專利名稱：檢測(cè)用于形成半導(dǎo)體器件的漿料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及形成半導(dǎo)體器件，并具體地涉及檢測(cè)用于制造 半導(dǎo)體器件的漿料的方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是在半導(dǎo)體工業(yè)中用于平坦形成在半導(dǎo)體 襯底上的層的傳統(tǒng)工藝。在CMP期間，拋光墊和漿料置于與被拋光的 層接觸的地方且拋光墊相對(duì)晶片旋轉(zhuǎn)。使用的漿料是同質(zhì)的且具有良 好質(zhì)量很重要。例如，如果當(dāng)拋光墊旋轉(zhuǎn)的時(shí)候漿料顆粒聚集，那么 漿料顆粒會(huì)劃破拋光層且還引起了殘留顆粒和其他表面缺陷。
為了避免缺陷問(wèn)題，半導(dǎo)體制造商需要確保漿料品質(zhì)滿足CMP的 需要。這意味著漿料必須膠體穩(wěn)定或不能包含由顆粒聚集造成的巨大 聚集體。漿料的現(xiàn)行分析包括不正確或昂貴的檢測(cè)方法。例如，檢測(cè) 可能在稀釋的漿料樣品上進(jìn)行。由于樣品是稀釋的漿料，因而未檢測(cè) 到聚集。然而，當(dāng)漿料未稀釋時(shí)它可能有聚集問(wèn)題。漿料的稀釋改變 電解液的濃度并增加顆粒周?chē)娕紝雍穸取Ｒ虼?，顆粒穩(wěn)定而不聚集。 如果在漿料稀釋前出現(xiàn)顆粒聚集，那么由于穩(wěn)定性它們很可能在稀釋 后再分散。這就是為什么漿液稀釋以檢測(cè)聚集是不正確的。因?yàn)槠渌?方法包括通過(guò)執(zhí)行CMP處理以確定漿料是否良好以檢測(cè)漿料，所以這 些方法是昂貴的。上述方法浪費(fèi)時(shí)間、金錢(qián)和資源。甚至，在接受漿 料之前執(zhí)行CMP處理以檢測(cè)漿料消耗硅晶片、槳料本身、人力和時(shí)間。 如果漿料不得不丟棄，則必須凈化和清理CMP檢測(cè)漿料線，其意味著 額外的資源損失。因此，對(duì)在CMP工藝之前檢測(cè)漿料的方法存在需求。


圖1是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于檢測(cè)半導(dǎo) 體器件并使用槳料形成半導(dǎo)體器件的流程圖，
圖2是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示出從其中取 出樣品的裝有漿料的容器，
圖3是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一顆粒大小 分布的圖示，
圖4是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第二顆粒大小 分布的圖示，
圖5是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一用于檢測(cè)
形成半導(dǎo)體器件的漿料的流程圖，以及
圖6是根據(jù)以實(shí)例方式給出的發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的根據(jù)圖5的流 程圖用于保存漿料樣品的燒瓶的實(shí)例。
本領(lǐng)域技術(shù)人員理解附圖中的元件為了簡(jiǎn)單且清楚地示出沒(méi)有必 要按比例畫(huà)出。例如，附圖中的一些元件的尺寸可相對(duì)其他元件放大 以有助于提高本發(fā)明的實(shí)施例的理解。
具體實(shí)施例方式
當(dāng)漿料制造商向半導(dǎo)體制造商提供槳料時(shí)，半導(dǎo)體制造商需要知 道質(zhì)量良好。漿料制造商或半導(dǎo)體制造商會(huì)確定質(zhì)量。目前在半導(dǎo)體 工業(yè)中，漿料制造商不提供漿料質(zhì)量合適的保障，所以半導(dǎo)體制造商 需要確定質(zhì)量。另外，沒(méi)有質(zhì)量檢測(cè)或方法推薦給半導(dǎo)體制造商用于 檢測(cè)漿料。而且，沒(méi)有提供可接受的聚集的參數(shù)。這里討論了檢測(cè)漿 料聚集和評(píng)估是否漿料應(yīng)該接受或拒絕的分析方法。聚合導(dǎo)致聚集體。 聚合是像硅石顆粒的分開(kāi)的膠體實(shí)體結(jié)合在一起形成較大的膠體實(shí)體 的過(guò)程(聚集)。聚集是可逆的且可再分散或不可逆且不能再分散。
在一個(gè)實(shí)施例中，漿料的質(zhì)量由聲衰減光譜(AAS)確定。通過(guò) 測(cè)量粘性、散射和信號(hào)通過(guò)漿料的衍射損耗，AAS獲得樣品的顆粒大 小分布。在一個(gè)實(shí)施例中，來(lái)自膠體動(dòng)力學(xué)(Colloidal Dynamics)的聲波儀II (acousosizer II)可用于執(zhí)行AAS。聲波儀II還可與電動(dòng)聲 波振幅模式(ESA) —起使用以代替衰減模式(即AAS) 。 ESA模式 橫跨樣品施加電壓脈沖，導(dǎo)致膠體顆粒(幾乎總是電性帶電的)前后 振動(dòng)。這種運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生聲波。聲波可用于橫穿槳料，其產(chǎn)生聲波。該聲 波可用來(lái)確定樣品的顆粒大小分布。圖1所示的流程IO將描述可使用 AAS確定漿料是否應(yīng)該施加到產(chǎn)品并用于形成半導(dǎo)體器件或應(yīng)該丟 棄。
通常地，槳料存儲(chǔ)在巨大容器中(例如1000L)，其有時(shí)稱作裝 運(yùn)物。如圖2所示的是漿料62的容器或裝運(yùn)物60。漿料62可以是任 何漿料。從漿料62頂部獲取第一未稀釋樣品12 (圖1)，并從漿料62 底部獲取14 (圖1)第二未稀釋樣品62。在沒(méi)有任何漿料攪拌的情況 下獲取第一和第二未稀釋樣品。換句話說(shuō)，當(dāng)獲取樣品時(shí)漿料是靜態(tài) 的。在一個(gè)實(shí)施例中，這里討論的任何未稀釋樣品可以是近似100至 1000ml的溶液。
在獲取第一未稀釋樣品12后，第一未稀釋樣品被放入第一分析工 具中16，其在一個(gè)實(shí)施例中是AAS工具。第一分析工具用于確定第一 顆粒大小分布特征18。為了確定第一顆粒大小分布特征18，使用第一 分析工具進(jìn)行測(cè)量。優(yōu)選地，執(zhí)行測(cè)量直到聲音衰減曲線在低頻中穩(wěn) 定且僅使用第一穩(wěn)定曲線。在第一測(cè)量期間曲線穩(wěn)定。然而，如果在 樣品中出現(xiàn)氣泡，則在第一測(cè)量期間曲線可能不穩(wěn)定。然而，由于在 測(cè)量期間漿料流過(guò)在第一分析工具中的管道且在流動(dòng)期間壓力會(huì)消滅 氣泡，所以在進(jìn)一步測(cè)量后氣泡會(huì)消失。
第一顆粒大小分布特征可為測(cè)量參數(shù)或從測(cè)量的參數(shù)中得出的計(jì) 算值。例如，在一個(gè)實(shí)施例中顆粒的中等尺寸(d50)、顆粒的最大尺 寸的百分之85 (d85)或顆粒的最大尺寸的百分之15 (dl5)，由第一 分析工具或由第一分析工具生成的數(shù)據(jù)計(jì)算確定。該d50、 d85或dl5 參數(shù)每個(gè)單獨(dú)可以是第一顆粒大小分布特征?？蛇x擇的，在公式中可使用兩個(gè)或多個(gè)參數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，這些參數(shù)中的兩個(gè)相減且該 差可以是第一顆粒大小分布特征。例如，第一顆粒大小分布特征可以
是d85-dl5。
圖3示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第一顆粒大小分布的圖示70的實(shí)例。 x軸72是顆粒大小且y軸74是顆粒數(shù)量。如圖3所示，第一顆粒大小 分布曲線76是正態(tài)分布。元素71標(biāo)記dl5參數(shù)，元素73標(biāo)記d50參 數(shù)，且元素75標(biāo)記d85參數(shù)。這樣，d85參數(shù)75和d15參數(shù)71之間 的差值是顆粒大小分布的寬度。
在確定第一顆粒大小分布特征18之后，如果之前未獲取的話，獲 取來(lái)自漿料底部的第二未稀釋樣品14。換句話說(shuō)，可以在檢測(cè)樣品前 的任何時(shí)間且不需要在獲取第一未稀釋樣品之后或之后立即(指之后 下一步)獲取第二未稀釋樣品。然后第二未稀釋樣品被放入第一分析 工具中17。第一分析工具然后用于確定第二顆粒分布特征19，其可以 是之前用于描述第一顆粒大小分布特征的任何特征。然而，盡管特征 值可能不同，但是第一顆粒大小分布特征和第二顆粒大小分布特征必 須是相同特征。例如，如果第一顆粒大小分布特征僅是d50，那么第二 顆粒大小分布特征也是d50，盡管第一和第二未稀釋樣品的d50值可能 不同。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在獲取、放置以及確定第一稀釋樣 品之前對(duì)第二未稀釋樣品進(jìn)行如上相同工藝的操作。
在確定第一和第二顆粒大小分布特征18和19之后，計(jì)算第一顆 粒大小分布特征和第二顆粒大小分布特征之間的差值。差值與第一預(yù) 定值比較20。第一預(yù)定值是判斷"好"或"壞"漿料的閾值。
在一個(gè)實(shí)施例中，在比較20后，作出差值是否比第一預(yù)定值大的 決定22。在另一實(shí)施例中，決定22可以是差值是否小于第一預(yù)定值。使用圖l所示的實(shí)施例，如果差值大于第一預(yù)定值，那么丟棄漿料24。 如果差值不大于第一預(yù)定值，那么作出下面將討論的另一決定。
在d85和d15之間的差值是第一和第二顆粒大小分布特征的實(shí)施 例中，第一預(yù)定值可以是1到8nm之間的值，或如果使用的槳料是來(lái) 自羅姆和哈斯電子材料(Rohm and Haas Electronic Materials)的阻擋漿 料CUS1351，則更具體地接近4nm。如果第一和第二未稀釋樣品的第 一和第二顆粒分布特征之間的差值是lnm或小于lmn，那么認(rèn)為漿料 可使用。但是，如果差值是8nm或大于8nm，那么為了避免缺陷問(wèn)題 應(yīng)該丟棄漿料。換句話說(shuō)，如果漿料頂部和底部之間的顆粒大小分布 大于8nm，那么不應(yīng)該使用槳料，但如果差值為lnm或更小那么可以 使用漿料。相反，如果差值大于lnm且小于8mn，那么漿料可以或不 可以使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到其他的漿料將具有其他相應(yīng)的 確定閾值。在優(yōu)選的實(shí)施例中，第一和第二顆粒大小分布特征之間的 差值為零，意味著漿料頂部和底部具有相同的顆粒大小分布。但是， 因?yàn)樾☆w粒將聚集成大顆粒且沉積到漿料底部，所以漿料底部可能具 有較大的顆粒大小分布。
圖4示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第二顆粒大小分布的圖示80的實(shí)例。 元素81標(biāo)記d15的參數(shù)，元素83標(biāo)記d50的參數(shù)且元素85標(biāo)記d85 的參數(shù)。x軸82是顆粒大小且y軸84是顆粒數(shù)目。曲線86比曲線76 具有較長(zhǎng)的尾部并且這樣具有比相應(yīng)曲線76對(duì)應(yīng)的漿料更多的更大顆 粒大小的顆粒。如果圖3的曲線76是頂部漿料的結(jié)果且圖4的曲線86 是底部漿料的結(jié)果，那么由于漿料頂部和底部之間的顆粒大小分布可 能太大，所以應(yīng)該丟棄漿料。換句話說(shuō)，漿料底部可能具有非常多的 大顆粒，如果用在CMP工藝中衆(zhòng)料將產(chǎn)生缺陷。
通過(guò)觀察顆粒大小分布，評(píng)估顆粒的沉積和聚集。如果存在許多 顆粒的沉積或聚集，那么漿料將被丟棄且不用于生產(chǎn)中。200580051929.6
說(shuō)明書(shū)第6/10頁(yè)
盡管僅討論了作為由或來(lái)自第一分析工具生成的數(shù)據(jù)計(jì)算的參數(shù) 的顆粒大小分布，但是例如pH、溫度、Z電勢(shì)、導(dǎo)電率等其他參數(shù)也 可被確定。這些其他參數(shù)可用于幫助確定漿料是否應(yīng)該被丟棄或應(yīng)用 到生產(chǎn)中。
正如上面簡(jiǎn)單的描述，如果差值不大于第一預(yù)定值，那么作出另
一決定26。該決定26為是否需要進(jìn)一步的檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，決 定26基于是否關(guān)心漿料中出現(xiàn)的許多大顆粒(例如直徑大于5微米)。 如果漿料中的顆粒大小分布是雙峰分布(例如，具有一個(gè)量級(jí)差的模 式)，那么第一分析工具將觀察不到雙峰分布并且相反將僅報(bào)道顆粒 分布的第一模式。因此，需要另一工具觀察是否出現(xiàn)第二模式。 一個(gè) 可使用的工具是來(lái)自顆粒大小系統(tǒng)(Particle Sizing System)的顆粒計(jì) 數(shù)器FX (Accusizer FX)。該工具光學(xué)地計(jì)數(shù)和測(cè)量具有從0.5到25 微米直徑的粒子。如下所述，該工具也可用于在不稀釋漿料的情況下 檢測(cè)是否存在大顆?；蜃C實(shí)并確認(rèn)第一分析工具的結(jié)果。
如果決定不需要進(jìn)一步檢測(cè)，那么漿料應(yīng)被應(yīng)用到生產(chǎn)中28。但 是，如果需要進(jìn)一步檢測(cè)，那么將第一未稀釋樣品被放入第二分析工 具中30。第一未稀釋樣品可以是與用在第一分析工具中的完全相同的 樣品，但是相反，在一個(gè)實(shí)施例中，可以是從容器60中自漿料62頂 部使用管道66獲取的另一樣品。然后，確定大顆粒的第一總數(shù)量32。 (如果第二分析工具用于證實(shí)第一分析工具的數(shù)據(jù)，那么第一總數(shù)量 (和下面描述的其他測(cè)量或數(shù)值)可包括所有顆粒并且不只是大顆 粒。)大顆粒是直徑大于約1微米或直徑約1到25微米范圍的顆粒。 然后，大顆粒的第一總數(shù)量與第二預(yù)定值比較34。
在一個(gè)實(shí)施例中，在比較34之后，作出第一總數(shù)量是否大于第二 預(yù)定值的決定36。在另一實(shí)施例中，決定36可以是該數(shù)量是否小于第 二預(yù)定值。使用圖1中所示的實(shí)施例，如果第一總數(shù)量大于第一預(yù)定 值，那么丟棄漿料38。如果差值不大于第二預(yù)定值，那么執(zhí)行進(jìn)一步檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，第二預(yù)定值在每毫升200到2000顆粒的范圍。 這里考慮的顆粒大小可以是任何大于約1微米的尺寸。
如果第一總數(shù)量不大于第二預(yù)定值，那么通過(guò)在第二分析工具中 放置第二未稀釋樣品40進(jìn)行檢測(cè)。第二未稀釋樣品可以是與用于第一 分析工具中的完全相同的樣品，但是相反，在另一實(shí)施例中，可以是 從容器60中在漿料62底部使用管道64獲取的另一樣品。
然后，確定大顆粒的第二總數(shù)量42。同樣，直徑大于5微米或直 徑在5到25微米范圍的顆粒是大顆粒。然后，大顆粒的第二總數(shù)量與 第三預(yù)定值比較44。
在一個(gè)實(shí)施例中，比較44之后，作出第一總數(shù)量是否大于第三預(yù) 定值的決定46。在另一實(shí)施例中，決定46可以是數(shù)量是否小于第三預(yù) 定值。使用圖1所示的實(shí)施例，如果第二總數(shù)量大于第三預(yù)定值，那 么丟棄漿料48。如果差值不大于第三預(yù)定值，那么繼續(xù)流程IO。在一 個(gè)實(shí)施例中，第三預(yù)定值在每毫升約200到2000顆粒的范圍。這里考 慮的顆粒大小可以是任何大于約1微米的尺寸。
如果第二總數(shù)量不大于第三預(yù)定值，則繼續(xù)流程IO且計(jì)算第一總 數(shù)量和第二總數(shù)量之間的差值以確認(rèn)第一分析工具的結(jié)果。該差值與 第四預(yù)定值比較50。在一個(gè)實(shí)施例中，第四預(yù)定值在每毫升約500到 10000顆粒的范圍。這里考慮的顆粒大小是任何大于約1微米的尺寸。
在一個(gè)實(shí)施例中，比較50之后，作出差值是否大于第四預(yù)定值的 決定52。在另一實(shí)施例中，決定52可以是差值是否小于第四預(yù)定值。 使用圖l所示的實(shí)施例，如果差值大于第四預(yù)定值，那么丟棄漿料54。 如果差值不大于第四預(yù)定值，那么漿料用于生產(chǎn)中56。當(dāng)漿料用于生 產(chǎn)時(shí)，它在生產(chǎn)線上被牽引并用于CMP處理。更具體地，將漿料用于 生產(chǎn)，這里包括提供半導(dǎo)體襯底和向半導(dǎo)體襯底施加漿料。第二分析工具還可以用在不同的方法中以確定漿料是否應(yīng)該投入 生產(chǎn)或丟棄。該方法顯示在圖5的流程100中。流程100可用作獨(dú)立 的方法或與第一分析工具一起使用。在一個(gè)實(shí)施例中與第一分析工具
一起使用流程100，如果對(duì)決定26的回答為是，那么需要進(jìn)一步的檢 測(cè)而不是執(zhí)行工藝30至56，可使用流程IOO。在另一實(shí)施例中，代替 使用漿料56，流程IOO可用于附加的檢測(cè)。
在流程100中，攪拌漿料IIO?？赏ㄟ^(guò)搖動(dòng)容器60執(zhí)行。搖動(dòng)容 器60的一種方式是將容器60吊在用于生產(chǎn)中的工具上并且使用生產(chǎn) 工具攪拌漿料。可選擇地，可使用其他方法。在一個(gè)實(shí)施例中，在容 器60中攪拌漿料110約20分鐘。攪拌漿料110之后，從槳料中獲取 第三未稀釋樣品112。由于在獲取樣品前立即攪拌了漿料所以從漿料或 容器的哪個(gè)部分獲取(例如頂部或底部)都沒(méi)有關(guān)系。由于攪拌，漿 料應(yīng)該是同質(zhì)的。
第三未稀釋樣品可以置于燒瓶或任何適合的容器中。圖6示出燒 瓶200的實(shí)例，在一個(gè)實(shí)施例中其可用于保存漿料201。燒瓶200具有 圓錐形狀并允許沉積傳播到燒瓶底部并聚集203。在一個(gè)實(shí)施例中，用 于將任何漿料傳送到工具的管道205可以伸入燒瓶的底部，并因此如 果存在任何沉積，則可以探測(cè)到它。
然后，因?yàn)閼?yīng)該在檢測(cè)開(kāi)始之前立刻攪拌樣品，所以攪拌第三未 稀釋樣品114。執(zhí)行足可以混合樣品的攪拌。在一個(gè)實(shí)施例中，攪拌樣 品約幾秒鐘到1分鐘。然后，終止第三未稀釋樣品的攪拌116并開(kāi)始 檢測(cè)。攪拌結(jié)束和測(cè)試之間的時(shí)間延遲應(yīng)該是最小的。
為了檢測(cè)第三未稀釋樣品，在預(yù)定時(shí)間內(nèi)以預(yù)定時(shí)間間隔分析第 三未稀釋樣品的顆粒大小分布118。在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定時(shí)間間隔約 5分鐘且預(yù)定時(shí)間約1小時(shí)或少于一小時(shí)，或更具體地約20分鐘。分析118是在預(yù)定時(shí)間間隔連續(xù)的進(jìn)行沉積檢測(cè)。在每個(gè)預(yù)定時(shí)間間隔 分析燒瓶底部的顆粒大小分布以觀察是否發(fā)生沉積。
基于該分析118，為給定的顆粒大小確定第三未稀釋樣品的沉淀 速度120。這可通過(guò)觀察每次測(cè)量的顆粒大小分布執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施例 中，分析具有直徑1到5微米的顆粒的沉淀速度。在另一實(shí)施例中， 在漿料中發(fā)現(xiàn)具有約15微米直徑的顆粒，并因此也考慮這些顆粒的沉 淀速度。如果發(fā)生聚集或沉淀，那么顆粒大小分布將顯示大顆粒增加 的數(shù)量。
在確定沉淀速度120之后，將沉淀速度與第五預(yù)定值比較122。 在一個(gè)實(shí)施例中，比較后，作出沉淀速度是否大于第五預(yù)定值的決定 124。在另一實(shí)施例中，決定124可以是沉淀速度是否低于第五預(yù)定值。 使用圖5示出的實(shí)施例，如果差值大于第五預(yù)定值，那么丟棄漿料126。 如果差值不大于第四預(yù)定值，那么漿料用于生產(chǎn)中128。在一個(gè)實(shí)施例 中，第五預(yù)定值約每分鐘每毫升20到200顆粒。適合用在生產(chǎn)中的漿 料具有慢沉積速度，例如小于約每分鐘每毫升20顆粒的速度。但是， 應(yīng)當(dāng)處理掉的漿料具有快的沉積速度，例如每分鐘每毫升大于約200 顆粒的速度。
到目前為止應(yīng)該理解提供了一種檢測(cè)形成半導(dǎo)體器件的漿料的方 法。由于檢測(cè)未稀釋漿料樣品，該方法可以在CMP處理之前執(zhí)行且比 現(xiàn)有技術(shù)的檢測(cè)更可靠。
在前面的描述中，參考具體的實(shí)施例描述本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域 技術(shù)人員理解在不背離下面權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的范圍的情況下 可作多種修改和改變。由此，說(shuō)明書(shū)和附圖被看作是示意性的而不是 限制認(rèn)識(shí)，并且所有的這些修改意圖包括在本發(fā)明的范圍中。
上面參考具體實(shí)施例描述了價(jià)值、其他優(yōu)點(diǎn)和解決問(wèn)題的方法。但是，價(jià)值、其他優(yōu)點(diǎn)、解決問(wèn)題的方法和任何可使價(jià)值、優(yōu)點(diǎn)或解 決方法產(chǎn)生或變得更顯著的任何因素不應(yīng)解釋為任一或所有權(quán)利要求 的關(guān)鍵的、必要的或重要的特征或元素。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"包 括"、"包含"或任何其變形，意圖覆蓋不排他的內(nèi)含物，這樣包括 一列元素的工藝、方法、物品或裝置不是僅包括那些元素而可包括這 些工藝、方法、物品或裝置沒(méi)有表述列出的或固有的其他元素。這里 使用的術(shù)語(yǔ)"一個(gè)"或"一"定義為一個(gè)或多于一個(gè)。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法(10)，該方法特征在于向半導(dǎo)體襯底施加漿料，其中使用下述檢測(cè)方法檢測(cè)所述漿料，該檢測(cè)方法特征在于從所述漿料頂部獲取(12)第一未稀釋樣品；確定(18)所述第一未稀釋樣品的第一顆粒大小分布特征；從所述漿料底部獲取(14)第二未稀釋樣品；確定(19)所述第二未稀釋樣品的第二顆粒大小分布特征；以及將所述第一顆粒大小分布特征和所述第二顆粒大小分布特征之間的差值與第一預(yù)定值比較(20)。
2. 如權(quán)利要求l所要求的，其中所述檢測(cè)方法進(jìn)一步特征在于 確定(32)所述第一未稀釋樣品的大顆粒的第一總數(shù)量；以及 將大顆粒的所述第一總數(shù)量與第一閾值比較(34)。
3. 如權(quán)利要求2所要求的，其中所述檢測(cè)方法進(jìn)一步特征在于 確定(42)所述第二未稀釋樣品的大顆粒的第二總數(shù)量；以及 將大顆粒的所述第二總數(shù)量與第二閾值比較(44)。
4. 如權(quán)利要求3所要求的，其中所述檢測(cè)方法進(jìn)一步特征在于 將大顆粒的所述第一總數(shù)量和大顆粒的所述第二總數(shù)量之間的差值與第二預(yù)定值比較(50)。
5. 如權(quán)利要求l、 2、 3或4所要求的，其中所述檢測(cè)方法進(jìn)一步 特征在于基于所述比較步驟(20、 44或50)，丟棄(24、 48或54)所述漿料。
6. 如權(quán)利要求1或4所要求的，其中所述檢測(cè)方法進(jìn)一步特征在 于在所述比較步驟(20、 44或50)之后，將所述漿料應(yīng)用(28或56)到生產(chǎn)線。
7. —種檢測(cè)漿料的方法，該方法特征在于從所述漿料頂部獲取(12)第一未稀釋樣品；確定(18)所述第一未稀釋樣品的第一顆粒大小分布特征； 從所述漿料底部獲取(14)第二未稀釋樣品；確定(19)所述第二未稀釋樣品的第二顆粒大小分布特征；以及 將所述第一顆粒大小分布特征和所述第二顆粒大小分布特征之間 的差值與第一預(yù)定值比較(20)。
8. 如權(quán)利要求7所要求的，其中該方法進(jìn)一步特征在于 確定(32)所述第一未稀釋樣品的大顆粒的第一總數(shù)量；以及 將大顆粒的所述第一總數(shù)量與第一閾值比較(34)。
9. 如權(quán)利要求7所要求的，該方法進(jìn)一步特征在于在將所述第一顆粒大小分布特征和所述第二顆粒大小分布特征之間的差值與所述第一預(yù)定值比較之后，攪拌所述漿料(110);攪拌所述漿料之后，從所述漿料中獲取(112)樣品裝入燒瓶(200)中.，攪拌(114)所述燒瓶(200);攪拌所述燒瓶(200)之后，在預(yù)定時(shí)間內(nèi)以預(yù)定時(shí)間間隔分析 (118)顆粒大小分布；確定(120)樣品沉積速度；以及 將所述沉積速度與預(yù)定閾值比較(122)。
10. 如權(quán)利要求9所要求的，其中燒瓶(200)包括圓錐形狀。
全文摘要
一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括提供半導(dǎo)體襯底，向半導(dǎo)體襯底上施加漿料，其中使用檢測(cè)方法檢測(cè)該漿料，該檢測(cè)方法包括從漿料頂部獲取(12)第一未稀釋樣品；確定(18)第一未稀釋樣品的第一顆粒大小分布特征；從漿料底部獲取(14)第二未稀釋樣品；確定(19)第二未稀釋樣品的第二顆粒大小分布特征；并且將第一顆粒大小分布特征和第二顆粒大小分布特征之間的差值與第一預(yù)定值比較(20)。
文檔編號(hào)G01N15/04GK101316909SQ200580051929
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2005年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者法里迪·瑟貝, 菲利普·莫努瓦耶, 雅諾什·法爾卡斯 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司