專利名稱：制造磁阻磁頭的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造磁阻磁頭的方法，具體地，本發(fā)明涉及使用旋轉(zhuǎn)閥裝置制造磁阻磁頭的方法。
背景技術(shù)：
利用巨磁阻效應(yīng)(GMR)的旋轉(zhuǎn)閥裝置已用作用于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的讀取裝置。被稱作底部類型的堆疊鐵型旋轉(zhuǎn)閥裝置包括底層，其形成在下間隙層之上；旋轉(zhuǎn)閥膜，在所述旋轉(zhuǎn)閥膜中，在底層上堆疊反鐵磁層/第一鐵磁層/反鐵磁耦合層/第二鐵磁層/Cu中間層/自由層；以及保護(hù)層，其形成在自由層之上。
為了增加旋轉(zhuǎn)閥裝置的輸出，有必要增加旋轉(zhuǎn)閥膜的磁阻效應(yīng)。隨著旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸增加，旋轉(zhuǎn)閥膜的電阻減少，導(dǎo)致旋轉(zhuǎn)閥膜的磁阻效應(yīng)的增加。
進(jìn)而，通過(guò)增加讀出電流，即使在使用具有同樣的磁阻效應(yīng)的旋轉(zhuǎn)閥膜的情況下，也能夠獲得更高的輸出。然而，當(dāng)讀出電流增加時(shí)，由于熱生成量增加，所以熱量惡化了旋轉(zhuǎn)閥膜的特性。為了防止熱量惡化旋轉(zhuǎn)閥膜的特性，擴(kuò)大旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸是有效的。
考慮到上述需要，已進(jìn)行了旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的生長(zhǎng)，并且普通濺射方法形成的旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸具有10nm或以上的直徑，并且在更大的情況下具有大約20nm的直徑。
另一方面，隨同磁盤(pán)設(shè)備的記錄密度的增加，磁頭的磁道寬度已逐年變窄。在再現(xiàn)裝置中，旋轉(zhuǎn)閥裝置的裝置寬度對(duì)應(yīng)于磁道寬度。在100Gbit/in2的面記錄密度下，讀取磁道的寬度，亦即旋轉(zhuǎn)閥裝置的寬度，達(dá)到了100nm或以下。由于旋轉(zhuǎn)閥裝置的裝置高度被制作成大約和裝置寬度同樣的尺寸，所以對(duì)于100Gbit/ini2面記錄密度，旋轉(zhuǎn)閥裝置的面積大約為10,000nm2或以下。
隨著旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的生長(zhǎng)和旋轉(zhuǎn)閥裝置的面積的小型化取得進(jìn)展，一個(gè)旋轉(zhuǎn)閥裝置中包含的旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒的數(shù)目減少。例如，在通過(guò)使用具有10nm的晶粒尺寸的膜來(lái)制造10,000nm2的裝置的情況下，裝置中包含的晶粒的數(shù)目大約為130，但是隨著晶粒尺寸增加到20nm，晶粒的數(shù)目減少到大約30。
磁膜的磁特性經(jīng)受取決于晶體取向的顯著影響。制造的旋轉(zhuǎn)閥膜通常包含多晶體，并且晶體取向在平面內(nèi)方向上并不統(tǒng)一。為了減少晶體取向的變化對(duì)磁特性造成的影響，有必要增加裝置中包含的晶粒的數(shù)目。例如，在裝置僅包含一個(gè)晶粒的情況下，晶體的取向確定了裝置的磁特性。亦即，裝置的磁特性是變化的，除非對(duì)于所有的裝置對(duì)齊晶體取向。在裝置中統(tǒng)計(jì)地包含若干晶粒的情況下，由于裝置的磁特性不再取決于個(gè)別晶粒的晶體取向或方向，所以能夠減少每個(gè)裝置之間的磁特性的變化。因此，理論上期望在一個(gè)裝置中包含300個(gè)或以上的晶粒。然而，為了獲得高讀取輸出，有必要增加旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸。在高讀取輸出和裝置之間的特性的小變化之間存在折衷關(guān)系。在這種情況下，為了改善裝置的產(chǎn)量，有必要限制晶粒尺寸的分布并精確控制其平均值。
專利文獻(xiàn)1披露了下述方法，所述方法使用晶體生長(zhǎng)控制層作為控制旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的方法。專利文獻(xiàn)1教導(dǎo)，通過(guò)在底層和旋轉(zhuǎn)閥膜之間或在旋轉(zhuǎn)閥膜中插入晶體生長(zhǎng)控制層，能夠在3到8nm之內(nèi)控制晶粒尺寸，所述晶體生長(zhǎng)控制層包含下述材料，所述材料至少包含由O、N、H、Cu、Au、Ag和Rh組成的組中的一種成分。它還教導(dǎo)，可以在將要被堆疊的膜的平面之內(nèi)分散地形成晶體生長(zhǎng)控制層。
通常，為了控制諸如濺射之類的膜形成方法所形成的膜的晶粒尺寸，向基片提供不均勻性是有效的。專利文獻(xiàn)2披露了在將要形成磁阻效應(yīng)膜的基片中形成不均勻性的方法。第一種方法是使用沿著從晶格面傾斜預(yù)定角度的平面切開(kāi)的單晶基片的外基片。第二種方法是通過(guò)光刻工藝形成不均勻性。由于光刻工藝能夠精確地控制不均勻性的尺寸，所以，作為在減少膜中的晶粒尺寸的離差的同時(shí)控制晶粒尺寸的方法，它是合適的。進(jìn)而，旋轉(zhuǎn)閥膜是極薄的膜的堆疊，并且如果增加不均勻性的高度的話，則旋轉(zhuǎn)閥膜在磁特性方面退化。因此，由于不均勻性的高度在原子水平的級(jí)別，亦即從1到5，所以用于形成不均勻性的蝕刻方法和光致抗蝕劑具有許多可供選擇的辦法。
專利文獻(xiàn)1日本公開(kāi)專利號(hào)1002-3353專利文獻(xiàn)2日本公開(kāi)專利號(hào)8-130337發(fā)明內(nèi)容在專利文獻(xiàn)1中說(shuō)明的晶粒尺寸控制方法中，盡管能夠控制晶粒尺寸的平均值，但是難以減少晶粒尺寸的離差。
由于在專利文獻(xiàn)2中說(shuō)明的第一種方法中，在諸如Al2O3之類的無(wú)定形下間隙膜之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜，所以難以使用該方法。進(jìn)而，在第二種方法中，為了將旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸控制到大約10nm，有必要同樣將不均勻性的構(gòu)圖尺寸形成到基本上相同的尺寸。目前，除了通過(guò)電子束曝光方法之外，不能形成大約10nm的構(gòu)圖。由于電子束曝光對(duì)于曝光花費(fèi)很多時(shí)間，所以生產(chǎn)率低。因此，旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸控制需要光刻技術(shù)，其提供高生產(chǎn)率并能夠形成大約10nm的構(gòu)圖。
本發(fā)明的目的是提供制造磁阻磁頭的方法，其中，所述磁阻磁頭提供高生產(chǎn)率，能夠減少旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的離差，并且在裝置特性的小范圍的變化內(nèi)使晶粒尺寸的平均值最大化。
為了達(dá)到前述目的，根據(jù)本發(fā)明的制造磁阻磁頭的方法包含以下步驟向下間隙層應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除島狀組織部分或海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻下間隙層；去除抗蝕劑；以及在表面已經(jīng)受了不均勻制作的下間隙層上形成旋轉(zhuǎn)閥膜。
二嵌段共聚物是通過(guò)混和聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成的液態(tài)附加劑。
選擇性去除島狀組織部分或海狀組織部分的步驟包括臭氧RIE處理。
不均勻性的臺(tái)階具有1到5的高度。
不均勻性的臺(tái)階具有3到20nm的寬度。
形成旋轉(zhuǎn)閥膜的步驟是濺射步驟。
形成旋轉(zhuǎn)閥膜的步驟是通過(guò)濺射連續(xù)堆疊反鐵磁層、第一鐵磁層、反鐵磁耦合層、第二鐵磁層、非磁性導(dǎo)體中間層和自由層的步驟。
反鐵磁層包含MnPt或MnIr，第一鐵磁層包含CoFe，反鐵磁耦合層包含Ru，第二鐵磁層包含CoFe，非磁性導(dǎo)體中間層包含Cu，而自由層包含CoFe和NiFe的堆疊。
形成旋轉(zhuǎn)閥膜的步驟是通過(guò)在堆疊NiFeCr和NiFe而形成的下層上濺射來(lái)連續(xù)形成MnPt反鐵磁層、CoFe第一鐵磁層、Ru反鐵磁耦合層、CoFe第二鐵磁層、Cu非磁性導(dǎo)體中間層以及堆疊CoFe和NiFe而形成的自由層的步驟。
該方法進(jìn)一步包括在自由層上堆疊Cu和Ta以形成保護(hù)層的步驟。
為了達(dá)到前述目的，根據(jù)本發(fā)明的制造磁阻磁頭的方法包括以下步驟在基片之上形成下磁屏蔽層；在下磁屏蔽層之上形成下間隙層；在下間隙層之上應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除島狀組織部分或海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻下間隙層；去除抗蝕劑；在表面已經(jīng)受了不均勻制作的下間隙層之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜；在旋轉(zhuǎn)閥膜之上形成上間隙層；以及在上間隙層之上形成上磁屏蔽層。
為了達(dá)到前述目的，根據(jù)本發(fā)明的制造磁阻磁頭的方法包括以下步驟在基片之上形成下磁屏蔽層；在下磁屏蔽層之上形成下間隙層；在下間隙層之上應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除島狀組織部分或海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻下間隙層；去除抗蝕劑；在表面已經(jīng)受了不均勻制作的下間隙層之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜；在旋轉(zhuǎn)閥膜之上形成上間隙層；在上間隙層之上形成上磁屏蔽層；以及鄰近于上磁屏蔽層形成磁鐵感應(yīng)記錄磁頭。
本發(fā)明能夠提供制造磁阻磁頭的方法，其中，所述磁阻磁頭提供高生產(chǎn)率，能夠減少旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的離差，并且在裝置特性的小范圍的變化內(nèi)使晶粒尺寸的平均值最大化。


圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在下間隙層上形成的不均勻性構(gòu)圖的透視圖；圖1B是不均勻性構(gòu)圖的平面圖；圖2是顯示用于將不均勻性構(gòu)圖形成到下間隙層的過(guò)程的示圖；圖3是顯示在不均勻性構(gòu)圖之上形成的旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒的示圖；圖4是當(dāng)從空氣承載表面一側(cè)來(lái)看時(shí)磁阻磁頭的構(gòu)成示圖；圖5是當(dāng)從空氣承載表面一側(cè)來(lái)看時(shí)讀取/寫(xiě)入分開(kāi)類型的磁頭(磁阻磁頭)的透視圖。
具體實(shí)施例方式
參考圖1A、1B、2和3來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。首先，為了控制旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸，形成不均勻性構(gòu)圖2，其在作為底層基片的下間隙層1上有規(guī)律地布置，如圖1A和1B所示。圖1A是透視圖，而圖1B是平面圖。下間隙層1是包含諸如Al2O3之類的絕緣材料的膜。盡管不均勻性構(gòu)圖2在圖1A和1B中包含柱形凸起的突出3，但是同樣可以包含柱形凹下的部分。有規(guī)律地布置凸起部分3(或凹下部分)。凸起部分3(或凹下部分)的高度(不均勻性高度h)為從1到5。凸起部分3(或凹下部分)的直徑(不均勻性寬度w)為從3到20nm。
在這個(gè)實(shí)施例中，為了將不均勻性構(gòu)圖2制作到下間隙層1，利用了使用二嵌段共聚物的自組織膜的制作方法。參考圖2來(lái)說(shuō)明具體的制作方法。
首先，如圖2(a)所示，作為抗蝕構(gòu)圖的二嵌段共聚物4被應(yīng)用到下間隙層1。作為二嵌段共聚物4，能夠使用例如包含聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的二嵌段共聚物。通過(guò)控制嵌段共聚物的成分比率和分子量，能夠獲得將嵌段共聚物相分離成不同形狀的結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)涂敷通過(guò)混和PS和PMMA形成的液態(tài)附加劑時(shí)，能夠獲得包含海狀PS組織部分5和島狀PMMA組織部分6的結(jié)構(gòu)。
然后，如圖2(b)所示，通過(guò)向二嵌段共聚物4施加臭氧RIE(活性離子蝕刻)處理，海狀PS組織部分5被蝕刻，以形成島狀PMMA組織部分6的構(gòu)圖。
然后，使用島狀PMMA組織部分作為抗蝕劑，蝕刻下間隙層1，如圖2(c)所示。接著，當(dāng)如圖2(d)所示去除抗蝕劑時(shí)，能夠形成不均勻性構(gòu)圖2，其中，在下間隙層1上有規(guī)律地布置凸起部分3(或凹下部分)。
不均勻性構(gòu)圖的陡度為從1到5。亦即，制作的量極小。因此，即使當(dāng)二嵌段共聚物的溶液形成了極薄的膜時(shí)，它也能充分起到抗蝕劑的作用。
接著，如圖3所示，在經(jīng)受了不均勻性制作的下間隙層1之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜7。能夠通過(guò)諸如濺射方法之類的通常使用的膜形成方法形成旋轉(zhuǎn)閥膜7。
當(dāng)如上所述在經(jīng)受了不均勻性制作的下間隙層1之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜7時(shí)，旋轉(zhuǎn)閥7的晶粒8幾乎不生長(zhǎng)超過(guò)不均勻性構(gòu)圖2中的臺(tái)階，并且旋轉(zhuǎn)閥膜7的晶粒界面9以高度可證性存在于不均勻性構(gòu)圖2的臺(tái)階部分中。因此，旋轉(zhuǎn)閥膜7的晶粒尺寸以小于不均勻性構(gòu)圖2的尺寸分布。通過(guò)控制不均勻性構(gòu)圖2的尺寸，能夠在裝置特性的小范圍的變化之內(nèi)使晶粒尺寸的平均值最大化。圖3顯示了這種狀態(tài)。在能夠減少不均勻性構(gòu)圖2的尺寸變化的這種實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)閥膜7中的晶粒尺寸的離差能夠被控制到減少的水平。
圖4顯示了當(dāng)在空氣承載表面一側(cè)來(lái)看時(shí)根據(jù)上述實(shí)施例的具有旋轉(zhuǎn)閥膜7的磁阻磁頭20的構(gòu)成例子。按照制造步驟的順序來(lái)說(shuō)明圖4中顯示的構(gòu)成例子。在作為浮動(dòng)塊的由陶瓷等制成的基片50上用濺射或類似的方法形成包含例如NiFe的下磁屏蔽層10。通過(guò)濺射等在屏蔽層10上形成包含諸如Al2O3之類的絕緣材料的下間隙層1。在下間隙層1的表面上形成上述的不均勻性構(gòu)圖2。在下間隙層1的不均勻性構(gòu)圖2之上通過(guò)濺射等形成旋轉(zhuǎn)閥膜7。在旋轉(zhuǎn)閥膜7之上通過(guò)濺射等形成包含Cu或Ta的單一層或其堆疊的保護(hù)層15。
通過(guò)濺射等在旋轉(zhuǎn)閥膜7的兩個(gè)末端上形成包含CoCrPt等的磁疇控制層16，在其上形成包含Ta等的電極層17。通過(guò)濺射等在電極層17和保護(hù)層15之上形成包含諸如Al2O3之類的絕緣材料的上間隙層18。通過(guò)濺射等在上間隙層18之上形成包含例如NiFe的上磁屏蔽層19。
通過(guò)連續(xù)地堆疊包含MnPt或MnIr的反鐵磁層11、通過(guò)堆疊包含例如CoFe的第一鐵磁層、包含例如Ru的反鐵磁耦合層和包含例如CoFe的第二鐵磁層形成的固定層12、包含例如Cu的非磁性導(dǎo)體中間層13以及通過(guò)堆疊包含例如CoFe的第三鐵磁層和包含例如NiFe的第四鐵磁層形成的自由層14，形成了旋轉(zhuǎn)閥膜7。
旋轉(zhuǎn)閥膜7的各個(gè)層的具體成分構(gòu)成和厚度按照堆疊的順序顯示如下MnPt 180/CoFe 15/Ru 8/CoFe 20/Cu 20/CoFe 10/NiFe20/Cu 10/Ta20。旋轉(zhuǎn)閥膜是極薄的層的堆疊，其中最薄的Ru層為8。順便提及，作為用于晶體控制的下層，例如NiFe 32/NiFe 8同樣可以在下間隙層1和反鐵磁層11之間形成。
圖5顯示了讀取/寫(xiě)入分開(kāi)類型的磁頭的構(gòu)成例子，其中，鄰近于作為讀取磁頭(也被稱作磁阻磁頭)的磁阻磁頭20布置磁感應(yīng)類型的記錄磁頭40。通過(guò)濺射等在磁阻磁頭20之上形成包含諸如Al2O3之類的絕緣材料的分離膜30，在其上通過(guò)電鍍方法或?yàn)R射方法形成磁感應(yīng)類型記錄磁頭40。磁感應(yīng)類型寫(xiě)入磁頭40包含下磁性層41；下磁極靴42，其形成在下磁性層41的末端；上磁極靴44，其和下磁極靴42相對(duì)經(jīng)由磁性間隙膜43形成；上磁性層45，其為用于磁極靴44的軛，并且在后間隙部分處和下磁性層41連接；以及導(dǎo)體線圈47，其在下磁性層41和上磁性層45之間的夾層絕緣層46中形成。磁感應(yīng)類型寫(xiě)入磁頭40的上部用硬保護(hù)層(未顯示)覆蓋。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于能夠減少旋轉(zhuǎn)閥膜的晶粒尺寸的離差，并且在裝置特性的小范圍的變化之內(nèi)能夠使晶粒尺寸的平均值最大化，所以能夠獲得展示高讀取輸出并具有較小變化的裝置特性的磁阻磁頭。
權(quán)利要求
1.一種制造磁阻磁頭的方法，包括以下步驟向下間隙層應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除所述島狀組織部分或所述海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻所述下間隙層；去除所述抗蝕劑；以及在表面已經(jīng)受了不均勻制作的所述下間隙層上形成旋轉(zhuǎn)閥膜。
2.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，所述二嵌段共聚物是通過(guò)混和聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成的液態(tài)附加劑。
3.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，選擇性去除所述島狀組織部分或所述海狀組織部分的所述步驟包括臭氧RIE處理。
4.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，所述不均勻性的臺(tái)階具有1到5的高度。
5.如權(quán)利要求4所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，所述不均勻性的臺(tái)階具有3到20nm的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，形成所述旋轉(zhuǎn)閥膜的所述步驟是濺射步驟。
7.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，形成所述旋轉(zhuǎn)閥膜的所述步驟是通過(guò)濺射連續(xù)堆疊反鐵磁層、第一鐵磁層、反鐵磁耦合層、第二鐵磁層、非磁性導(dǎo)體中間層和自由層的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，所述反鐵磁層包含MnPt或MnIr，所述第一鐵磁層包含CoFe，所述反鐵磁耦合層包含Ru，所述第二鐵磁層包含CoFe，所述非磁性導(dǎo)體中間層包含Cu，而所述自由層包含CoFe和NiFe的堆疊。
9.如權(quán)利要求1所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，形成所述旋轉(zhuǎn)閥膜的所述步驟是通過(guò)在堆疊NiFeCr和NiFe而形成的下層上濺射來(lái)連續(xù)形成MnPt反鐵磁層、CoFe第一鐵磁層、Ru反鐵磁耦合層、CoFe第二鐵磁層、Cu非磁性導(dǎo)體中間層以及堆疊CoFe和NiFe而形成的自由層的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述的制造磁阻磁頭的方法，其進(jìn)一步包括在所述自由層上堆疊Cu和Ta以形成保護(hù)層的步驟。
11.一種制造磁阻磁頭的方法，包括以下步驟在基片之上形成下磁屏蔽層；在所述下磁屏蔽層之上形成下間隙層；在所述下間隙層之上應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離的狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除所述島狀組織部分或所述海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻所述下間隙層；去除所述抗蝕劑；在表面已經(jīng)受了不均勻制作的所述下間隙層之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜；在所述旋轉(zhuǎn)閥膜之上形成上間隙層；以及在所述上間隙層之上形成上磁屏蔽層。
12.如權(quán)利要求11所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，形成所述旋轉(zhuǎn)閥膜的所述步驟是濺射步驟。
13.一種制造磁阻磁頭的方法，包括以下步驟在基片之上形成下磁屏蔽層；在所述下磁屏蔽層之上形成下間隙層；在所述下間隙層之上應(yīng)用自組織二嵌段共聚物，以造成在相分離狀態(tài)下依次排列的島狀組織部分和海狀組織部分；選擇性去除所述島狀組織部分或所述海狀組織部分；使用未去除的組織部分作為抗蝕劑蝕刻所述下間隙層；去除所述抗蝕劑；在表面已經(jīng)受了不均勻制作的所述下間隙層之上形成旋轉(zhuǎn)閥膜；在所述旋轉(zhuǎn)閥膜之上形成上間隙層；在所述上間隙層之上形成上磁屏蔽層；以及鄰近于所述上磁屏蔽層形成磁鐵感應(yīng)記錄磁頭。
14.如權(quán)利要求13所述的制造磁阻磁頭的方法，其中，形成所述旋轉(zhuǎn)閥膜的所述步驟是濺射步驟。
全文摘要
為了控制旋轉(zhuǎn)閥膜中的晶粒尺寸，需要展示高生產(chǎn)率并能夠形成大約10nm的構(gòu)圖的光刻技術(shù)。將包含聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的二嵌段共聚物4應(yīng)用到下間隙層1(圖2(a))。當(dāng)涂敷通過(guò)混和PS和PMMA形成的液態(tài)附加劑時(shí)，獲得了包括海狀PS組織部分5和島狀PMMA組織部分6的膜結(jié)構(gòu)。通過(guò)向膜結(jié)構(gòu)施加臭氧RIE處理，海狀PS組織部分5被蝕刻，以形成島狀PMMA組織部分6的構(gòu)圖(圖2(b))。通過(guò)使用島狀PMMA組織部分作為抗蝕劑蝕刻下間隙層1，然后去除抗蝕劑，能夠形成在下間隙層1上有規(guī)律地排列的不均勻性構(gòu)圖2(圖2(c)、圖2(d))。在經(jīng)受了不均勻性制作的下間隙層1上形成旋轉(zhuǎn)閥膜7。
文檔編號(hào)G01R33/09GK1811921SQ20051012033
公開(kāi)日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月25日
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