專利名稱：具有分段的襯底的探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于測(cè)試集成電路的裝置。更特別地，本發(fā)明涉及 一種用于半導(dǎo)體集成電路的晶片測(cè)試的探針卡。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路制造中，通常在制造期間以及出貨之前測(cè)試 集成電路("IC"),以確保正常的操作。晶片測(cè)試是公知的測(cè)試技 術(shù)，其通常用于安裝有晶片的半導(dǎo)體IC (或多個(gè)小片(dice))的 產(chǎn)品觀'H式，其中，在自動(dòng)測(cè)i式裝置(automatic test equipment, ATE) 與安裝于晶片上的每個(gè)IC之間建立臨時(shí)電流，以證明IC的正常性 片測(cè)試中使用的示例性部件包括ATE測(cè)試板(例如，連接至 ATE的多層印刷電路板)，其在ATE與探針卡之間來(lái)回傳送測(cè)試信示例性探針卡是通常包含用于與IC晶片上的一系列連接端子 (或小片接觸部(die contact))建立電接觸的數(shù)百個(gè)設(shè)置的探針的 印刷電路板。公知的探針卡還可包括襯底或所謂的空間變壓器，其 將探針與印刷電路板電連接?？臻g變壓器可包括多層陶瓷襯底、多
層有機(jī)物襯底等。將多個(gè)柔性探針中的每一個(gè)安裝至空間變壓器的 安裝面是7>知的。通常，通過(guò)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域內(nèi)普通技術(shù)人員7>知 的常規(guī)鍍敷或蝕刻技術(shù)，優(yōu)選地，將探針安裝在形成于襯底上的金 屬焊盤上以進(jìn)行導(dǎo)電。
制作探針卡的一個(gè)難點(diǎn)在于，期望將空間變壓器襯底的安裝面
維持在嚴(yán)格的平整度容差內(nèi)，使與IC連接端子相連接的探針針尖
部位置的不期望的變化最小化。對(duì)于建立和維持每個(gè)探針針尖與被 測(cè)試芯片的端子之間相同的接觸狀況，探針組件內(nèi)所有探針針尖的 嚴(yán)格位置容差是非常重要的。位置容差影響探針針尖相對(duì)于相應(yīng)端
子的位置，以及在探針與IC連接端子之間建立良好的電連接所需
要的力。為了嚴(yán)格地控制探針針尖的位置容差，要求這些探針的安 裝面盡可能的平齊。
對(duì)于大型探針卡而言，要求大型探針卡可以適應(yīng)大量的半導(dǎo)體 小片的同時(shí)測(cè)試，或者大型單件半導(dǎo)體小片的測(cè)試，從而提高測(cè)試 處理的效率。然而，由于揮:針卡和襯底的尺寸增加，使得高效地制 作具有良好平整度特性的襯底變得更加困難。例如，隨著襯底材料
被折疊(lap)成期望結(jié)構(gòu)，會(huì)產(chǎn)生或消除剩余應(yīng)力。襯底材料的應(yīng)
力狀態(tài)的變化進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致襯底的扭曲，隨著襯底增大，會(huì)導(dǎo)致大量 的平整度偏差。另外，與制作過(guò)程中具有相同的缺陷率并制作較小 的襯底工件的產(chǎn)品處理中出現(xiàn)的不可恢復(fù)的缺陷相比，相對(duì)較大的 襯底工件中不可恢復(fù)的缺陷會(huì)導(dǎo)致更多的浪費(fèi)，因此降低了效率。 更進(jìn)一步的，隨著探針卡和襯底尺寸增加，探針針尖的位置偏離期 望的正常位置的變化還會(huì)隨著襯底曝露于溫度變化并承受村底材 料的熱膨脹特性系數(shù)導(dǎo)致的膨脹和收縮而增大。
因此，期望提供一種探針卡和襯底，其具有相對(duì)較大的尺寸， 并且結(jié)合了良好的平整度特性、良好的制造特性、以及能夠在該探 針卡的期望操作溫度范圍內(nèi)保持良好的位置容差
發(fā)明內(nèi)容
才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種用于測(cè)試半導(dǎo)體小片的探針卡。該探針卡包括安裝盤；以及多個(gè)襯底部分(segment), 由安裝盤支撐。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供了一種探針卡。該探針 卡包括印刷電路板，其包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤。該探針卡還包括探 針襯底，支撐多個(gè)襯底元件。探針元件可導(dǎo)電地連接至多個(gè)導(dǎo)電焊 盤中的每一個(gè)。^果4十襯底包括多個(gè)襯底部分。


出于示出本發(fā)明的目的，圖中示出了本發(fā)明目前優(yōu)選的形式； 然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限定于所示出的具體布置和手段。在 附圖中圖l是現(xiàn)有技術(shù)中包含多個(gè)半導(dǎo)體小片的晶片的平面圖；圖1A是圖1的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體小片的放大細(xì)節(jié)圖；圖2是示出了通過(guò)框架連接至安裝盤的襯底的上表面的現(xiàn)有技 術(shù)中纟冢針卡的局部示意平面圖；圖3是^4居本發(fā)明示例性實(shí)施例的揮:針卡的局部示意平面圖；圖4是沿著圖3的線3-3取圖3的探針卡的示意橫截面圖，其 示出了安裝于框架中的襯底部分的組件；圖5示出了具有使用水性環(huán)氧樹脂(compliant epoxy )在框架 中定位襯底部分的框架的圖3和4的框架的放大細(xì)節(jié)圖； 圖6是示出了通過(guò)將彈性偏置件用于在框架中定位襯底部分的 圖3和圖4的才醫(yī)架的》文大細(xì)節(jié)圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的探針卡的示意橫截面圖； 圖9是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的另一探針卡的示意^t截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的再一個(gè)探針卡的示意橫截 面圖；以及圖11是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的另一探針卡的示意橫截面圖。
具體實(shí)施方式
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了用于測(cè)試半導(dǎo)體小片的探 針卡。該探針卡包括安裝盤；以及通過(guò)框架連接至安裝盤的多個(gè) 襯底部分。例如，該框架包括至少一個(gè)偏置件，用于將每個(gè)襯底部 分偏置到相對(duì)于框架的第一位置，并彈性地適應(yīng)襯底部分的熱膨月長(zhǎng) 和收縮。此外，框架可用具有低熱膨"長(zhǎng)系凄t的材并牛制成。參照附圖，首先參照?qǐng)D1、 1A和2，在現(xiàn)有技術(shù)已知的，提供 了適合在具有多個(gè)半導(dǎo)體小片22的半導(dǎo)體晶片20的測(cè)試中使用的 探針卡10。每個(gè)半導(dǎo)體小片22具有多個(gè)小片接觸部24(盡管圖1A 中示出了少量的4妄觸部，^f旦應(yīng)該明白，小片22中可以包含4壬意凝: 量的小片接觸部)。現(xiàn)有技術(shù)的探針卡10包括安裝盤30和通過(guò)框 架50連接至安裝盤30的襯底40。在晶片測(cè)試技術(shù)中，襯底40還 可以是指例如"空間變壓器"。安裝盤30可以是指例如與襯底40 電連通的印刷電路板。盡管這里所描述的特定附圖中示出的襯底(例如，襯底40)相 比于對(duì)應(yīng)的安裝盤和/或PCB (例如，安裝盤30)具有相對(duì)4交大的 尺寸，^旦應(yīng)該明白，這是出于清晰示出的目的。應(yīng)該明白，所示出 的部件的相對(duì)尺寸與本發(fā)明無(wú)關(guān)，并且在特定的#1針卡中，襯底(例 如，空間變壓器)明顯小于PCB。多個(gè)探針42安裝在襯底40的安裝面44上。例如，探針42由 諸如鋁或銅的導(dǎo)電金屬制成。在半導(dǎo)體晶片20的測(cè)試期間，晶片 20與探針卡10之間的相對(duì)移動(dòng)導(dǎo)致探針42的針尖與受到測(cè)試的半 導(dǎo)體小片22的接觸部24之間的電接觸。使探針42的針尖彼此之 間非常精確地相對(duì)定位對(duì)于確保在晶片測(cè)試期間探針卡10的正常 操作是很重要的。襯底40可包括例如多層陶瓷材料、多層有機(jī)物材料等。襯底 40具有寬度dl和長(zhǎng)度d2。在這種現(xiàn)有技術(shù)的襯底中，安裝面44 呈波形，這可以由制造襯底40的處理產(chǎn)生，也可以由襯底40的后 續(xù)處理產(chǎn)生。如果探針42安裝于不平整的安裝面44上，則安裝面 44的波形將會(huì)降低探針針尖相對(duì)于小片接觸部24定位的精確度。 波度大小將是襯底40的整體尺寸的函凄t。例如，如果襯底40的剩 余應(yīng)力將導(dǎo)致沿襯底40的中心軸0.5度的偏斜，則安裝面44移出 理想平面位置的距離將隨著與中心軸的距離增大。在探針42損壞前，通常僅能適應(yīng)有限的偏斜度。因此，隨著 探針卡尺寸的增大，期望探針42可適應(yīng)的波形通常也增大，可以 想到，期望適應(yīng)的波形會(huì)超過(guò)纟罙針42可適應(yīng)的偏寺+等級(jí)。另外， 隨著襯底40尺寸的增大，由于落入制造公差之外的襯底40通常要 被丟棄，所以廢品量也會(huì)上升。 除了安裝面44的波形之外，襯底40與半導(dǎo)體晶片20之間不 同的熱膨脹也會(huì)導(dǎo)致探針針尖相對(duì)于小片接觸部24的不精確定位。 由于不同的熱膨脹特性會(huì)隨著襯底40的尺寸增加而增加，會(huì)導(dǎo)致 探針針尖距離其正常位置的位移增大，例如，因?yàn)榫ǔ０ü瑁?而襯底通常包括諸如陶瓷的材料。這種硅和陶瓷材料具有不同的熱 膨脹特性，并且隨著襯底40尺寸的增大，襯底40相對(duì)于晶片20 的總熱膨脹差也增大?，F(xiàn)在參照?qǐng)D3-6，考慮到與襯底尺寸增大相關(guān)的問(wèn)題，同時(shí)認(rèn) 識(shí)到提高由較大襯底帶來(lái)的測(cè)試能力和效率的益處，根據(jù)本發(fā)明的 示例性實(shí)施例，提供了用于測(cè)試半導(dǎo)體小片22的探針卡100,包括 安裝盤130;以及通過(guò)框架150由安裝盤130支撐(例如，連接) 的多個(gè)4十底部分140。安裝盤130可類似于現(xiàn)有4支術(shù)的安裝盤30。 當(dāng)在框架150中進(jìn)行組裝時(shí)，多個(gè)(支撐探針142的)襯底部分140 具有合并后的寬度dl和長(zhǎng)度d2,其可等于現(xiàn)有技術(shù)中襯底40的寬 度dl和長(zhǎng)度d2。可以通過(guò)基本上類似于現(xiàn)有技術(shù)的襯底40的操作 來(lái)對(duì)多個(gè)襯底部分140進(jìn)行操作，然而，各個(gè)襯底部分140的寬度 和長(zhǎng)度可以明顯地小于現(xiàn)有技術(shù)中襯底40的寬度和長(zhǎng)度。期望框架150用于在較廣的溫度范圍內(nèi)準(zhǔn)確地定位探針卡100 內(nèi)的每個(gè)襯底部分140。例如，框架150由具有相對(duì)較低(小于等 于2.5*10—6英寸/英寸/華氏度(大約4.5*10-6厘米/厘米/攝氏度)的 熱月彭月長(zhǎng)系凄t ( coefficient of thermal expansion,縮寫為CTE)的材料 制成，以基本匹配陶瓷襯底相對(duì)較低的CTE (例如，大約3.3*1(T6 英寸/英寸華氏度(大約6.0*10—6厘米/厘米/攝氏度)。具有期望特性 的示例性材料包括例如，具有不同成分的鎳的鋼，其具體實(shí)例是 以商標(biāo)INVAR和NILO銷售的。其他示例性材沖牛包4舌鉬、鉬合 金、以及不銹鋼。盡管可以將框架150的材料選4奪為具有基本匹配 村底140的CTE的CTE，然而在測(cè)試處理期間，在框架150與襯
底140之間存在不同的熱增長(zhǎng)(thermal growth )。因此，期望框架 150用于精確定位襯底部分140，同時(shí)還能適應(yīng)框架150與襯底部 分140之間不同的熱增長(zhǎng)。可以通過(guò)多種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)該功能。例如，具體參照?qǐng)D5，可以 將適合在最大處理溫度下使用的水性環(huán)氧樹脂160用于裝填框架 150中的襯底140。 7K性環(huán)氧樹脂160用于將每個(gè)襯底部分140偏 置到相對(duì)于框架150的第一位置中，并用于彈性地適應(yīng)襯底部分140的熱膨3長(zhǎng)和^:縮。才艮據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，參照?qǐng)D6,框架150可包括 彈性元件170，其同樣用于將每個(gè)襯底部分140偏置到相對(duì)于框架 150的第一位置中，并用于彈性地適應(yīng)襯底部分140的熱膨脹和收 縮。例如，彈性元件170可被構(gòu)造用于將每個(gè)襯底部分140朝向安 裝盤150的中心部分172偏置。圖7示出了4艮據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的相鄰的兩個(gè)^J"底部分 700和702。根據(jù)本發(fā)明，可以期望將襯底部分上的探針704排列 為與要被測(cè)試的晶片上的小片接觸部位置匹配的結(jié)構(gòu)。更具體地， 可以期望盡可能多的接觸晶片的小片接觸部，從而改善測(cè)試周期。 如圖7中所示，襯底部分700和702均包括8行探針。在襯底部分 700上，間隙Gl將探針的左側(cè)組(4行)與揮:針的右側(cè)組(4行) 分開(kāi)。同樣的，在襯底部分702上，間隙G3將探針的左側(cè)組(4 行)與探針的右側(cè)組(4行)分開(kāi)。另外，揮:針704排列在襯底部 分700和702上，使得襯底部分700探針的左側(cè)組(4行)與襯底 部分702探針的右側(cè)組(4行)之間存在間隙G2。期望間隙G2被 構(gòu)造為基本上類似于間隙Gl和G3。當(dāng)然，可將該方法(優(yōu)化相鄰 襯底部分上的探針布局)應(yīng)用于給定結(jié)構(gòu)中任意數(shù)量的襯底部分。
對(duì)于支撐村底部分，可以設(shè)計(jì)多種不同的支撐結(jié)構(gòu)。圖8-11 示出了 4個(gè)示例性結(jié)構(gòu)。盡管圖8-11示出了僅僅兩個(gè)襯底部分，但 應(yīng)該明白，還可以設(shè)計(jì)不同數(shù)量的襯底部分。圖8示出了探針卡800,包括PCB 802、安裝盤804、和框架 806。才匡架806支撐4十底部分808a和808b，并且4于底部分808a和 808b支撐探針元件812。在襯底部分808a與808b之間設(shè)置環(huán)氧樹 脂810。在安裝盤804與襯底部分808a/808b之間設(shè)置有插入物814 (例如，彈性銷插入物、彈簧銷插入物、平面4妻觸部陣列插入物等)， 并且可以包括多個(gè)插入物。因此，乂人PCB802起、通過(guò)安裝盤804、 通過(guò)插入物814、通過(guò)襯底部分808a和808b、到探針812，提供了 電通路。框架806限定了凹槽806a,其用于接合襯底部分808a和808b 的邊纟彖部分。圖9示出了#1針卡900，包括PCB卯2、安裝盤904、和框架 906?？蚣?06支撐襯底部分908a和908b,并且襯底部分908a和 908b支撐探針元件910。在安裝盤904與襯底部分908a/908b之間設(shè)置有插入物914 (例如，彈性銷插入物、彈簧銷插入物、平面接 觸部陣列插入物等)，并且可以包括多個(gè)插入物。框架906限定了凹槽906a，其用于接合襯底部分908a和908b 的邊纟彖部分。在特定結(jié)構(gòu)中，圖8-9所示的具有凹槽的框架結(jié)構(gòu)是不可行的。 例如，由襯底元件支撐的探針元件的高度(在襯底部分表面以上) 可能不能適應(yīng)這種結(jié)構(gòu)。
圖10示出了探針卡1000，其包括PCB 1002、安裝盤1004、 和框架1006?？蚣?006支撐襯底部分1008a和1008b ，并且4于底 部分1008a和1008b支撐4笨針元件1012。盡管未在圖10中示出， 但是可以在安裝盤1004與襯底部分1008a/1008b之間設(shè)置有插入物(例如，彈性銷插入物、彈簧銷插入物、平面接觸部陣列插入物等)， 并且可以包括多個(gè)插入物。在圖10所示的多個(gè)位置i殳置環(huán)氧樹脂1010。圖11示出了探針卡1100,其包括PCB1102、安裝盤1104、和 框架1106?？蚣?106支撐襯底部分1108a和1108b，襯底部分1108a 和1108b支撐探針元件1112。盡管未在圖11中示出，但是可以在 安裝盤1104與襯底部分1108a/1108b之間設(shè)置插入物(例如，彈性 銷插入物、彈簧銷插入物、平面4妄觸部陣列插入物等)，并且可以 包括多個(gè)插入物?？梢栽趫D11所示的多個(gè)位置i殳置環(huán)氧樹脂1110。探針卡1100的框架1106包括多個(gè)肋狀物(rib) 1106a，用于 4是供額外的支撐。例如，4艮據(jù)要求可以將肋狀物1106a構(gòu)造為線型 輪廓，或構(gòu)為成柵格狀。因此，本發(fā)明提供了 一種部分襯底(例如，部分的空間變壓器)， 其具有大襯底的優(yōu)點(diǎn)(例如，改善的測(cè)試效率)，同時(shí)還具有較小 襯底的優(yōu)點(diǎn)(例如，改進(jìn)的可制造性，以及較少地受熱膨脹的影響， 從而改進(jìn)了探針針尖定位的準(zhǔn)確度)。盡管通過(guò)這里所示出的特定的簡(jiǎn)單化的探針設(shè)計(jì)示出了本發(fā) 明，但本發(fā)明并不限定于此。有關(guān)于本發(fā)明可使用任何類型的探針。 另外，可將探針構(gòu)造為任意數(shù)量的定向，例如，探針可以(l)基 本上相對(duì)于襯底表面垂直延伸；(2)相對(duì)于襯底表面沿著弧線或曲
線路徑延伸；(3)和/或包括基本上相對(duì)于襯底表面水平延伸的桿 (beam )。
本發(fā)明的教導(dǎo)可應(yīng)用于探針卡設(shè)計(jì)的寬陣列中，例如，懸臂式 探針卡、柱桿針尖(post-beam-tip)式探針卡，使用探針頭(其中 具有探針流)的探針卡、具有上部鍍敷的(plated-up)探針的探針 卡、具有拾取貼裝附著(pick-and-place attached)的探針的探針卡等。
對(duì)于安裝盤，已經(jīng)描述了本發(fā)明特定的示例性實(shí)施例。這種安 裝盤可以是纟笨針卡組件的PCB;然而，也可以采用其它的安裝盤(例 如，如圖8-11中所示)。
關(guān)于安裝探針和/或支撐探針的襯底，已經(jīng)描述了本發(fā)明特定的 示例性實(shí)施例。示例性的4于底包括多層陶瓷4于底和多層有物才幾4十 底。然而并不限定于此，襯底可以是空間變壓器。
關(guān)于輔助機(jī)構(gòu)，例如(1 )環(huán)氧樹脂材料和(2)彈性元件，已 經(jīng)描述了本發(fā)明特定的示例性實(shí)施例；但是，本發(fā)明并不限定于此。 可以使用任意數(shù)量的輔助機(jī)構(gòu)。
關(guān)于連接襯底部分(或支撐襯底部分)的框架，已經(jīng)描述了本 發(fā)明特定的示例性實(shí)施例。這種框架可以是單個(gè)結(jié)構(gòu)、多個(gè)分開(kāi)的 結(jié)構(gòu)、或多個(gè)連接在一起的結(jié)構(gòu)。例如，圖11中所示的框架1106 可以是單個(gè)結(jié)構(gòu)(包括肋狀物1106a)(例如，由單塊材料制成)。 可選;也，肋4犬物1106a可以與沖醫(yī)架1106的其它部分分開(kāi)。以上所述4義為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā) 明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn) 等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種探針卡，包括安裝盤；以及多個(gè)襯底部分，由所述安裝盤支撐。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，所述多個(gè)襯底部分由所 述安裝盤通過(guò)框架支撐。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡，其中，所述框架包括至少一 個(gè)偏置件，用于將每個(gè)所述襯底部分偏置到相對(duì)于所述框架的 第一位置，并用于彈性地適應(yīng)所述襯底部分的熱膨脹和收縮。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的探針卡，其中，所述偏置件包括基于環(huán) 氧樹脂的材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的探針卡，其中，所述偏置件包括彈性元 件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡，其中，所述框架由具有低于大 約2.5*10_6英寸/英寸/華氏度的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的探針卡，其中，所述框架限定凹槽，所 述凹槽用于容納所述多個(gè)襯底部分中的至少一個(gè)的邊^(qū)彖部分。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，進(jìn)一步包括印刷電路板，所 述安裝盤位于所述印刷電路板與所述多個(gè)襯底部分之間。
9. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，所述安裝盤是印刷電路板。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，進(jìn)一步包括插入物，位于所 述安裝盤與所述襯底部分之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，其中，所述多個(gè)襯底部分包括 第一襯底部分和第二襯底部分，其中，在(1)所述第一4于底 部分支撐的第一探針元件組與(2)所述第二襯底部分支撐的 第二探針元件組之間限定的間隙，基本上等于在(3)所述第 一襯底部分支撐的所述第一探針元件組與(4)所述第一襯底 部分支撐的第三探針元件組之間限定的間隙。
12. —種纟罙針卡，包括印刷電路板，包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤；以及探針襯底，支撐多個(gè)襯底元件，所述探針元件可導(dǎo)電地 連接至所述多個(gè)導(dǎo)電焊盤中的相應(yīng)焊盤，所述#1針襯底包括多 個(gè)襯底部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的探針卡，其中，所述多個(gè)襯底部分由 所述印刷電路^反通過(guò)框架支撐。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的探針卡，其中，所述框架包括至少一 個(gè)偏置件，用于將每個(gè)所述襯底部分偏置到相對(duì)于所述框架的 第一位置，并用于彈性地適應(yīng)所述襯底部分的熱膨脹和收縮。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的探針卡，其中，所述偏置件包括基于 環(huán)氧樹脂的材料。
16. 4艮據(jù)權(quán)利要求14所述的探針卡，其中，所述偏元件包括彈性 元件。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的探針卡，其中，所述框架由具有低于 大約2.5* 10—6英寸/英寸/華氏度的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的探針卡，其中，所述框架限定凹槽， 所述凹槽用于容納所述多個(gè)襯底部分中的至少 一 個(gè)的邊緣部 分。
19. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的探針卡，進(jìn)一步包括安裝盤，位于 所述印刷電路板與所述多個(gè)襯底部分之間。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的探針卡，進(jìn)一步包括插入物，位于 所述印刷電路板與所述襯底部分之間。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的探針卡，其中，所述多個(gè)襯底部分包 括第一襯底部分和第二襯底部分，其中，在(1)所述第一襯 底部分支撐的第一探針元件組與(2)所述第二襯底部分支撐 的第二探針元件組之間限定的間隙，基本上等于在(3)所述 第一襯底部分支撐的所述第一探針元件組與(4)所述第一襯 底部分支撐的第三探針元件組之間限定的間隙。
全文摘要
提供了一種用于測(cè)試半導(dǎo)體小片的探針卡。所述探針卡包括安裝盤；以及多個(gè)襯底部分，由安裝盤支撐。多個(gè)襯底部分由安裝盤通過(guò)框架支撐。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，可以提供由單個(gè)較小襯底部分的組合形成的相對(duì)較大尺寸的探針卡。因此，通過(guò)單個(gè)較小襯底部分的良好屬性確保了大尺寸探針卡的理想的平整度特性、制造特性、以及位置容差。
文檔編號(hào)G01R31/28GK101133338SQ200580047165
公開(kāi)日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2005年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月2日
發(fā)明者安霍-塔伊·源, 巴哈德?tīng)枴D納博伊盧, 斯科特·R·威廉斯 申請(qǐng)人:Sv探針?biāo)饺擞邢薰?br>