專利名稱：測定表面涂層溫度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測定轉(zhuǎn)動葉片表面涂層溫度的方法，所述轉(zhuǎn)動葉片布置在一非正位移機(jī)器中的轉(zhuǎn)子軸上，該轉(zhuǎn)子軸可旋轉(zhuǎn)地安裝在殼體內(nèi)。此外，本發(fā)明還涉及一種測定導(dǎo)向葉片表面涂層溫度的方法，該導(dǎo)向葉片旋轉(zhuǎn)固定地布置于具有一殼體的非正位移機(jī)器中，本發(fā)明還涉及一種用于實施上述方法的裝置。
背景技術(shù)：
例如為汽輪機(jī)或燃?xì)廨啓C(jī)的非正位移機(jī)器在工程技術(shù)中被用作為熱力發(fā)動機(jī)，其可將儲存在氣流中的能量轉(zhuǎn)化為機(jī)械能、尤其是轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)運動。為提高這些機(jī)器的效率，對非正位移機(jī)器所用材料的物理要求越來越高。因此，為提高燃?xì)廨啓C(jī)效率，流入燃?xì)廨啓C(jī)的氣流溫度被升高至1200℃以上。為能滿足特別涉及溫度方面的較高的物理要求，渦輪機(jī)的葉片配有一可承受特別高負(fù)荷的涂層。這種涂層例如為燃?xì)廨啓C(jī)葉片上的熱障涂層(下文中稱為TBC)，葉片在氣流流經(jīng)的表面上涂覆有這種涂層。例如釔穩(wěn)定氧化鋯可用作涂層。由于效率與溫度存在相關(guān)性，因此，期待著在不損環(huán)TBC的情況下，將氣流溫度提升至一最大極限值。為此需要使用可在非正位移機(jī)器工作時對葉片表面溫度，尤其是葉片表面涂層溫度進(jìn)行精確測定的測量方法和裝置。
一種常用的溫度測定方法是在待檢測的位置上安裝熱電元件。由于非正位移機(jī)器中的氣流溫度很高，熱電元件通常會在幾個小時的工作時間后失效，并且大多數(shù)情況下會被毀壞。
光測高溫計是一種可代替熱電元件用于測溫的無接觸式測溫元件，借助這些光測高溫計可通過光學(xué)方法根據(jù)從待檢測的高溫目標(biāo)發(fā)射的輻射來推斷目標(biāo)的溫度。GB 2 109 472 A對一相應(yīng)類型的高溫計進(jìn)行了說明。由于對TBC輻射特性和發(fā)射系數(shù)的研究相對較少，因此無法準(zhǔn)確獲知，因而使用上述高溫計只能進(jìn)行相對不夠精確的溫度測量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種方法與一種用于實施所述方法的裝置，借助本發(fā)明可以盡可能簡單、盡可能穩(wěn)定的對轉(zhuǎn)動葉片和/或?qū)蛉~片的表面涂層溫度進(jìn)行盡可能精確的測定。
這個目的通過本發(fā)明所提供的一種測定復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)動葉片的表面涂層溫度的方法而達(dá)成，所述轉(zhuǎn)動葉片布置在一非正位移機(jī)器中的轉(zhuǎn)子軸上，所述轉(zhuǎn)子軸可旋轉(zhuǎn)地安裝在殼體中，其中，通過至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件在一通道內(nèi)的轉(zhuǎn)動葉片區(qū)發(fā)射電磁波，所述電磁波的至少部分被至少一個轉(zhuǎn)動葉片反射，通過至少一個接收構(gòu)件接收所述被反射的電磁波，并根據(jù)接收到的電磁波的強度分布測定所述轉(zhuǎn)動葉片的表面涂層溫度。
這里應(yīng)用的原理是，發(fā)射電磁波中被反射的電磁波在其頻譜強度分布中含有關(guān)于表面涂層溫度的信息，而所述信息可通過對反射電磁波進(jìn)行分析來測定。為此可特別考慮將振幅，或強度和/或頻率，或波長用作參數(shù)。
此外，本發(fā)明還提供一種測定復(fù)數(shù)個導(dǎo)向葉片的表面涂層溫度的方法，所述導(dǎo)向葉片旋轉(zhuǎn)固定地布置在具有一殼體的非正位移機(jī)器中，其中，通過至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件在一通道內(nèi)的導(dǎo)向葉片區(qū)發(fā)射電磁波，所述電磁波至少部分被至少一個導(dǎo)向葉片反射，通過至少一個接收構(gòu)件接收所述被反射的電磁波，并根據(jù)接收到的電磁波的強度分布測定所述導(dǎo)向葉片的表面涂層溫度。
此外，本發(fā)明還提供上述兩種方法的一種組合，從而達(dá)到既能測定轉(zhuǎn)動葉片表面涂層溫度，又能測定導(dǎo)向葉片表面涂層溫度的目的。
以與表面涂層厚度匹配的頻率發(fā)射電磁波是有利的，其中，所接收到的電磁波在一諧振頻率下出現(xiàn)強度衰減，且在所述諧振頻率下強度分布為最小值。此時，應(yīng)通過一強度相同的寬頻帶發(fā)射電磁波，借此可更精確地測定最小值和諧振頻率。因為表面涂層對所謂的諧振頻率周圍的窄頻率范圍的電磁波的反射率特別低，所以當(dāng)頻率為諧振頻率時，反射電磁波的頻譜強度分布會出現(xiàn)劇烈下降，其中，諧振頻率表示最小值。其原因在于，在諧振頻率下，發(fā)射電磁波的相關(guān)波長正好為表面涂層厚度的四倍，因此，發(fā)射電磁波在涂層表面上被反射的部分和在涂層與位于其下金屬之間的界面上被反射的部分至少部分地相互抵消。
借此可有利地根據(jù)強度衰減量測定葉片表面涂層的溫度。也可有利地根據(jù)諧振頻率的量值測定葉片表面涂層的溫度。由于強度衰減和諧振頻率均與溫度相關(guān)，因此，通過測定至少其中一個變量，就可直接獲得預(yù)期的溫度信息。無論是強度衰減發(fā)生變化，還是諧振頻率發(fā)生變化，均可歸因于與表面涂層溫度相關(guān)的介電常數(shù)的變化和/或涂層厚度的變化。
可將所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件用來接收反射電磁波。借此而節(jié)省下來的空間有助于達(dá)到在非正位移機(jī)器的不同位置上安裝多個組合式發(fā)射和接收構(gòu)件的目的。在此情況下，例如可使用分散布置在非正位移機(jī)器周圍的用于發(fā)射和接收電磁波的構(gòu)件，其中，可采取合乎需要的布置方式。
本發(fā)明還建議特別將10GHz至130GHz頻率范圍的毫米波用作電磁波。因為這種頻率的電磁波的波長與表面涂層的涂層厚度為同一數(shù)量級，因而可確保能特別有效地消除發(fā)射電磁波在涂層表面上和在涂層與位于其下金屬之間的界面上被反射的部分。
此外，本發(fā)明還提供一種用于實施本發(fā)明的方法的裝置，其具有至少一個用于產(chǎn)生一電振蕩的構(gòu)件、至少一個用于從所述電振蕩中產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件、至少一個用于接收所述電磁波的構(gòu)件與一個用于分析所述可接收到的電磁波的分析單元。
將所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件和至少一個用于接收反射電磁波的構(gòu)件布置在非正位移機(jī)器的一通道中，是有利的。上述兩個構(gòu)件可分別由適用于產(chǎn)生和發(fā)射或接收電磁毫米波的天線構(gòu)成。所述用于產(chǎn)生一電振蕩的構(gòu)件可例如由一電子振蕩器構(gòu)成，其與用于產(chǎn)生電磁波的天線處于有效連接。所述用于接收電磁波的構(gòu)件優(yōu)選與一分析單元處于有效連接，所述分析單元可根據(jù)由用于接收電磁波的構(gòu)件提供的信號測定葉片表面涂層的溫度。此外還可考慮將所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件和所述的至少一個用于接收反射電磁波的構(gòu)件布置在非正位移機(jī)器的通道之外，并通過至少一個適當(dāng)定位的波導(dǎo)將產(chǎn)生的電磁波發(fā)射入通道，所述波導(dǎo)布置在非正位移機(jī)器通道中，再同樣通過至少一個波導(dǎo)將在葉片上反射的電磁波導(dǎo)向所述的至少一個用于接收電磁波的構(gòu)件。
其中，借助所述的至少一個天線以定向和/或聚焦形式發(fā)射電磁波，是有利的。借此可確保能進(jìn)行所需的溫度測量。此外，如果天線實施為還可進(jìn)行平移和/或旋轉(zhuǎn)，則還可使在葉片上的溫度測量具有位置分辨率。
此外，本發(fā)明還建議，所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件既適用于發(fā)射又適用于接收電磁波。這樣可以進(jìn)一步減少組件數(shù)量。在此情況下，舉例而言，所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件可通過一耦合方式與所述用于產(chǎn)生一振蕩的構(gòu)件處于有效連接。被接收到的電磁波所產(chǎn)生的信號通過所述耦合方式被發(fā)送給所述分析單元。也可設(shè)置多種耦合方式和多個天線，例如與多個相關(guān)分析單元并聯(lián)，或者也可例如與一分析單元通過時分多路復(fù)用的方式相連。
所述非正位移機(jī)器優(yōu)選為一燃?xì)廨啓C(jī)。正是在大型機(jī)械領(lǐng)域中可借助本發(fā)明的裝置以簡單、穩(wěn)定的方式對燃?xì)廨啓C(jī)葉片的表面涂層溫度進(jìn)行精確測定，由此可提高燃?xì)廨啓C(jī)的工作效率，尤其是可進(jìn)一步縮短由于需對破損表面涂層和葉片進(jìn)行維護(hù)和采取維修措施而引起的成本高昂的停機(jī)時間。在此情況下，例如可實現(xiàn)提高一配有一燃?xì)廨啓C(jī)的能量供應(yīng)裝置的可用性。此外，本發(fā)明的裝置還可設(shè)計為對非正位移機(jī)器通道內(nèi)的氣流的影響大大減小。


下面借助附圖對本發(fā)明優(yōu)選的、但非限制性的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明，為清楚起見，附圖并未按比例尺進(jìn)行圖示，對某些特征也示意圖示，其中圖1為一現(xiàn)有技術(shù)中的燃?xì)廨啓C(jī)的部分打開的透視圖；圖2為從圖1所示圖樣中截取的一個部分截面的放大圖，所述部分具有一本發(fā)明的裝置；圖3為本發(fā)明的方法的實施示意圖；圖4為圖1所示的燃?xì)廨啓C(jī)的一轉(zhuǎn)動葉片示意圖；圖5為圖1所示的燃?xì)廨啓C(jī)的一導(dǎo)向葉片示意圖；圖6為表面涂層不同溫度下的反射電磁波的頻譜強度分布圖；以及圖7為一用于監(jiān)控導(dǎo)向葉片和/或轉(zhuǎn)動葉片的天線布置圖。
具體實施例方式
相同的零部件在圖1至圖7中用相同的參考符號表示。
圖1顯示的是一現(xiàn)有技術(shù)中的燃?xì)廨啓C(jī)1，其進(jìn)氣口溫度高達(dá)約1200℃。燃?xì)廨啓C(jī)1具有復(fù)數(shù)個布置在一轉(zhuǎn)子軸3上的轉(zhuǎn)動葉片4，所述轉(zhuǎn)子軸可旋轉(zhuǎn)地安裝在一殼體2中。此外還設(shè)置有與殼體2旋轉(zhuǎn)固定連接的復(fù)數(shù)個導(dǎo)向葉片11(圖4、圖5)。為使所述轉(zhuǎn)動葉片4和導(dǎo)向葉片11能承受燃?xì)廨啓C(jī)1的通道6中的物理負(fù)荷，在所述轉(zhuǎn)動葉片4和導(dǎo)向葉片11上特別涂覆有一表面涂層12、13。所述涂層例如為“釔穩(wěn)定氧化鋯”。
如圖2所示，燃?xì)廨啓C(jī)1配有一本發(fā)明的裝置，所述裝置具有一伸入燃?xì)廨啓C(jī)1的通道6的天線8，所述天線特別為一毫米波式的天線。特別適用于10GHz至130GHz頻率電磁波的天線8，被布置在待檢測轉(zhuǎn)動葉片4的區(qū)域內(nèi)，特別布置在兩排轉(zhuǎn)動葉片之間。天線8既可用作發(fā)射電磁波的構(gòu)件，也可用作接收電磁波的構(gòu)件。天線8與一循環(huán)器16之間為可通訊地連接。本發(fā)明的裝置此外還具有一高頻發(fā)生器14，所述高頻發(fā)生器通過一放大器15與循環(huán)器16處于有效地連接。循環(huán)器16與一接收放大器17相連，所述接收放大器與一分析單元19耦合(圖2)。
測定圖3所示實施例中的轉(zhuǎn)動葉片4和導(dǎo)向葉片11的表面涂層12、13的溫度的方法的具體實施過程如下電子高頻發(fā)生器14根據(jù)一可預(yù)先確定的固定頻率產(chǎn)生一高頻，所述可預(yù)先確定的固定頻率優(yōu)選的在10GHz與130GHz之間的范圍內(nèi)。所述高頻被輸送至放大器15，放大器再通過循環(huán)器16將放大后的高頻輸送給天線8。天線8根據(jù)提供的高頻能量，產(chǎn)生至少一個相應(yīng)的電磁波31，并根據(jù)所述電磁波的輻射特性優(yōu)選地以定向形式、特別以聚焦形式將其發(fā)射出去。相應(yīng)的葉片4(或11)將發(fā)射的電磁波31的一部分電磁波32反射回天線8。反射電磁波32重新通過天線8轉(zhuǎn)化為一電信號，并被傳輸給循環(huán)器16。循環(huán)器16隨后從傳輸信號中分離出接收信號，并將接收信號傳輸給接收放大器17。所述信號從接收放大器17到達(dá)分析單元19，分析單元在一第一分析步驟中記錄反射電磁波32的強度，并為其分配相應(yīng)的頻率。
用不同頻率重復(fù)上述步驟，直至分析單元可測定一頻譜強度分布。圖6顯示了在表面涂層12、13溫度為800℃(S1)、600℃(S2)和400℃(S3)時記錄的三個上述類型的頻譜強度分布S1、S2和S3。Y軸縱坐標(biāo)表示反射電磁波32的強度，X軸橫坐標(biāo)表示頻率。三個強度分布S1、S2和S3均具有彼此明顯不同的強度最小值I1、I2和I3，其中，與強度最小值I1、I2和I3相關(guān)的頻率F1、F2和F3，即所謂的諧振頻率，也同樣彼此不同。溫度越高，最小強度衰減就越大，諧振頻率就越小。其中，對實施過的一系列測量進(jìn)行分析后可得出例如350kHz/K的諧振頻率溫度系數(shù)，和0.03dB/K的最小強度衰減溫度系數(shù)?？蔀槊總€待檢測的目標(biāo)測定諧振頻率與溫度之間相關(guān)的特性，和最小強度變化與溫度之間相關(guān)的特性。
在下一分析步驟中，分析單元19測定諧振頻率F1、F2和F3和/或強度最小值I1、I2和I3，并將其與之前測定的相應(yīng)表示諧振的溫度相關(guān)性和/或強度最小值的溫度相關(guān)性的校準(zhǔn)曲線進(jìn)行比較。借此可測定待檢測的轉(zhuǎn)動葉片4和/或?qū)蛉~片11的表面涂層12、13的溫度。
測定的溫度通過未作詳細(xì)圖示的顯示單元或信號單元發(fā)送給一監(jiān)控點或一控制中心。分析單元也可具有一比較功能，借助這一功能可以確定是否達(dá)到一可預(yù)定的溫度閾值。在此情況下，例如可在達(dá)到所述閾值時自動輸出一表示須在燃?xì)廨啓C(jī)1中進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的報告。
可選擇性地在接收放大器17與分析單元19之間連接一混頻器，所述混頻器此外還與高頻發(fā)生器14相連，借此可在圖2和圖3所示的實施例中特別應(yīng)用多普勒雷達(dá)的原理。應(yīng)用這一原理來檢測活動目標(biāo)是特別有利的，例如檢測燃?xì)廨啓C(jī)1的轉(zhuǎn)動葉片4。其中，發(fā)射至少一個波長固定的電磁波31，該電磁波被一相對于天線8運動的待監(jiān)控目標(biāo)(＝轉(zhuǎn)動葉片4)反射。依據(jù)已知的物理效應(yīng)，與發(fā)射波長相比，相對的運動改變了所述的至少一個電磁波被反射的部分32中的接收波長，天線8產(chǎn)生一相應(yīng)信號，這一信號通過混頻器發(fā)送至分析單元19，分析單元再根據(jù)這個信號的特性(＝頻率和/或頻譜強度分布)測定相應(yīng)轉(zhuǎn)動葉片4的表面涂層12的溫度。
導(dǎo)致表面涂層12、13在諧振頻率F1、F2、F3時反射率降低的原因首先在于，在諧振頻率F1、F2、F3時，也就是當(dāng)反射率為最小值時，表面涂層12、13的涂層厚度正好相當(dāng)于反射電磁波31、32波長的1/4。在此情況下，發(fā)射電磁波31在表面涂層12、13的表面上被反射的部分和在表面涂層12、13與位于其下金屬之間的界面上被反射的部分至少部分地相互抵消。由于表面涂層12、13的涂層厚度與波長之間存在關(guān)聯(lián)，因而可期待存在其他的頻率最小值，在這些頻率最小值情況下，表面涂層厚度等于波長與(1/4+n/2)的乘積，其中，n為一自然數(shù)。原則上也可將這些最小值用于本發(fā)明的方法。無論是與溫度相關(guān)的最小強度變化，還是與溫度相關(guān)的諧振頻率變化，都可以歸因于與表面涂層12、13溫度相關(guān)的介電常數(shù)變化和/或涂層厚度變化。
圖7顯示的是具有相應(yīng)輻射圖810、820和830的不同天線81、82和83的示例性實施方式和布置方式。天線81、82和83布置在通道6中待檢測的轉(zhuǎn)動葉片4和/或?qū)蛉~片11的多排葉片之間的區(qū)域中。將所述天線實施為棒形天線或同軸天線，特別將其實施為同軸偶極天線，是適當(dāng)?shù)?。但也可考慮使用其他類型的天線，例如喇叭天線。輻射圖可建構(gòu)為對稱輻射圖，例如天線81和83的輻射圖，也可建構(gòu)為不對稱的輻射圖，例如天線82的輻射圖。除具有較寬輻射特性的天線外，還可使用可以定向或聚焦形式發(fā)射電磁波的天線。為此，特別可考慮使用上文所述的喇叭天線。
本發(fā)明并非僅限于上述實施例。本發(fā)明的保護(hù)范圍還包括，設(shè)置多個用于發(fā)射和/或接收的天線，從而實現(xiàn)例如測量冗余或更高的精確度。
此外，本發(fā)明還包括對所述葉片4和11的表面涂層12、13的溫度的同時測量。
權(quán)利要求
1.一種測定復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)動葉片(4)的表面涂層(12)溫度的方法，所述轉(zhuǎn)動葉片(4)布置在一非正位移機(jī)器(1)中的轉(zhuǎn)子軸(3)上，所述轉(zhuǎn)子軸(3)可旋轉(zhuǎn)地安裝在一殼體(2)中，其中，通過至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件(8)在一通道(6)中的所述轉(zhuǎn)動葉片(4)的區(qū)域內(nèi)發(fā)射電磁波(31)，所述電磁波(31)中至少部分被至少一個轉(zhuǎn)動葉片(4)反射，通過至少一個接收構(gòu)件(8)接收所述被反射的電磁波(32)，并根據(jù)接收到的電磁波(32)的一強度分布測定所述轉(zhuǎn)動葉片(4)表面涂層(12)的溫度。
2.一種測定復(fù)數(shù)個導(dǎo)向葉片(11)的表面涂層(13)溫度的方法，所述導(dǎo)向葉片(11)旋轉(zhuǎn)固定地布置在具有一殼體(2)的非正位移機(jī)器(1)中，其中，通過至少一個用于產(chǎn)生電磁波(31)的構(gòu)件(8)在一通道(6)中的所述導(dǎo)向葉片(11)的區(qū)域內(nèi)發(fā)射電磁波，所述電磁波(31)中至少部分被至少一個導(dǎo)向葉片(11)反射，通過至少一個接收構(gòu)件(8)接收所述被反射的電磁波(32)，并根據(jù)接收到的電磁波(32)的強度分布測定所述導(dǎo)向葉片(11)表面涂層(13)的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，既測定所述轉(zhuǎn)動葉片(4)的表面涂層(12)的溫度，又測定所述導(dǎo)向葉片(11)的表面涂層(13)的溫度。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，以與所述表面涂層(12，13)的厚度匹配的頻率發(fā)射所述電磁波(31)，其中，接收到的電磁波(32)在一諧振頻率(F1，F(xiàn)2，F(xiàn)3)時出現(xiàn)強度衰減，且所述強度分布(S1，S2，S3)在所述諧振頻率(F1，F(xiàn)2，F(xiàn)3)時為最小值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述強度衰減測定所述葉片(4，11)的表面涂層(12，13)的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述諧振頻率(F1，F(xiàn)2，F(xiàn)3)的值測定所述葉片(4，11)的表面涂層(12，13)的溫度。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，將所述的至少一個用于產(chǎn)生所述電磁波(31)的構(gòu)件(8)用于接收所述反射電磁波(32)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，特別將10GHz至130GHz頻率范圍的毫米波用作所述電磁波(31)。
9.一種用于實施根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項權(quán)利要求所述的方法的裝置，其包括至少一個用于產(chǎn)生一電振蕩的構(gòu)件(14)、至少一個用于從所述振蕩中產(chǎn)生電磁波(31)的構(gòu)件(8)、至少一個用于接收電磁波(32)的構(gòu)件(8)與一用于分析所述可接收到的電磁波(32)的分析單元(19)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波(31)的構(gòu)件(8)為至少一個適用于毫米波的天線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，借助所述的至少一個天線(8)定向發(fā)射所述電磁波(31)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的裝置，其特征在于，借助所述的至少一個天線(8)以聚焦的形式發(fā)射所述電磁波(31)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述的至少一個用于產(chǎn)生電磁波(31)的構(gòu)件(8)既適用于發(fā)射又適用于接收所述電磁波(31，32)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述的至少一個用于產(chǎn)生所述電磁波(31)的構(gòu)件(8)布置在所述非正位移機(jī)器(1)的通道(6)內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，所述非正位移機(jī)器(1)為一燃?xì)廨啓C(jī)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測定轉(zhuǎn)動葉片(4)的表面涂層溫度的方法，所述轉(zhuǎn)動葉片(4)布置在一非正位移機(jī)器中，并且可旋轉(zhuǎn)地安裝在一殼體(2)中的轉(zhuǎn)子軸上，其中，通過至少一個用于產(chǎn)生電磁波的構(gòu)件(8)在一通道中的轉(zhuǎn)動葉片(4)的區(qū)域內(nèi)發(fā)射電磁波(31)，所述電磁波(31)至少部分被至少一個轉(zhuǎn)動葉片(4)反射，通過至少一個接收構(gòu)件(8)接收所述電磁波中被反射的電磁波(32)，并根據(jù)接收到的電磁波(32)的一強度分布測定所述轉(zhuǎn)動葉片(4)的表面涂層溫度。此外，本發(fā)明還涉及一種測定在一具有一殼體的非正位移機(jī)器中旋轉(zhuǎn)固定安裝的導(dǎo)向葉片的一表面涂層溫度的方法與一種用于實施上述方法的裝置。
文檔編號G01K11/00GK101044379SQ200580035859
公開日2007年9月26日 申請日期2005年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月19日
發(fā)明者托馬斯·博塞爾曼, 克勞斯·休伯, 弗朗西斯科·J·塞維拉佩雷斯, 邁克爾·威爾希 申請人:西門子公司