專利名稱：帶有高滿刻度值的集成式壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由半導(dǎo)體技術(shù)制成的集成式壓力傳感器。該傳感器具有高滿刻度值(high Mi-scale value)，并因此能夠測量高壓力。在 不失任何通用性的情況下，下面的說明尤其對(duì)這種壓力傳感器，在 BBW(線控制動(dòng)(Brake-By-Wire ))機(jī)電制動(dòng)系統(tǒng)中的使用做了具體參考。
背景技術(shù)：
眾所周知，用于車輛的常用的圓盤制動(dòng)系統(tǒng)包括固定在車輛相應(yīng) 車輪上的圓盤、與圓盤相結(jié)合的制動(dòng)鉗和液壓控制電路。摩擦材料墊 片(通常數(shù)量是兩個(gè))和連接在液壓控制電路上的一個(gè)或多個(gè)活塞被容 納在制動(dòng)鉗內(nèi)。在使用者操作制動(dòng)踏板之后，液壓控制電路中的泵使 電路中的流體加壓。因此，裝備了密封元件的活塞離開它們各自的座 位、并將墊片壓向圓盤表面，由此施加對(duì)車輪的制動(dòng)作用。近來，已經(jīng)提出了所謂的"線控驅(qū)動(dòng)"(Drive-by-Wire)系統(tǒng)，其為車 輛的主要功能提供了電子式控制，諸如轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、離合器和制動(dòng)系統(tǒng)。 尤其提出了電子式控制的制動(dòng)系統(tǒng)，在該制動(dòng)系統(tǒng)中設(shè)想用機(jī)電促動(dòng) 器替代液壓式制動(dòng)鉗。具體而言，適當(dāng)?shù)膫鞲衅鞲袘?yīng)制動(dòng)踏板的操作、 并產(chǎn)生將由電子控制單元接收和解譯的相應(yīng)電信號(hào)。電子控制單元控 制機(jī)電促動(dòng)器(例如由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的活塞)的操作，機(jī)電促動(dòng)器通過墊 片在相應(yīng)的制動(dòng)圓盤上施加制動(dòng)動(dòng)作。電子控制單元還從傳感器接收 信息，該傳感器與包括機(jī)電促動(dòng)器施加的制動(dòng)作用的制動(dòng)系統(tǒng)相結(jié) 合，以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋控制(例如，通過比例-積分-微分控制器-PID)。電 子控制單元特別接收各促動(dòng)器施加在相應(yīng)制動(dòng)圓盤上的壓力信息。在測量這個(gè)壓力時(shí)，需要具有高滿刻度值的壓力傳感器。事實(shí)上，墊片施加在圓盤上的力在0到最高達(dá)15000+35000N范圍內(nèi)。作用于 墊片的活塞具有的截面面積為大約2 cm2,因此壓力傳感器必須能夠 在滿刻度值高達(dá)大約17 00 Kg/cm2或更高的情況下工作。目前，能夠測量如此高壓力值的傳感器制成為帶有應(yīng)變測量元件 安裝在其上的鐵芯。在壓力的作用下，鐵芯根據(jù)胡克定律而變形其中AL表示芯的線尺寸的幾何變化，￡是構(gòu)成芯的材料的Young's ;溪型，o"是作用在芯上、并與變形尺寸方向平行的壓力。應(yīng)變測量元 件檢測通過電阻的改變而與應(yīng)變測量元件相聯(lián)系的芯的幾何變形。然而，出于可靠性、尺寸和成本的原因，這些傳感器僅僅可以應(yīng) 用和適用于前述類型的制動(dòng)系統(tǒng)的表征和研發(fā)的目的，而非生產(chǎn)制造 階段。由半導(dǎo)體技術(shù)制成的集成壓力傳感器也是已知的。這些傳感器包 括懸在單晶硅硅體空腔上的薄膜片(membrane)。相互連接并形成惠斯 登橋(wheatstone bridge)的壓力電阻元件散布于空腔內(nèi)。當(dāng)受壓力時(shí)， 膜片變形、并引起壓力電阻元件電阻的改變，因此惠斯登橋不平衡。 特別地,為了形成平衡的惠斯登橋， 一些壓力電阻元件通常受到壓應(yīng) 力，而其余的壓力電阻元件受到拉應(yīng)力。然而，在高壓力時(shí)，膜片在垂直方向上受到如此的變形，以至于 其與下部空腔的底部接觸，這樣在輸出提供飽和壓力值。典型地，這 種飽和發(fā)生在與前述制動(dòng)系統(tǒng)中出現(xiàn)的壓力相比明顯要小的壓力(特 別是壓力為大約10Kg/cm2)時(shí)。結(jié)果，這些壓力傳感器不可用于測量 高壓力。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的因此是提供一種具有高滿刻度值、并能夠解決上述 缺點(diǎn)和問題的集成式壓力傳感器。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種由權(quán)利要求1限定的集成式壓力傳感器。


為了更好地理解本發(fā)明，現(xiàn)在將僅僅通過非限制性的示例并參考附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中圖1圖示了機(jī)電線控制動(dòng)的制動(dòng)系統(tǒng)的方塊圖，圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例而制成的集成式壓力傳感器的透視截面圖，圖3顯示了本發(fā)明的第二實(shí)施例中的壓力傳感器的截面圖， 圖4是圖5中壓力傳感器的相應(yīng)電路圖，圖5顯示了根據(jù)第二實(shí)施例制造的壓力傳感器的示意性頂視圖， 并且，圖6顯示了根照本發(fā)明一方面的壓力測量器件。本發(fā)明的最佳實(shí)施方式圖1顯示了線控制動(dòng)機(jī)電類型的制動(dòng)系統(tǒng)1的方塊圖，其中包括 制動(dòng)踏板2;適于檢測制動(dòng)踏板2的行程C和促動(dòng)速度v的第一傳感 器3;與第一傳感器3連接的電子控制單元4;與電子控制單元4連 接、并由電動(dòng)機(jī)6和通過蝸桿類型的連接元件(未示出)與電動(dòng)機(jī)6連 接的活塞7所構(gòu)成的機(jī)電促動(dòng)器5;連接到機(jī)電促動(dòng)器5上、并(以未 示出的本身已知的方式)固定在車輛車輪上的制動(dòng)圓盤8;適用于采集 關(guān)于機(jī)電促動(dòng)器5施加在制動(dòng)圓盤8上的制動(dòng)作用的信息的第二傳感 器9,它與電子控制單元4形成反饋連接。在使用中，第一傳感器3向電子控制單元4發(fā)送關(guān)于制動(dòng)踏板2 行程C和促動(dòng)速度v的數(shù)據(jù)，基于該數(shù)據(jù)，電子控制單元4為機(jī)電促 動(dòng)器5(尤其是為電動(dòng)機(jī)6)產(chǎn)生控制信號(hào)(電壓V或電流I信號(hào))。根據(jù) 這個(gè)控制信號(hào)，電動(dòng)機(jī)6產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)矩，并通過蝸桿類型的連接元件 將其轉(zhuǎn)換成活塞7的線性運(yùn)動(dòng)。因此，活塞7(通過磨損材料墊片，未示出)壓在制動(dòng)圓盤8上，以此減慢它的旋轉(zhuǎn)。第二傳感器9檢測活塞7施加在制動(dòng)圓盤8上的壓力P的值，并檢測活塞7相對(duì)于制動(dòng)圓盤 8的位置x，并將這些數(shù)據(jù)在反饋中傳送給電子控制單元4。這樣，電 子控制單元4就對(duì)制動(dòng)動(dòng)作執(zhí)行閉環(huán)控制(例如PID控制)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，第二傳感器9包括集成式壓力傳感器 15(圖2)，其由半導(dǎo)體技術(shù)制成，并適用于測量活塞7施加在制動(dòng)圓盤 8上的壓力P。如圖中未示出地，壓力傳感器15容納于機(jī)電促動(dòng)器5 的外殼中，并且它配置成對(duì)活塞7施加的壓力P^t感。具體而言，壓力傳感器15包括半導(dǎo)體材料的單塊體16，該半導(dǎo) 體材料優(yōu)選是具有晶面晶向(100)的N型單晶硅。單塊體16具有正方 形截面，其邊l為例如800um，第一主外表面16a (壓力P作用于其 上)，和第二主外表面16b,其中第二主外表面16b與第一主表面16a 分開大致一致的例如等于400^im的距離w。第一主外表面16a與第二 主表面16b尤其是彼此相對(duì)并平行的。單塊體16包括主體區(qū)17，在主體區(qū)17內(nèi)、鄰近第一主外表面 16a的位置，形成了由P —型摻雜區(qū)構(gòu)成的壓力電阻檢測元件18 (例如 圖在2中顯示了 4個(gè)壓力電阻檢測元件18)。壓力電阻檢測元件尤其 是借助于摻雜物擴(kuò)散通過合適的擴(kuò)散掩模而形成，并具有例如近似矩 形的截面。正如下面將要介紹的那樣，壓力電阻檢測元件的電阻作為 作用在單塊體16上的壓力的函數(shù)而變化。單塊體16的主體區(qū)17尤 其是實(shí)心和緊湊的區(qū)域，并具有基本恒定并與距離w相等的厚度。鈍化層20(例如也是由一氧化硅制成)覆蓋單塊體16的第一主外 表面16a，并且，由彈性材料例如聚酰胺構(gòu)成的第一和第二墊層22a 和22b設(shè)置在鈍化層20頂部，并且處于單塊體16的第二主外表面16b 之下。壓力傳感器15的操作是在所謂的壓力電阻效應(yīng)基礎(chǔ)之上的，根 據(jù)壓力電阻效應(yīng)，作用在壓力電阻元件上的應(yīng)力引起電阻改變。在半 導(dǎo)體材料諸如硅的情況下，所施加的應(yīng)力將引起晶格的變化，因此引起主要電荷載體遷移率變更。例如，在硅的情況下，晶格1%的變形 將對(duì)應(yīng)于主要電荷載體遷移率大約30%的變化。這將導(dǎo)致形成在半導(dǎo) 體材料中的電阻元件的電阻發(fā)生變化。電阻的改變由同時(shí)作用在平行 方向(相對(duì)于壓力電阻元件安放平面)的應(yīng)力(所謂的縱向應(yīng)力)和垂 直方向(相對(duì)于壓力電阻元件安放平面)的應(yīng)力(所謂的橫向應(yīng)力)引 起。具體而言，壓力電阻元件電阻的改變通常能夠由下面關(guān)系式表達(dá)其中A是壓力電阻元件的電阻， 是半導(dǎo)體材料的壓力電阻系數(shù)，例 如對(duì)于P型單晶硅等于138.1.10-"尸a-'， cr,和q各為作用于壓力電阻元件上的縱向應(yīng)力和4黃向應(yīng)力。參考圖2中的壓力傳感器15,單塊體16以能夠測量第一主外表 面16a的在垂直方向上的應(yīng)力的方式設(shè)置。與壓力P重合的橫向壓應(yīng) 力cjf(負(fù)值)和基本上為0的縱向應(yīng)力cr,(假設(shè)撓曲或彎曲現(xiàn)象并未出 現(xiàn)在單塊體16中)作用在各壓力電阻檢測元件18上。具體而言，第 一墊層22a將壓應(yīng)力均勻地分布在單塊體16第一主外表面16a上，從 而避免能夠引起沿晶格軸線擴(kuò)展的裂紋的局部(應(yīng)力)集中。因此， 壓力電阻檢測元件18的電阻變化由下面關(guān)系式表達(dá)i一—~由此得到，壓力P將引起各個(gè)壓力電阻感應(yīng)元件18的電阻R的增加， 這個(gè)電阻R的增加能夠由適當(dāng)?shù)淖x出電路測量得到，以決定壓力P的 值。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，在圖3中，單塊體16的主體區(qū)17尤 其具有壓力敏感部分23，壓力敏感部分23相對(duì)于單塊體例如設(shè)置在 中心位置(如圖3中的虛線部分的矩形示意性地所示)，待測量的壓力P施加在該中心位置上。作用在壓力敏感部分23之外的壓力而是基本 上為零。壓力電阻檢測元件18形成在壓力敏感部分23之內(nèi)，同樣是P-型擴(kuò)散壓力電阻構(gòu)成的基準(zhǔn)元件24,形成在主體區(qū)17中、并與壓力 敏感部分23區(qū)別并分開的部分。這樣，基準(zhǔn)元件24并不表現(xiàn)出作為 壓力P的函數(shù)的而變化電阻。圖3具體地顯示了兩個(gè)壓力電阻檢測元件18， Ri和R2，和兩個(gè) 基準(zhǔn)元件24, R3和R4。基準(zhǔn)元件24連接到壓力電阻檢測元件18,以 形成惠斯登橋接電路25(圖4)，在惠斯登橋接電路25中可變電阻R! 和R2設(shè)置在橋的相對(duì)兩側(cè)，以增加^:感度。在使用中，惠斯登橋接電路25被供給第一供應(yīng)電壓Vin，并提供 輸出電壓V。ut。作用在壓力敏感部分23上的壓力P引起壓力電阻檢測 元件18電阻的變化(近似或相同的原理)，而基準(zhǔn)元件24的電阻保持 恒定。因此出現(xiàn)惠斯登橋接電路25的不平衡，給出非0輸出電壓V。ut。 適當(dāng)?shù)碾娮訙y量電路(包括至少一個(gè)測試裝置放大器)能夠從輸出電壓 V。也測量壓力P。如溫度)中?；菟沟菢蚪与娐?5特別的內(nèi)部設(shè)置有利于實(shí)現(xiàn)差分測量， 在實(shí)現(xiàn)差分測量中，能夠消除由上述環(huán)境因素的電阻改變，使得輸出 電壓V。ut和因此測量到的壓力P的值對(duì)這些參數(shù)不敏感。 壓力傳感器15的可能實(shí)施例在圖5中示意性地說明。 具體而言，四個(gè)壓力電阻檢測元件18形成在壓力敏感部分23中， 并由P +型擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的第一互連部30兩兩串聯(lián)，/人而形成第一和第 二電阻器(也由Ri和R2表示)。同樣是由P+型擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的第二互連 部31將第一和第二電阻器R！和R2與壓力敏感部分23的外部連接， 而電接觸部32被提供用來接觸第二互連部41。四個(gè)基準(zhǔn)元件24形成 在主體區(qū)17、與壓力敏感部分33區(qū)別并分開的表面部分，并相對(duì)于壓力電阻檢測元件18構(gòu)成類似于鏡面的形式，即，同樣通過兩兩串 聯(lián)，而形成第三和第四電阻器(也由R3和R4表示)。第三和第四電阻器113和R4的末端通過第一金屬線34 (例如鋁) 連接到電接觸部32，并與第一和第二電阻器和R2共同形成惠斯登 橋接電路37(圖6)。在圖5中，出于圖示清楚的原因，僅僅將電阻檢 測元件18之間的連接中的一個(gè)和基準(zhǔn)元件24之間的連接中的一個(gè)通 過舉例的方式顯示出。同樣為鋁的第二金屬線35將每個(gè)電接觸部32都連接到單塊體16 的第一主表面16a上的各墊片38 (同樣以舉例的方式，僅僅將第二金 屬線中的一個(gè)顯示出)。用已知的線焊接工藝方式，例如用電線，能 夠在墊片38與集成有壓力傳感器15所用讀出電子元器件的電子測量 電路之間形成連接。例如，這個(gè)電子電路可能放置在更受保護(hù)的環(huán)境 中，例如通過屏蔽電纜而安放在連接到壓力傳感器15上的控制單元 內(nèi)。該壓力傳感器具有很多優(yōu)點(diǎn)。首先，其允許測量極高的壓力值，并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的壓力傳感 器，降低了成本和生產(chǎn)工藝復(fù)雜性。尤其是，壓力傳感器并不是基于 膜片的變形(單塊體16事實(shí)上即沒有膜片也沒有空腔)來工作，而M 于發(fā)生在實(shí)心緊湊單晶硅單塊體中的壓力電阻效應(yīng)來工作，因此這種 壓力傳感器尤其能夠支持和測量具有極高值的壓力。事實(shí)上，如已知 的，單晶硅對(duì)在11200Kg/cm4)J 35000Kg/cn^范圍內(nèi)的壓應(yīng)力表現(xiàn)出 高的抗斷裂性能，根據(jù)晶體取向，它完全有能力支持在制動(dòng)系統(tǒng)中出 現(xiàn)的最大壓力值(大約1700Kg/cm2)。以相似的方式，鈍化層20和墊層 22a、 22b能夠支持這一數(shù)量級(jí)的應(yīng)力。該壓力傳感器在一個(gè)或多個(gè)檢測元件與一個(gè)或多個(gè)壓力電阻基 準(zhǔn)元件之間進(jìn)行微分式測量，并因此證明對(duì)環(huán)境參數(shù)或生產(chǎn)范圍的改 變不敏感。其次，在壓力敏感區(qū)23內(nèi)部存在壓力電阻檢測元件18之間的P +型擴(kuò)散互連是具有優(yōu)勢的。事實(shí)上，假設(shè)壓力P的值很高，那么就 不可能使用常規(guī)的連接工藝(例如鍍鋁法)。相反，這些常規(guī)的連接工 藝能夠用在壓力敏感區(qū)23的外部，以建立檢測元件和基準(zhǔn)元件之間 的連接，以及與墊片之間的連接。最后，很顯然，在不背離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍的情 況下，可以對(duì)本文所述和所示進(jìn)行修改和變化。尤其是，很顯然，單塊體16的形狀和尺寸能夠與本文所述和所 示的不同；尤其是，單塊體16的截面可以是矩形或圓形的，而不是 正方形。另外，壓力電阻檢測元件18和基準(zhǔn)元件34的數(shù)量可以不同。甚 至可以僅提供一個(gè)適于測量壓力P的壓力電阻檢測元件18?；菟沟菢?接電路25內(nèi)電阻元件的設(shè)置也可以與舉例說明的不同。壓力電阻檢測元件可以通過離子注入工藝(替代擴(kuò)散工藝)而形成。另外，在圖6中，與壓力傳感器15相聯(lián)的電子測量電路40能夠 集成在同一單塊體16(見圖8)內(nèi)、主體區(qū)17中與壓力敏感部分33分 開的區(qū)域中，以形成集成在單個(gè)芯片上的壓力測量裝置41。尤其是在 圖6中，電子測量電路40以極其簡化的方式(通過單個(gè)雙極性晶體 管(single bipolar transistor ) 42 )表達(dá)。未示出的電絕緣區(qū)能夠?yàn)殡娮?電路50的測量提供電絕緣。最后，很顯然，壓力傳感器15也可有優(yōu)勢地用于不同于所說明 的制動(dòng)系統(tǒng)、但需要測量高壓力值的其它應(yīng)用中。
權(quán)利要求
1.一種壓力傳感器(15)，包括具有第一和第二主表面(16a和16b)的半導(dǎo)體材料單塊體(16)，所述第一和第二主表面(16a和16b)彼此相對(duì)，并由距離(w)分開，所述單塊體(16)還具有主體區(qū)(17)，所述主體區(qū)(17)具有敏感部分(23)，所述敏感部分(23)與壓力(P)作用于其上的所述第一主表面(16a)鄰近，和第一壓力電阻檢測元件(18)，且集成在所述敏感部分(23)上，并具有作為壓力(P)的函數(shù)而可變的電阻，其特征在于，所述主體區(qū)(17)是實(shí)心和緊湊的區(qū)域，并具有與所述距離(w)基本相等的厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述距離(w) 基本上是恒定的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓力傳感器，其特征在于，所述 主體區(qū)(17)顯示第一類傳導(dǎo)率；所述壓力傳感器還包括集成在所述敏 感部分(23)內(nèi)的其它壓力電阻檢測元件(18),與所述第一類型傳導(dǎo)率相 對(duì)，所述第一和所述其它壓力電阻檢測元件(18)各自包括具有第二類 傳導(dǎo)率的摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)通過在所述敏感部分(23)內(nèi)引進(jìn)摻雜物 實(shí)現(xiàn)。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器，其特征在于， 所述敏感部分(23)設(shè)置在相對(duì)于所述主體區(qū)(17)的中間位置。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器，其特征在于， 還包括集成在所述主體區(qū)(17)的部分中、并相對(duì)于所述敏感部分(23) 區(qū)別并分開的第一壓力電阻基準(zhǔn)元件(24),所述第一壓力電阻基準(zhǔn)元 件(24)具有隨所述壓力(P)改變而保持恒定的電阻。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓力傳感器5，其特征在于，所述第一 壓力電阻檢測元件(18)和所述第 一壓力電阻基準(zhǔn)元件(24)是電氣式地 連接的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的壓力傳感器，其特征在于，所述 第一壓力電阻檢測元件(18)和所述第一壓力電阻基準(zhǔn)元件(24)電氣式 地連接在橋接電路(25)中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器，其特征在 于，所述第一和所述其它壓力電阻檢測元件(18)是由互連部(30)相互連 接的，所述互連部(30)包括具有所述第二類傳導(dǎo)率的摻雜區(qū)，所述摻 雜區(qū)通過在所述敏感部分(23)內(nèi)引入摻雜物形成。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器，其還包括彈 性材料墊層(22a)，所述墊層(22a)形成在所述第一主表面(16a)上，并構(gòu) 造成能夠在所述敏感部分(23)上均勻地分布所述壓力(P)。
10. —種壓力測量裝置(41),包括壓力傳感器(15)和電氣式地連接 到所述壓力傳感器(15)上的測量電路(40)，其特征在于，所述壓力傳感 器(15)根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述而制成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述壓力傳感 器(15)和所述測量電路(40)集成在所述單塊體(16)內(nèi)。
12. 根據(jù)從屬于權(quán)利要求5的權(quán)利要求10或11所述的裝置，其 特征在于，所述測量電路(40)根據(jù)所述第一壓力電阻檢測元件(18)和所 述第一壓力電阻基準(zhǔn)元件(24)之間的電阻差異，來進(jìn)行壓力測量。
13. —種制動(dòng)系統(tǒng)(l),其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求10至12中 任一項(xiàng)制成的壓力測量裝置(41)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其包括制動(dòng)圓盤(8)，電子控 制單元(4)和機(jī)電促動(dòng)器(5),機(jī)電促動(dòng)器(5)配置成對(duì)所述電子控制單 元(4)產(chǎn)生的控制信號(hào)作出響應(yīng)而在所述制動(dòng)圓盤(8)上施加制動(dòng)作用， 其特征在于，所述壓力測量裝置(41)配置成用于執(zhí)行由所述機(jī)電促動(dòng) 器(5)施加在所述制動(dòng)圓盤(8)上的壓力(P)的測量，所述壓力測量裝置 (41)連接到所述電子控制單元(4)，以在反饋中向所述電子控制單元(4) 提供所述測量。
15. —種壓力測量方法，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利要求1至9 中任一項(xiàng)制成的壓力傳感器(15)。
全文摘要
本發(fā)明涉及了帶有高滿刻度值的集成式壓力傳感器。具體而言，在帶有高滿刻度值的集成式壓力傳感器(15)中，半導(dǎo)體材料單塊體(16)具有第一和第二主表面(16a和16b)，第一和第二主表面(16a和16b)相對(duì)，并由基本相等的距離(w)分開。單塊體(16)具有主體區(qū)(17)，主體區(qū)(17)具有鄰近于第一主表面(16a)(壓力(P)作用于其上)的敏感部分(23)。第一壓力電阻檢測元件(18)集成在敏感部分(23)中，并具有作為壓力(P)的函數(shù)的可變電阻。主體區(qū)(17)是實(shí)心并且緊湊的區(qū)域，并具有基本上等于距離(w)的厚度。
文檔編號(hào)G01L1/18GK101268348SQ200580051619
公開日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2005年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月22日
發(fā)明者A·L·維塔利, G·里科蒂, L·德拉托雷, M·莫雷利 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體股份有限公司