(dǎo)體存儲元件進行測試，它包括不良存儲區(qū)域選擇單元(根據(jù)各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的測試結(jié)果，輸出識別上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的不良存儲區(qū)域的個別資訊)、與波形輸出單元(與上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件并行，共通輸入與寫入數(shù)據(jù)的指令相對應(yīng)的圖案波形，把與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述個別資訊識別的上述不良存儲區(qū)域的位址相對應(yīng)的圖案波形作為寫入位址個別輸入，把顯示與上述寫入位址相對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)共同輸入)。
根據(jù)本發(fā)明的第4形態(tài)，提供一種半導(dǎo)體測試裝置的控制方法，對于多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件進行測試，該控制方法包括不良存儲區(qū)域選擇階段(根據(jù)上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的測試結(jié)果，輸出識別與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件有關(guān)的不良存儲區(qū)域的個別資訊)、波形輸出階段(與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件并行，共通輸入與寫入數(shù)據(jù)的指令相對應(yīng)的圖案波形，把上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述個別資訊識別的上述不良存儲區(qū)域的位址相對應(yīng)的圖案波形作為寫入位址個別輸入，把顯示與上述寫入位址相對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)共同輸入)。
而且，上述發(fā)明的概要不僅僅為列舉出的本發(fā)明的所需特征的事例，這些特征群的再合并也屬于本發(fā)明的范疇。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以分別對于多數(shù)的半導(dǎo)體元件，生成彼此不同的多數(shù)的個別資訊，同時進行輸入的操作，此外還可以縮短需要輸入各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的個別資訊的位址時的測試以及/或者挽救操作所需的時間。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1表示本發(fā)明實施形態(tài)的一種半導(dǎo)體測試裝置的結(jié)構(gòu)。
圖2表示根據(jù)需要進行個別寫入操作的測試操作的具體事例。
圖3表示根據(jù)需要進行個別寫入操作的挽救操作的具體事例。
圖4表示與本實施形態(tài)的變形實例的半導(dǎo)體測試裝置的結(jié)構(gòu)。
1ALPG2AFM3AFM5IO接腳處理部7IO頻道9DUT10測試控制部50TG/主要FC部51“及”電路52“或”電路53正反器54存儲器55位址指向控制器58輔助FC部59邏輯比較器70驅(qū)動器71比較器151“及”電路201PG202測試模組205IO接腳處理部210測試控制部250TG/主要FC部具體實施方式
以下通過發(fā)明的實施形態(tài)來說明本發(fā)明，但是，以下的實施形態(tài)并不是限制本發(fā)明的形態(tài)，而且本發(fā)明的解決手段也不需限定為實施形態(tài)中說明的所有的特征的組合。
圖1表示的是本實施形態(tài)的半導(dǎo)體測試裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖1中所示的半導(dǎo)體測試裝置在對于多數(shù)的DUT(測試中的組件，Device Under Test)9進行測試的同時，采取了對于這些多數(shù)的DUT9的挽救操作。因此，本實施形態(tài)的半導(dǎo)體測試裝置，包括ALPG(系統(tǒng)·圖案·振蕩器)1、AFM(位址·失效·存儲器)3、IO接腳處理部5、IO頻道7、測試控制部10。而且，DUT9雖然廣義上包括半導(dǎo)體存儲元件、邏輯IC等半導(dǎo)體元件，但在以下說明中，主要是把半導(dǎo)體存儲元件作為測試對象。
為了進行測試和挽救操作，ALPG1會生成向DUT9的IO接腳進行輸入的圖案數(shù)據(jù)。AFM3會按照DUT9的存儲胞單位，存儲通過對DUT9進行測試而得到的判定結(jié)果的失效資訊。具體來說，與DUT9的任何一個邏輯位址X、Y相對應(yīng)的存儲胞的合格。失效的測試結(jié)果，會以AFM3的位址X、Y的形式存儲于特定的區(qū)域中。
為了在生成向DUT9的IO接腳輸入的數(shù)據(jù)的同時，進行從這些IO接腳中輸出的數(shù)據(jù)的合格、失效的判定，IO接腳處理部5包括TG/主要FC部50、存儲器54、邏輯比較器59。在這里，“IO接腳”是指向半導(dǎo)體存儲設(shè)備輸入指令以及/或者位址的半導(dǎo)體存儲元件的接腳、或者像是在半導(dǎo)體存儲元件之間輸入輸出存儲器的數(shù)據(jù)的接腳等的輸入、輸出圖案波形的接腳。
TG/主要FC部50會產(chǎn)生作為生成在測試操作的基本周期內(nèi)所含有的各種時序邊緣的時序發(fā)生器的功能，和根據(jù)從此時序邊緣與ALPG1中輸出的圖案數(shù)據(jù)，生成向DUT9輸出的實際的數(shù)據(jù)(共通圖案波形)。此數(shù)據(jù)被輸入至設(shè)置在后段的“及(AND)”電路51的一端的輸入端子。個別寫入模式信號會反向輸入至“及”電路51的另一端的輸入端子?！皞€別寫入模式”是指對于每一個作為同時測定對象的各個多數(shù)的DUT9，并行寫入個別資訊的操作模式。個別寫入模式的指定是通過例如根據(jù)ALPG1高準(zhǔn)位設(shè)定此個別寫入模式信號來進行的。由于向“及”電路的另一端的輸入端子反向輸入此高準(zhǔn)位的個別寫入模式信號，結(jié)果指定個別寫入模式時，TG/主要FC部50的輸出數(shù)據(jù)在“及”電路被阻斷。并且，此模式信號是一種利用ALPG1可以控制的信號，通過利用此模式信號，可以實時切換共通圖案波形與個別寫入圖案波形。
存儲器54儲存任意的圖案數(shù)據(jù)。例如IO接腳處理部5由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)構(gòu)成。從此存儲器54中的讀取數(shù)據(jù)是利用位址指向控制器(CONT)55的控制進行。
輔助FC部58根據(jù)從存儲器54輸入的數(shù)據(jù)，在個別寫入模式中生成向各個DUT9輸入的實際的數(shù)據(jù)(個別圖案波形)。此輔助FC部58的輸出數(shù)據(jù)，被輸入至一端輸入個別寫入模式信號(MODE)的“及”電路的另一端，當(dāng)個別寫入信號在高準(zhǔn)位時，會被輸入至后段的“或”電路52。
而且，在上述的TG/主要FC部50中與保持的波形資訊的數(shù)量相比，在輔助FC部58中保持的波形資訊(只包含多個同時測定功能所必要的波形資訊)的數(shù)量被設(shè)定的很少。因此，輔助FC部58也可以利用在個別寫入模式中只保持所必要的最小限度的波形資訊的波形整形器構(gòu)成。而且，在各個輔助FC部58中，TG/主要FC部50具有的時序發(fā)生器的功能成為個別具備的功能。
“或”電路52輸出由TG/主要FC部50生成的、經(jīng)過并輸入“及”電路51的數(shù)據(jù)，或者輸出由輔助FC部58生成的、經(jīng)過并輸入“及”電路151的數(shù)據(jù)。此“或”電路52的輸出的數(shù)據(jù)，通過生成向IO頻道7施加的數(shù)據(jù)圖案的正反器53，向IO頻道7輸出。
邏輯比較器59會比較從DUT9的IO接腳輸出的數(shù)據(jù)與規(guī)定的期待值數(shù)據(jù)，兩者一致時，判定為合格，不一致時判定為失效。此判定結(jié)果會存儲在AFM3中。而且，關(guān)于IO接腳5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，相對于多數(shù)的DUT9，共通設(shè)定了TG/主要FC部50與“及”電路51，其他以外的輔助FC部58、存儲器54、邏輯比較器59等與各個多數(shù)的DUT9相對應(yīng)地個別設(shè)置。而且，與各個DUT9的多數(shù)IO接腳相對應(yīng)，個別設(shè)置了IO接腳處理部5。
IO頻道7在生成向DUT9的IO接腳施加的實際的圖案波形的同時，會把從IO接腳中實際輸出的波形轉(zhuǎn)換為邏輯數(shù)據(jù)。因此，IO頻道7具備驅(qū)動器(DR)70與比較器(CP)71。驅(qū)動器70，根據(jù)向?qū)?yīng)的IO接腳處理部5的正反器53中輸入的數(shù)據(jù)，生成通常波形。比較器71，通過比較在DUT9的IO接腳(I/O)中顯示的波形的電壓與規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電壓，來決定邏輯數(shù)據(jù)的值。
測試控制部10是不良存儲區(qū)域選擇單元的一例，是為了控制利用半導(dǎo)體測試裝置所進行的測試而設(shè)置的。在這里，測試控制部10根據(jù)AFM3中儲存的判定結(jié)果，生成多數(shù)的DUT9的測試操作或者挽救操作所用的多數(shù)的個別資訊，輸出至存儲器54。為了實現(xiàn)從判定結(jié)果而生成個別資訊的處理的高速化，測試控制部10也可以利用1個或者多數(shù)的EWS(工程工作站engineering work station)進行并列處理。
如此，ALPG1、AFM3、以及IO接腳處理部5作為向多數(shù)的DUT9并行輸入圖案波形的波形輸出單元而進行操作。而且，TG/主要FC部50作為生成從ALPG中供給的、與各個多數(shù)的DUT9共通的共通資訊相對應(yīng)的共通圖案波形的第1波形生成單元而進行操作。多數(shù)的輔助FC部58作為與各個多數(shù)的DUT9相對應(yīng)，在存儲器54中生成與個別準(zhǔn)備的多數(shù)的個別資訊相對應(yīng)的個別圖案波形的多數(shù)的第2波形生成單元而進行操作。
而且，“及”電路51、151、“或”電路52作為波形切換單元而進行操作，該波形切換單元選擇性地向各個多數(shù)的DUT9進行共同輸入根據(jù)第1波形生成單元所生成的共通圖案波形的操作，與向各個多數(shù)的DUT9進行個別輸入根據(jù)各種多數(shù)的第2波形生成單元所生成的個別圖案波形的操作。在這里，例如向各個多數(shù)的DUT9的不良區(qū)域中寫入不良區(qū)域資訊等情況時，波形切換單元也可以選擇性地進行向各個多數(shù)的DUT9個別輸入個別圖案波形的操作。更加具體地說，波形切換單元也可以把個別圖案波形作為應(yīng)該寫入不良區(qū)域資訊等的數(shù)據(jù)的寫入位址，個別輸入至各個多數(shù)的DUT9。
而且，邏輯比較器59，根據(jù)與共通圖案波形或者個別圖案波形相對應(yīng)并從DUT9中輸出的輸出波形，作為合格/失效判定單元而進行操作，該合格/失效判定單元判定DUT9中的測試對象部位的合格/失效。而且，AFM3作為儲存根據(jù)上述合格/失效判定單元的判定結(jié)果的失效存儲器而進行操作。
本實施形態(tài)中的半導(dǎo)體測試裝置具有此類結(jié)構(gòu)，以下關(guān)于對于DUT9的測試操作與挽救操作進行說明。
(1)測試操作(1-1)向多數(shù)的DUT9中寫入相同的數(shù)據(jù)時從ALPG1輸出的圖案數(shù)據(jù)，向成為此圖案數(shù)據(jù)的輸入對象的與IO接腳對應(yīng)的IO接腳處理部5供給。
在IO接腳處理部5中，TG/主要FC部50根據(jù)輸入的圖案數(shù)據(jù)，制作符合實際輸入時序的測試數(shù)據(jù)。此時，因為個別寫入模式信號保持了低準(zhǔn)位，所以從“及”電路51直接輸出了向一端的輸入端子輸入的TG/主要FC部50的輸出數(shù)據(jù)。此“及”電路51的輸出端子與各個多數(shù)的DUT9對應(yīng)設(shè)置的“或”電路52的一端的輸出端子分路連接。所以，同時向多數(shù)的“或”電路52輸入從TG/主要FC部50輸出的共通數(shù)據(jù)，并向正反器53輸入。
在IO頻道7中，驅(qū)動器70根據(jù)向IO接腳處理部5內(nèi)的正反器53輸入的數(shù)據(jù)，生成通常波形。此通常波形被輸入至對應(yīng)的IO接腳(I/O)。
如此，由IO接腳處理部5以及IO頻道7生成的通常波形被輸入至IO接腳。在與此IO接腳相對應(yīng)的IO頻道7中，比較器71會比較從此IO接腳中輸出的波形的電壓與規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電壓，生成邏輯數(shù)據(jù)。而且，在與此IO接腳對應(yīng)的IO接腳處理部5中，在邏輯比較器59中，會使用從IO頻道7內(nèi)的比較器71輸入的數(shù)據(jù)，進行合格/失效的判定。此判定結(jié)果會存儲在AFM3中。
(1-2)向各個多數(shù)的DUT9中輸入個別數(shù)據(jù)時指定個別寫入模式，輸出個別寫入模式信號(MODE)時，在“及”電路中，TG/主要FC部50的輸出數(shù)據(jù)會被屏蔽，代替它的是開始使用存儲器54中儲存的個別圖案的個別寫入操作。
在使用存儲器54的個別寫入操作中，會讀取儲存在存儲器54中的與各個DUT9的各個IO接腳相對應(yīng)的圖案數(shù)據(jù)，輸入至輔助FC部58。輔助FC部58會根據(jù)輸入的圖案數(shù)據(jù)，制作符合實際輸入時序的與各個DUT9的個別資訊對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)。而且，會根據(jù)經(jīng)過“或”電路52并向正反器53輸入的數(shù)據(jù)，而生成通常波形。在IO頻道7中，驅(qū)動器70會根據(jù)向IO接腳處理部5中的正反器52輸入的數(shù)據(jù)，而生成通常波形。在個別寫入模式中，會生成與每個DUT9相異的通常波形，輸入至對應(yīng)的DUT9的IO接腳(IO)。
圖2是表示根據(jù)需要進行個別寫入操作的測試操作的具體事例的時序圖，表示的是測試作為多數(shù)的DUT9的多數(shù)的快閃存儲器時的時序的一例。在本例中，各個多數(shù)的DUT9為IO接腳(IO)準(zhǔn)備了寫入操作時按照時序劃分而輸入指令、寫入位址以及寫入數(shù)據(jù)的介面。
如圖2所示，測試快閃存儲器時，首先，向IO接腳輸入與“指令”對應(yīng)的共通數(shù)據(jù)(程序)。此輸入操作，根據(jù)存儲在ALPG1中的圖案數(shù)據(jù)，并利用IO接腳處理部5中的TG/主要FC部50，而生成共通數(shù)據(jù)來實現(xiàn)。
然后，需要向(AL、AM、AH)中指定的特定的位址中輸入作為個別資訊的數(shù)據(jù)。此數(shù)據(jù)設(shè)定了每個快閃存儲器中不同的內(nèi)容。例如，與DUT#a對應(yīng)設(shè)定數(shù)據(jù)D0、D1、......，與DUT#b對應(yīng)設(shè)定數(shù)據(jù)D0’、D1’、......，......與DUT#n對應(yīng)設(shè)定數(shù)據(jù)D0”、D1”、......。具體來說，關(guān)于特定的位址(AL、AM、AH)的輸入操作是根據(jù)ALPG1存儲的圖案數(shù)據(jù)，利用IO接腳處理部5中的TG/主要FC部，而生成共同數(shù)據(jù)來實現(xiàn)。而且，數(shù)據(jù)D0、D0’、D0”等的個別資訊的輸入操作，是根據(jù)AFM3或者存儲器54中儲存的個別資訊，藉由IO接腳處理部5中的輔助FC部58生成個別數(shù)據(jù)來實現(xiàn)。
即，進行向各個多數(shù)的DUT9的同一個寫入位址寫入不同數(shù)據(jù)的測試時，波形切換單元在應(yīng)向各個多數(shù)的DUT9中輸入指令以及共通的寫入位址的時序中，藉由每個DUT9的介面共通向多數(shù)的DUT9中，分別輸入第1波形生成單元所生成的共通圖案。而且，波形切換單元在應(yīng)向各個多數(shù)的DUT9輸入不同的寫入數(shù)據(jù)的時序中，個別藉由每個DUT9的介面，向每個DUT9輸入第2波形成單元生成的各個多數(shù)的個別圖案波形。
如此，如果輸入共通的指令、位址以及個別的數(shù)據(jù)，會在各個DUT9(DUT#a～#n)中進行編程(programing)。而且，從IO接腳中輸入根據(jù)存儲在ALPG1中的圖案數(shù)據(jù)而指示向各個多數(shù)的DUT9輸出編程結(jié)果的指令，并使其以輪詢(polling)的形式輸出編程的結(jié)果。此編程的結(jié)果會輸入至IO頻道7中的比較器71中，而且，會在IO接腳處理部5中的邏輯比較器中進行合格/失效的判定。
在以上的處理中，半導(dǎo)體測試裝置可以通過在測試過程中把個別寫入模式信號從低準(zhǔn)位切換至高準(zhǔn)位，在任意時序中把使用ALPG1的測試操作變更為使用存儲器54的個別寫入模式的測試操作。而且，其后根據(jù)需要，可以通過把個別寫入模式信號從高準(zhǔn)位恢復(fù)至低準(zhǔn)位，來恢復(fù)使用ALPG1的測試操作。特別是，利用ALPG1生成的圖案數(shù)據(jù)指定個別寫入模式信號與切換時序時，可以在一系列的測試操作中，利用所需的時序切換至個別寫入模式，也可以相反恢復(fù)原有的通常模式，不需要切換時序的復(fù)雜的控制。根據(jù)這樣的控制，半導(dǎo)體測試裝置可以對于向多數(shù)的DUT9供給的指令、位址、以及數(shù)據(jù)中的至少一部分，供給共通的指令、位址、以及/或者數(shù)據(jù)，對于其他部分供給個別的指令、位址、以及/或者數(shù)據(jù)。
(2)挽救操作關(guān)于挽救操作，把特定多數(shù)的DUT9的各個不良區(qū)域的位址作為個別資訊向各個DUT9輸入，同時需要作為寫入數(shù)據(jù)共通輸入不良區(qū)域資訊。即，向特定的IO接腳輸入個別資訊的操作，與上述測試操作中的個別寫入模式的操作相同。而且，向各個DUT9的IO接腳輸入共通資訊的操作也與上述的測試操作中的個別寫入模式以外的情況下的操作相同。
所以，挽救操作時的IO接腳處理部5的各部的設(shè)定等基本上與上述的測試操作中的個別寫入模式時的這些設(shè)定是相同的，會根據(jù)IO接腳處理部5中的輔助FC部58生成顯示各個DUT9的挽救部位的個別寫入位址，并從IO頻道7向各個DUT9的IO接腳輸入。
圖3是表示挽救操作的具體事例的時序圖。挽救包括不良存儲胞的DUT9時，半導(dǎo)體測試裝置首先會進行測試操作，根據(jù)測試結(jié)果AFM3中存儲的測試判定結(jié)果，在存儲器54中寫入識別不良存儲區(qū)域的個別資訊。
更加具體地說明，多數(shù)的邏輯比較器59會根據(jù)與第1波形生成單元生成的第1共通圖案波形或者多數(shù)的第2波形生成單元生成的多數(shù)的個別圖案波形對應(yīng)的，從各個多數(shù)的DUT9中輸出的輸出波形，進行該DUT9中的測試對象的存儲區(qū)域的合格/失效的判定。然后，AFM3會把多數(shù)的邏輯比較器59判定的各種結(jié)果作為各個多數(shù)的DUT9的測試結(jié)果存儲。而且，測試控制部10會根據(jù)AFM3中存儲的多數(shù)的判定結(jié)果，把識別的各個多數(shù)的DUT9的不良存取區(qū)域的資訊作為各個多數(shù)的個別資訊輸出至各個多數(shù)的存儲器54中，并使其被存儲。
第1波形生成單元會生成與“指令”對應(yīng)的共通數(shù)據(jù)(程序)的共通圖案波形。波形切換單元在應(yīng)該向各個多數(shù)的DUT9輸入指令的時序中，共同經(jīng)過IO接腳的介面向各個多數(shù)的DUT9輸入與指令對應(yīng)的共通圖案波形。
然后，各個多數(shù)的第2波形生成單元會生成存儲器54中儲存的、與多數(shù)的DUT9分別對應(yīng)的各個多數(shù)的個別資訊所識別的、顯示各個多數(shù)的DUT9中的不良存儲區(qū)域位址的個別圖案波形。波形切換單元會在應(yīng)該向各個多數(shù)的DUT9輸入寫入位址的時序中，個別經(jīng)過IO接腳的介面向各個多數(shù)的DUT9中輸入多數(shù)的個別圖案波形。
接下來，第1波形生成單元會生成顯示識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的共通圖案波形。波形切換單元會在應(yīng)該向各個多數(shù)的DUT9輸入寫入數(shù)據(jù)的時序中，共同經(jīng)過IO接腳的介面向各個多數(shù)的DUT9中輸入第1波形生成單元生成的共通圖案波形。
經(jīng)過以上的處理，波形輸出單元可以共同輸出與多數(shù)的DUT9并行、與寫入數(shù)據(jù)的指令對應(yīng)的圖案波形，并把與有關(guān)各個多數(shù)的DUT9的個別資訊所識別的不良存儲區(qū)域?qū)?yīng)的圖案波形作為寫入位址個別輸入，把顯示與寫入位址對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)共通輸入。更加具體地說明，波形切換單元可以向各個多數(shù)的DUT9，個別輸入作為顯示該DUT9的上述不良存儲區(qū)域的寫入位址的個別圖案波形，共通輸入作為顯示寫入位址對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的共通圖案波形，并使其在寫入位址中寫入數(shù)據(jù)。結(jié)果，半導(dǎo)體測試裝置可以與多數(shù)的DUT9的不同位址的不良存儲區(qū)域并行，寫入不良區(qū)域資訊，并可以縮短挽救操作所需的時間。
在這里，各個多數(shù)的DUT9具有1或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域時，半導(dǎo)體測試裝置會進行如下所示的挽救操作。
測試控制部10會根據(jù)AFM3中存儲的多數(shù)的判定結(jié)果，把識別與各個多數(shù)的DUT9的1個或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域的資訊作為各個多數(shù)的個別資訊輸出，并使之儲存在各個多數(shù)的存儲器54。
第1波形生成單元與各個多數(shù)的DUT9中的1個或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域相對應(yīng)，生成與“指令”對應(yīng)的共通數(shù)據(jù)(程序)的共通圖案波形。各個多數(shù)的第2波形生成單元會藉由被儲存在存儲器54中的各個多數(shù)的個別資訊，順次生成被識別的、顯示各個多數(shù)的DUT9中的1個或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域位址的個別圖案波形。而且，第1波形生成單元會與1或者各個多數(shù)的不良存儲區(qū)域相對應(yīng)，生成顯示識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的共通圖案波形。
波形切換單元向各個多數(shù)的DUT9共通輸入與該DUT9的各個不良存儲區(qū)域?qū)?yīng)的指令的共通圖案波形。而且，向各個多數(shù)的DUT9個別輸入作為顯示多數(shù)DUT9的1個或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域的1個或者多數(shù)的寫入位址的個別圖案波形。而且，共通輸入作為顯示與1或者多數(shù)的寫入位址對應(yīng)的，1個或者多數(shù)的存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)，生成的寫入數(shù)據(jù)的共通圖案波形。
在上述處理中，多數(shù)的DUT9有時會具有各種不同數(shù)量的不良存儲區(qū)域。此時，例如圖3中的DUT#n的第二次寫入所示，波形切換單元，在向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中，已經(jīng)完成了向所有的上述不良存儲區(qū)域中寫入上述寫入數(shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件中禁止寫入的狀態(tài)下，可以使其向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中，未完成向所有的上述不良存儲區(qū)域?qū)懭肷鲜鰧懭霐?shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件中寫入尚未完成寫入的上述數(shù)據(jù)。
更加具體得說明，波形切換單元根據(jù)存儲器54中儲存的個別資訊，對于未完成向所有的不良存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)寫入的DUT9，通過啟動該DUT9的可寫入信號接腳(/WE)的操作，寫入數(shù)據(jù)。另一方面，對于已經(jīng)完成向所有的不良存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)寫入的DUT9，通過使該DUT9的可寫入信號接腳(/WE)失效，來禁止數(shù)據(jù)的寫入。
在這里，波形切換單元會代替可寫入信號接腳，可以通過啟動芯片啟動信號接腳(/CE)或者使其失效，來選擇或者不選擇該DUT9，允許或者禁止寫入數(shù)據(jù)的寫入。
如此，在本實施形態(tài)的半導(dǎo)體測試裝置中，由于對于各個多數(shù)的DUT9，可以相互并行的生成、輸入相互不同的多數(shù)的個別資訊，所以，可以縮短需要輸入各個個別資訊時的測試所需的時間。
而且，在TG/主要FC部中，與可以選擇的波形的種類相比，通過在輔助FC部58中設(shè)定少數(shù)的可以選擇的波形的種類，可以把裝置規(guī)模的擴大限制在最小限度。
由于在IO接腳5中具備了儲存?zhèn)€別資訊的存儲器54，所以，不需要在ASIC的包裝外部包圍的配線，可以將配線簡略化。而且，由于去除了不需要的配線，不易產(chǎn)生時序的偏差等問題，可以高速地進行個別資訊的讀取。
而且，在上述實施形態(tài)中，TG/主要FC部50雖然另外具備了省略了這些功能中的一部分的輔助FC部58，但是，允許裝置規(guī)模擴大時，也可以具備代替輔助FC部58的同等數(shù)量的TG/主要FC部。
圖4是表示與本實施形態(tài)的變形實例的半導(dǎo)體測試裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖4中所示的半導(dǎo)體測試裝置在對于多數(shù)的DUT9并行進行測試的同時，還可以進行對于這些多數(shù)的DUT9的挽救操作。在這里，由于在圖4中的附帶與圖1中相同符號的部件具有與圖1中相同部件的功能與結(jié)構(gòu)，除了其不同點以外，省略說明。
與本變形實例相關(guān)的半導(dǎo)體測試裝置，具有與各個多數(shù)的DUT9對應(yīng)設(shè)置的多數(shù)的測試模組202、IO頻道7與測試控制部210。
多數(shù)的測試模組202是波形輸出單元的一例，經(jīng)過IO頻道7，向多數(shù)的DUT9并行輸入ALPG1或者PG(圖案振蕩器)201生成的圖案數(shù)據(jù)。測試模組202具有ALPG1、PG201、1或者多數(shù)的IO接腳處理部205以及AFM3。PG201包含儲存應(yīng)該向DUT9輸出的測試圖案的圖案存儲器，向IO接腳處理部205順次供給圖案存儲器中儲存的測試圖案。
與該測試模組202連接的DUT9的各個多數(shù)的IO接腳相對應(yīng)，多數(shù)設(shè)置了IO接腳處理部205，根據(jù)從ALPG1或者PG201供給的圖案數(shù)據(jù)，生成向DUT9輸入的數(shù)據(jù)，同時，進行從對應(yīng)的IO接腳中輸出的數(shù)據(jù)的合格、失效的判定。IO接腳處理部205包括TG/主要FC部205、正反器53、以及邏輯比較器59。
TG/主要FC部205生成向與包含該TG/主要FC部250的測試模組205連接的DUT9輸入的圖案波形，并供給至正反器。由于TG/主要FC部250具有與圖1所示的TG/主要FC部50相同的功能與結(jié)構(gòu)，所以除了不同點以外，省略說明。
測試控制部210是不良存儲區(qū)域選擇單元的一例，為了控制利用半導(dǎo)體測試裝置的測試而設(shè)置的。在這里，測試控制部210，根據(jù)作為各個多數(shù)的DUT9的測試結(jié)果，即存儲在AFM3中的判定結(jié)果，生成多數(shù)的DUT9的測試操作或者挽救操作中所使用的多數(shù)的個別資訊，輸出至測試控制部210。
以下，關(guān)于利用與本變形實例的半導(dǎo)體測試裝置的DUT9的測試操作與挽救操作，進行說明。
(1)測試操作(1-1)向多數(shù)的DUT9寫入相同的數(shù)據(jù)時分別與多數(shù)的DUT9對應(yīng)設(shè)置的多數(shù)的ALPG1根據(jù)同一系統(tǒng)輸出同一圖案數(shù)據(jù)。從ALPG1中輸出的圖案數(shù)據(jù)，被供給至作為此圖案數(shù)據(jù)的輸入對象的，與IO接腳對應(yīng)的IO接腳處理部205。
在IO接腳處理部中，TG/主要FC部50根據(jù)輸入的圖案數(shù)據(jù)，制作符合實際輸入時序的測試數(shù)據(jù)。
在IO頻道7中，驅(qū)動器70根據(jù)向IO接腳處理部205中的正反器53輸入的數(shù)據(jù)，而生成通常波形。此通常波形被輸入至對應(yīng)的IO接腳(I/O)中。
如此，藉由IO接腳處理部205以及IO頻道7，而生成的通常波形被輸入至IO接腳。在與此IO接腳對應(yīng)的IO頻道中，比較器71會比較從此IO接腳中輸出的波形的電壓與規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電壓，并生成邏輯數(shù)據(jù)。而且，在與此IO接腳對應(yīng)的IO接腳處理部5中，在邏輯比較器59中，進行使用從IO頻道7中的比較器71輸入的數(shù)據(jù)的合格/失效的判定。此判定結(jié)果會存儲于AFM3中。
(1-2)向各個多數(shù)的DUT9中寫入個別資訊時與各個多數(shù)的DUT9并行寫入個別資訊時，測試控制部210，與多數(shù)的測試模組202中的PG201中設(shè)置的圖案存儲器相對，會存儲與個別資訊對應(yīng)各不相同的測試圖案。PG201會讀取個別的測試圖案，向TG/主要FC部250供給個別的圖案數(shù)據(jù)。TG/主要FC部250會根據(jù)輸入的圖案數(shù)據(jù)，制作與符合實際的輸入時序的各個DUT9的個別資訊對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)。正反器53會根據(jù)輸入的數(shù)據(jù)生成通常波形。在IO頻道7中，驅(qū)動器70會根據(jù)輸入至IO接腳處理部205內(nèi)的正反器53的數(shù)據(jù)，生成通常波形。在個別寫入模式中，會生成與各個DUT9相異的通常波形，并輸入至對應(yīng)的DUT9的IO接腳(IO)。
在與本變形實例相關(guān)的半導(dǎo)體測試裝置中，進行個別寫入操作的測試操作的時序，例如，與圖2中的除去個別寫入模式信號的時序相同。在本變形實例中，會在分別與多數(shù)的DUT9對應(yīng)的多數(shù)的PG201中，存儲順次輸出的與“指令”對應(yīng)的共通圖案數(shù)據(jù)、與“位址”對應(yīng)的共通圖案數(shù)據(jù)、以及與“數(shù)據(jù)”對應(yīng)的個別圖案數(shù)據(jù)的測試圖案。
多數(shù)的測試模組202根據(jù)存儲在該測試模組202中的PG201中的測試圖案，向多數(shù)的DUT9并行寫入不同的數(shù)據(jù)。更加具體地說明，IO接腳處理部205通過向DUT9共通輸入在所有的PG201中共通存儲的寫入指令以及與寫入位址對應(yīng)的圖案波形，向DUT9共通輸入各PG2中個別存儲的寫入數(shù)據(jù)對應(yīng)的圖案波形，向各個多數(shù)的DUT9的同一寫入位址中并行寫入不同的寫入數(shù)據(jù)。如此，本變形實例的半導(dǎo)體測試裝置可以供給向多數(shù)的DUT9供給的指令、位址、以及/或者數(shù)據(jù)，向其他部分供給個別指令、位址、以及/或者數(shù)據(jù)。
(2)挽救操作在挽救操作中，把特定的各個多數(shù)的DUT9的不良存儲區(qū)域的位址作為個別資訊向各個DUT9中輸入的同時，需要作為寫入數(shù)據(jù)共通輸入不良區(qū)域資訊。即，向特定的IO接腳輸入個別資訊的操作與上述測試操作中的個別寫入操作相同。而且，向各個DUT9的IO接腳輸入共通資訊的操作也與上述測試操作中的個別寫入操作以外的操作相同。
所以，進行挽救操作時的IO接腳處理部205的各個部的設(shè)定基本上與上述的測試操作中的個別寫入操作中的設(shè)定相同。即，顯示各個DUT9的挽救部位的個別寫入位址作為與該DUT9對應(yīng)的PG201中的測試圖案被存儲，根據(jù)IO接腳處理部205中的TG/主要FC部250生成圖案波形，并從IO頻道7輸入至各個DUT9的IO接腳中。
在與本變形實例相關(guān)的半導(dǎo)體測試裝置中，進行個別挽救操作的測試操作的時序，例如與圖3中的除了個別寫入模式信號的時序相同。
更加具體地說明，測試控制部210根據(jù)作為各個多數(shù)的DUT9的測試結(jié)果的、存儲于AFM3中的多數(shù)的判定結(jié)果，生成與包含識別各個多數(shù)的DUT9的不良區(qū)域的個別資訊的測試圖案。此測試圖案是一種為了順次輸出與“指令”對應(yīng)的共通圖案數(shù)據(jù)、與“位址”對應(yīng)的個別圖案數(shù)據(jù)、以及與“數(shù)據(jù)”對應(yīng)的共通圖案數(shù)據(jù)的圖案。測試控制部210向各個多數(shù)的測試模組202個別傳送與各個DUT9對應(yīng)生成的測試圖案，并存儲于PG201中。
多數(shù)的測試模組202，根據(jù)在該測試模組202內(nèi)的PG201中存儲的測試圖案，向與多數(shù)的DUT9并行且不同的不良存儲區(qū)域?qū)懭氩涣即鎯Y訊。更加具體地說明，根據(jù)PG201中存儲的測試圖案，IO接腳處理部205會向多數(shù)的DUT9輸入與寫入指令對應(yīng)的圖案波形，把與各個多數(shù)的DUT9的個別資訊所識別的不良存儲區(qū)域位址相對應(yīng)的圖案波形作為寫入位址，個別輸入至多數(shù)的DUT9，把顯示寫入位址對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)共通輸入至多數(shù)的DUT9。結(jié)果，與本變形實例的半導(dǎo)體測試裝置可以與多數(shù)的DUT9的不同位址的不良存儲區(qū)域并行，寫入不良區(qū)域資訊，縮短挽救操作所需要的時間。
并且，本發(fā)明并不只是限定于上述的實施形態(tài)，在本發(fā)明的要點的范圍內(nèi)可以進行各種變形。例如，在上述的實施形態(tài)中，作為DUT9主要考慮半導(dǎo)體存儲器來進行說明，即使是邏輯IC，也可以在多個同時進行測試時，適用于本發(fā)明。
以上利用了本發(fā)明的實施形態(tài)進行了說明，但是本發(fā)明的技術(shù)方面的范圍并不只是限定于上述實施形態(tài)中記載的范圍。對于上述實施形態(tài)可以進行多樣的變化或者改良，這一點同行業(yè)者是明了的。進行這些變化或者改良的形態(tài)也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)，這一點從本發(fā)明的記載中可以明了。
產(chǎn)業(yè)方面利用的可能性從上述說明可以得知，根據(jù)本發(fā)明，對于各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件，可以并行地進行相互生成、輸入不同的多數(shù)的個別資訊的操作，縮短需要向各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸入根據(jù)各個個別資訊的位址時的測試以及/或者挽救操作所需要的時間。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其包括第1波形生成單元，生成與各個多數(shù)的半導(dǎo)體裝置共通的共通資訊相對應(yīng)的共通圖案波形；多數(shù)個第2波形生成單元，生成與上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件對應(yīng)且與個別準(zhǔn)備的多數(shù)個別資訊對應(yīng)的個別圖案波形；以及波形切換單元，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件，選擇性地進行共通輸入動作與個別輸入動作，其中該共通輸入動作是共通地輸入上述的第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形，且該個別輸入動作是個別地輸入上述各個多數(shù)的第2波形生成單元所生成的上述個別圖案波形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其中所述的各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件是半導(dǎo)體存儲元件，上述波形切換單元是向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件，選擇性地進行共通輸入動作與個別輸入動作，其中該共通輸入動作是共通地輸入上述的第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形，且該個別輸入動作是把上述各個多數(shù)的第2波形生成單元所生成的上述個別圖案波形作為應(yīng)該寫入數(shù)據(jù)的寫入位址而個別輸入。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其更包括一合格/失效判定單元，根據(jù)與上述共通圖案波形或者上述個別圖案波形相對應(yīng)的從上述半導(dǎo)體存儲元件輸出的輸出波形，進行上述半導(dǎo)體存儲元件中的測試對象部位的合格/失效的判定；以及一失效存儲器，存儲上述合格/失效判定單元的判定結(jié)果。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其更包括存儲上述個別資訊的存儲器，其中上述第2波形生成單元讀取上述存儲器中儲存的上述個別資訊，生成上述個別圖案波形。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其中所述的各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件具備一介面，該界面按照時序劃分以輸入寫入位址及寫入數(shù)據(jù)，上述波形切換單元在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入位址的時序中，個別經(jīng)過上述介面向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入各個多數(shù)的上述個別圖案波形，在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入數(shù)據(jù)的時序中，共通經(jīng)過上述介面，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入上述第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其中所述的各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述介面是按照時序劃分以輸入指令、上述寫入位址及上述寫入數(shù)據(jù)，且上述波形切換單元在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入指令的時序中，共通經(jīng)過上述介面，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入上述第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形，在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入位址的時序中，個別經(jīng)過上述介面，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入各個多數(shù)的上述共通圖案波形，在應(yīng)該向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入寫入數(shù)據(jù)的時序中，共通經(jīng)過上述介面，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中輸入利用上述第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其更包括多數(shù)的合格/失效判定單元，根據(jù)與上述第1波形生成單元所生成的第1上述共通圖案波形或者上述多數(shù)的第2波形生成單元所生成的上述多數(shù)的個別圖案波形相對應(yīng)的從上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件輸出的輸出波形，進行該半導(dǎo)體存儲元件中的測試對象的存儲區(qū)域的合格/失效的判定；一失效存儲器，儲存上述多數(shù)的合格/失效判定單元所判定的多數(shù)的判定結(jié)果；一不良存儲區(qū)域選擇單元，根據(jù)上述失效存儲器中儲存的多數(shù)的上述判定結(jié)果，把識別上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的不良存儲區(qū)域的資訊作為上述多數(shù)的個別資訊而輸出，其中上述各個多數(shù)的第2波形生成單元生成上述個別圖案波形，該上述個別圖案波形顯示出上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的上述不良存儲區(qū)域的位址，上述不良存儲區(qū)域的位址是利用各個多數(shù)的個別資訊而識別，上述第1波形生成單元生成第2上述共通圖案波形，該第2上述共通圖案波形顯示出識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)，上述波形切換單元向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件，個別輸出作為顯示該半導(dǎo)體存儲元件的上述不良存儲區(qū)域的上述寫入位址的上述個別圖案波形，并共通輸入作為顯示與上述寫入位址相對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的上述寫入數(shù)據(jù)的上述第2共通圖案波形，使其在上述寫入位址中寫入上述的寫入數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體測試裝置，其特征在于其中所述的不良存儲區(qū)域選擇單元把識別出上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的1個或者多數(shù)的不良存儲區(qū)域的資訊作為上述各個多數(shù)的個別資訊而輸出，上述各個多數(shù)的第2波形生成單元生成顯示出上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的1個或者多數(shù)的上述不良存儲區(qū)域的位址的上述個別圖案波形，上述不良存儲區(qū)域的位址是利用各個多數(shù)的個別資訊而識別，上述第1波形生成單元生成顯示出識別存儲區(qū)域不良的寫入數(shù)據(jù)的第2上述共通圖案波形，上述波形切換單元向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件個別輸入作為顯示出上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的1個或者多數(shù)的上述不良存儲區(qū)域的1個或者多數(shù)的上述寫入位址的上述個別圖案波形，把第2共通圖案波形作為與1個或者多數(shù)的上述寫入位址對應(yīng)的顯示出1個或者多數(shù)的存儲區(qū)域不良的上述寫入數(shù)據(jù)而共通輸入，在禁止向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的，已經(jīng)完成了對所有的上述不良存儲區(qū)域?qū)懭肷鲜鰧懭霐?shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件，進行寫入的狀態(tài)下，向上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件中的，未完成對所有的上述不良存儲區(qū)域?qū)懭肷鲜鰧懭霐?shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體存儲元件，進行寫入尚未完成寫入的上述寫入數(shù)據(jù)。
9.一種控制方法，為一種測試多數(shù)的半導(dǎo)體元件的控制方法，其特征在于該控制方法包括第1波形生成階段，生成與各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件共通的共通資訊相對應(yīng)的共通圖案波形；第2波形生成階段，生成與上述多數(shù)的半導(dǎo)體元件相對應(yīng)，且與個別準(zhǔn)備的多數(shù)的個別資訊相對應(yīng)的個別圖案波形；以及波形切換階段，向上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件，選擇性地進行共通輸入動作與個別輸入動作，其中該共通輸入動作是共通地輸入上述第1波形生成階段所生成的上述共通圖案波形，且該個別輸入動作是個別地輸入上述各個多數(shù)的第2波形生成階段所生成的上述個別圖案波形。
10.一種半導(dǎo)體測試裝置，測試多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件，其特征在于該半導(dǎo)體測試裝置包括一不良存儲區(qū)域選擇單元，根據(jù)多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的各自的測試結(jié)果，輸出識別上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的不良存儲區(qū)域的個別資訊；以及一波形輸出單元，與上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件并行，且共通輸入與寫入數(shù)據(jù)的指令相對應(yīng)的圖案波形，并把與經(jīng)由上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述個別資訊而識別的上述不良存儲區(qū)域的位址相對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)，而個別輸入，以及把顯示與上述寫入位址相對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)而共同輸入。
11.一種控制方法，為一種測試多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的半導(dǎo)體測試裝置的控制方法，其特征在于該控制方法包括一不良存儲區(qū)域選擇階段，根據(jù)上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的測試結(jié)果，輸出識別上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的不良存儲區(qū)域的個別資訊；以及一波形輸出階段，與上述多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件并行，且共通輸入與寫入數(shù)據(jù)的指令相對應(yīng)的圖案波形，并把與經(jīng)由上述各個多數(shù)的半導(dǎo)體存儲元件的上述個別資訊而識別的上述不良存儲區(qū)域的位址相對應(yīng)的圖案波形作為寫入位址，而個別輸入，以及把與顯示上述寫入位址相對應(yīng)的存儲區(qū)域不良的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的圖案波形作為寫入數(shù)據(jù)，而共同輸入。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體測試裝置，此裝置具有第1波形生成單元，生成與各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件共通的共通資訊相對應(yīng)的共通圖案波形；第2波形生成單元，生成與各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件對應(yīng)，與個別準(zhǔn)備的多數(shù)個別資訊對應(yīng)的個別圖案波形；波形切換單元，有選擇地進行向各個多數(shù)的半導(dǎo)體元件共通輸入第1波形生成單元所生成的上述共通圖案波形的操作、與個別輸入各個多數(shù)的第2波形生成單元所生成的上述個別圖案波形的操作。
文檔編號G01R31/28GK1809896SQ20048001697
公開日2006年7月26日 申請日期2004年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月19日
發(fā)明者佐藤和彥, 明世范, 千葉浩幸 申請人:愛德萬測試株式會社