專利名稱：分析用具、分析用具的反應槽的指定方法和分析裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在具有反應槽的分析用具中，指定目標反應槽的技術。
背景技術：
作為試料的分析方法，例如有利用光學方法或電化學方法分析使試料和試藥反應時的反應液的方法。在利用這些方法進行試料的分析的情況下，使用提供反應場的分析用具。分析用具是安裝在分析反應液用的分析裝置中而被使用。另外，在分析微量試料的情況下，作為分析用具，利用的是形成有微細流路的所謂的微型裝置。
作為微型裝置的一個例子，有全體形成為圓盤狀，在同一圓周上配置多個反應槽的裝置(參照專利文獻1)。這種微型裝置，可利用多個反應槽，并使用不同的試料來進行同一項目(被檢測成分)的分析，或者使用相同的試料進行多個項目的分析。另一方面，在分析裝置中，必須識別各反應槽與哪種試料對應，或者與哪個分析項目對應。
然而，從裝置小型化和降低制造成本的觀點出發(fā)，作為微型裝置的安裝對象的分析裝置，不同時在多個反應槽中進行試料的分析，而是形成為具有固定在裝置中的一個分析機構的結構。在這種情況下，在分析裝置中，將微型裝置放置在旋轉工作臺上的狀態(tài)下，使微型裝置與旋轉工作臺一起旋轉，改變反應槽的位置，并且利用分析機構，對每個反應槽個別地進行試料分析。另外，在分析裝置中，通過將微型裝置定位放置在旋轉工作臺上，而可以設在旋轉工作臺或與旋轉工作臺連接的旋轉軸上的標記為基準，檢測微型裝置的各反應槽的位置(參照專利文獻2、3)。
在使用如微型裝置那樣的小型分析用具的情況下，由于各反應槽較小，因此，在分析裝置中要求更高的位置檢測精度。這是因為當利用如微型裝置一樣的小型分析用具來指定反應槽的位置時，更容易受到分析用具的尺寸公差或分析用具在旋轉工作臺上的定位誤差的影響，實際的反應槽的位置和檢測的反應槽的位置之間的相對誤差量大，考慮到這點，要求較高的位置檢測精度。然而，為了達到較高的檢測精度，不但需要昂貴的檢測機構，而且檢測機構變得復雜或大型化。其結果是，產生了無論使用的分析用具是否為小型化，但分析裝置也不能小型化的問題。
專利文獻1日本特開平10-2875號公報專利文獻2日本特開平11-233594號公報專利文獻3日本特開2002-284342號公報發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種在具有多個反應槽的分析用具中，能夠利用簡單且廉價的結構來指定目標反應槽。
在本發(fā)明的第一方面中，提供一種分析用具，其具有保持試料和試藥的反應液的多個反應槽，還具有識別該分析用具的指定部位用的基準部。
多個反應槽例如被配置在同一圓周上，基準部被配置在與多個反應槽相同的圓周上。在這種情況下，基準部例如在上述圓周上互相鄰接的反應槽之間形成，并且包含與上述圓周方向并列的多個線條部。多個線條部以等間隔或大致等間隔并列地配置。在這種情況下，多個反應槽的間隔被設定為多個線條部的間隔的非整數倍。
各線條部例如構成為凹部。凹部沿上述圓周方向的截面例如形成為V字形。各凹部的截面也可以為V字形以外的形狀，例如為矩形或半圓形。另外，線狀部也可以構成為凸部。在這種情況下，凸部沿上述圓周方向的截面形狀例如為V字形、矩形或半圓形。
基準部的反射率也可以與其他部位不同。例如，基準部可以由反射率比其他部位高的材料形成。
基準部構成為至少包含凸部或凹部。在分析用具保持在分析裝置的旋轉工作臺上來使用的結構的情況下，基準部例如在將該分析用具相對于旋轉工作臺進行定位時而被使用。
本發(fā)明的分析用具可以還包括為了識別目標反應槽而與該反應槽對應設置的識別部。識別部構成為包含例如與所述基準部形狀不同的凸部或凹部。
本發(fā)明的第二方面提供一種分析用具的反應槽的位置指定方法，能夠在具有保持試料和試藥的反應液用的多個反應槽的分析用具中，指定上述各反應槽的位置，其中，在上述分析用具中設置有用于識別上述分析用具的指定部位的基準部，通過識別上述基準部來指定上述各反應槽的位置。
在優(yōu)選實施方式中，在構成為多個反應槽配置在同一圓周上并且適用于利用光學方法進行試料分析的分析用具中，將基準部與多個反應槽設置在同一圓周上，而且，在檢測基準部時，利用為了使用分析用具進行試料分析而使用的測光裝置。在這種情況下，當檢測基準部時，使測光裝置沿配置有分析用具的多個反應槽的圓周相對地移動，并向分析用具照射光，此時，在測光裝置中接收從分析用具行進的光。
在本發(fā)明的位置指定方法中，例如設置1個以上的凹部或凸部作為基準部，在測光裝置中，當將光照射在分析用具上時，接收透過上述分析用具的光，以檢測上述基準部。例如設置多個線狀的凹部作為基準部。
在本發(fā)明的位置指定方法中，例如使用激光作為照射在分析用具上的光。在這種情況下，優(yōu)選使分析用具旋轉并向分析用具照射光，根據此時接收的反射光的光量的變化來檢測目標反應槽，其中，基準部的反射率與其他部位不同。
在分析用具包含反應槽，而且具有將毛細管力作用在試料以使試料移動的流路、將流路內部的氣體排出至外部用的排氣口、和塞住排氣口并且利用激光形成開口的密封件的情況下，優(yōu)選使用在密封件上形成開口用的光源作為向基準部照射光的光源。在這種情況下，控制光源，使得與在檢測基準部時相比，在密封件上形成開口時，從光源射出的激光的輸出大。
在本發(fā)明的位置指定方法中，例如使分析用具旋轉，并向分析用具照射光，根據此時接收的反射光的光量變化來檢測目標反應槽。在這種情況下，作為分析用具，可以使用作為全體形成為圓盤狀，而且為了識別目標反應槽而與該反應槽對應，與基準部一起在分析用具的周緣部設置識別部的結構，而且從分析用具的側面照射光，另一方面，根據從分析用具發(fā)出的反射光，進行各反應槽的指定。向分析用具照射光以及接收從分析用具發(fā)出的反射光是利用反射型光電傳感來進行的。
優(yōu)選反射型光電傳感器具有發(fā)光部和受光部，并配置發(fā)光部和受光部，使得例如在分析用具的凸部上，反射光的光量為最大。
本發(fā)明的第三方面提供一種分析裝置，其利用具有保持試料和試藥的反應液用的多個反應槽的分析用具，在上述各反應槽中進行試料的分析，包括向上述各反應槽照射光，另一方面，接收此時從上述各反應槽行進的光的測光裝置；以及根據利用上述測光裝置，向上述分析用具照射光時由上述測光裝置接收的光的結果，檢測識別設置在上述分析用具上的該分析用具的指定部位用的基準部的檢測裝置。
優(yōu)選在使用多個反應槽和上述基準部被配置在同一圓周上、并且在各反應槽中進行試料分析的結構作為分析用具的情況下，還包括控制沿配置有分析用具的多個反應槽的圓周，使測光裝置相對轉動的動作用的控制裝置。在這種情況下，檢測裝置使測光裝置相對地旋轉，并根據利用測光裝置向分析用具照射光時由測光裝置接收的光結果，檢測基準部。
在構成為分析用具適用于通過光學方法、利用各反應槽進行試料分析的情況下，例如使用進行各反應槽的測光用的裝置作為測光裝置。在這種情況下，例如當向分析用具照射光時，測光裝置能夠接收透過分析用具的光。
測光裝置也可以構成為能夠向分析用具照射光，另一方面，接收從分析用具發(fā)出的反射光。在這種情況下，測光裝置例如包含具有將激光照射在分析用具上用的激光二極管和接收從分析用具發(fā)出的反射光用的光電二極管的半導體激光裝置。
為了監(jiān)測激光二極管輸出，可以將光電二極管裝入半導體激光裝置中來使用。優(yōu)選光電二極管其受光面與從半導體激光裝置射出的激光的光軸交叉的方向上擴展，而且相對于激光二極管在與光軸垂直的方向上分離。
作為分析用具，使用包含反應槽，并且具有將毛細管力作用在試料上以使試料移動用的流路、將流路內部的氣體排出至外部用的排氣口、和塞住排氣口的密封件的分析用具，其中，還包括控制測光裝置的動作用的控制裝置。例如為了在密封件上形成開口而使流路與外部連通，控制裝置控制測光裝置，使得從測光裝置發(fā)出的激光照射在密封件上。優(yōu)選控制裝置控制測光裝置，使得與檢測基準部時相比，在密封件上形成開口時，從測光裝置射出的激光輸出大。
在作為分析用具，使用作為全體形成為圓盤狀，而且為了識別目標反應槽而與該反應槽對應，與基準部一起在分析用具的周緣部設置有識別部的結構的情況下，上述分析裝置例如具有從側面向分析用具的周緣部照射光，而且接收從分析用具的周緣部發(fā)出的反射光的光學傳感器。
可以使用反射型光電傳感器作為光學傳感器。


圖1為表示本發(fā)明的第一實施方式的分析裝置的主要部分和微型裝置的一個例子的立體圖。
圖2為將微型裝置安裝在圖1所示的分析裝置的安裝部中的狀態(tài)下的截面圖。
圖3為將微型裝置安裝在安裝部中的狀態(tài)下的安裝部周圍的截面圖。
圖4為本發(fā)明的微型裝置的全體立體圖。
圖5為圖4所示的微型裝置的分解立體圖。
圖6A為沿著圖4的VIa-VIa線的截面圖，圖6B為沿著圖4的VIb-VIb線的截面圖。
圖7為圖4所示的微型裝置的基板的平面圖。
圖8為圖4所示的微型裝置的蓋的平面圖。
圖9為表示說明圖4所示的微型裝置的基準部的主要部分的截面圖。
圖10為表示將光照射在圖4所示的微型裝置的基準部及其附近時的透過率變化的圖形。
圖11為表示圖1所示的分析裝置的一部分的結構的方框圖。
圖12為說明圖4所示的微型裝置的流路中的試料的移動狀態(tài)的示意圖。
圖13為與表示微型裝置的基準部的另一例子圖9相當的主要部分的截面圖。
圖14為表示微型裝置的基準部的再一例子的與圖9相當的主要部分的截面圖。
圖15為本發(fā)明的第二實施方式的微型裝置的分解立體圖。
圖16為表示將圖15所示的微型裝置安裝在分析裝置的安裝部上的狀態(tài)的與圖3相當的截面圖。
圖17為說明在分析裝置中使用的半導體激光裝置的截面圖。
圖18為表示半導體激光裝置的另一例子的截面圖。
圖19為表示說明本發(fā)明的第三實施方式的分析裝置和微型裝置的簡要結構的分解立體圖。
圖20為表示將微型裝置安裝在圖19所示的分析裝置的安裝部中的狀態(tài)的與圖3相當的截面圖。
圖21為圖19所示的微型裝置的全體立體圖。
圖22為從背面觀察圖21所示的微型裝置的立體圖。
圖23為圖21所示的微型裝置的分解立體圖。
圖24為表示圖21所示的微型裝置的基板的主要部分的平面圖。
圖25為表示將光照射在圖24所示的基板上的反射光的光量的一個例子的圖形。
具體實施例方式
在圖1～圖3中表示出主要部分的分析裝置X，用于安裝形成有細微流路的微型裝置Y(分析用具)，以進行試料分析，其包括框體1、安裝部2、測光機構3A、3B、以及開口形成機構4A、4B。
如圖4～圖6所示，微型裝置Y提供反應場，通過使蓋6與基板5接合而將全體形成為圓盤狀的形式，其中，除基板5和蓋6以外，還具有粘接層7A、分離膜7B和定位部8。
如圖5～圖7所示，基板5作為全體形成為透明圓盤狀。該基板5具有液體接收部50、多條流路51、多條分支流路52、多個凹部53以及切口54。
液體接收部50用于保持導入至各流路51中的試料，在基板5的中央部作為圓柱狀的凹部而形成。
多條流路51用于移動試料，其在基板5的上表面5A上形成，以便與液體接收部50連通。各流路51通過液體接收部50與后述的蓋6的試料導入口60連接，基本上形成為從中央部向周緣部延伸的直線形。多條流路51的流路長度相同，同時，呈放射狀配置。各流路51具有分支部55以及反應槽56。
分支部55被設定作為流路51和分支流路52的邊界部分，在比流路51的反應槽56更靠近液體接收部50的部位處，被設定在非?？拷磻?6的部位上。
反應槽56被設置在各流路51上。其結果，在基板5上設置多個反應槽56。多個反應槽56距離液體接收部50的距離相同，在基板5上，等間隔地被配置在同一圓周上(這里，除去設置有后述的基準部66的部分)。在各反應槽56中設置有試藥部57。其中，試藥部57不是必需設置在全部的反應槽56中，例如，也可以在為了校正因試藥的色味造成的影響而利用的流路中省略試藥部。
試藥部57為固體狀，在被供給有試料時而成為溶解狀態(tài)，與試料中的被檢測成分反應而發(fā)色。在本實施方式中，準備成分或組成不同的多種試藥部57，以便能夠在微型裝置Y中測定多個項目。
各分支流路52是用于移動至反應槽56的前面的裝置，從對應的流路51的分支部55延伸。如上所述，由于分支部55被設定在非常靠近反應槽56的部位，因此，通過使試料流入分支流路52中，而能夠將試料移動至非?？拷磻?6的部位。
如后所述，多個凹部53是當光從基板5的上面5A側照射在反應槽56上時，使透過光在基板5的下表面5B側射出的部位。各凹部53被設置在基板5的下表面5B的反應槽56對應的部位上。其結果，多個凹部53在基板5的周緣部上被配置在相同的圓周上。
切口54構成定位部8，其在基板5的周緣部，向著基板5的中心凹下去，而且在上下方向貫通形成。
具有以上所述結構的基板5可以通過使用聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylatePMMA)等的丙烯酸系樹脂或聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxanePDMS)的透明樹脂材料的樹脂成形而形成。即，液體接收部50、多條流路51、多條分支流路52、多個凹部53和切口54，可通過對金屬模的形狀進行設計，而同時在所述樹脂成形時形成。
如圖5、圖6A、圖6B和圖8中所示，蓋6全體形成為透明圓盤狀，具有試料導入口60、共同流路61、多個第一氣體排出口62、第二氣體排出口63、多個凹部64、切口65和基準部66。
試料導入口60在導入試料時利用，形成為通孔。試料導入口60在蓋6的中央部位于基板5的液體接收部50的上面。
共同流路61是用于在將流路51內的氣體排出至外部時，將氣體導入第二氣體排出口63的流路。共同流路61在蓋6的下表面6A的周緣部上形成為環(huán)形的凹部。共同流路61與基板5的多條流路51連通。
各第一氣體排出口62用于排出流路51內的氣體，形成為通孔。各第一氣體排出口62形成為位于基板5的對應的分支流路52的上面。其結果，多個第一氣體排口62被設置成位于相同的圓周上。各第一氣體排出口62的上部開口由密封件67所塞住。密封件67利用鋁等金屬或利用樹脂形成。密封件67例如利用粘接材料或者通過熔接而固定在蓋6上。
第二氣體排出口63形成為與共同流路61連通的通孔。第二氣體排出口63的上部開口利用密封件68而被塞住。
當利用后述分析裝置X的開口形成機構4A、4B的半導體激光裝置4A照射激光時，密封件68熔融，從而形成開口。當將光點直徑例如為50～300μm、輸出為15～50mW的激光對密封件68照射0.5～10秒時形成開口。這種密封件68例如在熱可塑性樹脂中含有光吸收粒子和蓄熱用填充材料，其厚度形成為5～100μm。作為熱可塑性樹脂，例如使用乙烯-醋酸乙烯基共聚體。作為光吸收粒子，可以使用平均粒子直徑為0.1～30μm的粒子，其材料根據激光波長來選擇。作為蓄熱用填充材料，例如使用鎳粉末。例如使用粘接材料或利用熔接而將密封件68固定在基板5上。
如后所述，多個凹部64是用于光從蓋6的上面6B側照射在反應槽56上的部位。各凹部64在蓋6的上表面6B上位于反應槽56的上方，其結果，多個凹部64在蓋6的周緣部上而被配置在相同的圓周上。
切口65與基板5的切口54一起構成定位部8，在與基板5的切口54對應的部位上，形成為在上下方向貫通。
基準部66在指定多個反應槽56時利用，在微型裝置Y的厚度方向觀察時，基準部66在與多個反應槽56相同的圓周上形成。該基準部66包含三個槽部66A。這些槽部66A在蓋6的半徑方向延伸，同時，在圓周方向等間隔地并列。如圖9所示，沿著形成有多個反應槽56的圓周上的截面形成為V字形。此處，多個反應槽56的間隔例如形成為三個槽部66A的間隔的非整數倍。在各槽部66A中，當從蓋6的上表面6B照射光時，光發(fā)生折射，在后述的測光機構3A、3B的受光部3B上接收的光的量減少。由于這樣，可將各槽部66A與反應槽56區(qū)別。另外，在基準部66上，由于并列設置三個槽部66A，參照圖10可以看出，在受光部3B上，能夠連續(xù)地把握三個接收光量少的峰值(透過率小的峰值)。因此，如果基準部66包含多個(在本實施方式為三個)槽部66A，則可以與反應槽56等區(qū)別，可以更可靠地指定基準部66。
特別是，如果等間隔地配置基準部66的三個槽部66A，將多個反應槽56的間隔設定為與三個槽部66A的間隔的非整數倍，在受光部3B上，可以與噪聲成分區(qū)別，可靠地檢測三個槽部66A(基準部66)。即，在反應槽56中設置試藥部57，此外，基板5或蓋6通常由樹脂成形而形成。由于這樣，由試藥部57的表面形狀、基板5或蓋6產生的傷痕或附著在其上的塵?；蛭畚?，可能使在槽部66A以外產生透過率小的部分。在這種情況下，如上所述，如果等間隔地配置三個槽部66A，同時，將多個反應槽56的間隔設定為與三個槽部66A的間隔的非整數倍，由于基準部66的三個槽部66A具有規(guī)則性，可以檢測，因此容易與在不規(guī)則的時間檢測的噪聲成分區(qū)別。結果，在基準部66的檢測中，微型裝置Y很難受到傷痕或污物的影響。
具有以上結構的蓋6，可以使用與基板5相同的透明樹脂材料的樹脂成形而形成。即，可以在所述樹脂成形時，同時形成試料導入口60、共同流路61、多個第一氣體排出口62、第二氣體排出口63、多個凹部64、切口65和基準部66。
如圖5、圖6A和圖6B所示，粘接層7A起到使蓋6與基板5接合的作用。粘接層7A能夠通過將在中央部具有通孔70A的粘接片放置在基板5和蓋6之間而形成。粘接層7A的通孔70A的直徑比基板5的液體接收部50或蓋6的試料導入口60的直徑大。作為粘接片，例如可以使用在基材的兩個表面上形成有粘接層的片。
分離膜7B用于分離試料中的固體成分，例如血液中的血球成分。分離膜7B具有與粘接層7A的通孔70A的直徑對應的直徑，嵌入粘接層7A的通孔70A中，放置在基板5的液體接收部50和蓋6的試料導入口60之間。作為分離膜7B，例如可以使用多孔質物質。作為能夠作為分離膜7B而使用的多孔質物質可以列舉出紙狀物、泡沫(發(fā)泡體)、織布狀物，無紡布狀物、編織狀物、膜片過濾器、玻璃過濾器或凝膠狀物質。作為試料，可以使用血液，當在分離膜7B中分離血液中的血球成分的情況下，作為分離膜7B優(yōu)選使用最小細孔徑(孔尺寸)為0.1～10μm的膜。
對于定位部8來說，是以目標姿勢將微型裝置2安裝在后述安裝部2上用的標記，同時，能夠與安裝部2的定位突起23(參照圖1～圖3)接合而以目標姿勢將微型裝置Y安裝在安裝部2上。從上述內容可以看出，定位部8由基板5的切口54和蓋6的切口65構成，在微型裝置Y的周緣部上在上下方向貫通。
如圖1～圖3所示，分析裝置X的框體1，將微型裝置Y收容在后述的安裝部2的旋轉工作臺21上，并且保持測光機構3A、3B和開口形成機構4A、4B。該框體1具有在設置有旋轉驅動機構10的基座部件11上安裝蓋12的結構。旋轉驅動機構10用于使后述的安裝部2的旋轉工作臺21旋轉，具有旋轉軸12和齒輪13。旋轉軸12與圖未示出的動力源(例如電機)連接，利用從該動力源發(fā)出的旋轉輸出力旋轉。齒輪13相對于旋轉軸12不能轉動地而被同定在其上，通過使旋轉軸12旋轉而旋轉。
安裝部2用于保持微型裝置Y，能夠在圖中的箭頭D1、D2方向上相對于框體1往復移動。當該安裝部2位于圖中的D1方向側時，可以安裝微型裝置Y(在圖2中用虛線表示的位置)，當位于圖中的D2側方向上時，可以利用微型裝置Y進行試料分析(在圖2中用實線表示的位置)。
安裝部2具有座20和旋轉工作臺21。座20用于可轉動地保持旋轉工作臺21，例如利用齒條和小齒輪機構，而能夠在D1、D2方向上相對于框體1的基座部件11往復移動。旋轉工作臺21保持微型裝置2，同時，使微型裝置Y旋轉。如圖3所示，在旋轉工作臺21上設置有光透過區(qū)域22、定位突起23和齒輪24。
光透過區(qū)域22能夠使從測光機構3A、3B的光源部3A射出并透過微型裝置Y的反應槽56的光，到達測光機構3A、3B的受光部3B。該光透過區(qū)域22形成為圓環(huán)狀，使得當將微型裝置Y安裝在旋轉工作臺21上時，與微型裝置Y的多個反應槽56的配置對應。當然，也可以通過透明材料形成安裝部2的整體，使透過反應槽56的光能夠到達測光機構3A、3B的受光部3B。
當將微型裝置Y安裝在安裝部2(旋轉工作臺21)上時，定位突起23與微型裝置Y的定位部8接合。
齒輪24通過銷25而不能轉動地固定在旋轉工作臺21上。即，構成為齒輪24與旋轉工作臺21一起轉動。如圖2所示，在安裝部2收容在框體1的內部的狀態(tài)下，齒輪24與設置在框體1上的旋轉驅動機構10的齒輪13嚙合。即，通過旋轉驅動機構10的齒輪13(旋轉軸12)轉動，齒輪24以至旋轉工作臺21旋轉。
如圖2和圖3所示，測光機構3A、3B在將光照射在微型裝置Y上的同時，檢測此處通過微型裝置Y的光量，能夠在分析反應槽56的試料和檢測基準部66時利用。該測光機構3A、3B包含光源部3A和受光部3B。
光源部3A沿設置有反應槽56的圓周，將光照射在微型裝置Y上，其被固定框體1的蓋12上。該光源部3A例如具有峰值波長不同，而且能夠個別地驅動的多個光元件。在這種情況下，多個發(fā)光元件根據在反應槽56的試藥部57中含有的試藥的種類(測定項目)，而能夠個別地選擇點亮和熄滅。光源部3A例如可以由白色LED或水銀燈那樣的具有寬廣波長特性的發(fā)光元件構成。在這種情況下，光源部3A從發(fā)光元件射出的光取出作為目的的波長的光后，將光照射在反應槽56上。
受光部3B用于接收透過微型裝置Y的光。該受光部3B例如在與光源部3A相同的軸上，固定在框體1的基座部件11上。由該受光部3B接收的光量是指定微型裝置Y的基準部66或者分析試料(例如濃度計算)時的基礎。受光部3B例如由光電二極管構成。
開口形成機構4A、4B用于在密封件67、68上形成開口，具有第一開孔形成元件4A和第二開孔形成元件4B。
第一開孔形成元件4A用于一并在多個密封件67上形成開口，其具有從圓盤狀的基板40的下面，多個針狀部41向下方突出的結構。該第一開口形成元件4A可以上下移動地固定在框體1的蓋12上，利用圖未示出的致動器而能夠在上下方向往復移動。
如圖2和圖3所示，各個針狀部41的直徑形成為比蓋6的第一氣體排出口62的直徑小。各個針狀部42與第一氣體排出口62的配置對應，被配置在同一圓周上。因此，在第一開孔形成元件4A的各針狀部41和蓋6的第一氣體排出口62(密封件67)位置一致的狀態(tài)下，如果使第一開孔形成元件4A向下運動，則能夠在多個密封件67上一并形成開孔。這樣，各第一氣體排出口62開放，各流路5 1的內部成為通過分支流路52和第一氣體排出口62而與外部連通的狀態(tài)。
第二開孔形成元件4B用于在密封件68上形成開口，通過半導體激光裝置構成。該半導體激光裝置4B被固定在框體1上，使得能夠將激光照射在微型裝置Y的密封件68上。如上所述，密封件68由激光照射時形成開口的材料制成。因此，如果使半導體激光裝置4B與蓋6的第二氣體排出口63(密封件68)位置一致，利用半導體激光裝置4B將激光照射在密封件68上，則可以在密封件68上形成開孔。這樣，第二氣體排出口63開放，各流路51的內部成為通過共同流路61和第二氣體排出口63而與外部連通的狀態(tài)。
使各個第一和第二氣體排出口62、63開放的方法并不僅限于所述例子。例如，將激光照射在多個密封件67上形成開口也可以，利用針狀部在密封件68上形成開口也可以，另外，利用激光以外的光源，超聲波發(fā)信器或發(fā)熱體將能量給與密封件67、68，使密封件67、68熔融或變形，使第一和第二氣體排出口62、63開放也可以，剝去密封件67、68，使第一和第二氣體排出口62，63開放也可以。
如圖11所示，分析裝置X除了所述元件外，還具有檢測部90、計算部91和控制部92。
檢測部90使微型裝置Y旋轉，并根據通過光源部3A將光照射在微型裝置Y上時，由受光部3B接收光的結果，來檢測微型裝置Y的基準部66，指定密封件67、68和各反應槽56的位置。
計算部91根據通過光源部3A將光照射在微型裝置Y的反應槽56上時，由受光部3B接收光的結果，對各個反應槽56中的每一個進行與該反應槽56對應的被檢測成分分析所必要的計算。更具體地說，計算部91根據從受光部3B接收的光量，以由檢測部90指定的基準部66為基準，掌握與各反應槽56對應的受光量，另一方面，根據與各反應槽56對應的受光量，進行與各反應槽56對應的被檢測成分分析時所必要的計算。
控制部92用于控制各元件的動作，例如控制光源部3A和半導體激光裝置4B的點亮和熄滅，或者控制安裝部2的旋轉工作臺21的旋轉動作。
其次，說明使用微型裝置Y和分析裝置X的試料分析動作。
在試料分析時，首先，在將供給有試料的微型裝置Y安裝在安裝部2(旋轉工作臺21)上后，在圖1和圖2的箭頭D2方向移動安裝部2。微型裝置Y在安裝部2(旋轉工作臺21)上的安裝是使微型裝置Y的定位部8與旋轉工作臺21的定位突起22位置一致來進行的。另一方面，安裝部2的移動是通過由控制部92控制安裝部2的座20的動作來進行的。
當然，在將微型裝置Y安裝在安裝部2上后，將試料供給至微型裝置Y也可以，在分析裝置X中，自動地將試料供給至微型裝置Y也可以。另外，使用者利用手動進行安裝部2向D2方向的移動也可以。
在將試料供給至微型裝置Y的情況下，如從圖6A、圖6B可以預想的那樣，試料S在厚度方向透過分離膜7B，并到達液體接收部50。此時，除去試料中的固體成分。例如，在使用血液作為試料的情況下，除去血液中的血球成分。當供給試料時，由于第一和第二氣體排出口62、63關閉，如圖12A中的交叉剖面線所示，試料S大部分保持在液體接收部50中，幾乎不導入流路51的內部。
在將試料S導入流路51內部的情況下，同時在多個密封件67上形成開孔也可以。此時，進行微型裝置Y的多個密封件67和第一開口形成元件4A的針狀部41的位置定位。更具體地說，在利用檢測部90進行微型裝置Y的基準部66的檢測后，通過以基準部66的位置為基準，使微型裝置Y與旋轉工作臺21一起旋轉來進行。
在檢測基準部66的情況下，使微型裝置Y旋轉，并且使光從光源部3A照射在微型裝置Y上。另一方面，在受光部50中，接收通過微型裝置Y的光。此時，如圖10所示，在受光部3B中，反復得到透過率(接收光量)小的峰值。在這些峰值中，透過率稍小的峰值是由反應槽56和基板5的上表面5A之間的臺階引起的，透過率顯著小的峰值是由基準部66的槽部66A所引起的。即，在微型裝置Y中，當光照射在與基準部66相當的部分上時，連續(xù)得到透過率顯著小的三個峰值。由于這樣，在檢測部90中，監(jiān)測在受光部3B中得到的接收光量(透過率)，這時，將連續(xù)得到較大峰值的部分判斷為基準部66。
其中，在將微型裝置Y安裝在旋轉工作臺21上的時刻，使多個密封件67和第一開口形成元件40的多個針狀部41位置一致也可以。在這種情況下，省略基準部66的檢測。
另一方面，如從圖3B預想的那樣，多個密封件67的開孔的形成是通過使第一開孔形成元件4A向下運動，將針狀部41插入各個密封件67中后，使第一開孔形成元件4A向上運動，從各個密封件67中拔出針狀部41來進行的。這樣，可以同時在多個密封件67上形成開孔。第一開孔形成元件4A的向下運動和向上運動是通過使用者操作操作開關，通過控制部92控制第一開孔形狀元件4A的動作進行的。
在密封件67上形成開孔的情況下，流路51的內部通過第一氣體排出口62和分支流路52連通。因此，保持在液體接收部50中的試料，利用毛細管現象而在流路51的內部移動。如圖12B中交叉剖面線所示，在流路51的內部移動的試料S，在到達分支部55后，流入分支流路52中。這樣，達到試料S在反應槽56附近存在狀態(tài)，結束在反應槽56中用于使試料S和試藥反應的準備。
另一方面，在將試料S供給至反應槽56的情況下，如果在密封件68上形成開孔也可以。如圖2和圖3A所示，密封件68的開孔的形成可通過在使密封件68和半導體激光裝置4B位置一致后，使激光從半導體激光裝置4B射出，并將光照射在密封件68上來進行。
其中，密封件68和半導體裝置4B的定位與微型裝置Y和第一開口形成元件40的定位情況相同，通過在檢測部90中檢測基準部66，同時根據該檢測結果，使微型裝置Y與旋轉工作臺21一起旋轉來進行。另外，在密封件68和半導體激光裝置4B定位時，也可以不進行基準部66的檢測，而是將在密封件67上形成開口時的檢測結果轉用在密封件68和半導體激光裝置4B定位的情況中。
在密封件68上形成開孔的情況下，流路51的內部通過第二氣體排出口63和共同流路61而連通。因此，移動至反應槽56的前面停止的試料S，再次利用毛細管現象而在流路51中移動。這樣，如圖12C中的交叉剖面線所示，在各流路51中，試料S移動并超過分支部55，一并將試料S供給至多個反應槽56中。
在反應槽56中，試料S使試藥部57溶解，構成液相反應體系。這樣，試料S和試藥反應，液相反應體系例如呈現與試料S中包含的被檢測成分的量相關的顏色，或者生成與被檢測成分的量相應的反應物。結果，反應槽56的液相反應體系顯示與被檢測成分的量相應的透光性(光吸收性)。
從將試料供給至反應槽56開始，經過一定時間的情況下，按照預先確定的順序，在測光機構3A、3B中進行反應槽56的液相反應體系的測光。更具體地說，控制部92確認在檢測部90中指定的基準部66的位置，以該基準部66為基準控制旋轉軸12，使目標反應槽56位于與測光機構3A、3B對應的部分上。在這種情況下，基準部66的確認，也可以在指定反應槽56之前進行，也可以根據在密封件67、68上形成開口時的檢測結果進行。
與此相對，在測光機構3A、3B中，光從光源部3A照射在反應槽56上，這時，在受光部3B中，接收透過反應槽56的光。另外，在計算部91中，根據受光部3B的接收光量，把握液相反應體系呈現顏色的程度，進行試料S的被檢測成分的分析。這種測光和分析通過控制旋轉工作臺21的旋轉，按照預先確定的順序，使成為對象的反應槽56位于與測光機構3A、3B對應的部分上而反復地進行。
在本發(fā)明中，用于指定微型裝置Y的反應槽56的標記，作為包含三個槽部66A的基準部66而被設置在微型裝置Y上。另一方面，在分析裝置X中，通過根據由受光部3B接收的光結果，在檢測部90中檢測微型裝置Y的基準部66，指定微型裝置Y的反應槽56。由于這樣，與將標記設置在分析裝置的旋轉工作臺或者旋轉軸上，指定微型裝置的反應槽的現有方法相比，在本明中，很難受到微型裝置Y的尺寸公差或者微型裝置Y在安裝部2上的定位誤差的影響。
此外，基準部66(三個槽部66A)可以通過形成蓋6時的樹脂形成而一體地制造。另外，通過在與多個反應槽56相同的圓周上設置基準部66(三個槽部66A)，不需要另外設置檢測基準部66(三個槽部66A)用的測光部，可以合并使用分析裝置X的試料分析時必要的測光機構3A、3B。另外，如上所述，在基準部66的檢測中，微型裝置Y很難受到傷痕或者污物的影響，可以適當地檢測基準部66。因此，在本發(fā)明中，在利用微型裝置Y那種小型分析用具進行試料分析的情況下，即使要求較高的位置檢測精度，也可以利用簡易而廉價的結構與該要求相適應，同時，可以抑制分析裝置X的大型化。
當然，本發(fā)明不是僅限于第一實施方式中說明的例子，可以對其進行各種發(fā)計變更。例如，基準部66的結構不僅限于圖9等所示的例子那樣，為包含V字形截面的三個槽部66A。如圖13A和圖13B所示，基準部形成為包含截面為矩形或半圓形的三個凹部66B、66C，或者包含具有圖示以外截面形狀的三個凹部也可以。此外，如圖13C所示，基準部66設置在基板5上也可以，如圖14A～14C所示，基準部66”形成為包含三個凸部66D、66E、66F的結構也可以。另外，在圖1 4A～14C中，表示出截面為三角形、矩形或半圓形的三個凸部66D、66E、66F，但是，凸部的截面形狀并不限于例示的形狀。基準部的凹部或凸部的數目也不限于三個。
其次，參照圖15～圖17，說明本發(fā)明的第二實施方式。在這些圖中，在與上述本發(fā)明的第一實施方式相同的元件標注相同的符號表示，以下省略其重復說明。
圖15、圖16A和圖16B所示的微型裝置Y’基本上具有與在本發(fā)明的第一實施方式中，先前說明的微型裝置Y(參照圖4～圖8)同樣的結構，但基準部66’的結構與該微型裝置Y不同。
更具體地說，例如，在微型裝置Y’中，在距離蓋6中心的距離與密封件68相同的部位上，基準部66”的反射率與蓋6的上表面和密封件68不同。這種基準部66’由反射率比蓋6和密封件68大的鋁等金屬形成。
當然，只要能夠利用光學方法區(qū)別蓋6和密封件68即可，例如，基準部66’的反射率比蓋6和密封件68小也可以，例如，可以作為黑色標記構成。作為基準部66’，使照射光散射也可以。即，通過部分地對蓋6的表面進行粗糙化處理，或者通過在蓋6上設置1個以上的凹部或凸部，而可以形成基準部66’，另外，可以利用定位部8作為基準部66’。
另一方面，圖16A和圖16B所示的分析裝置X’基本上具有與在本發(fā)明的第一實施方式中先前所述的分析裝置X(參照圖1～圖3)同樣的結構，但檢測基準部66’的結構與該分析裝置X不同。
更具體地說，為了檢測基準部66’，不利用測光機構3A、3B，而是利用在密封件68上形成開口的第二開口形成元件(半導體激光裝置4B)。
半導體激光裝置4B被固定在框體1的蓋12上(參照圖2)，使得激光可以照射設置在具有微型裝置Y’的密封件68和基準部66’的圓周上。如圖17所示，作為半導體激光裝置4B，使用具有激光二極管芯片42和光電二極管芯片43的裝置。激光二極管芯片42和光電二極管芯片43收容在由軸桿44、間隙45和透明板46形成的空間的內部。激光二極管芯片42通過設有電極體48的底盤座49而安裝在輔助支架47上。另一方面，對于光電二極管芯片43來說，其受光面43A在與從半導體激光裝置4B射出的激光的光交叉的方向上變寬，而且，激光二極管芯片42在與光軸L垂直的方向上分離的狀態(tài)下，而被安裝在輔助支架47上。
使用微型裝置Y’和分析裝置X’的試料分析動作基本上與上述本發(fā)明第一實施方式同樣地進行，但是，如下所述，基準部66’的檢測動作(反應槽56的指定動作)不同。
即，分析裝置X’的基準部66’的檢測，通過利用旋轉工作臺21使微型裝置Y’旋轉，并且使半導體激光裝置4B的激光二極管芯片42發(fā)光來進行。
激光二極管芯片42的發(fā)光根據控制部92(參照圖11)的控制進行。這時，從激光二極管芯片42射出的激光由微型裝置Y’反射后，或者直接地在光電二極管芯片43上被接收。從激光二極管芯片42射出的光照射在設有微型裝置Y’的密封件68和基準部66’的圓周上。另一方面，基準部66’形成為反射率大，使得可以利用光學方法區(qū)別微型裝置Y’的蓋6和密封件68。由于這樣，在光電二極管芯片43中，激光照射在微型裝置Y’的基準部66’上時的接收光量大。結果，在分析裝置X’的檢測部90中，通過監(jiān)測由光電二極管芯片43的接收光量，可以檢測微型裝置Y’的基準部66’。特別是，在圖17所示半導體激光裝置4B中，光電二極管芯片43的受光面43A，在從激光二極管芯片42的光軸L移動的部位上，在與光軸L垂直的方向擴寬。由于這樣，在光電二極管芯片43上可以高效率地接收從微型裝置Y’發(fā)出的反射光。另外，在利用激光來檢測基準部66’的情況下，由于激光的光點直徑小，即使在基準部66’形成為較小的情況下，也可以正確地檢測基準部。即，如果使用激光，則在微型裝置Y’尺寸小型化，不得不形成小的基準部66’的情況下，或者在要求正確的位置檢測精度的情況下，都能夠與該要求相適應。
其中，在與密封件68上形成開口的情況比較，用于指定基準部66’的激光輸出小。這樣，可以高效率地在密封件68上形成開口，另一方面，可以減小檢測基準部66’時的消耗電力。
在本發(fā)明中，將用于指定微型裝置Y’的反應槽56的標記，作為基準部66’而設置在微型裝置Y’上。由于這樣，與將標記設置在分析裝置的旋轉工作臺或旋轉軸上，指定微型裝置的反應槽的先前方法相比，在本發(fā)明中，更加很難受微型裝置Y’的尺寸公差或微型裝置Y’在安裝部2上的定位誤差的影響。
另一方面，在分析裝置X’中，利用作為在密封件68上形成開口用的光源的半導體激光裝置4B進行微型裝置Y’的基準部66’的檢測。另外，通常以監(jiān)測激光二極管芯片42的輸出為目的，將光電二極管(芯片)43與激光二極管芯片42一起裝入半導體激光裝置4B中。因此，在將激光照射在微型裝置Y’上形成開口，使流路51的內部與外部連通這樣構成的分析裝置X’中，不必另外設置檢測基準部66’的機構，能夠合并使用分析裝置X’的試料分析時必要的元件。結果，在本發(fā)明中，在利用微型裝置Y’這種小型分析用具進行試料分析的情況下，即使要求較高的位置檢測精度，也可以利用簡單而廉價的結構與該要求相適應，同時，能夠抑制分析裝置X’的尺寸增大。
當然，本發(fā)明不是僅限于第二實施方式中所述的例子，可以有各種設計變更。例如，可以在本發(fā)明中使用的半導體激光裝置4B不限于圖17所示的例子。在本發(fā)明中，如圖18所示的半導體激光裝置4B’那樣，可以使用將光電二極管芯片43配置在從激光二極管芯片42射出的激光的光軸L上。另外，還可以使用將光電二極管一體地在輔助支架上制出的結構的半導體激光裝置。
其次，參照圖19～圖25說明本發(fā)明的第三實施方式。在這些圖中，與先前說明的本發(fā)明的第一實施方式同樣的元件標注相同的符號表示，以下省略重復的說明。
圖19～圖23所示的微型裝置Y”基本具有與本發(fā)明第一和第二實施方式中所述的微型裝置Y、Y’(參照圖5或者圖15)相同的結構，但是基準部58A”、58B”的結構與微型裝置Y、Y’不同，同時，具有用于指定反應槽56而利用的識別部59A”、59B”這點也不同。
更具體地說，在微型裝置Y”中。在基板5”的周緣部上交互地形成多個凸部58A”、59A”和凹部58B”、59B”。在多個凸部58A”、59A”和凹部58B”、59B”中，一對基準凸部58A”和位于這些基準凸部58A”之間的基準凹部58B”構成基準部。如圖24清楚地所示，各個基準凸部58A”被設定成與基板5”圓周方向對應部分的尺寸L1比另一凸部59A”的相當部分的尺寸L2大。另一方面，基準凹部58B”被設定為底部的基板5”的圓周方向的尺寸L3比另一凹部59B”的相當部分的尺寸L4大。另外，如圖23清楚地所示，凹部59B”位于對應的流路51的延長上而構成識別部。
在利用樹脂成形而形成基板5”的情況下，通過對金屬模型的形狀進行設計，而能夠在樹脂成形時，與液體接收部50以及多條流路51與分支流路52等一起，同時地制成多個凸部58A”、59A”和凹部58B”、59B”。
這里，在基板5”上，在連接基準凹部58B”和基板5”的中心的直線上，不設置流路51。因此，通過確認與該流路51對應的凹部59”和基準凹部58B”(或基準凸部58A”)之間相位差θ1，而能夠指定各流路51。
另一方面，在微型裝置Y”的蓋6”上，在周緣部上設置有第一和第二切口65A”、65B”。從圖20可以看出，第一和第二切口65A”、65B”為將微型裝置Y”在分析裝置X”上進行定位時的標記。第一切口65A”在與基板5”的基準凹部58B”對應的部位和形狀上形成。另一方面，第二切口65B”在基板5”的基準凹部58B”上，在與在夾住基板5”的中心的反對側上形成的凹部59B”對應的位置和形狀上形成。因此，對于微型裝置Y”來說，與蓋6”的第一和第二切口65A”、65B”對應的部分在微型裝置Y”的厚度方向貫通。
在利用樹脂成形二形成基板6”的情況下，通過對金屬模的形狀進行設計，而可以在樹脂成形時，與試料導入口60以及第一和第二氣體排出口62、63等一起，同時形成第一和第二切口65A”、65B”。
另一方面，圖19和圖20所示的分析裝置X”基本上具有與本發(fā)明第一和第二實施方式中所述的分析裝置X、X’(參照圖1～圖3或圖16)同樣的結構，但是檢測基準部58A”、58B”的結構與分析裝置X、X’不同。
更具體地說，分析裝置X”的旋轉工作臺21具有第一和第二定位突起22A”、22B”，同時，還具有位置檢測機構93”。
第一和第二定位突起22A”、22B”在旋轉工作臺21上，將微型裝置Y”保持在目的位置。第一定位突起22A”是與微型裝置Y”的基板5”的基準凹部58B”位置一致的部分，具有與基準凹部58B”對應的形式。另一方面，第二定位突起22B”是與微型裝置Y”的基板5”的指定的凹部59B”(位于夾住基板5”的中心而與基準凹部58B”相反一側的凹部)位置一致的部分，具有與該凹部59B”對應的形式。
位置檢測機構93”用于在微型裝置Y”中，根據多個反應槽56來指定目標反應槽56(參照圖23)。該位置檢測機構93”向著微型裝置Y”的周緣部射出光，另一方面，接收其反射光，例如構成為包含反射型光電傳感器。配置位置檢測機構93”，使得在微型裝置Y的基板5”的凸部58A”、59A”上，反射光量為最大。
使用微型裝置Y”和分析裝置X”的試料分析動作基本上與先前說明的本發(fā)明的第一實施方式同樣地進行，但如下所述，反應槽56的指定動作不同。
在微型裝置Y”中，在使微型裝置Y”旋轉的狀態(tài)下，在從側面向著基板5”的周緣部照射光的情況下，在凸部58A”、59A”和凹部5 8B”、59B”相互之間，在基準凸部58A”和另一凸部59A”相互之間或基準凹部58B”和另一凹部59B”相互之間，反射光的狀態(tài)可以不同。即，如圖25中表示的一個例子那樣，例如在凸部58A”、59A”中，在配置位置檢測機構93”(例如反射型光電傳感器)，使反射光量為峰值的情況下，對于從基板5”的周緣部發(fā)出的反射光量來說，第一與凸部58A”、59A”相比，凹部58B”、59B”的較??；第二與基準凸部58A”相比，另一個凸部59A”的光量的高值峰值的半值寬度?。坏谌c基準凹部58B”相比，另一個凹部59B”的光量的低值峰值的半值寬度小。在這種情況下，通過確認高值峰值的半值寬度變大的低值峰值，或者通過確認低值峰值的半值寬度變的部分，而可以指定基準凹部58B”。
另一方面，在位置檢測機構93”中，在利用旋轉工作臺21使微型裝置Y”旋轉的狀態(tài)下，向著微型裝置Y”的周緣部射出光，另一方面，接收其反射光，并監(jiān)測反射光量。這時，參照圖25，如上所述，可以確認基板5”的基準凹路58B”。這樣，以該基準凹部58B”的位置為基準，可以確認另一凹部59B”的位置乃至微型裝置Y”的目標反應槽56的位置。結果，根據與目標凹部59B”(反應槽56)和基準凹部58B”之間的相位差θ1對應的控制量，使旋轉軸12旋轉，從而，能夠使目標反應槽56位于測光機構3A、3B的光源部3A和受光部3B之間。
在本發(fā)明中，將指定微型裝置Y”的反應槽56的標記，作為多個凸部58A”、59A”和凹部58B”、59B”而設置在微型裝置Y”上。另一方面，在分析裝置X”中，通過在位置檢測部93”中檢測微型裝置Y”的凸部58A”、59A”和凹部58B”、59B”，而可以指定微型裝置Y”的反應槽56。由于這樣，與在分析裝置的旋轉工作臺或旋轉軸上設置標記，指定微型裝置的反應槽的現有方法相比，在本發(fā)明中，更加難以受到微型裝置Y”的尺寸公差或微型裝置Y”在旋轉工作臺21上的定位誤差的影響。結果，在利用微型裝置Y”這種小型分析用具進行試料分析的情況下，即使要求較高的位置檢測精度，也能夠以簡單而廉價的結構與該要求相適應。另外，通過采用簡單的結構，能夠使分析裝置X”實現小型化。
本發(fā)明并不限于第一～第三實施方式中所述的例子，可以對其進行各種設計變更。例如，在現有實施方式中，以根據光照射在反應槽56上時的透過光進行分析的情況為例進行說明，但是本發(fā)明在根據從反應槽發(fā)出的反射光進行試料分析的情況也適用。本發(fā)明也并不限于使用微型裝置作為分析用具的情況，對于使用其他結構的分析用具的情況，也可以使用本發(fā)明。
權利要求
1.一種分析用具，包括用于保持試料和試藥的反應液的多個反應槽，其特征在于還具有用于識別該分析用具的指定部位的基準部。
2.如權利要求1所述的分析用具，其特征在于所述多個反應槽被配置在同一圓周上。
3.如權利要求2所述的分析用具，其特征在于所述基準部被配置在與所述多個反應槽相同的圓周上。
4.如權利要求3所述的分析用具，其特征在于所述基準部在所述圓周上互相鄰接的反應槽之間形成，而且包含在所述圓周方向并列的多個線條部。
5.如權利要求4所述的分析用具，其特征在于所述多個線條部以等間隔或大致等間隔并列配置。
6.如權利要求5所述的分析用具，其特征在于所述多個反應槽的間隔被設定為所述多個線條部的間隔的非整數倍。
7.如權利要求4所述的分析用具，其特征在于所述各線條部為凹部。
8.如權利要求7所述的分析用具，其特征在于所述各線條部的截面形成為V字形。
9.如權利要求1所述的分析用具，其特征在于所述基準部的反射率形成為與其他部位不同。
10.如權利要求9所述的分析用具，其特征在于所述基準部由反射率比其他部位高的材料形成。
11.如權利要求1所述的分析用具，其特征在于所述基準部至少包含凸部或者凹部。
12.如權利要求11所述的分析用具，其特征在于該分析用具被保持在分析裝置的旋轉工作臺上使用，所述基準部在將該分析用具相對于所述旋轉工作臺進行定位時使用。
13.如權利要求11所述的分析用具，其特征在于，還包括為了識別目標反應槽而與該反應槽對應設置的識別部。
14.如權利要求13所述的分析用具，其特征在于所述識別部包含與所述基準部形狀不同的凸部或凹部。
15.一利分析用具的反應槽的位置指定方法，在具有用于保持試料和試藥的反應液的多個反應槽的分析用具中，指定所述各反應槽的位置，其特征在于在所述分析用具中設置有用于識別所述分析用具的指定部位的基準部，通過識別所述基準部來指定所述各反應槽的位置。
16.如權利要求15所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于在構成為所述多個反應槽配置在同一圓周上并且適用于利用光學方法進行試料分析的所述分析用具中，相對于所述分析用具，將所述基準部與所述多個反應槽設置在同一圓周上，而且，在檢測所述基準部時，利用為了使用所述分析用具進行試料分析而使用的測光裝置。
17.如權利要求16所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于當檢測所述基準部時，使所述測光裝置沿配置有所述分析用具的所述多個反應槽的圓周相對移動，并向所述分析用具照射光，此時，在所述測光裝置中接收從所述分析用具行進的光。
18.如權利要求17所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于設置1個以上的凹部或凸部作為所述基準部，在所述測光裝置中，當向所述分析用具照射光時，接收透過所述分析用具的光，以檢測所述基準部。
19.如權利要求18所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于設置多個線狀的凹部作為所述基準部。
20.如權利要求15所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于使用激光作為向所述分析用具照射的光。
21.如權利要求20所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于使所述分析用具旋轉，并向所述分析用具照射光，根據此時接收的反射光的光量的變化，檢測目標反應槽。
22.如權利要求21所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于所述基準部的反射率被形成為與其他部位不同。
23.如權利要求20所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于所述分析用具包括所述反應槽，并且具有用于將毛細管力作用在試料上以使試料移動的流路、用于將所述流路內部的氣體排出至外部的排氣口、以及塞住所述排氣口并且利用激光形成開口的密封件，其中，使用在所述密封件上形成開口用的光源作為向所述分析用具照射激光的光源。
24.如權利要求23所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于控制所述光源，使得與檢測所述基準部時相比，在所述密封件上形成開口時，從所述光源射出的激光的輸出大。
25.如權利要求15所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于使所述分析用具旋轉，并向所述分析用具照射光，根據此時接收的反射光的光量的變化來檢測目標反應槽。
26.如權利要求25所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于作為所述分析用具，使用作為全體形成為圓盤狀、并且為了識別目標反應槽而與該反應槽對應，并與所述基準部一起在所述分析用具的周緣部設置有識別部的結構，而且從所述分析用具的側而照射光，另一方面，根據來自所述分析用具的反射光進行所述各反應槽的指定。
27.如權利要求26所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于向所述分析用具照射光以及從所述分析用具接收反射光是利用反射型光電傳感器進行的。
28.如權利要求27所述的分析用具的反應槽的位置指定方法，其特征在于所述反射型光電傳感器具有發(fā)光部和受光部，配置所述發(fā)光部和受光部，使得在所述分析用具的凸部上反射光的光量為最大。
29.一種分析裝置，利用具有用于保持試料和試藥的反應液的多個反應槽的分析用具，在所述各反應槽的每個中進行試料的分析，其特征在于，包括用于向所述各反應槽照射光，另一方面，接收此時從所述各反應槽行進的光的測光裝置；和根據利用所述測光裝置，向所述分析用具照射光時由所述測光裝置接收光的結果，檢測用于識別設置在所述分析用具上的該分析用具的指定部位的基準部的檢測裝置。
30.如權利要求29所述的分析裝置，其特征在于在使用所述多個反應槽和所述基準部被配置在同一圓周上、并且在所述各反應槽的每個中進行試料分析的結構作為所述分析用具的情況下，還包括用于控制沿配置有所述分析用具的所述多個反應槽的圓周使所述測光裝置相對旋轉的動作的控制裝置，其中，所述檢測裝置根據使所述測光裝置相對旋轉，并且利用所述測光裝置向所述分析用具照射光時由所述測光裝置接收的光的結果，檢測所述基準部。
31.如權利要求30所述的分析裝置，其特征在于在所述分析用具構成為適用于通過光學方法、利用所述各反應槽進行試料分析的情況下，使用進行所述各反應槽的測光用的裝置作為所述測光裝置。
32.如權利要求31所述的分析裝置，其特征在于所述測光裝置被構成為向所述分析用具照射光時，能夠接收透過所述分析用具的光。
33.如權利要求29所述的分析裝置，其特征在于所述測光裝置構成為向所述分析用具照射光，另一方面，接收來自所述分析用具的反射光。
34.如權利要求33所述的分析裝置，其特征在于所述測光裝置包含具有向所述分析用具照射光用的激光二極管和接收來自所述分析用具的反射光用的光電二極管的半導體激光裝置。
35.如權利要求34所述的分析裝置，其特征在于為監(jiān)測所述激光二極管的輸出，將所述光電二極管裝入所述半導體激光裝置中。
36.如權利要求35所述的分析裝置，其特征在于所述光電二極管其受光面與從所述半導體激光裝置射出的激光的光軸交叉的方向上擴展，而且相對于所述激光二極管，在與所述光軸垂直的方向上分離。
37.如權利要求33所述的分析裝置，其特征在于作為所述分析用具，使用包含所述反應槽、并且具有將毛細管力作用在試料上以使試料移動用的流路、將所述流路內部的氣體排出至外部用的排氣口、和塞住所述排氣口的密封件的分析用具，其中，還包括控制所述測光裝置的動作用的控制裝置，為了在所述密封件上形成開口以使所述流路與外部連通，所述控制裝置控制所述測光裝置，使得來自所述測光裝置的激光照射在所述密封件上。
38.如權利要求37所述的分析裝置，其特征在于所述控制裝置控制所述測光裝置，使得與檢測所述基準部時相比，在所述密封件上形成開口時，從所述測光裝置射出的激光輸出大。
39.如權利要求29所述的分析裝置，其特征在于在作為所述分析用具，使用作為全體形成為圓盤狀、并且為了識別目標反應槽而與該反應槽對應，與所述基準部一起在所述分析用具的周緣部設置有識別部的結構的情況下，具有從側面向所述分析用具的周緣部照射光，并且接收來自所述分析用具的周緣部的反射光用的光學傳感器。
40.如權利要求39所述的分析裝置，其特征在于所述光學傳感器為反射型光電傳感器。
全文摘要
本發(fā)明涉及在具有保持試料和試藥的反應液的多個反應槽(56)的分析用具(Y)中指定各反應槽(56)的位置的技術。分析用具(Y)包括識別該分析用具(Y)指定部位的基準部(66)。該基準部(66)可以光學地確認，成為指定各反應槽(56)的位置用的基準。
文檔編號G01N37/00GK1985174SQ20058002356
公開日2007年6月20日 申請日期2005年7月12日 優(yōu)先權日2004年7月12日
發(fā)明者藤本浩司, 堀雅貴 申請人:愛科來株式會社