專利名稱：有效屏蔽的超導(dǎo)磁體漂移補(bǔ)償線圈的系統(tǒng)、方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般性涉及磁場(chǎng)的生成，更具體地講涉及修改生成的磁場(chǎng)。
背景技術(shù)：
核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)使用磁場(chǎng)感測(cè)物體的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)對(duì)磁場(chǎng)的成像體積的強(qiáng)度產(chǎn)生干擾和變化。磁場(chǎng)強(qiáng)度的這些干擾和變化被檢測(cè)和解譯從而得到物體結(jié)構(gòu)的圖像。在許多MRI系統(tǒng)中，磁場(chǎng)由超導(dǎo)磁體產(chǎn)生以提供強(qiáng)磁場(chǎng)。對(duì)磁場(chǎng)的檢測(cè)和解譯取的是特定大小的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
不幸的是，超導(dǎo)磁體在磁場(chǎng)強(qiáng)度上，經(jīng)歷每小時(shí)每百萬(wàn)大約0.01的量級(jí)的比率的小的衰減。磁場(chǎng)衰減也稱為漂移。為了實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)MRI系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)，必需獲得高穩(wěn)定的無(wú)衰減場(chǎng)以便正確地解譯磁場(chǎng)。磁場(chǎng)強(qiáng)度的衰減致使對(duì)磁場(chǎng)的解譯不正確，并最終致使從磁場(chǎng)產(chǎn)生的圖像發(fā)生錯(cuò)誤。
在NMR試驗(yàn)中，通過(guò)令質(zhì)子受縛于部分極化了原子核自旋的大磁場(chǎng)檢測(cè)質(zhì)子。然后利用射頻(RF)輻射激發(fā)自旋，并且當(dāng)它們放出時(shí)就會(huì)發(fā)出微弱的射頻輻射。輻射的頻率與它們受縛的磁場(chǎng)成比例。
光譜學(xué)和功能性成像fMRI對(duì)場(chǎng)衰減特別敏感。在光譜學(xué)中，譜線寬度接近1Hz。為了提高信噪比，將幾百個(gè)光譜(每個(gè)由幾秒間隔)加在一起。因此，幾分鐘上超過(guò)1Hz的偏移產(chǎn)生顯著的分辨率損失。fMRI圖像也對(duì)數(shù)Hz的頻率偏差敏感。在30分鐘的掃描下，每小時(shí)0.1ppm的A3 Tesla磁場(chǎng)衰減將造成0.15微Tesla(6Hz)的場(chǎng)漂移。
在多數(shù)常規(guī)的MRI系統(tǒng)中，通過(guò)利用昂貴的高規(guī)格的導(dǎo)線和精細(xì)的接頭制造MRI系統(tǒng)，將衰減率減小到了很低的水平。
在一些常規(guī)的MRI系統(tǒng)中，通過(guò)在MRI系統(tǒng)中包括具有合適的幾何結(jié)構(gòu)的輔助線圈，將衰減率減小到很低的水平。這些輔助線圈也被稱為漂移補(bǔ)償線圈，因?yàn)檩o助線圈抵消磁場(chǎng)強(qiáng)度的漂移或衰減。當(dāng)主線圈的電流隨著時(shí)間衰減，輔助線圈依照Len’s定律保持磁通并且積聚電流。因而輔助線圈在成像體積內(nèi)維持非常穩(wěn)定的場(chǎng)。這種輔助線圈可以用來(lái)滿足非常低的衰減率要求，或簡(jiǎn)單地消除由于主線圈中的輔線或接點(diǎn)的缺陷帶來(lái)的場(chǎng)衰減的風(fēng)險(xiǎn)。漂移補(bǔ)償線圈也稱為鎖定線圈。漂移補(bǔ)償線圈通常用超導(dǎo)材料制造。
常規(guī)的漂移補(bǔ)償線圈與主線圈緊密地電磁耦合。不幸的是，這種耦合導(dǎo)致漂移補(bǔ)償線圈在主線圈失超期間傾向于相當(dāng)高的峰值感應(yīng)電流(例如～1000A)。對(duì)于有效屏蔽的磁體，漂移補(bǔ)償線圈中這樣的高電流可能導(dǎo)致大范圍的磁場(chǎng)暈，這是潛在危險(xiǎn)的并且可能損害磁場(chǎng)范圍內(nèi)的敏感設(shè)備。磁場(chǎng)暈是擴(kuò)大了的磁場(chǎng)區(qū)域，可以被擴(kuò)展到對(duì)設(shè)備或人有害或危險(xiǎn)的磁場(chǎng)區(qū)域。磁場(chǎng)暈可能導(dǎo)致電子醫(yī)療設(shè)備出故障或人體內(nèi)的心臟起搏器失效。因而，常規(guī)的漂移補(bǔ)償線圈可能具有與它們?cè)谄渲羞\(yùn)行的健康保健裝置的目標(biāo)相反的危險(xiǎn)效果。漂移補(bǔ)償線圈中過(guò)量的峰值感應(yīng)電流還可能損害漂移補(bǔ)償線圈。
在常規(guī)的MRI系統(tǒng)中，通過(guò)迫使漂移補(bǔ)償線圈早些失超能夠減小由漂移補(bǔ)償線圈和主線圈的耦合引起的峰值感應(yīng)電流。當(dāng)主線圈失超時(shí)，漂移補(bǔ)償線圈將迅速地積聚電流，并且，在某些點(diǎn)，由于它達(dá)到了它在超導(dǎo)狀態(tài)下能保持的最大電流或增加的勞倫茲力產(chǎn)生了導(dǎo)致摩擦加熱的線移動(dòng)，它很可能也失超。
在一個(gè)例子中，提早令漂移補(bǔ)償線圈失超是通過(guò)利用具有低臨界電流的線圈繞組制造漂移補(bǔ)償線圈來(lái)實(shí)現(xiàn)的。繞組也稱為線圈匝。在另一個(gè)例子中，通過(guò)配置由主線圈的失超電壓驅(qū)動(dòng)的失超加熱器而提早令漂移補(bǔ)償線圈失超。
不管漂移補(bǔ)償線圈多早失超，這些線圈通常構(gòu)成了少量的繞組。因而，漂移補(bǔ)償線圈具有很低的正常電阻，并且因之在失超后能夠繼續(xù)積聚電流。增加線圈匝數(shù)就會(huì)增加了漂移補(bǔ)償線圈中的電阻，也增加了線圈的自感量。這兩個(gè)因素都傾向于削弱漂移補(bǔ)償線圈中的峰值感應(yīng)電流。但是，促使漂移補(bǔ)償線圈在低感應(yīng)電流失超是困難的。另外，具有增加的繞組的漂移補(bǔ)償線圈將導(dǎo)致在任何給定的電流下邊緣場(chǎng)貢獻(xiàn)增加。如果失超模擬顯示線圈甚至在本身失超之后繼續(xù)積聚電流，減少導(dǎo)線中銅芯的截面區(qū)域?qū)⒃黾与娮璨⑶乙蚨鴾p少漂移補(bǔ)償線圈在失超期間的電流積聚。但是減少導(dǎo)線中銅芯的截面區(qū)域還將減小導(dǎo)線正常的電流攜帶能力，導(dǎo)致增加失超損害的風(fēng)險(xiǎn)。導(dǎo)體中銅芯的截面區(qū)域是控制導(dǎo)線在非超導(dǎo)狀態(tài)下能夠攜帶的電流量的主要因素。
由于以上所述的原因，以及以下說(shuō)明的對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員通過(guò)閱讀和理解本說(shuō)明書(shū)將顯而易見(jiàn)的原因，本領(lǐng)域中需要MRI系統(tǒng)中在主線圈失超期間不會(huì)引起磁場(chǎng)暈的漂移補(bǔ)償線圈。

發(fā)明內(nèi)容
這里解決了上述的缺點(diǎn)、不利之處和問(wèn)題，通過(guò)閱讀和學(xué)習(xí)下面的說(shuō)明將理解這一點(diǎn)。
一方面，一種裝置包括可用來(lái)產(chǎn)生磁場(chǎng)的有效屏蔽的主線圈(具有內(nèi)部直徑和外部直徑)，還包括有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈，漂移補(bǔ)償線圈具有位于主線圈的內(nèi)直徑附近的線圈匝和位于主線圈的外直徑附近的反向的線圈匝。
另一方面，一種裝置包括可用來(lái)產(chǎn)生磁場(chǎng)的有效屏蔽的主線圈(具有內(nèi)部直徑和外部直徑)，還包括非耦合的外部干擾屏蔽線圈，其具有位于主線圈的外直徑附近的線圈匝和位于主線圈的內(nèi)直徑附近的附加線圈匝。
又一方面，一種裝置包括主線圈和漂移補(bǔ)償線圈，主線圈與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)和保護(hù)二極管串聯(lián)，漂移補(bǔ)償線圈與并聯(lián)的超導(dǎo)修正線圈串聯(lián)和保護(hù)二極管(或電阻)并聯(lián)。在一些實(shí)施例中，這個(gè)方面還包括非耦合的外部干擾屏蔽線圈，其與超導(dǎo)修正線圈串聯(lián)并與保護(hù)二極管(或電阻)并聯(lián)。
該裝置減少了在主線圈失超期間該裝置引起的電磁場(chǎng)衰減，而沒(méi)有擴(kuò)大邊緣磁場(chǎng)。另外，不必借助于阻止漂移補(bǔ)償線圈在失超期間積聚電流的措施而致使磁場(chǎng)暈減小。利用附加的非耦合外部干擾屏蔽線圈的實(shí)現(xiàn)，將成像體積的磁場(chǎng)從由于附近的移動(dòng)物體(諸如電梯、火車、卡車等)引起的磁場(chǎng)環(huán)境干擾中屏蔽出來(lái)。
這里描述了范圍變化的裝置、系統(tǒng)和方法。除了總結(jié)中描述的方面和優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)參考附圖和閱讀以下的詳細(xì)說(shuō)明將清楚其它方面和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是依照一個(gè)實(shí)施例的裝置的截面框圖，其中有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈位于主線圈的內(nèi)部直徑附近，并且漂移補(bǔ)償線圈還具有位于主線圈的外部直徑附近的相反的纏繞線圈匝。
圖2是依照一個(gè)實(shí)施例的裝置的截面框圖，其中非耦合外部干狀屏蔽線圈位于主線圈的外部直徑附近，并且其還具有位于主線圈的內(nèi)部直徑附近的以相同方向纏繞的線圈匝。
圖3是依照一個(gè)實(shí)施例的包括圖1和圖2的所有特征的裝置的截面框圖。
圖4是其中三個(gè)部分作為獨(dú)立電路布線的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)說(shuō)明中，參考了形成系統(tǒng)一部分并且作為可以實(shí)施的特定實(shí)施例的說(shuō)明顯示的附圖。對(duì)這些實(shí)施例足夠詳細(xì)地進(jìn)行了描述，以便使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┧鰧?shí)施例，并且理解可以使用其它實(shí)施例，并且在不偏離所述實(shí)施例的范圍的情況下可以進(jìn)行邏輯的、機(jī)械的、電子的和其它修改。因而以下的詳細(xì)說(shuō)明不是限制的目的。
詳細(xì)說(shuō)明被分為三個(gè)章節(jié)。在第一章節(jié)，描述了系統(tǒng)級(jí)別概覽。在第二章節(jié)，描述了實(shí)施例的裝置。最后，在第三章節(jié)，提供了詳細(xì)說(shuō)明的結(jié)論。
系統(tǒng)級(jí)別概覽圖1是依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)100的截面框圖，其中有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈位于主線圈的內(nèi)部直徑附近，并且其還具有位于主線圈的外部直徑附近的相反纏繞的線圈匝。系統(tǒng)100滿足了本領(lǐng)域中對(duì)于核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中的在主線圈的失超期間減少成像體積內(nèi)磁場(chǎng)的衰減同時(shí)沒(méi)有擴(kuò)大邊緣磁場(chǎng)的漂移補(bǔ)償線圈的需要。
系統(tǒng)100包括主線圈102，其能夠生成成像體積104中的均勻磁場(chǎng)。主線圈102具有內(nèi)部直徑106。
系統(tǒng)100還包括抵消由于主線圈的電阻或“漂移”而引起的磁場(chǎng)衰減的漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝108。系統(tǒng)100示出了位于內(nèi)部直徑106之內(nèi)的有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝108的位置的特定實(shí)施例。系統(tǒng)100還包括實(shí)質(zhì)上削弱由漂移補(bǔ)償線圈產(chǎn)生的邊緣場(chǎng)的漂移補(bǔ)償線圈的反向纏繞的外部線圈匝112。
在一些系統(tǒng)100的實(shí)施例中，有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝108是沒(méi)有分段或細(xì)分的單漂移補(bǔ)償線圈(未示出)。在一些實(shí)施例中，有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的細(xì)分內(nèi)部線圈匝108包括如系統(tǒng)100所示的三個(gè)段。在有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的分段內(nèi)部線圈匝108或單有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈(未示出)的實(shí)施例中，有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝108的幾何結(jié)構(gòu)可以被優(yōu)化，以便平衡低量級(jí)的均勻條件，隨著時(shí)間產(chǎn)生可忽略的均勻損耗。
主線圈102還具有外部直徑110。漂移補(bǔ)償線圈還具有一個(gè)或多個(gè)位于主線圈102的外部直徑110附近的反相纏繞的線圈112。在一些諸如圖1所示的實(shí)施例中，有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈112更具體地位于外部直徑110之外。位置接近于主線圈102的外部直徑110的有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈112的外部線圈匝減小了漂移補(bǔ)償線圈108對(duì)邊緣磁場(chǎng)的貢獻(xiàn)。
如上所述，有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈112具有多個(gè)其方向?yàn)榕c內(nèi)部漂移補(bǔ)償線圈108的線圈匝的方向116相反的方向114的線圈匝或繞組。漂移補(bǔ)償線圈的外部線圈匝112纏繞或布線的方向與內(nèi)部線圈匝108相反。因此，如果線圈匝108攜帶順時(shí)針?lè)较虻囊欢康碾娏?，那么外部線圈匝112將攜帶逆時(shí)針?lè)较虻耐却笮〉碾娏鳌＞€圈匝112的位置和數(shù)目被優(yōu)化，以便最小化由漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝108產(chǎn)生的邊緣磁場(chǎng)。因此，圖1所示的方向114和116是啟發(fā)性的，不是必須性的示例。例如，如果漂移補(bǔ)償線圈108的內(nèi)部線圈匝的方向116被表示為+ve，那么有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈112的外部線圈匝的方向114被表示為-ve。相反，如果內(nèi)部漂移補(bǔ)償線圈108的線圈匝的方向116被表示為-ve，那么有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈112的外部線圈匝的方向114被表示為+ve。
實(shí)施例的裝置在前面章節(jié)中，描述了對(duì)實(shí)施例的操作的系統(tǒng)級(jí)別的概要。在本章中，參考一系列附圖描述了這種實(shí)施例的特定裝置。
圖2是依照實(shí)施例的包括非耦合外部干擾屏蔽線圈的任意已有技術(shù)裝置200的截面框圖。
在裝置200中，非耦合外部干擾屏蔽線圈的外部線圈匝202位于主線圈102的外部直徑110附近。非耦合外部干擾屏蔽線圈的內(nèi)部線圈匝204位于主線圈102的內(nèi)部直徑106附近。
非耦合外部干擾屏蔽線圈具有外部線圈匝202中的多數(shù)線圈匝，以及內(nèi)部線圈匝204中的附加線圈匝。外部線圈匝202和內(nèi)部線圈匝204都以相同的方向116纏繞。位于內(nèi)部線圈匝204中的附加線圈匝減小了外部干擾屏蔽線圈202和204與主線圈102之間的電感。非耦合的外部干擾屏蔽線圈202和204是與主線圈散耦合的，這防止了非耦合的外部干擾屏蔽線圈202和204在主線圈的失超期間經(jīng)歷電流的大幅度減小。
非耦合外部干擾屏蔽線圈與圖1所示的有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈的不同之處在于外部線圈匝202和內(nèi)部線圈匝204相對(duì)彼此是以相同的方向纏繞或布線的。因此，如果線圈匝202攜帶順時(shí)針?lè)较虻碾娏鳎瑑?nèi)部線圈匝204將同樣攜帶順時(shí)針?lè)较虻碾娏鳌?br> 圖3是依照一個(gè)實(shí)施例的包括圖1和2的所有特征的裝置300的截面框圖。系統(tǒng)300提供系統(tǒng)100和裝置200的所有優(yōu)點(diǎn)。具有有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈108和112的有效屏蔽主線圈102由非耦合的外部干擾屏蔽線圈202和204補(bǔ)充。成像體積104中的磁場(chǎng)補(bǔ)償在主線圈102失超期間主線圈102的衰減和外部干擾的影響而不會(huì)導(dǎo)致顯著的磁場(chǎng)暈。
圖4是其中三個(gè)部分作為獨(dú)立電路布線的裝置400的示意圖。
在裝置400的第一個(gè)部分402中，主線圈102與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)404和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管406串聯(lián)。開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管406限制跨越超導(dǎo)開(kāi)關(guān)404的電壓而不管多高的電流通過(guò)超導(dǎo)開(kāi)關(guān)404。
在第二部分408中，有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈108和112與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)410和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管412串聯(lián)。
在第三部分414中，非耦合外部干擾屏蔽線圈202和204與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)416和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管418串聯(lián)。
在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管406、412或418由電阻代替。
結(jié)論描述了具有減小的磁漂移而沒(méi)有加重邊緣磁場(chǎng)暈的核磁共振成像系統(tǒng)。盡管這里圖示和說(shuō)明了特定的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)理解計(jì)劃實(shí)現(xiàn)相同目的的任何設(shè)置可以用來(lái)代替示出的特定實(shí)施例。本應(yīng)用意圖覆蓋任何改變或變化。
具體地，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易地意識(shí)到所述方法和裝置的名稱并非為了限定實(shí)施例。另外，在不偏離實(shí)施例的范圍的情況下，可以向所述組件增加附加的方法和裝置，在組件之間重新安排功能，引入對(duì)應(yīng)于未來(lái)的改進(jìn)的新組件和實(shí)施例中使用的物理設(shè)備。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易地認(rèn)識(shí)到所述實(shí)施例適用于將來(lái)的MRI設(shè)備和新的主線圈。
本申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)意味著包括提供這里所描述的相同功能的所有環(huán)境和替換技術(shù)。
部件列表100依照一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)，其中有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈位于主線圈的內(nèi)部直徑附近，反向纏繞線圈匝位于主線圈的外部直徑附近102能夠產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)的主線圈104成像體積106主線圈的內(nèi)部直徑108漂移補(bǔ)償線圈的內(nèi)部線圈匝110主線圈的外部直徑112有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈114相反方向116方向200依照一個(gè)實(shí)施例的包括非耦合外部干擾屏蔽線圈的當(dāng)前技術(shù)裝置202非耦合外部干擾屏蔽線圈的外部線圈匝204非耦合外部干擾屏蔽線圈的內(nèi)部線圈匝300依照一個(gè)實(shí)施例的包括圖1和2所有特征的裝置400其中三個(gè)部分布線為獨(dú)立電路的裝置402第一部分404超導(dǎo)開(kāi)關(guān)406并聯(lián)的開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管408第二部分410超導(dǎo)開(kāi)關(guān)412并聯(lián)的開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管414第三部分416超導(dǎo)開(kāi)關(guān)418并聯(lián)的開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管
權(quán)利要求
1.一種具有使磁場(chǎng)(104)的衰減最小的裝置(100)，所述裝置(100)包括能夠產(chǎn)生磁場(chǎng)(104)的主線圈(102)，主線圈(102)具有內(nèi)部直徑(106)和外部直徑(110)；有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈(108)，具有位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑(106)附近的線圈匝和位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的線圈匝。
2.權(quán)利要求1所述的裝置，其中位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑(106)附近的線圈匝還包括在主線圈(102)的內(nèi)部直徑(106)內(nèi)部的線圈匝。
3.權(quán)利要求1所述的裝置，其中位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的線圈匝還包括在主線圈(102)的外部直徑(110)外面的線圈匝。
4.權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈(108)還包括分段的有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈(108)。
5.權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置還包括位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的非耦合外部干擾屏蔽線圈(202)，位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑附近的附加的線圈匝。
6.一種具有使磁場(chǎng)的衰減最小的裝置，包括能夠產(chǎn)生磁場(chǎng)的主線圈(102)，主線圈(102)具有內(nèi)部直徑和外部直徑；有效屏蔽的漂移補(bǔ)償線圈(108)，具有位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑附近的線圈匝和位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的線圈匝；非耦合外部干擾屏蔽線圈(202)，具有位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的線圈匝和位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑附近的線圈匝。
7.權(quán)利要求6所述的裝置，其中位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑附近的有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈(108)的線圈匝還包括位于主線圈(102)的內(nèi)部直徑之內(nèi)的線圈匝。
8.權(quán)利要求6所述的裝置，其中位于主線圈(102)的外部直徑(110)附近的有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈(108)的線圈匝還包括位于主線圈(102)的外部直徑(110)之內(nèi)的線圈匝。
9.一種具有使磁場(chǎng)衰減最小化的裝置，所述裝置包括第一部分(402)，包括與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)(404)和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管(406)串聯(lián)的主線圈(102)；第二部分(408)，包括多個(gè)漂移補(bǔ)償線圈(108和112)，漂移補(bǔ)償線圈與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)(410)和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管(412)串聯(lián)；第三部分(414)，包括多個(gè)非耦合外部干擾屏蔽線圈(202和204)，非耦合外部干擾屏蔽線圈與并聯(lián)的超導(dǎo)開(kāi)關(guān)(416)和開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管(418)串聯(lián)。
10.權(quán)利要求9的裝置，其中至少一組開(kāi)關(guān)保護(hù)二極管由開(kāi)關(guān)保護(hù)電阻代替。
全文摘要
提供系統(tǒng)、方法和裝置，在一些實(shí)施例中借助所述系統(tǒng)、方法和裝置通過(guò)包括漂移補(bǔ)償線圈(108)能夠減少核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中的磁場(chǎng)(104)的漂移，所述漂移補(bǔ)償線圈(108)通過(guò)與主線圈(102)的電磁互感以與主線圈(102)的衰減成比例的速率積聚電流。在一些實(shí)施例中，漂移補(bǔ)償電路(108)包括在外部直徑(110)處的反向線圈匝，以便在主線圈(102)失超期間顯著地減少邊緣場(chǎng)的任何加重。在其他實(shí)施例中，有效屏蔽漂移補(bǔ)償線圈(108)由非耦合外部干擾屏蔽線圈(202和204)來(lái)彌補(bǔ)。
文檔編號(hào)G01R33/3815GK1834682SQ20061005966
公開(kāi)日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月18日
發(fā)明者T·J·霍利斯 申請(qǐng)人:通用電氣公司