專利名稱：具有傳輸線端環(huán)的射頻線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
下面的內(nèi)容涉及磁共振領(lǐng)域。其特別應(yīng)用于磁共振成像線圈和掃描儀，并特別參考此進(jìn)行描述。更一般地，其應(yīng)用于用于成像、光譜學(xué)等等的磁共振系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
磁共振應(yīng)用的射頻線圈的端環(huán)(end-ring)承載極大的電流。通常橫檔數(shù)目決定端環(huán)上的電流，較多的橫檔產(chǎn)生較高的端環(huán)電流/橫檔電流比。對(duì)N個(gè)橫檔，此電流比估計(jì)為 這里φ＝2·π/N。對(duì)于N＝16，此產(chǎn)生端環(huán)電流/橫檔電流比2.56。由于端環(huán)附近的高局部特定吸收率和B1場(chǎng)的提高的不均勻性，這些高端環(huán)電流可能導(dǎo)致線圈性能下降。而且，現(xiàn)有的端環(huán)通常包括將線圈調(diào)整為共振頻率以滿足電流比的集總電容元件。其它電容元件連接橫檔與端環(huán)。這些電容元件增加了線圈的制造成本。
2003年5月1日出版的國(guó)際公開(kāi)WO03/036318A1公開(kāi)了一種改進(jìn)，其中端環(huán)為具有內(nèi)導(dǎo)體和外同軸鎧裝導(dǎo)體的閉合共軸傳輸線環(huán)。外鎧裝導(dǎo)體所提供的屏蔽減小了端環(huán)中大電流的不利影響。然而，共軸傳輸線端環(huán)由于端環(huán)復(fù)雜性提高和需要使橫檔與端環(huán)的鎧裝內(nèi)導(dǎo)體耦合而使得制造復(fù)雜。此耦合包括在鎧裝外導(dǎo)體中形成開(kāi)口。
下面考慮克服上述局限等的改進(jìn)裝置和方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，公開(kāi)了一種在磁共振頻率發(fā)送或接收信號(hào)的射頻線圈，包括基本上平行的橫檔裝置，和一個(gè)或多個(gè)設(shè)置為總體橫向于此平行橫檔并與此橫檔連接的總體為環(huán)帶狀的端環(huán)。每個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)包括至少兩個(gè)由電介質(zhì)層隔開(kāi)的導(dǎo)體層。射頻防護(hù)罩(radiofrequency shield)基本上圍繞此基本上平行的橫檔裝置。將每個(gè)端環(huán)的至少一個(gè)導(dǎo)體層連至射頻防護(hù)罩。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，公開(kāi)了一種磁共振掃描儀。主磁體在檢測(cè)區(qū)產(chǎn)生主磁場(chǎng)。磁場(chǎng)梯度線圈將選擇的磁場(chǎng)梯度疊加在檢測(cè)區(qū)的主磁場(chǎng)上。射頻線圈包括基本上平行的橫檔裝置，和一個(gè)或多個(gè)設(shè)置為總體橫向于此平行橫檔并與此橫檔連接的總體為環(huán)帶狀的端環(huán)。每個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)包括至少兩個(gè)由電介質(zhì)層隔開(kāi)的導(dǎo)體層。射頻防護(hù)罩基本上圍繞此基本上平行的橫檔裝置。將每個(gè)端環(huán)的至少一個(gè)導(dǎo)體層連至射頻防護(hù)罩。
而根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，在磁共振頻率發(fā)送或接收信號(hào)的射頻線圈，包括基本上平行的橫檔裝置，和一個(gè)或多個(gè)設(shè)置為總體橫向于此平行橫檔并與此橫檔連接的總體為環(huán)帶狀的端環(huán)。每個(gè)總體為環(huán)帶狀端環(huán)在相鄰橫檔之間的長(zhǎng)度大于相鄰橫檔之間的距離。
一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于減少或消除了分離的部件，例如集總電容元件。
另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于線圈制造簡(jiǎn)化和制造成本降低。
另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于射頻線圈的性能改進(jìn)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在讀到下面的詳細(xì)說(shuō)明后將會(huì)清楚許多其它優(yōu)點(diǎn)和益處。


本發(fā)明具體為各種部件和部件的設(shè)置，以及各種過(guò)程操作和過(guò)程操作的設(shè)置。附圖僅僅為描述優(yōu)選實(shí)施例的目的而不應(yīng)該理解為限制本發(fā)明。
圖1示意性示出了采用射頻線圈的磁共振成像系統(tǒng)。
圖2示出了圖1射頻線圈以及將射頻防護(hù)罩與線圈隔開(kāi)的間隔元件的透視圖。
圖3示出了組裝的射頻線圈和圖1射頻防護(hù)罩部件的透視圖。
圖4示出了印刷電路展開(kāi)布置的一部分，此印刷電路圖設(shè)置在圖2射頻線圈的不導(dǎo)電的總體為柱狀基底的外部。此印刷電路限定端環(huán)和橫檔的第一或外導(dǎo)體(從橫檔上省去集總電容元件)。圖4僅示出了八個(gè)線圈橫檔。
圖5示出了印刷電路展開(kāi)布置的一部分，此印刷電路圖設(shè)置在圖2射頻線圈的不導(dǎo)電的總體為柱狀基底的內(nèi)部。此印刷電路限定端環(huán)的第二、內(nèi)屏蔽導(dǎo)體。圖5僅示出了第二內(nèi)屏蔽導(dǎo)體的八個(gè)扇形。
圖6示出了其中一個(gè)端環(huán)的外導(dǎo)體和內(nèi)導(dǎo)體部分疊加的展開(kāi)布置，描述了限定帶線的外導(dǎo)體和內(nèi)導(dǎo)體的重疊。
圖7示出總體為柱狀的基底和罩的帶狀端環(huán)和相鄰部分的橫截面，包括罩的環(huán)狀邊緣和端環(huán)的內(nèi)導(dǎo)體之間的導(dǎo)電連接。
圖7A和7B示出了帶狀端環(huán)的替換實(shí)施例。
圖8A和8B示出了端環(huán)的部分展開(kāi)的布置，其每一個(gè)為替換的蛇形的第一導(dǎo)體和替換的第二屏蔽導(dǎo)體形狀(在圖8A和8B中以虛線匯出屏蔽導(dǎo)體)。
具體實(shí)施例方式
參考圖1，磁共振成像掃描儀10包括限定檢測(cè)區(qū)14的外殼12，在檢測(cè)區(qū)14中設(shè)置患者或者其它成像對(duì)象16。外殼12中的主磁體20在檢測(cè)區(qū)14中產(chǎn)生主磁場(chǎng)。通常，主磁體20為由低溫封圈24圍繞的超導(dǎo)磁體；但是，也可使用有電阻性的主磁體。磁場(chǎng)梯度線圈30設(shè)置在外殼12的內(nèi)部或者上面以將選擇的磁場(chǎng)梯度疊加在檢測(cè)區(qū)14內(nèi)的主磁場(chǎng)。整體射頻線圈32例如具有圍繞的罩34的鳥(niǎo)籠型線圈，設(shè)置在外殼12的內(nèi)部或者上面以將射頻激勵(lì)脈沖射入檢測(cè)區(qū)14。
繼續(xù)參考圖1，磁共振成像控制器50操作耦合至梯度線圈30的磁場(chǎng)梯度控制器52，以將選擇的磁場(chǎng)梯度疊加在檢測(cè)區(qū)14內(nèi)的主磁場(chǎng)，其還操作耦合至射頻線圈32的射頻發(fā)射器54以便以大約磁共振頻率將選擇射頻激勵(lì)脈沖射入檢測(cè)區(qū)14。射頻激勵(lì)脈沖激勵(lì)成像對(duì)象16中的磁共振信號(hào)，這些信號(hào)被所選擇的磁場(chǎng)梯度空間編碼。而且，成像控制器50操作還連接至射頻線圈32的射頻接收器56以接收所產(chǎn)生的并且空間編碼的磁共振信號(hào)，并且將所接收的空間編碼磁共振數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁共振數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器60中。
重構(gòu)處理器62將存儲(chǔ)的磁共振數(shù)據(jù)重構(gòu)為成像對(duì)象16或者其處于檢測(cè)區(qū)14中的選擇部分的重構(gòu)圖像。重構(gòu)處理器62采用傅立葉變換重構(gòu)技術(shù)或者其它與在數(shù)據(jù)采集中所使用的空間編碼一致的合適重構(gòu)技術(shù)。將重構(gòu)圖像存儲(chǔ)在圖像存儲(chǔ)器64中，并且可顯示在用戶界面66上，經(jīng)過(guò)局域網(wǎng)或者因特網(wǎng)傳輸，以打印機(jī)打印或者以別的方式使用。在所描述的實(shí)施例中，用戶界面66還使放射學(xué)家或其它用戶與成像控制器50相互作用以選擇、改變或者執(zhí)行成像序列。在其它實(shí)施例中，提供獨(dú)立的用戶界面以操作掃描儀10并顯示或者以別的方式處理重構(gòu)的圖像。
所描述的磁共振成像系統(tǒng)為示例性實(shí)例。通常，基本上任何磁共振成像掃描儀都可結(jié)合所公開(kāi)的射頻線圈。例如，掃描儀可以是開(kāi)放式的磁體掃描儀、垂直孔掃描儀、低場(chǎng)掃描儀、高場(chǎng)掃描儀等等。在圖1的實(shí)施例中，將單個(gè)射頻線圈32用于磁共振序列的發(fā)射和接收相位；然而，在其它實(shí)施例中可提供單獨(dú)的發(fā)射和接收線圈，其一個(gè)或兩個(gè)可以組合這里所公開(kāi)的一種或多種射頻線圈設(shè)計(jì)及設(shè)計(jì)方法。而且，盡管在這里描述了整個(gè)線圈32，但是也可將射頻線圈設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)方法用于頭部線圈、臂部或腿部線圈等等。
參考圖2-7，實(shí)例描述的射頻線圈32包括多個(gè)橫檔70，特別是所描述線圈32中的十六個(gè)橫檔。橫檔70相互平行設(shè)置并且圍繞檢測(cè)區(qū)14。在所描述的線圈32中，橫檔70包括位于不導(dǎo)電的通常為柱狀的基底外表面上的印刷電路片段，通過(guò)集總電容元件74連接橫檔70的印刷電路片段(僅在圖2中表示)。然而，在其它實(shí)施例中，橫檔可以是連續(xù)的印刷電路片段、連續(xù)的獨(dú)立導(dǎo)體、由集總電容元件或者導(dǎo)電跡線連接的獨(dú)立導(dǎo)體片段、包括設(shè)置在通常為柱狀的基底72的內(nèi)部和外部上的重疊印刷電路的傳輸線、或者其它類型的導(dǎo)體裝置。
兩個(gè)總體為環(huán)狀的端環(huán)78，80設(shè)置為總體上橫向于平行的橫檔70。端環(huán)78，80連至橫檔70。總體為環(huán)狀的端環(huán)78包括設(shè)置在總體為柱狀的基底72外部上的外導(dǎo)體層82，和設(shè)置在總體為柱狀的基底72內(nèi)部上的內(nèi)導(dǎo)體層84。外導(dǎo)體層82和內(nèi)導(dǎo)體層84限定閉環(huán)傳輸線。相似地，總體為環(huán)狀的端環(huán)80包括設(shè)置在總體為柱狀的基底72外部上的外導(dǎo)體層86，和設(shè)置在總體為柱狀的基底72內(nèi)部上的內(nèi)導(dǎo)體層88。外導(dǎo)體層86和內(nèi)導(dǎo)體層88限定另一條閉環(huán)傳輸線。將外導(dǎo)體層82，86合適地形成為總體為柱狀的基底72外部上的印刷電路，以及相似地，將內(nèi)導(dǎo)體層84，88合適地形成為總體為柱狀的基底72內(nèi)部上的印刷電路。
在所描述的線圈32中，通過(guò)限定外導(dǎo)體層82，86的印刷電路和限定橫檔70的印刷電路之間的導(dǎo)電連接，將橫檔70與端環(huán)78，80耦接。在其它實(shí)施例中，可以通過(guò)集總電容元件或者端環(huán)78，80和橫檔70的端部之間的電容性間隙獲得磁共振頻率下的耦合。在線圈和橫檔交叉的地方應(yīng)當(dāng)滿足Kirchoff定律。
射頻防護(hù)罩34總體為柱狀并且同心地設(shè)置在橫檔70裝置的外部以及總體為柱狀的基底72的外部?？傮w為環(huán)狀的端環(huán)78，80與總體為柱狀的射頻防護(hù)罩34同軸設(shè)置。第一導(dǎo)體層或者外導(dǎo)體層82，86被設(shè)置為其圓環(huán)半徑大于第二導(dǎo)體層或者內(nèi)導(dǎo)體層84，88的圓環(huán)半徑?？傮w為柱狀的射頻防護(hù)罩34被設(shè)置為其圓柱半徑大于第一導(dǎo)體層82，86的圓環(huán)半徑。在所描述的線圈32中，通過(guò)不導(dǎo)電的間隔元件90將射頻防護(hù)罩34與射頻線圈32隔離(最好參見(jiàn)圖2和7)。
特別參考圖3和7，導(dǎo)體94將端環(huán)78的第二或內(nèi)導(dǎo)體層84與總體為柱狀的射頻防護(hù)罩34的近似圓環(huán)邊緣導(dǎo)電連接。在所描述的實(shí)施例中，導(dǎo)體94沿罩34的近似環(huán)狀邊緣的大部分或者全部將內(nèi)導(dǎo)體層84與罩34連接在一起。射頻防護(hù)罩34的邊緣、導(dǎo)體94、和端環(huán)78的內(nèi)導(dǎo)體層8 4限定在內(nèi)部設(shè)置端環(huán)78的第一導(dǎo)體層或者外導(dǎo)體層82的凸緣。內(nèi)導(dǎo)體層84提供外導(dǎo)體層82的接地平面，從而限定帶狀傳輸線。在一些預(yù)期的實(shí)施例中，罩和內(nèi)導(dǎo)體層之間的導(dǎo)電連接沿環(huán)狀邊緣不連續(xù)，而是包括周期性的導(dǎo)電連接，例如圍繞總體為柱狀的罩的環(huán)狀邊緣的環(huán)形隔開(kāi)的導(dǎo)電帶。
在相似的模式中，由導(dǎo)體96(僅在圖7中示出)沿環(huán)狀邊緣的大部分或者全部將端環(huán)80的第二導(dǎo)體層或者內(nèi)部導(dǎo)體層88與射頻防護(hù)罩34的近似環(huán)狀邊緣導(dǎo)電連接。射頻防護(hù)罩34的邊緣、導(dǎo)體96、和端環(huán)80的內(nèi)導(dǎo)體層88限定在內(nèi)部設(shè)置端環(huán)80的第一導(dǎo)體層或者外導(dǎo)體層86的凸緣。
優(yōu)選的，屏蔽第二導(dǎo)體層84、88具有的寬度大于第一導(dǎo)體層82，86的寬度以為后者提供有效屏蔽。接地導(dǎo)體層84，88應(yīng)當(dāng)以大約五倍的基底72的厚度重疊導(dǎo)體層82，86。在一些實(shí)施例中，采用導(dǎo)電帶層和相關(guān)接地導(dǎo)電層之間的有限間隔實(shí)現(xiàn)屏蔽或者補(bǔ)償。
選擇第一導(dǎo)體層82，86的幾何形狀以提供選擇的特征阻抗。由導(dǎo)體層82，86的寬度、導(dǎo)體層82，86與接地導(dǎo)體層84，88之間的間隔、接地導(dǎo)體層84，88的寬度、和插入的電介質(zhì)(例如物質(zhì)72)的介電常數(shù)限定以導(dǎo)體層82，86和接地導(dǎo)體層84，88形成的帶狀端環(huán)78，80的特征阻抗。
選擇兩個(gè)相鄰橫檔70之間端環(huán)的長(zhǎng)度以提供選擇的傳輸延遲。通常，選擇的長(zhǎng)度大于相鄰橫檔70之間的圓弧長(zhǎng)度。特別參考圖4，為容納第一導(dǎo)體層82，86在相鄰橫檔之間的這部分的附加長(zhǎng)度，每個(gè)總體為環(huán)狀端環(huán)78，80的每一個(gè)第一或外導(dǎo)體層82，86限定導(dǎo)體路徑，其定向部件橫向于總體為環(huán)狀的端環(huán)78，80的環(huán)形周邊100，102(在圖4中以虛線表示)。例如，在所描述的實(shí)施例中，第一或者外導(dǎo)體層82，86具有蛇形形狀，其一個(gè)蛇形波動(dòng)處于每對(duì)相鄰橫檔70之間。第二、內(nèi)屏蔽導(dǎo)體層84、88不需要與導(dǎo)體層82，86的形狀精確一致。例如，所描述的內(nèi)屏蔽導(dǎo)體層84，88具有重疊導(dǎo)體層82，86的扇形形狀(重疊最好參見(jiàn)圖6，其中相互疊加地繪制端環(huán)80的第一或外導(dǎo)體層86以及第二或內(nèi)導(dǎo)體層88)。
外部定位連接凸緣導(dǎo)體94，96簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)。然而，從線圈性能的角度而言，連接導(dǎo)體的其它位置可能更好。例如，導(dǎo)體94，96可以分別由多個(gè)向內(nèi)定位的導(dǎo)體94′，96′(在圖7中以剖面線表示)替代。此多個(gè)相應(yīng)于導(dǎo)體層82，86的向內(nèi)定位減小了寄生電感，從而改善了線圈性能。
參考圖7A，在另一個(gè)替換實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)端環(huán)78，80分別由兩個(gè)不導(dǎo)電的環(huán)狀線圈基底72a，72b替換總體為柱狀的導(dǎo)體72。將導(dǎo)體層82，84設(shè)置在環(huán)狀基底72a的相對(duì)表面上。將導(dǎo)體層86，88設(shè)置在環(huán)狀基底72b的相對(duì)表面上。此實(shí)施例中的不導(dǎo)電間隔元件90將橫檔70與射頻防護(hù)罩34隔開(kāi)。橫檔還可以是傳輸線，具有間隔元件90和罩34限定為接地平面的空氣隙。此實(shí)施例特別適合于結(jié)合高磁場(chǎng)(例如7特斯拉)掃描儀使用。
參考圖7B，還在另一個(gè)替換實(shí)施例中省去了內(nèi)導(dǎo)體層84，88和連接導(dǎo)體94，96，將導(dǎo)體層82，86設(shè)置在通常為柱狀基底72的內(nèi)表面上，并且射頻防護(hù)罩34移至或者非常接近于通常為柱狀基底72的外表面以限定端環(huán)傳輸線的接地平面。通常，在此實(shí)施例中還可將橫檔(如圖7B所示)置于基底72的內(nèi)表面上，或者將其更加向內(nèi)放置，例如置于間隔物90上并且與輻射部94，96電連接。橫檔還可以包括集總電容元件。
盡管圖7、7A和7B描述了多個(gè)實(shí)例，但是可以預(yù)期帶狀傳輸線端環(huán)的其它配置。帶狀端環(huán)應(yīng)當(dāng)提供所選擇的阻抗和延遲的非輻射狀傳輸線結(jié)構(gòu)。通過(guò)屏蔽和/或補(bǔ)償在相關(guān)接地導(dǎo)體層中的電流可以減小環(huán)電流的場(chǎng)。在圖7、7A和7B的實(shí)施例中，帶狀的端環(huán)采用導(dǎo)體層和相應(yīng)的接地導(dǎo)體層(例如導(dǎo)體層82和接地導(dǎo)體層84)——有時(shí)將此稱作微帶結(jié)構(gòu)。在其它預(yù)期的實(shí)施例中，每個(gè)帶狀的端環(huán)包括多于兩個(gè)的層，例如夾在兩個(gè)接地導(dǎo)體層之間的導(dǎo)體層——有時(shí)將此稱作帶狀線結(jié)構(gòu)。帶狀線結(jié)構(gòu)比微帶結(jié)構(gòu)具有更高的頻率特征，特別是更好的屏蔽，但是制造更復(fù)雜。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)帶狀端環(huán)包括微帶端環(huán)、帶狀線端環(huán)、以及由以限定傳輸線的電介質(zhì)層隔開(kāi)的兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體層的其它設(shè)置形成的端環(huán)。
參考圖8A和8B，端環(huán)的導(dǎo)體層的布置具有滿足期望傳輸線特征的各種形狀，例如特征阻抗、傳輸延遲、電流分布、和功率耗散。相似地，屏蔽或接地導(dǎo)體層具有各種配置。例如，圖8A示出了替換的端環(huán)78′，其具有限定方波或三角形蛇形路線的第一導(dǎo)體層82′、和成形為與第一導(dǎo)體層82′重疊的第二屏蔽導(dǎo)體層84′(以剖面線繪制)。橫檔70′從第一導(dǎo)體層82′的方波蛇形路線的下部延伸。圖8B示出替換的端環(huán)78″，其具有限定了在每對(duì)橫檔70″之間具有兩個(gè)波動(dòng)的平滑蛇形路線的第一導(dǎo)體層82″、和成形為重疊第一導(dǎo)體層82″的直帶的第二屏蔽導(dǎo)體層84″(以剖面線繪制)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員容易選擇帶狀端環(huán)的導(dǎo)體層的提供期望傳輸線特征的其它結(jié)構(gòu)?；旧峡蛇x擇任何形狀的帶狀線、微帶狀線、或其它帶狀傳輸線，可選擇地與采用集總或者半集總元件的布局技術(shù)結(jié)合，這些元件例如貼片電容器(patch capacitor)、阻抗階躍、短線等等。
所描述的端環(huán)78，78′，78″，80采用蛇形形狀，定向部件橫向于總體為環(huán)狀端環(huán)的圓周以提供相鄰橫檔之間的設(shè)計(jì)的延伸長(zhǎng)度。該設(shè)計(jì)的延伸長(zhǎng)度可適應(yīng)傳輸線延遲和其它傳輸線特征，并且可以通過(guò)適應(yīng)傳輸線參數(shù)例如傳輸線延遲和特征阻抗而適應(yīng)端環(huán)與橫檔的耦合。此方法消除了對(duì)端環(huán)中電容元件的需要，并消除了對(duì)端環(huán)和橫檔之間電容耦合(當(dāng)與低通或類似低通的帶通鳥(niǎo)籠型結(jié)構(gòu)相比時(shí))的需要。例如，橫檔70，70′，70″可由印刷電路形成，此印刷電路連續(xù)并且導(dǎo)電連接限定第一導(dǎo)體層82，82′，82″，86的印刷電路。
消除集總電容元件降低了制造的復(fù)雜性和成本。但是，在其它預(yù)期的實(shí)施例中，在端環(huán)中和/或端環(huán)與橫檔之間的耦合上包括集總電容元件以進(jìn)行調(diào)整或者匹配。
盡管描述了整體鳥(niǎo)籠線圈，但是可理解這里所描述的線圈和線圈設(shè)計(jì)方法容易適于構(gòu)造其它類型的射頻線圈例如頭部線圈、臂部或者腿部線圈等等。在相同的設(shè)計(jì)中，可提供多于或者少于兩個(gè)的端環(huán)。例如，在一些頭部線圈設(shè)計(jì)中，端部電容器替換其中一個(gè)端環(huán)，從而具有端部電容器的頭部線圈僅僅包括作為例如其中一個(gè)端環(huán)78，78′，78″使用的單個(gè)端環(huán)。
參考優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明。明顯地，其它人在閱讀和理解前面的詳細(xì)說(shuō)明之后可進(jìn)行更改和變更?？衫斫猓景l(fā)明包括所有的屬于附加權(quán)利要求及其等價(jià)物范圍的這些變更和更改。
權(quán)利要求
1.一種以磁共振頻率發(fā)送或接收信號(hào)的射頻線圈，所述線圈包括基本平行的橫檔裝置(70，70′，70″)；一個(gè)或多個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)，其被設(shè)置為總體橫向于所述平行橫檔并且與所述橫檔連接，每一個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)包括至少兩個(gè)由電介質(zhì)層(72，72a，72b)隔開(kāi)的導(dǎo)體層(82，82′，82″，84，84′，84″，86，88)；以及射頻防護(hù)罩(34)，其基本上圍繞所述基本上平行的橫檔裝置(70，70′，70″)，將每個(gè)端環(huán)的至少一個(gè)導(dǎo)體層與射頻防護(hù)罩連接。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每個(gè)總體為環(huán)狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)的至少一個(gè)導(dǎo)體層(82，82′，82″，86)具有基本上為蛇形的形狀。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每一個(gè)總體為環(huán)狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)的至少一個(gè)導(dǎo)體層(82，82′，82″，86)限定具有橫向于總體為環(huán)狀端環(huán)的環(huán)形周邊(100，102)的定向部件的導(dǎo)體路徑。
4.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，還包括不導(dǎo)電的總體為柱狀的基底(72)，其限定一個(gè)或多個(gè)端環(huán)(78，78′，78″，80)的分隔電介質(zhì)層，所述基本上平行的橫檔裝置(70，70′，70″)被設(shè)置在定向?yàn)榛旧掀叫杏谒隹傮w上為柱狀的基底的柱軸的總體上為柱狀的基底的上面或內(nèi)部。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻線圈，其中所述橫檔(70，70′，70″)為下面形式之一(i)導(dǎo)電跡線和(ii)設(shè)置在不導(dǎo)電的總體為柱狀基底(72)的上面或內(nèi)部的帶狀線或微帶。
6.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每個(gè)端環(huán)的導(dǎo)體層(82，82′，82″，84，84′，84″，86，88)包括第一導(dǎo)體層(82，82′，82″，86)；和第二導(dǎo)體層(84，84′，84″，88)，其基本上平行于第一導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層與所述射頻防護(hù)罩(34)導(dǎo)電連接。
7.如權(quán)利要求6所述的射頻線圈，其中所述射頻防護(hù)罩(34)總體為柱狀，并且每個(gè)端環(huán)(78，78′，78″，80)的第二導(dǎo)體層(84，84′，84″，88)與總體為柱狀的射頻防護(hù)罩的近似環(huán)狀邊緣導(dǎo)電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的射頻線圈，其中每個(gè)端環(huán)(78，78′，78″，80)的第二導(dǎo)體層(84，84′，84″，88)沿環(huán)狀邊緣的大部分或者全部與總體為柱狀的射頻防護(hù)罩(34)的近似環(huán)狀邊緣導(dǎo)電連接。
9.如權(quán)利要求7所述的射頻線圈，還包括不導(dǎo)電的總體為柱狀的基底(72)，其設(shè)置在總體為柱狀的射頻防護(hù)罩(34)的內(nèi)部并且與其基本上同心，所述總體上為柱狀的基底限定一個(gè)或多個(gè)端環(huán)(78，78′，78″，80)的分隔電介質(zhì)層。
10.如權(quán)利要求9所述的射頻線圈，其中由與第一導(dǎo)體層(82，86)平行布置的一部分射頻防護(hù)罩(34)限定每個(gè)端環(huán)(78，80)的第二導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每個(gè)端環(huán)(78，80)的導(dǎo)體層(82，86)包括第一導(dǎo)體層(82，86)；和第二導(dǎo)體層，其由基本上平行于第一導(dǎo)體層的射頻防護(hù)罩(34)的一部分限定。
12.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每個(gè)端環(huán)的電介質(zhì)層(72a，72b)限定不導(dǎo)電的環(huán)狀環(huán)基底，并且將至少兩個(gè)導(dǎo)體層(82，82′，82″，84，84′，84″，86，88)設(shè)置在環(huán)狀環(huán)基底的相對(duì)表面上。
13.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中每個(gè)端環(huán)(78，78′，78″，80)的兩個(gè)導(dǎo)體(82，82′，82″，84，84′，84″，86，88)包括第一導(dǎo)體(82，82′，82″，86)；和與射頻防護(hù)罩(34)連接的第二導(dǎo)體(84，84′，84″，88)；相鄰橫檔(70，70′，70″)之間的第一導(dǎo)體的寬度和長(zhǎng)度被設(shè)計(jì)為提供所選擇的與所述橫檔配合以調(diào)整線圈的阻抗和延遲。
14.如權(quán)利要求13所述的射頻線圈，其中(i)選擇第一導(dǎo)體(82，82′，82″，86)的寬度以提供帶狀線的所選擇的特征阻抗，和(ii)選擇兩個(gè)相鄰橫檔(70，70′，70″)之間的第一導(dǎo)體長(zhǎng)度以提供帶狀線的所選擇的延遲。
15.如權(quán)利要求1所述的射頻線圈，其中端環(huán)(78，78′，78″，80)不包括集總電容元件。
16.一種磁共振掃描儀，包括主磁體(20)，其在檢測(cè)區(qū)產(chǎn)生主磁場(chǎng)；磁場(chǎng)梯度線圈(30)，其將所選擇的磁場(chǎng)梯度疊加在檢測(cè)區(qū)的主磁場(chǎng)上；和如權(quán)利要求1所述的射頻線圈。
17.一種以磁共振頻率發(fā)送或接收信號(hào)的射頻線圈，所述線圈包括基本上平行的橫檔裝置(70，70′，70″)；和一個(gè)或多個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)，其被設(shè)置為總體橫向于平行橫檔并且與該橫檔連接，每一個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)在相鄰橫檔之間的長(zhǎng)度大于在所述相鄰橫檔之間的距離。
18.如權(quán)利要求17所述的射頻線圈，其中每一個(gè)總體為環(huán)狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)的至少一個(gè)導(dǎo)體(82，82′，82″，86)具有總體為蛇形的形狀。
全文摘要
以磁共振頻率發(fā)送或接收信號(hào)的射頻線圈包括基本上平行的橫檔裝置(70，70′，70″)，和一個(gè)或多個(gè)設(shè)置為總體橫向于此平行橫檔并且與此橫檔連接的總體為環(huán)帶狀的端環(huán)(78，78′，78″，80)。每個(gè)總體為環(huán)帶狀的端環(huán)包括至少兩個(gè)由電介質(zhì)層(72，72a，72b)隔開(kāi)的導(dǎo)體層(82，82′，82″，84，84′，84″，86，88)。射頻防護(hù)罩(34)基本上圍繞此基本上平行的橫檔裝置(70，70′，70″)。將每個(gè)端環(huán)的至少一個(gè)導(dǎo)體層連至射頻防護(hù)罩。
文檔編號(hào)G01R33/34GK101088020SQ200580044545
公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2005年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月22日
發(fā)明者E·霍勒, P·C·H·A·漢斯 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司