專利名稱：電壓檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電壓檢測裝置，特別涉及應(yīng)用于氣體絕緣開關(guān)裝置等氣體絕緣設(shè)備的電壓檢測裝置。
背景技術(shù)：
已有的用于氣體絕緣設(shè)備的電壓檢測裝置如以下所示。圖22為表示已有的電壓檢測裝置的構(gòu)成的剖視圖。
如圖22所示，具有導(dǎo)電構(gòu)件的作為導(dǎo)電性容器的接地金屬容器1，構(gòu)成氣體絕緣開關(guān)等氣體絕緣設(shè)備的筒形外殼。作為高電壓導(dǎo)體的母線2同軸地配置在接地金屬容器1的內(nèi)部。筒狀的中間電極3和接地金屬容器1同軸地配置在接地金屬容器1和母線2之間，并安裝成分別與接地金屬容器1和母線2各自保持電氣絕緣。中間電極3由絕緣支持構(gòu)件5絕緣支持于接地金屬容器1的內(nèi)表面。
在接地金屬容器1的內(nèi)部空間9中，中間電極3與母線2之間構(gòu)成成為第1電容器的電容C1。引出電壓用的連接導(dǎo)體6安裝在中間電極3上，連接導(dǎo)體6穿過絕緣隔離構(gòu)件8與第2電容器10的高壓側(cè)連接。第2電容器10的低壓側(cè)連接處于接地電位的外箱11。
光電壓傳感器12與第2電容器10并聯(lián)連接，即該光電壓傳感器12的一端通過引線13與第2電容器10的高壓側(cè)連接，而另一端與外箱11連接。光電壓傳感器的輸出部借助于光纖電纜15，與信號處理部14連接。
下面，對電壓檢測動作進(jìn)行說明。利用構(gòu)成于母線2與中間電極3之間的作為第1電容器的電容C1與第2電容器10的電容C2的靜電電容比產(chǎn)生的分壓比，決定外加在光電壓傳感器12上的電壓。而且與外加在光電壓傳感器12上的電壓對應(yīng)的檢測輸出通過光纖電纜15引至信號處理部14，從而檢測作為高電壓導(dǎo)體的母線2的電壓。
在這樣構(gòu)成的電壓檢測裝置中，當(dāng)在母線2上產(chǎn)生高頻沖擊電壓時，在包括第2電容器10和光電壓傳感器12在內(nèi)的閉合電路中發(fā)生諧振現(xiàn)象，在第2電容器10的兩端產(chǎn)生的電壓及在光電壓傳感器12的兩端產(chǎn)生的電壓變大。因此用無感應(yīng)電阻體連接第2電容器10和光電壓傳感器12，制止加在光電壓傳感器12上的沖擊電壓之同時，還縮短沖擊持續(xù)時間(例如參照日本專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開平11-202001號公報(bào)在上述已有的電壓檢測裝置中，對包括第2電容器10和光電壓傳感器12在內(nèi)的閉合電路內(nèi)的諧振現(xiàn)象實(shí)施相應(yīng)的抑制措施，能保護(hù)光電壓傳感器12或信號處理部14，但在中間電極3的低壓側(cè)也形成包括中間電極3和接地金屬容器1之間的電容及第2電容器10在內(nèi)的閉合電路。在該閉合電路內(nèi)在母線2上一產(chǎn)生高頻沖擊電壓就產(chǎn)生諧振現(xiàn)象，閉合電路內(nèi)的絕緣物端子間的電壓上升產(chǎn)生過電壓。另外又存在絕緣電阻降低、絕緣損壞等問題。
本發(fā)明為解決上述問題而提出，其目的在于抑制包括中間電極和接地電位部分之間的電容及電壓檢測用電容器、即第2電容器在內(nèi)的閉合電路中的諧振現(xiàn)象，并防止在該閉合電路內(nèi)各部分上發(fā)生過電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明相關(guān)的電壓檢測裝置，包括為了與電壓檢測對象部分對向而從接地電位部分開始絕緣來進(jìn)行設(shè)置，并在與所述電壓檢測對象部分之間形成第1電容器的中間電極；與所述中間電極和所述接地電位部分之間連接的第2電容器；以及與該第2電容器并聯(lián)連接的電壓傳感器，該裝置的構(gòu)成為通過將所述第1電容器和所述第2電容器的分壓電壓施加在所述電壓傳感器，從而檢測所述電壓檢測對象部分的電壓。而且，將抑制諧振用電阻，插在包含所述中間電極和所述接地電位部分之間的電容、以及所述第2電容器在內(nèi)的閉合電路內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)閷⒁种浦C振用電阻，插在包括中間電極和接地電位部分之間的電容及第2電容器在內(nèi)的閉合電路內(nèi)，所以能抑制上述閉合電路中的諧振現(xiàn)象，能防止該閉合電路內(nèi)各部分上產(chǎn)生過電壓，也能防止絕緣電阻降低、絕緣損壞。因此，能更加可靠地推進(jìn)對異常電壓的抑制措施能提供一種萬無一失的電壓檢測裝置。


圖1為本發(fā)明實(shí)施方式1的電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
圖2為圖1示出的電壓檢測裝置的等效電路圖。
圖3為用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的抑制諧振現(xiàn)象的作用的圖。
圖4為用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的抑制諧振現(xiàn)象的作用的示波器測量波形例及頻譜分析器測量波形例。
圖5為用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的抑制諧振現(xiàn)象的作用的示波器測量波形例及頻譜分析器測量波形例。
圖6為用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的抑制諧振現(xiàn)象的作用的示波器測量波形例及頻譜分析器測量波形例。
圖7為本發(fā)明實(shí)施方式1的又一例電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
圖8為表示本發(fā)明實(shí)施方式1的包括電阻的詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的斷面構(gòu)成圖。
圖9為本發(fā)明實(shí)施方式1的電阻的又一例的詳細(xì)構(gòu)成圖。
圖10為本發(fā)明實(shí)施方式2的電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
圖11為圖10示出的電壓檢測裝置的等效電路圖。
圖12為包括本發(fā)明實(shí)施方式2的電阻詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖。
圖13為包括本發(fā)明實(shí)施方式2的電阻的又一例詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖。
圖14為包括本發(fā)明實(shí)施方式2的電阻的又一例詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖。
圖15為包括本發(fā)明實(shí)施方式2的電阻的又一例詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖。
圖16為表示本發(fā)明實(shí)施方式3的抑制諧振現(xiàn)象和分擔(dān)電壓之間的關(guān)系的特性曲線圖。
圖17為表示本發(fā)明實(shí)施方式3的抑制諧振用電阻的電阻值和發(fā)生電壓之間的關(guān)系的特性曲線圖。
圖18為表示本發(fā)明實(shí)施方式3的斷路器沖擊的外加電壓波形用的圖。
圖19為表示本發(fā)明實(shí)施方式4的抑制諧振用電阻的電阻值和相位偏差角度間的關(guān)系用的特性曲線圖。
圖20為本發(fā)明實(shí)施方式5的電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
圖21為本發(fā)明實(shí)施方式5的又一例電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
圖22為表示已有的電壓檢測裝置的構(gòu)成用的概要構(gòu)成圖。
標(biāo)號說明1作為接地電位部分的導(dǎo)電性容器(接地金屬容器)、2作為電壓檢測對象部分的高電壓導(dǎo)體(母線)、3中間電極、6連接導(dǎo)體、8絕緣隔離構(gòu)件、9氣體空間、10第2電容器、12電壓傳感器、21抑制諧振用電阻、21n棒狀電阻體、22接地線、BL螺栓構(gòu)件具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1以下，對本發(fā)明實(shí)施方式1的用于氣體絕緣設(shè)備的電壓檢測裝置進(jìn)行說明。圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式1的電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。
作為由導(dǎo)電構(gòu)件組成的導(dǎo)電性容器的接地金屬容器1，構(gòu)成氣體絕緣開關(guān)等氣體絕緣設(shè)備的筒形外殼充入SF6氣體等絕緣氣體。
作為電壓檢測對象部分的高電壓導(dǎo)體的母線2，同軸地配置在接地金屬容器1的內(nèi)部。筒狀的中間電極和接地金屬容器1同軸地配置在接地金屬容器1和母線2之間，接地金屬容器1和母線2各自電氣絕緣進(jìn)行安裝。中間電極3靠絕緣支持構(gòu)件20絕緣支持于接地金屬容器1的內(nèi)表面。
在接地金屬容器1的內(nèi)部空間9中，中間電極3在和母線2之間構(gòu)成成為第1電容器的電容C1。引出電壓用的連接導(dǎo)體6安裝于中間電極3上，連接導(dǎo)體6穿過將接地金屬容器1的內(nèi)部空間9即氣體空間和外側(cè)的氣體分隔開的絕緣隔離構(gòu)件8，通過作為抑制諧振用電阻的電阻21連接第2電容器的高壓側(cè)。第2電容器的低壓側(cè)連接位于接地電位的外箱11。22為連接外箱11和接地金屬容器1的接地線、電阻21和第2電容器10的串聯(lián)連接體和電壓傳感器12并聯(lián)連接，電阻21、第2電容器10及電壓傳感器12裝在外箱11內(nèi)。電壓傳感器12的輸出部連接圖中未示出的信號處理部。
以下，對電壓檢測動作進(jìn)行說明。根據(jù)母線2和中間電極3之間構(gòu)成的作為第1電容器的電容C1、以及第2電容器10的電容C2間的分壓比決定施加在電壓傳感器12的外加電壓。而且向信號處理部導(dǎo)出與外施加在電壓傳感器12的外加電壓對應(yīng)的檢測輸出，通過信號處理檢測出作為高電壓導(dǎo)體用的母線2的電壓。電壓傳感器12例如可以采用將由第2電容器10電壓分擔(dān)后的模擬電壓信號變換成數(shù)字的A/D變換器、或通過電阻對檢測出的電流積分作為電壓輸出的裝置。
圖2表示圖1示出的電壓檢測裝置的等效電路圖。
在圖2中，C1～C4、L1～L4及R1、R2定義如下。
C1母線2和中間電極3之間的電容(第1電容器10的電容)。
C2第2電容器10的電容。
C3中間電極3和接地金屬容器1之間的電容(絕緣支持構(gòu)件20的電容及寄生電容)。
C4電壓傳感器12的電容。
L1；連接電壓傳感器12的引線的電感。
L2從第2電容器10至接地部位的電感(包括第2電容器10具有的電感)。
L3從絕緣支持構(gòu)件20至接地部位的電感。
L4連接導(dǎo)體6的電感。
R1放電電阻R2電阻21的電阻值以下，說明在對外施加在母線2的電壓進(jìn)行檢測的電壓檢測裝置上，中間電極3低壓側(cè)分擔(dān)的分擔(dān)電壓V2。
首先，說明不考慮諧振時的低壓側(cè)的分擔(dān)電壓V2。
在圖2中，電壓分擔(dān)比(分壓比)由電壓檢測裝置中的C1的阻抗和C1低壓側(cè)的總阻抗之比而定。此時的電壓分擔(dān)比因?yàn)殡妷簜鞲衅?2的電容C4及R1的阻抗非常大，所以成為Z1的阻抗對Z2、Z3的疊合阻抗之比。這里，Z1是C1的阻抗，Z2是L4、R2、C2及L2的阻抗。Z3是C3及L3的阻抗。
只要加在母線2上的電壓波形是小于等于100kHz的低頻分量，則在通常的構(gòu)成中，相比C2的阻抗則L2、L3、L4、R2的阻抗足夠小，而C3的阻抗又足夠大。因此，分擔(dān)電壓V2由C1和C2的阻抗分擔(dān)決定。設(shè)母線2的外加電壓為VLF，則低壓側(cè)的分擔(dān)電壓V2可用式(1)表示。
V2＝(C1/(C1+C2))×VLF…(1)另一方面，在由于斷路器或開關(guān)等動作產(chǎn)生的沖擊具有超過100kHz的高頻分量的電壓VHF施加在母線2時，L2、L3、L4、C3由于與C2的阻抗相比變得不能勿略不計(jì)，所以分擔(dān)電壓V2變化。這時，低壓側(cè)的分擔(dān)電壓V2就變成下式(2)。還有，ω為角頻率。
Z1＝(ZL+Z)×VHF …(2)
但是，設(shè)Z1＝1/(ωC1)、Z3＝ωL3+1/(ωC3)、Z2＝ω(L2+L4)+1/(ωC2)+R2、ZL＝1/(1/Z2+1/Z3)，則Z＝Z1+ZL。
利用式(2)，C2的端子間電壓VC2為VC2＝((1/ωC2)/Z2)×V2…(3)。
支持中間電極3的絕緣支持構(gòu)件20的C3的電壓VC3為VC3＝((1/ωC3)/Z3)×V2…(4)。
如圖2所示，包括C2及C3的閉合電路(1)形成于C1的低壓側(cè)，電阻21的R2插在該閉合電路(1)內(nèi)。
在外加沖擊電壓時，如在電壓檢測裝置內(nèi)部不發(fā)生諧振現(xiàn)象，則閉合電路(1)內(nèi)的C2部即第2電容器10的端子間電壓可以根據(jù)式(3)作為VC2求出，而C3部即絕緣支持構(gòu)件20的電壓可以根據(jù)式(4)作為VC3求出。另外，絕緣隔離構(gòu)件8的電壓V2a成為比外施加在中間電極3的分擔(dān)電壓V2稍低的電壓。
以下，說明由于沖擊引發(fā)的諧振現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理。
當(dāng)沖擊電壓外施加在母線2時，在圖2的閉合電路(1)內(nèi)按照式(2)分擔(dān)分擔(dān)電壓V2，其后，與外加電壓波形的頻率同步在閉合電路(1)內(nèi)產(chǎn)生諧振形成過電壓。在圖2示出的閉合電路(1)中產(chǎn)生的諧振成為C2、C3、L2、L3、L4的串聯(lián)諧振，其頻率可用式(5)表示。
F＝1/(2π√(L×C))…(5)式中，L＝L2+L3+L4、C＝1/(1/C2+1/C3)。
例如，設(shè)C2＝10000pF、C3＝100pF、L2＝L3＝0.5μF，則能計(jì)算出諧振頻率為f≌70MHZ。沖擊電壓的頻率具有從DC至100MHZ左右的分量，上述頻率被充分地包含在其中。在沖擊的頻率分量中，與按照式(5)的頻率同步產(chǎn)生諧振現(xiàn)象。
當(dāng)在閉合電路(1)內(nèi)產(chǎn)生諧振現(xiàn)象時，諧振產(chǎn)生的電流在閉合電路(1)內(nèi)流動通過電阻21時消耗能量，所以抑制諧振，能抑制在閉合電路(1)內(nèi)的C3部、C2部、及絕緣支持構(gòu)件8上產(chǎn)生的過電壓。另外，由于能抑制加在C2部即第2電容器10上的過電壓，所以也能抑制加在電壓傳感器12上的電壓。
圖3為說明設(shè)置電阻產(chǎn)生的抑制諧振的效果用的圖，利用外加沖擊電壓時C2的諧振波形進(jìn)行說明。在圖3中，F(xiàn)W是第1波、A是作為比較例未設(shè)置電阻時的電壓波形、B為設(shè)置電阻時的電壓波形。用Ap表示電壓波形A的包絡(luò)線、用Bp表示電壓波形B的包絡(luò)線。
在未設(shè)電阻21的比較例時，如電壓波形A及其包絡(luò)線Ap所示，由于閉合電路(1)內(nèi)發(fā)生的諧振閉合電路(1)內(nèi)的電壓上升。
另一方面，在設(shè)電阻21時，通過具有適當(dāng)?shù)碾娮柚?，如電壓波形B及其包絡(luò)線Bp所示，對于與沖擊的高頻分量對應(yīng)的諧振可用電阻21使其衰減，制止電壓上升。
通過這樣，由于能抑制閉合電路(1)內(nèi)的沖擊電流，所以能抑制閉合電路(1)內(nèi)的C3部分、C2部分、以及絕緣隔離構(gòu)件8上發(fā)生過電壓。
還有，雖對因斷路器或開關(guān)等動作產(chǎn)生的沖擊作了闡述，但對于接地金屬容器1內(nèi)部的接地造成的沖擊也有同樣的效果。
以下，對由于有設(shè)置電阻或無設(shè)置電阻而造成電壓檢測裝置的閉合電路(1)內(nèi)部發(fā)生電壓的差異進(jìn)行說明，圖4～圖6是用于說明本發(fā)明實(shí)施方式1的抑制諧振現(xiàn)象的作用的示波器測量波形示例及頻譜分析器測量波形示例。
在母線2上模擬沖擊電壓輸入包含圖4示出的高達(dá)100MHz的高頻分量的階躍波時，對由于有設(shè)置電阻或無設(shè)置電阻而造成電壓檢測裝置的閉合電路(1)內(nèi)部發(fā)生電壓的差異進(jìn)行說明。圖5及圖6為表示閉合電路(1)內(nèi)部發(fā)生電壓中的示波器測量波形示例及頻譜分析器測量波形示例用的圖。尤其是圖5表示不設(shè)電阻21的比較例的情況，圖6表示設(shè)電阻21的比較例的情況。還有，閉合電路(1)內(nèi)部發(fā)生的電壓此時測量從接地容器2至絕緣隔離構(gòu)件8間的電壓，但即使測量C2部分、或C3部分的電壓，雖然電壓電平不同但仍能觀測到同樣的現(xiàn)象。
在不設(shè)電阻21的比較例時，C2的端子間電壓為在電壓檢測裝置內(nèi)的閉合電路(1)上諧振的電壓重疊在被電壓分擔(dān)的階躍電壓上。如圖5所示，在特定頻率、在該電路中為20～25MHz附近發(fā)生諧振，如圖5(a)所示，電壓的峰值上升。過電壓的大小根據(jù)圖5(b)，對于階躍電壓的電壓分擔(dān)部分約40mV，在其上重疊振動電壓28mV左右，由于諧振現(xiàn)象68mV÷40mV＝約1.75倍左右電壓上升。這里，加在母線2上的階躍電壓若是實(shí)際上能發(fā)生的電壓電平，則就會在閉合電路(1)內(nèi)的C3部分、C2部分、以及絕緣隔離構(gòu)件8上產(chǎn)生絕緣損壞。
另一方面，在設(shè)電阻21時，在階躍電壓被電壓分擔(dān)后雖然同樣地產(chǎn)生諧振，但由于被電阻21制止，如圖6所示，過電壓被制止。過電壓的大小根據(jù)圖6(a)，相對于階躍電壓的電壓分擔(dān)部分對于40mV振動電壓抑制在10mV左右。由于圖5示出的無電阻時的振動電壓上升部分為28mV，所以由于設(shè)置電阻產(chǎn)生的抑制振動的效果為10mV÷28mV＝約1/3。
如以上所述，本發(fā)明的實(shí)施方式1的電壓檢測裝置，由于在包括中間電極3和接地金屬容器1之間的電容C3及第2電容器10的電容C2在內(nèi)的閉合電路(1)中插入電阻21，所以能在閉合電路(1)內(nèi)制止諧振，能抑制在閉合電路(1)內(nèi)的C3部分、C2部分、及絕緣支持構(gòu)件8上產(chǎn)生的過電壓。另外，由于能抑制加在C2部分即第2電容器10上的過電壓，所以也能抑制加在電壓傳感器12上的電壓。
再有，因能制止諧振現(xiàn)象產(chǎn)生的過電壓，所以能減小第2電容器10或電壓傳感器12和覆蓋其的外箱11之間的絕緣距離，使電壓檢測裝置外箱11的構(gòu)成緊湊。同樣，關(guān)于接地金屬容器1的內(nèi)部，由于能制止電壓檢測裝置各部分的過電壓，所以，能降低絕緣支持構(gòu)件20的絕緣耐壓，縮小中間電極3和接地金屬容器1之間的距離，或者，縮短絕緣支持構(gòu)件20的沿表面長度，力求使絕緣支持構(gòu)件20更加緊湊。另外，也能降低絕緣隔離構(gòu)件8的絕緣耐壓，使絕緣隔離構(gòu)件8更加緊湊。
又，因電阻21設(shè)置在接地金屬容器1外側(cè)的大氣中，對于已有的電壓檢測裝置也能不作氣體處理工作簡單地安裝電阻21，抑制諧振現(xiàn)象。
還有，抑制諧振用電阻21例如可以使用碳質(zhì)電阻那樣即使受到多次沖擊注入的能量累積起來依舊不會熱損壞的材料作為材質(zhì)。至于形狀，雖然要考慮沿表面的耐壓性能，但由于在電阻21的端子間發(fā)生的電壓是10～數(shù)十kV左右，所以在將電阻21設(shè)于電壓檢測裝置的接地金屬容器1外側(cè)的大氣中時，相對電壓的施加方向的厚度大于等于數(shù)mm便可。
在這種施方式1中，表示電阻21和第2電容器10串聯(lián)連接，該串聯(lián)連接體和電壓傳感器12并聯(lián)連接，但電壓檢測裝置的構(gòu)成也可以如圖7所示。即以電阻21從中間電極3開始穿過絕緣隔離構(gòu)件8插在導(dǎo)入外箱11的連接導(dǎo)體6和第2電容器10之間的狀態(tài)連接，并第2電容器10和電壓傳感器12并聯(lián)連接。在這種情況下，也和圖1示出的電壓檢測裝置一樣，電阻21設(shè)于接地金屬容器1的外側(cè)的大氣中，因能抑制在閉合電路(1)內(nèi)的諧振并制止過電壓的發(fā)生，所以可獲得與上述同樣的效果。
以下，說明利用圖1、圖7示出的本實(shí)施方式的電壓檢測裝置的電阻21的具體的構(gòu)成，圖8(a)為包括電阻21的詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置全體構(gòu)成的剖視圖，圖8(b)為表示圖8(a)的VIII(b)-VIII(b)線的剖視圖。
如圖8所示，按動件6a設(shè)置在從中間電極3開始穿過絕緣隔離構(gòu)件8導(dǎo)入外箱11的連接導(dǎo)體6的下端。另外，將電阻21做成筒狀，使連接導(dǎo)體6在其中空部穿過，電阻21一端的端子部21a和按動件6a通過配置在它們之間的電阻按動用彈簧6d壓接在一起。另外用導(dǎo)通用零件6b、6c將端子部21a和按動件6a短路，確保連接導(dǎo)體6和電阻21間的電氣連接。電阻21另一端的端子連接第2電容器10。
圖8示出的電阻21因形成圍住連接導(dǎo)體6的筒狀表面積加大，所以能增大散熱量。因此能防止由于伴隨過電壓或外加市電電壓的發(fā)熱造成的電阻元件的損壞或電阻值降低。另外，通過加大電阻21的斷面積，也具有減小電阻21內(nèi)部的電感的效果。
還有，圖8示出的電阻21做成筒狀，但也可以如圖9所示，做成環(huán)形的一端的端子部21a與由碳質(zhì)電阻組成的多根棒狀電阻體21n連接構(gòu)成電阻21。多根棒狀的電阻體21n沿連接導(dǎo)體6的長度方向平行地延伸配置成圍住連接導(dǎo)體6。在這種情況下，連接導(dǎo)體6下端的按動件6a和端子部21a通過電阻按動用彈簧6d壓接在一起，用導(dǎo)通用零件6b、6C使端子部21a和按動件6a短路。而且和圖8示出的構(gòu)成一樣，能增大散熱量之同時，還力求減小電感，能獲得同樣的效果。
實(shí)施方式2上述實(shí)施方式1的電壓檢測裝置將電阻21設(shè)置在收容第2電容器10和電壓傳感器12的外箱11內(nèi)，但電壓檢測裝置的構(gòu)成也可以如圖10。所示。即電阻21可以以插入連接外箱11和接地金屬容器1的接地線22的中間的狀態(tài)進(jìn)行連接，成為從第2電容器10低壓側(cè)插在通向接地金屬容器1的導(dǎo)電通路內(nèi)。另外設(shè)置外箱11與接地線電位連接的接地用引線30。其余的構(gòu)成和圖1示出的電壓檢測裝置一樣。
圖11表示圖10示出的電壓檢測裝置的等效電路圖。圖11內(nèi)的C1～C4、L1～L4、R1及R2和上述實(shí)施方式1的圖2示出的情況相同，L5是接地用引線30的電感。在這種情況下，和上述實(shí)施方式1一樣，在C1的低壓側(cè)形成包含C2及C3的閉合電路(1)，電阻21的R2插在該閉合電路(1)內(nèi)。電阻21設(shè)于接地金屬容器1外側(cè)的大氣中。
接地用引線30的電感L5，在市電頻率時是比C2的阻抗及R2充分小的值，高頻時成為比R2大的值。例如設(shè)L5＝1mH、R2＝100Ω、C2＝15000pF，則在市電頻率60Hz時L5的阻抗約0.38Ω、C2的阻抗為177000Ω。另外在母線2上外加10MHz高頻時，L5的阻抗約63000Ω比R2還要大。
這樣，當(dāng)市電頻率施加在母線2時，因L5的阻抗比C2的阻抗充分小，所以圖11內(nèi)P部的電位成接近接地電位的值。因此由于R2或L5的插入不會發(fā)生相位角偏移。低壓側(cè)的分擔(dān)電壓V2也因遵照上述實(shí)施方式1所示的式(1)，而不影響電壓分擔(dān)比。另外，在高頻外施加在母線2時，因L5的阻抗大于R2所以可勿略不計(jì)。在閉合電路(1)內(nèi)發(fā)生諧振現(xiàn)象時，能利用設(shè)于閉合電路(1)內(nèi)的電阻21的R2抑制諧振。
如上所述，在該實(shí)施方式2中，利用設(shè)于閉合電路(1)內(nèi)的電阻21的R2，能抑制閉合電路(1)內(nèi)的諧振現(xiàn)象并抑制過電壓的發(fā)生，故能獲得和上述實(shí)施方式1同樣的效果。再因電阻21未插在中間電極3和母線2之間的電容C1與第2電容器10的電容C2之間，所以不會發(fā)生相位角偏移。
因此，對于市電頻率中間電極3低壓側(cè)的電壓分擔(dān)比不會因電阻21的有無而變化，即使在已有的電壓檢測裝置上設(shè)置電阻21也不必再次調(diào)整電壓分擔(dān)比，已有電壓檢測裝置的利用就變得容易。
圖10中，電阻21插在連接外箱11和接地金屬容器1的接地線22的中間，但是，以下表示在分隔接地金屬容器1內(nèi)側(cè)的氣體空間和外側(cè)的大氣中的絕緣隔離構(gòu)件8的周圍部分構(gòu)成該接地線22的例子。
圖12為包括實(shí)施方式2的電阻21詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖。如圖12所示，用由碳質(zhì)電阻等組成的電阻體構(gòu)成抑制諧振現(xiàn)象用的電阻21將其配置在絕緣隔離構(gòu)件8的外圓周部。該電阻21的構(gòu)成可以為將多根和連接導(dǎo)體6平行延伸的棒狀電阻體配置在絕緣隔離構(gòu)件8的外圓周部，為了降低電感可以做成圓筒形或圓環(huán)形。電阻21的兩個端子21a、21b分別連接容器凸緣FA、FB。容器凸緣FA是接地金屬容器1一側(cè)的凸緣，而容器凸緣FB是連接外箱11的凸緣，利用容器凸緣FA和容器凸緣FB之間的導(dǎo)電通路形成接地線22，電阻21插在該導(dǎo)電通路內(nèi)。
絕緣隔離構(gòu)件8用螺栓構(gòu)件BL緊固在接地金屬容器1上，但因螺栓構(gòu)件BL利用絕緣構(gòu)件Bla一側(cè)與容器凸緣FB絕緣，所以不會通過螺栓構(gòu)件BL容器凸緣FA和容器凸緣FB直接導(dǎo)通。電流通過電阻21在容器凸緣FA和容器凸緣FB之間流動。
這樣，因?qū)㈦娮?1配置在絕緣隔離構(gòu)件8的外圓周部，所以對于已有的電壓檢測裝置電阻21的設(shè)置就變得容易。
還有，配置在絕緣隔離構(gòu)件8外圓周部的電阻21如圖13所示，也可以用容器凸緣FA、FB夾住電阻21的兩端進(jìn)行配置。在這種情況下螺栓構(gòu)件8利用絕緣構(gòu)件Bla單側(cè)和容器凸緣FB絕緣，電流通過電阻21在容器凸緣FA和容器凸緣FB之間流動。這種電阻21例如用由環(huán)狀的碳質(zhì)電阻組成的電阻體構(gòu)成，或用混入碳質(zhì)等導(dǎo)電材料的環(huán)氧絕緣材料等構(gòu)成而進(jìn)行配置，又可將電阻21和絕緣隔離構(gòu)件8注射成形做成一體。
以下，表示使電阻21在將絕緣隔離構(gòu)件8緊固在接地金屬容器1的螺栓構(gòu)件BL的軸部外圓周上與螺栓構(gòu)件BL相接進(jìn)行配置的例子。在這種情況下，成為在從第2電容器10低壓側(cè)通向接地金屬容器1的導(dǎo)電通路內(nèi)插入電阻21和螺栓構(gòu)件BL。
圖14(a)為實(shí)施方式2又一例的包括電阻21詳細(xì)構(gòu)成在內(nèi)的電壓檢測裝置的局部剖視圖，圖14(b)為圖14(a)的局部放大圖。如圖14所示，將用在絕緣材料中混入導(dǎo)電材料的材料，例如含碳的環(huán)氧樹脂注射成形層構(gòu)成的電阻21埋入絕緣隔離構(gòu)件8的內(nèi)部來形成。這里，電阻21在螺栓構(gòu)件BL的軸部外圓周部分與螺栓構(gòu)件BL相接進(jìn)行配置。螺栓構(gòu)件BL利用絕緣構(gòu)件Bla單側(cè)和容器凸緣FB絕緣，容器凸緣FB通過電阻21與螺栓構(gòu)件BL連接。再有，另一側(cè)的容器凸緣FA利用空隙SP與電阻21絕緣。
這時，由容器凸緣FA和容器凸緣FB之間的導(dǎo)電通路形成圖10示出的接地線22，螺栓構(gòu)件BL和電阻21插在該導(dǎo)電通路內(nèi)。電流通過螺栓構(gòu)件BL和電阻21如圖14(b)所示，在容器凸緣FA和容器凸緣FB之間流動。
在這種情況下，因電阻21配置在絕緣隔離構(gòu)件8，相對已有的電壓檢測裝置電阻21的設(shè)置變得容易。
還有，配置在螺栓構(gòu)件BL的軸部外側(cè)的電阻21如圖15所示，可以配置在螺栓構(gòu)件BL的一側(cè)和容器凸緣FB之間。即以和上述圖12～圖14示出的絕緣構(gòu)件BLa同樣的形狀及配置構(gòu)成電阻21。在這種情況下，螺栓構(gòu)件BL和電阻21插在容器凸緣FA和容器凸緣FB之間的導(dǎo)電通路內(nèi)，通過螺栓構(gòu)件BL和電阻21電流在容器凸緣FA和容器凸緣FB之間流動。
實(shí)施方式3以下，對上述實(shí)施方式1、2所用的抑制諧振用電阻21的電阻值進(jìn)行說明。
通常，當(dāng)電阻值R一大，表示閉合電路中發(fā)生的諧振的敏銳度的Q可用下式表示。
Q＝1/R×√(L/C) …(6)結(jié)合圖2的等效電路則變成L＝L2+L3+L4、C＝1/(1/C2+1/C3)、R＝R2…(7)由于Q越大諧振也越大，所以電阻21的阻值越大越能抑制閉合電路(1)內(nèi)的諧振。
然而，如利用圖2說明過的那樣，電壓分擔(dān)比(分壓比)由電壓檢測裝置中的C1的阻抗和C1的低壓側(cè)的總阻抗之比而定。電阻21的電阻值一大，抑制諧振的效果越好，但對于外加沖擊電壓時低壓側(cè)的分擔(dān)電壓V2，因低壓側(cè)的阻抗變大，故如上述的式(2)所示，分擔(dān)電壓V2變大，施加在絕緣隔離構(gòu)件8上的電壓也變大。又如上述的式(4)所示，C3部分的電壓也變大。
因此設(shè)置的電阻21的電阻值要顧及制止諧振現(xiàn)象的效果、和相反的分擔(dān)電壓增大的不良影響兩者間的平衡而進(jìn)行設(shè)定。
圖16為表示抑制諧振現(xiàn)象和低壓側(cè)分擔(dān)電壓間的關(guān)系用特性曲線圖。圖16(b)表示在圖16(a)所示的沖擊電壓外施加在母線2時，未設(shè)置電阻21的比較例中低壓側(cè)的電壓波形、圖16(c)表示使用電阻值較小的電阻21時低壓側(cè)的電壓波形、圖16(d)表示使用電阻值較大的電阻21時低壓側(cè)的電壓波形。
如圖16(b)所示，未設(shè)電阻21的比較例中，由于與沖擊的高頻分量對應(yīng)的諧振產(chǎn)生的電壓上升部分成為重疊于沖擊電壓的分擔(dān)電壓部分上的電壓波形，所以發(fā)生過電壓。
如圖所示16(c)、16(d)所示，在采用電阻21時，對于與沖擊的高頻分量對應(yīng)的諧振因?yàn)橛秒娮?1使其衰減所以能制止諧振現(xiàn)象，但由于沖擊電壓產(chǎn)生的分擔(dān)電壓上升。還有和不設(shè)電阻21的情形比較圖中用包絡(luò)線表示。
在電阻21的電阻值較小的圖16(c)時，制止諧振現(xiàn)象能抑制過電壓，另外，分擔(dān)電壓的上升也小。
在電阻21的電阻值較大的圖16(d)時，由于衰減時間常數(shù)τ＝2L/R變小抑制諧振現(xiàn)象的效果更好，但分擔(dān)電壓的上升大，電阻值若再增大諧振的影響就會幾乎沒有，但分擔(dān)電壓變得更大，有可能發(fā)生和無電阻時相等的過電壓。還有，這里，過電壓的成為問題的分擔(dān)電壓是沖擊波波陣面電壓的瞬時分擔(dān)電壓。
圖17為表示電阻21的電阻值和發(fā)生電壓之間的關(guān)系用特性曲線圖。圖18表示斷路器沖擊的外加電壓波形，對外加圖18中示出的沖擊電壓時的C3部分、C2部分、絕緣隔離構(gòu)件8及電阻21的各端子間電壓進(jìn)行運(yùn)算后示于圖17。
圖18示出的沖擊電壓波形實(shí)際上模擬在變電站發(fā)生的波形，作為電路常數(shù)設(shè)C2＝15000PF、L2＝L3＝L4＝0.01μF、C3＝100PF。
關(guān)于電阻21的電阻值R2的選定，由于閉合電路(1)的時間常數(shù)根據(jù)τ＝2×(L2+L3+L4)/R2而定，所以通過選定電阻值R2，變成和由取決于上述式(5)的諧振頻率f的倒數(shù)決定的沖擊周期＝1/f相同的程度，從而抑制諧振現(xiàn)象、發(fā)生的電壓減小，例如，若設(shè)置電阻21盡管只是1Ω但也能發(fā)揮抑制諧振的效果。
另一方面，電阻21的電阻值一增加，電阻21的端子間電壓上升，上述式(2)的分擔(dān)電壓V2也上升，這樣，通過抑制諧振現(xiàn)象和分擔(dān)電壓的上升，C3部分和絕緣隔離構(gòu)件8間的各電壓波形如圖7所示成為V形的曲線。各部分的電壓為了使其不超過不設(shè)電阻21時的電壓，設(shè)電阻21的電阻值上限為100Ω左右。由此，通過取電阻21的電阻值范圍在1～100Ω，能得到比分擔(dān)電壓上升的不良影響還要大的抑制諧振效果，并能得到抑制過電壓的效果。
還有，根據(jù)此時的運(yùn)算結(jié)果，最佳的電阻值為5～10Ω，通過設(shè)置電阻21使過電壓減少至一半及其以下。在實(shí)際的變電站中通過斷路器沖擊的離散或電路常數(shù)的設(shè)定，從而最佳的電阻值會稍有變動。
根據(jù)這一實(shí)施方式3，在上述實(shí)施方式1、2的電壓檢測裝置的構(gòu)成中，由于設(shè)抑制諧振用電阻21的電阻值為大于等于1Ω，所以能得到抑制諧振現(xiàn)象的效果。另外設(shè)電阻21的電阻值上限為100Ω所以能制止由于電阻值增大造成低壓側(cè)的分擔(dān)電壓上升。通過這樣，能抑制閉合電路(1)內(nèi)的C3部分、絕緣隔離構(gòu)件8及電阻21的各端子間過電壓的發(fā)生，防止電壓檢測裝置內(nèi)部絕緣損壞、能可靠地實(shí)施電壓檢測。
又，因取電阻21的電阻值為1～100Ω，所以市電頻率等低頻電壓由于設(shè)置電阻21中間電極3低壓側(cè)的阻抗增加極小。因此，對于市電頻率低壓側(cè)的電壓分擔(dān)比不管電阻21有無幾乎都沒有變化，即使在已有的電壓檢測裝置上設(shè)置電阻21也不必對電壓分擔(dān)比作再調(diào)整，利用已有的電壓檢測裝置變得相當(dāng)容易。
實(shí)施方式4在上述實(shí)施方式3中，設(shè)電阻21的電阻值上限為100Ω制止電阻值增大引起低壓側(cè)的分擔(dān)電壓上升，但C3部分、絕緣隔離構(gòu)件8及電阻21的各部分若是耐壓高的結(jié)構(gòu)，可以不考慮對分擔(dān)電壓上升的抑制。該實(shí)施方式4中對上述實(shí)施方式1、2所用的抑制諧振用電阻21的電阻值進(jìn)行說明，將因設(shè)置電阻21發(fā)生的電壓相位角偏移抑制在允許的范圍內(nèi)，據(jù)此設(shè)定電阻值。
現(xiàn)對設(shè)置電阻21時相位角偏移現(xiàn)象進(jìn)行說明。在無電阻或電感單純地電容C1的第1電容器和電容C2的第2電容器串聯(lián)連接時，C2部的發(fā)生電壓V2對于整體的外加電壓可以用V2＝C1/(C1+C2)/V求得。
此后，當(dāng)在該C1和C2之間將電阻串聯(lián)配置時，通過在第1、第2電容器間流動的電流流經(jīng)電阻在電阻端子間產(chǎn)生與電流對應(yīng)的電壓。因此在C2部分的電壓和全體的外加電壓間的相位上存在差異。
利用圖2示出的等效電路計(jì)算對于C2部分的電壓V2、及母線2的外加電壓VLH的相位角偏差，現(xiàn)示于以下。
對于市電頻率L的阻抗Lω比電容器的阻抗1/Cω足夠大、相比C2，C3、C4、R1的阻抗也大，故圖2的電路只考慮C1和C2、R2，C2部分的電壓用以下的式(8)表示。因?yàn)橐蟪鱿辔婚g的關(guān)系所以還考慮到復(fù)數(shù)。
V2=1jωC21jωC1+R2+1jωC2×VLH]]>=C1×(C1+C2-jωC1×C2×R2)(C1+C2)2+(ωC1×C2×R2)2×VLH···(8)]]>根據(jù)上式對于C2部分的電壓V2的外加電壓VLH的相位偏差角θ可用下式(9)表示。
θ=tan-1-ωC1×C2×R2C1+C2···(9)]]>
圖19表示改變所設(shè)置的電阻21的電阻值R2時的相位偏差角度。相位偏差角度在圖2示出的等效電路中，利用市電頻率60Hz的外加電壓波形按照上述式(9)進(jìn)行運(yùn)算。
其結(jié)果，設(shè)電阻21的電阻值R2的上限為1MΩ右右，相位偏差角度對于規(guī)定的精確度等級的極限值，例如對于40分判定在精度上有余量。
另外，電阻值一大對于市電頻率的C2部分發(fā)生的電壓上升，但C2部分的電壓分擔(dān)比的變化很小所以不必對電氣的電路常數(shù)作大的變更。若按照上述式(8)計(jì)算該C2部分的電壓分擔(dān)比，即使在設(shè)置1MΩ的電阻21時與無電阻的狀態(tài)比較增大0.5％左右，依舊沒有問題。
如以上的實(shí)施方式3所述，為了得到抑制諧振現(xiàn)象的效果，最好電阻21的電阻值R2大于等于1Ω。因此，本實(shí)施方式4中，取電阻值R2為1Ω～1MΩ。通過這樣，能制止因諧振現(xiàn)象引起的過電壓，而且能使因設(shè)置電阻造成的電壓相位角偏差收斂于允許范圍內(nèi)。
當(dāng)如以上所述地設(shè)置的電阻值變大時，能抑制閉合電路中的諧振現(xiàn)象，電阻值越大諧振現(xiàn)象的抑制效果越好。又在電阻21的電阻值R2增大時，一旦外加沖擊電壓，因分擔(dān)電壓產(chǎn)生的C2部分的電壓VC2可根據(jù)上式(3)運(yùn)算。該C2部分的電壓VC2因?yàn)殡娮柚?的增大引起Z2阻抗增加所以變得更小，能制止C2部分過電壓的發(fā)生。
還有，在電阻值R2大時，為了防止因分擔(dān)電壓加在電阻21上的過電壓，所以預(yù)先將電阻21沿表面的長度加長。
實(shí)施方式5圖20為本發(fā)明的實(shí)施方式5的電壓檢測裝置的概要構(gòu)成圖。上述實(shí)施方式1、2在接地金屬容器1外側(cè)的大氣中配置抑制諧振用電阻21，但本實(shí)施方式5中在接地金屬容器1的氣體空間9中配設(shè)電阻21。
如圖20所示，電阻21設(shè)于連接中間電極3和絕緣隔離構(gòu)件8之間的連接導(dǎo)體6的中間。其它的構(gòu)成和圖1示出的上述實(shí)施方式1相同。
在本實(shí)施方式5中，也和上述實(shí)施方式1一樣，電阻21插在包括中間電極3和接地金屬容器1之間的電容C3以及第2電容器10的電容C2在內(nèi)的閉合電路(1)內(nèi)，所以能抑制閉合電路(1)內(nèi)諧振，能抑制閉合電路(1)內(nèi)C3部分、C2部分、及絕緣隔離構(gòu)件8處發(fā)生過電壓。又因能制止施加在C2部分即第2電容器10上的過電壓，所以也能制止加在電壓傳感器12上的電壓。
另外，通過將電阻21設(shè)置在接地金屬容器1內(nèi)的氣體空間9中，能防止由于水分或異物粘附于電阻21表面招致耐壓降低。在外加沖擊電壓時，電壓分擔(dān)于電阻21的端子間，但因電阻21處于氣體空間9，所以由于氣體的耐壓高、不用擔(dān)心污損等，可縮小電阻21的沿表面距離將電阻21小型化。尤其在氣體成分中包含SF6等高性能絕緣氣體時，由于氣體的絕緣性能優(yōu)良所以電阻21能更加小型化。
另外，電阻21不安裝在大氣中，通過設(shè)于接地金屬容器1內(nèi)，能使電壓檢測裝置中接地金屬容器1的外側(cè)構(gòu)成小型化。
還有，如圖21所示，配置在氣體空間9內(nèi)的電阻21可配置在絕緣支持構(gòu)件20和接地金屬容器1之間，也可配置在絕緣支持構(gòu)件20和中間電極3之間。在這種情況下，可獲得與圖20示出的情況相同的效果。再有，在這種情況下，由于電阻21未放在中間電極3和母線2之間的電容C1及第2電容器10的電容C2之間，所以也有不會發(fā)生相位角偏差的效果。
另外，本實(shí)施方式5中，如上述實(shí)施方式3、4說明過的那樣，通過設(shè)定電阻21的電阻值，能獲得和上述實(shí)施方式3、4說明過的同樣的效果。
實(shí)施方式6在實(shí)施方式1中，電壓傳感器12可以采用將由第2電容器10電壓分擔(dān)后的模擬電壓信號變換成數(shù)字的A/D變換器、或通過電阻對檢測出的電流積分作為電壓輸出的裝置。但本實(shí)施方式6中用采用光電壓元件的光電壓傳感器作為電壓傳感器12。
在這種情況下，也和上述實(shí)施方式1一樣，因抑制諧振用電阻21插在閉合電路(1)內(nèi)，所以能抑制閉合電路(1)內(nèi)的C3部分、C2部分、及絕緣隔離構(gòu)件8處發(fā)生過電壓。又因能制止加在C2部分即第2電容器10上的過電壓，所以也能制止加在電壓傳感器12上的電壓。通過這樣，能保護(hù)光電壓元件(電壓傳感器12)絕緣免遭損壞。在采用光電壓元件的電壓傳感器上例如與成為信號處理部的終端系統(tǒng)絕緣并連接，但能防止終端系統(tǒng)受過電壓的影響，進(jìn)行高性能高可靠性的電壓檢測。
實(shí)施方式7
在該實(shí)施方式7中，將無感應(yīng)電阻用于上述實(shí)施方式1的抑制諧振用電阻21。該無感應(yīng)電阻廣泛使用無感應(yīng)繞組的電阻。該實(shí)施方式7能獲得和上述實(shí)施方式1同樣的效果，同時，通過將無感應(yīng)電阻用于電阻21，與碳質(zhì)電阻相比電阻內(nèi)部的電感分量極小，所以能制止電阻21端子間產(chǎn)生的過電壓。
還有，本發(fā)明示出的電壓檢測裝置，也可適用于三相絕緣氣體開關(guān)裝置(GIS)用的電壓檢測裝置。例如分別用于一相一相地3分開的3臺電壓檢測裝置。
權(quán)利要求
1.一種電壓檢測裝置，其特征在于，包括為了與電壓檢測對象部分對向而攝制成從接地電位部分開始絕緣，并在與所述電壓檢測對象部分之間形成第1電容器的中間電極；與所述中間電極和所述接地電位部分之間連接的第2電容器；以及與該第2電容器并聯(lián)連接的電壓傳感器，所述電壓檢測裝置通過將所述第1電容器和所述第2電容器的分壓電壓施加在所述電壓傳感器，從而檢測所述電壓檢測對象部分的電壓，將抑制諧振用電阻，插在包含所述中間電極和所述接地電位部分之間的電容、以及所述第2電容器的閉合電路內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓檢測裝置，其特征在于，所述抑制諧振用電阻的電阻值為1Ω～1MΩ。
3.如權(quán)利要求2所述的電壓檢測裝置，其特征在于，所述抑制諧振用電阻的電阻值為100Ω。
4.如權(quán)利要求1所述的電壓檢測裝置，其特征在于，與所述第2電容器并聯(lián)連接的所述電壓傳感器中采用光電壓元件。
5.如權(quán)利要求1所述的電壓檢測裝置，其特征在于，所述抑制諧振用電阻為無感應(yīng)電阻。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電壓檢測裝置，其特征在于，利用封入絕緣氣體的筒狀導(dǎo)電性容器同軸地配置在該導(dǎo)電性容器內(nèi)的高電壓導(dǎo)體；以及在所述導(dǎo)電性容器內(nèi)與所述高電壓導(dǎo)體隔開規(guī)定距離而且同軸地形成筒狀中間電極，構(gòu)成氣體絕緣設(shè)備，該氣體絕緣設(shè)備的所述導(dǎo)電性容器、所述高電壓導(dǎo)體、所述筒狀中間電極，分別作為所述接地電位部分、所述電壓檢測對象部分、所述中間電極，將所述第2電容器及所述電壓傳感器配置在所述導(dǎo)電性容器外側(cè)的大氣中，檢測所述高電壓導(dǎo)體的電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的電壓檢測裝置，其特征在于，將所述抑制諧振用電阻配置在所述導(dǎo)電性容器內(nèi)氣體空間中。
8.如權(quán)利要求6所述的電壓檢測裝置，其特征在于，將所述抑制諧振用電阻配置在所述導(dǎo)電性容器外側(cè)的大氣中。
9.如權(quán)利要求8所述的電壓檢測裝置，其特征在于，具有將所述中間電極與所述第2電容器電氣連接的連接導(dǎo)體，所述抑制諧振用電阻，插在從該連接導(dǎo)體開始通向所述第2電容器的高壓側(cè)的導(dǎo)電通路內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9所述的電壓檢測裝置，其特征在于，所述抑制諧振用電阻做成筒狀，所述連接導(dǎo)體穿過其中空的部分。
11.如權(quán)利要求9所述的電壓檢測裝置，其特征在于，沿所述連接導(dǎo)體長度方向配置平行地延伸的多根棒狀電阻體使其圍住連接導(dǎo)體，構(gòu)成所述抑制諧振用電阻。
12.如權(quán)利要求8所述的電壓檢測裝置，其特征在于，將所述抑制諧振用電阻，插在從所述第2電容器低壓側(cè)開始通向所述導(dǎo)電性容器的導(dǎo)電通路內(nèi)。
13.如權(quán)利要求12所述的電壓檢測裝置，其特征在于，包括將所述導(dǎo)電性容器內(nèi)側(cè)的氣體空間和外側(cè)的大氣中分隔開的絕緣隔離構(gòu)件；以及穿過該絕緣隔離構(gòu)件，將所述中間電極與所述第2電容器電氣連接的連接導(dǎo)體，所述抑制諧振用電阻設(shè)置在所述絕緣隔離構(gòu)件上。
14.如權(quán)利要求13所述的電壓檢測裝置，其特征在于，所述抑制諧振用電阻配置在所述絕緣隔離構(gòu)件的外圓周部分上，將所述抑制諧振用電阻，插在從所述第2電容器低壓側(cè)開始通向所述導(dǎo)電性容器的導(dǎo)電通路內(nèi)。
15.如權(quán)利要求13所述的電壓檢測裝置，其特征在于，具有將所述絕緣隔離構(gòu)件緊固在所述導(dǎo)電性容器上的螺栓構(gòu)件，該螺栓構(gòu)件的軸部外圓周與該螺栓構(gòu)件相接，配置所述抑制諧振用電阻，將所述螺栓構(gòu)件及所述抑制諧振用電阻，插在從所述第2電容器低壓側(cè)開始通向所述導(dǎo)電性容器的導(dǎo)電通路內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種電壓檢測裝置，抑制在包括中間電極和接地金屬容器之間的電容、及電壓檢測用電容器在內(nèi)的閉合電路中的諧振現(xiàn)象，防止在該閉合電路內(nèi)的各部分上發(fā)生過電壓。其結(jié)構(gòu)做成將用接地金屬容器(1)內(nèi)與母線(2)隔開規(guī)定距離、而且同軸地形成筒狀的中間電極(3)和接地金屬容器(1)構(gòu)成的第1電容器；將與電壓檢測用的第2電容器(10)間的分壓施加在電壓傳感器(12)上，對母線(2)的電壓進(jìn)行檢測。而且電阻(21)設(shè)置在包括中間電極(3)和接地金屬容器(1)之間的電容、以及第2電容器在內(nèi)的閉合電路(1)內(nèi)，抑制閉合電路(1)內(nèi)的諧振現(xiàn)象。
文檔編號G01R19/00GK1858599SQ20061007782
公開日2006年11月8日 申請日期2006年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月2日
發(fā)明者宮下信, 井波潔, 堀之內(nèi)雄作, 羽馬洋之, 伊東啟太, 石垣一三, 伊藤文雄 申請人:三菱電機(jī)株式會社