專利名稱：記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，并且更具體地涉及一種用于檢測記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近來，為防止信息泄漏而頒布了更多的法律法規(guī)，比如與私人信息保護(hù)、個人隱私保護(hù)標(biāo)志(privacy mark)、信息安全相關(guān)的法律法規(guī)和其它一些法律法規(guī)。不過，因為印刷紙張非常容易帶走和保藏，因而仍舊很難完全防止諸如印制在紙張上的隱私信息和機(jī)密信息這樣的信息的泄漏。因此，急切需要有一種在保持記錄紙張使用方便的同時防止記錄在記錄紙上的機(jī)密信息被泄漏的方法。
已經(jīng)提出了各種各樣的方法來解決這一問題。
例如，提出了一種限制將特定記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)移出管制區(qū)域的方法(例如，日本專利申請?zhí)亻_(JP-A)第2004-285524號)。
JP2004-285524A中公開的方法通過為記錄介質(zhì)加上磁性材料并且用安裝在管制區(qū)域的入口或出口處的門裝置對記錄介質(zhì)進(jìn)行檢測來防止記錄介質(zhì)被帶出。
不過，JP2004-285524A的方法并沒有規(guī)定在記錄介質(zhì)由用戶攜帶著通過入口或出口時產(chǎn)生的磁通反轉(zhuǎn)量，并且，因為各個記錄介質(zhì)包含任意量的磁性物質(zhì)，所以通常難于由門裝置檢測到記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的目的是給出一種可精確檢測記錄介質(zhì)的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是從上述情況出發(fā)而做出的，并且提供了一種記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，包括磁場產(chǎn)生單元，用于在預(yù)定特定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生交變磁場；靠近所述特定區(qū)域設(shè)置的檢測單元，用于檢測不小于預(yù)定磁通量密度差B2的磁通量密度變化；記錄介質(zhì)，包含多個由磁性材料制成并且形成為具有預(yù)定長度的線狀的磁性線，在施加交變磁場的時候，這些磁性線會引發(fā)大巴克豪森效應(yīng)(large Barkhausen effect)；并且在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域內(nèi)的時候，由檢測單元在安裝位置處檢測到的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2。


下面將根據(jù)附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的實施例，其中圖1是用在根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)中的記錄介質(zhì)的一個示例的示意圖；圖2A、2B和2C是示出了大巴克豪森效應(yīng)的說明性圖表；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是示出了門裝置的示意圖；圖5是示出了門裝置的示意圖；圖6是示出了門裝置的電子結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7A是示出了例1的特定區(qū)域中磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2的區(qū)域的示意圖；圖7B是示出了對比例1的特定區(qū)域中磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2的區(qū)域和磁通量密度變化量B1低于磁通量密度差B2的區(qū)域的示意圖；圖8包括示出了在示例和對比例中使用的記錄介質(zhì)的示意圖；圖9A是示出了對比例2的特定區(qū)域中磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2的區(qū)域或更大和磁通量密度差B1低于磁通量密度差B2的區(qū)域的示意圖；圖9B是示出了對比例3的特定區(qū)域中磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2或更大的區(qū)域和磁通量密度差B1低于磁通量密度差B2的區(qū)域的示意圖；圖10A是示出了雙層記錄介質(zhì)的示意剖面圖；以及圖10B是示出了三層記錄介質(zhì)的示意剖面圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)中的磁場產(chǎn)生單元在預(yù)定的特定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生交變磁場。記錄介質(zhì)包含多個磁性線(magnetic wire)，這些磁性線由磁性材料制成并且形成為具有特定長度的線狀，在施加交變磁場的時候，這些磁性線會造成大巴克豪森(Barkhausen)效應(yīng)，當(dāng)把這樣的記錄介質(zhì)放到所述特定區(qū)域內(nèi)時，在包含在記錄介質(zhì)中的磁性線的大巴克豪森效應(yīng)的作用下，會在檢測單元的安裝位置處出現(xiàn)磁通量密度的變化，即，會出現(xiàn)磁通量密度差B1。
靠近特定區(qū)域設(shè)置的檢測單元檢測不到低于預(yù)定磁通量密度差B2的磁通量密度變化，而是僅能夠檢測到大小為B2或更多的磁通量密度差的磁通量密度變化。就是說，檢測單元只有在其中的變化不低于磁通量密度差B2的時候才能檢測到記錄介質(zhì)。
因為在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域中時檢測單元在安裝位置檢測到的磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2，所以在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域內(nèi)的時候檢測單元檢測到了記錄介質(zhì)。
這樣，因為在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域內(nèi)時在安裝位置由檢測單元檢測到的磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2，所以檢測單元精確地檢測到了記錄介質(zhì)。
當(dāng)把特定區(qū)域分成多個區(qū)域并且將記錄介質(zhì)放在各個區(qū)域中時，由檢測單元在各個安裝位置檢測到的磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2(檢測單元可檢測到的最低差值)。
這樣，即使在把記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域中分出的多個區(qū)域當(dāng)中的任何一個分區(qū)內(nèi)的時候，檢測單元都能夠精確地檢測到記錄介質(zhì)。
檢測單元可以包含靠近特定區(qū)域設(shè)置的脈沖檢測單元和磁通量密度差檢測單元，該脈沖檢測單元檢測在磁性材料的磁通量受到交變磁場反轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖，磁通量密度差檢測單元根據(jù)由脈沖檢測單元檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖檢測不低于磁通量密度差B2的磁通量密度變化。
因為記錄介質(zhì)包含多個磁性線，所以可以由脈沖檢測單元檢測到由包含在記錄介質(zhì)中的各個磁性線的大巴克豪森效應(yīng)造成的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖；在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域內(nèi)的時候由記錄介質(zhì)造成的磁通量密度差是根據(jù)由脈沖檢測單元檢測到的多個通量反轉(zhuǎn)脈沖確定的；并且磁通量密度差檢測單元檢測不低于磁通量密度差B2的磁通量密度變化。
通過調(diào)節(jié)下列因素中的至少一項，可以使磁通量密度差B1大于磁通量密度差B2，從而使得磁通量密度差B1變得大于磁通量密度差B2或更大包含在記錄介質(zhì)中的磁性線的數(shù)量、磁性線的長度和與磁性線長度方向垂直的方向上的截面寬度。
此外，磁性線在與長度方向垂直的方向上的截面優(yōu)選地具有圓形形狀，并且磁性線在長度方向上的長度與磁性線的直徑的比值優(yōu)選地是100或更大。
記錄介質(zhì)還可以包括紙制基材和包含磁性線的基材。
基材可以是多層的。
多層基材可以通過將磁性線散布在不包含磁性線的紙層之間來制備。
多層基材可以包括包含磁性線的紙層和將包含磁性線的紙層夾在中間的不包含磁性線的多個紙層。
記錄介質(zhì)可以包括紙制基材、包含磁性線的基材和涂層。
磁性線可以用絕緣層來覆蓋。
絕緣層可以由氣相沉積方法來形成。
磁性線的直徑可以小于記錄介質(zhì)的厚度。
將首先介紹在根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)中使用的記錄介質(zhì)的材料和層結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝。
如圖1所示，用于在本發(fā)明中使用的記錄介質(zhì)10包含磁性線12和紙質(zhì)基材14。記錄介質(zhì)10包含一個或更多個磁性線12。
根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)并沒有特殊的限制，只要它包含紙質(zhì)基材14和磁性線12即可，但是可以根據(jù)需要包含其它各種不同的材料。用在本發(fā)明中的記錄介質(zhì)10可以僅僅包含紙質(zhì)基材14和磁性線12，但是也可以根據(jù)需要具有處于基材表面上的涂層。
—基材和涂層—基材的層結(jié)構(gòu)并沒有具體限制，可以是單層或者2層或更多層的多層，但是實踐中優(yōu)選地是2或3層的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)基材具有兩層時，將磁性線12散布在交界區(qū)域內(nèi)。另選地，當(dāng)基材具有三層時，優(yōu)選地將磁性線12散布在一個層內(nèi)，該層夾在不包含磁性線12的其它兩層之間。因為在基材是單層時，磁性線12處于基材表面附近，所以優(yōu)選地要形成涂層來使存在于基材表面上的磁性線12從外面幾乎看不見。
單層基材可以通過對包含原料紙14和磁性線12的原料進(jìn)行片狀成形處理來制備，并且，例如，紙質(zhì)介質(zhì)可以通過使用包含用于紙質(zhì)基材14的磁性線12的紙漿并且根據(jù)通用的造紙方法對紙漿進(jìn)行片狀成形來制備。另選地，也可以通過公知的樹脂片成形方法來制備樹脂介質(zhì)，例如，通過使用合成物(該合成物通過對用于紙質(zhì)基材14的熱塑樹脂和磁性線12的混合物進(jìn)行熱熔擠壓而制備)，并對該合成物進(jìn)行注模處理來制備。
再另選地，如圖10A所示，可以通過將磁性線12放在之前制備的基材16的一個表面上并且將另一個基材層疊在上面來制備雙層基材。在層疊期間，可以使用粘接劑來粘接基材，或者在紙質(zhì)基材14是由熱塑樹脂制成的時候，可以使用通過熱處理進(jìn)行的基材熱熔。
當(dāng)在生產(chǎn)基材的過程中將磁性線12放在層間的交界面上的時候，可以分成這樣的步驟制備該基材將磁性線12放在成片步驟中獲得的紙漿片(濕紙)的一個表面上并且層疊另一個濕紙漿片。
如圖10B所示，三層基材可以例如通過使用上面介紹的包含散布的磁性線12的單層基材(或濕紙)和兩個不包含磁性線12的基材(或濕紙)16，16并且根據(jù)上面介紹的方式對這些材料進(jìn)行層疊來制備。
涂層在其功能和材料方面并沒有特殊的限制，并且涂層的一個示例是，在圖像是通過電子照相工藝形成的時候，該涂層是為了獲得具有光滑圖像表面并且由圖像表面上的色粉造成的表面粗糙程度較低的光紙相片圖像或銀鹽照片類圖像而形成的圖像接收層。另選地，當(dāng)基材具有上面介紹的單層結(jié)構(gòu)時，可以形成使基材表面上的磁性線12從外面幾乎看不到的涂層，并且該涂層還可以具有另外的功能，例如，作為上面介紹的圖像接收層。
該涂層是根據(jù)公知的涂覆方法借助施膠壓榨工藝(size pressprocess)、墊片上漿(shim size)、閘輥式涂覆機(jī)、輥式涂覆機(jī)、刮棒涂覆機(jī)、氣刀涂覆機(jī)、棒狀刮刀涂覆機(jī)或者刮刀涂覆機(jī)，通過在基材上施加包含用于涂層的原料的涂覆溶液來形成的。
—紙質(zhì)基材—根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)10中使用的紙質(zhì)基材14(記錄介質(zhì)(基材)10的主要材料)并沒有特殊的限制，只要能夠?qū)⑵浼庸こ珊穸群蛷姸冗m合于在諸如電子照相記錄和噴墨記錄之類的公知記錄處理中使用的薄片即可。例如，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的一個方面的記錄介質(zhì)10是紙時，它是紙漿纖維；當(dāng)記錄介質(zhì)是樹脂薄片時，它是樹脂；而當(dāng)記錄介質(zhì)是諸如鋁箔之類的金屬薄片時，它是金屬。
—磁性線—包含在本發(fā)明中使用的記錄介質(zhì)10中的磁性線12就其成分而言并沒有特殊的限制，只要它是由具有造成大巴克豪森效應(yīng)的屬性的磁性材料制成并且形成為具有特定長度的線狀即可。
在下文中，將簡要介紹大巴克豪森效應(yīng)。圖2示出了用于介紹大巴克豪森效應(yīng)的曲線圖。大巴克豪森效應(yīng)是一種劇烈的磁通量反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，這種現(xiàn)象出現(xiàn)在具有B-H特性(即，具有圖2A中所示的幾近矩形的滯后回線和相對較小的矯頑力(Hc))的材料放在交變磁場中的時候。
用作磁性線12的磁性材料的成分是，例如，磁性元素的合金，比如Co-Fe-Ni；過渡金屬、玻璃形成元素，比如Si、B、C或P；和該磁性材料是，例如，Co-Fe-Ni-B-Si的非晶體磁性材料。具有在組成元素的成分方面和制備方法方面不同的各種不同的磁性特性的各種不同的材料都可以用作根據(jù)本發(fā)明的一個方面的磁性線12中使用的磁性材料。包含上述元素的非晶體合金的色調(diào)并不因此取決于元素的組分。
磁性線12的形狀并沒有特殊的限制，只要它適合于產(chǎn)生大巴克豪森效應(yīng)即可，但是要產(chǎn)生大巴克豪森效應(yīng)，需要一定的長度/截面面積比，因此，優(yōu)選地，形狀為線狀或帶形，更優(yōu)選地，是線狀。
磁性線12可以這樣使用將它們散布在記錄介質(zhì)10中，但是優(yōu)選地用絕緣層(下文中稱為絕緣層)對其進(jìn)行覆蓋，以防止散布在記錄介質(zhì)10中的磁性材料的大巴克豪森效應(yīng)遭到抑制。
用作絕緣層的材料并沒有特殊限制，只要它是公知的絕緣材料即可，比如可以使用樹脂或玻璃。當(dāng)使用樹脂作為絕緣材料時，樹脂優(yōu)選地是耐熱聚亞胺樹脂。
形成絕緣層的方法并沒有特殊限制，可以依照用于形成絕緣層的材料從公知的薄膜形成方法中適當(dāng)選擇，這些薄膜形成方法包括氣相沉積方法，比如濺鍍、CVD(化學(xué)汽相沉積)和真空沉積；液相涂覆方法，比如浸鍍、輥涂、噴涂和通過使用溶膠凝膠工藝進(jìn)行的涂覆；但是對于形成均勻和較薄的絕緣層而言，氣相沉積方法較好?？梢詭缀踉诖判圆牧限D(zhuǎn)換成線狀的同時形成絕緣層，并且，例如，可以在借助氣相沉積方法(例如CVD)將磁性材料的線條由熔融狀態(tài)制備出來之后、在磁性線條12進(jìn)行冷卻的同時，立即將絕緣層形成在磁性材料的線條上。
—紙制介質(zhì)—下文中，將會更加詳細(xì)地介紹根據(jù)本發(fā)明的一個方面的記錄介質(zhì)10是紙制介質(zhì)時的情況。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的一個方面的記錄介質(zhì)10是紙制介質(zhì)時，可以通過使用本質(zhì)上與公知的紙介質(zhì)采用的材料和工藝相同的材料和工藝來制備記錄介質(zhì)，只是要包含磁性線，并且如上所述根據(jù)需要會使用具有二或三層的多層結(jié)構(gòu)的基材。
在這樣的情況下，記錄介質(zhì)10的厚度優(yōu)選地處于60到110μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地，處于60到80μm的范圍內(nèi)，這與普通的紙介質(zhì)相似。
本發(fā)明中使用的基材至少包含紙漿纖維作為主原料，并且可以是下面將要介紹的基材或者是用顏料或粘合劑做過基材表面處理的普通紙張。
所述基材包含紙漿纖維；可以使用任何一種公知的紙漿纖維；并且其典型的例子包括化學(xué)紙漿和其它纖維材料，化學(xué)紙漿比如漂白硬木硫酸鹽紙槳(Kraft pulp)、未漂白硬木硫酸鹽紙槳、漂白軟木硫酸鹽紙槳、未漂白軟木硫酸鹽紙槳、漂白硬木亞硫酸鹽紙槳、未漂白硬木亞硫酸鹽紙槳、漂白軟木亞硫酸鹽紙槳和未漂白軟木亞硫酸鹽紙槳；通過對諸如木頭、棉花、麻、韌皮之類的纖維材料進(jìn)行化學(xué)處理制備的紙漿。
此外，也可以使用通過對木頭和木屑進(jìn)行機(jī)械制漿而制備的原木紙漿、通過對經(jīng)過化學(xué)浸泡的木頭和木屑進(jìn)行機(jī)械制漿而制備的化學(xué)機(jī)械紙漿、通過對在勻漿機(jī)中預(yù)先進(jìn)行了熏蒸而得到輕微軟化的木屑進(jìn)行制漿而制備的熱機(jī)械紙漿等等。這些紙漿可以由原漿制得，或者如果需要的話，可以用原漿與廢紙紙漿相結(jié)合來制得。
尤其是，如果使用原漿，則優(yōu)選地借助僅使用二氧化氯而不使用氯氣的方法(無元素氯ECF)或者借助使用臭氧/過氧化氫等而不使用氯化合物的方法(整體無氯TCF)來對原漿進(jìn)行漂白。
廢紙紙漿的原料包括在出版社、印刷所、剪切工廠等地方產(chǎn)生的切割下來的、弄壞了的和尺寸不規(guī)整的極高質(zhì)量、高質(zhì)量、中等白色、下等白色和其它白紙的未印刷廢紙；經(jīng)過印刷或復(fù)印的高質(zhì)量廢紙，比如非木紙張或非木涂布紙(coated woodfree paper)；印有諸如水基或油基墨水之類的墨水或者帶有鉛筆字的廢紙；包含印刷非木紙、非木涂布紙、含木紙或含木涂布紙的廣告頁的廢報紙；和含木紙、含木涂布紙、木質(zhì)紙的廢紙等等。
本發(fā)明中使用的基材優(yōu)選地是至少借助臭氧或過氧化氫漂白處理之一漂白過的原料廢紙紙漿。為了獲得潔白度較高的記錄紙張，優(yōu)選地使利用上述漂白處理獲得的廢紙的混合比例處于按質(zhì)量50％到100％的范圍內(nèi)。此外，從資源再利用的角度出發(fā)，上述廢紙紙漿的混合比例優(yōu)選地處按于質(zhì)量70％到100％的范圍內(nèi)。
臭氧處理使通常包含在無木紙中的熒光染料等分解，而過氧化氫漂白處理防止由脫墨工藝中使用的堿金屬造成的發(fā)黃。尤其是，這兩種處理的組合使用使得廢紙脫墨更加容易并且提高了同時獲得的紙漿潔白度。此外，該處理還分解并消除殘留在紙漿中的氯化合物，因此對減少用氯進(jìn)行了漂白的廢紙中的有機(jī)鹵素化合物的含量。
除了紙漿纖維之外，可以將添加劑添加到原紙(base paper)中，用來調(diào)節(jié)原紙的不透明度、潔白度和表面光潔度。優(yōu)選地使用非鹵素添加劑，特別是如果希望降低記錄紙的鹵素含量的話。
可用添加劑的例子包括白色無機(jī)顏料，比如重碳酸鈣、輕質(zhì)碳酸鈣、白堊、高嶺土、煅燒粘土、滑石粉、硫酸鈣、硫酸鋇、二氧化鈦、氧化鋅、硫酸鋅、碳酸鋅、硅酸鋁、硅酸鈣、硅酸鎂、合成氧化硅(syntheticsilica)、氫氧化鋁、氧化鋁、絹云母(sericite)、白碳墨、皂石、鈣蒙脫土、鈉蒙脫土和膨潤土；和有機(jī)顏料，比如丙烯酸塑料顏料、聚乙烯和尿素樹脂(urea resin)。如果將廢紙紙漿與原紙混合，則應(yīng)當(dāng)通過預(yù)先估測包含在原廢紙紙漿中的灰分來調(diào)節(jié)廢紙紙漿的混合量。
此外，優(yōu)選地在本發(fā)明中使用的基材中加入內(nèi)部上漿劑。內(nèi)部上漿劑的例子包括中性片材成形工藝中使用的那些內(nèi)部上漿劑，比如中性松香基上漿劑、烯基琥珀酸酐(alkenylsuccinic anhydride，ASA)、烷基烯酮二聚物(AKD)和石油樹脂基上漿劑。
當(dāng)希望將基材的表面改造成陽離子性時，可以使用親水陽離子樹脂等作為陽離子物質(zhì)來對表面進(jìn)行處理，并且在施加陽離子樹脂之前的上漿度優(yōu)選地是10秒或更長并且小于60秒，以便抑制這種陽離子樹脂滲入到紙中。
此外，可以根據(jù)需要在原材料內(nèi)部或外部加入紙張強度改進(jìn)劑。
紙張強度改進(jìn)劑的例子包括淀粉、改性淀粉(modified starch)、植物膠、羧甲基纖維素、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、尿素甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛樹脂、雙醛淀粉、聚乙烯亞胺、環(huán)氧聚酰胺、聚酰胺-表氯醇樹脂、亞甲醇改性聚酰胺、脫乙酰殼多糖衍生物等等；并且這些材料可用單獨使用或組合使用。
此外，可以根據(jù)需要使用諸如染料和pH調(diào)節(jié)劑之類的通常用在紙介質(zhì)中的各種添加劑。
在制備基材的步驟之后或者對片材成形之后獲得的紙漿薄片進(jìn)行烘干之后，可以通過根據(jù)上面介紹的方式將磁性材料分散在層的交界面上或者將其散布在層內(nèi)來制備用在本發(fā)明中的基材。
所獲得的基材可以用表面上漿溶液來加以拋光，并且可以根據(jù)需要在其上形成涂層。表面處理可以通過使用本領(lǐng)域中通常使用的涂覆單元(比如，施膠機(jī)、墊片上漿機(jī)、閘輥、輥式涂覆機(jī)、刮條涂覆機(jī)、氣刀涂覆機(jī)、棒狀刮刀涂覆機(jī)或者刮刀涂覆機(jī))涂覆表面上漿溶液來進(jìn)行。
此外，可以在基材上形成包含作為基本材料的顏料和粘接劑的涂層，以便為根據(jù)本發(fā)明的一個方面的記錄介質(zhì)提供類似于傳統(tǒng)涂層紙的紋理，并且還通過第四種掩蔽方法使磁性材料從外面幾乎看不到。
涂層中使用的顏料的例子包括一般的涂布紙上使用的普通顏料，比如礦物顏料(包括重碳酸鈣、輕質(zhì)碳酸鈣、二氧化鈦、氫氧化鋁、緞光白、滑石粉、硫酸鈣、硫酸鋇、氧化鋅、氧化鎂、碳酸鎂、非晶體二氧化硅、硅膠、白碳墨、高嶺土、燒結(jié)高嶺土、分層粘土、鋁硅酸鹽、絹云母、膨潤土、蒙脫土等)和有機(jī)顏料(比如聚苯乙烯樹脂細(xì)粒、尿素甲醛樹脂細(xì)粒和空心細(xì)粒)；并且這些顏料可以單獨使用或組合使用。
涂層中使用的粘接劑例如是合成粘接劑或天然粘接劑。
合成粘接劑的例子包括共聚物粘接劑，比如苯乙烯-丁二烯(styrene-butadiene)、苯乙烯丙烯酸、乙烯-醋酸乙烯酯、丁二烯-甲基丙烯酸甲酯或醋酸乙烯酯-丙烯酸丁酯；聚乙烯醇、順丁烯二酸酐共聚物(maleic anhydride copelymer)、丙烯酸-甲基丙烯酸甲酯共聚物等等。依據(jù)應(yīng)用情況，可以使用這些合成粘接劑中的一種或更多種。相對于顏料的100質(zhì)量％，優(yōu)選地使用處于5到50質(zhì)量％的范圍之內(nèi)的粘接劑量，更優(yōu)選地，接近10到30質(zhì)量％。
天然粘接劑的例子包括公知的粘接劑，比如氧化淀粉、酯化淀粉、酶改性淀粉、通過急驟干燥獲得的冷水可溶淀粉、酪蛋白、大豆蛋白等等。對于顏料的100質(zhì)量％，這種粘接劑的用量在0.1到50質(zhì)量％的范圍內(nèi)，大約2到30質(zhì)量％更優(yōu)選。
此外，可以根據(jù)需要使用通常會混合到用于涂布紙的顏料中的各種不同的添加劑，比如分散劑、增稠劑、保濕液、防沫劑和防水劑。
這樣制備的包含上面介紹的成分的涂料組分是在制備涂布紙通常使用的涂覆機(jī)器(比如刮刀涂覆機(jī)、氣刀涂覆機(jī)、輥式涂覆機(jī)、反轉(zhuǎn)輥式涂覆機(jī)、刮條涂覆機(jī)、簾式涂覆機(jī)、?？诳p涂覆機(jī)或照相凹版式涂覆機(jī))中在基材上聯(lián)機(jī)或脫機(jī)地涂覆成單層或多層結(jié)構(gòu)。涂覆量在正常情況下是按照干燥重量大約5到50g/m2每面，不過也可以高于上述范圍，以使本發(fā)明中的磁性材料從外部幾乎看不到。
涂覆薄膜的光滑處理優(yōu)選地在通常使用的磨光機(jī)(smoothingmachine)中進(jìn)行，例如通過超級壓光(super calendering)、機(jī)器壓光(machine calendering)或者軟線壓光(soft nip calendering)來進(jìn)行光滑處理，并且優(yōu)選地將涂布紙磨光成具有30％或更大的白紙光澤度。
如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20包含在預(yù)定管制區(qū)域22中使用的記錄介質(zhì)10和防止將記錄介質(zhì)10帶出管制區(qū)域22的門裝置34。
門裝置34形成在管制區(qū)域22的入口和出口處。
如圖4和5所示，各個門裝置34是分別用兩個門柱46和48形成在管制區(qū)域22的入口和出口處的。這里形成有在門柱46和48之間開關(guān)的合葉雙開門(hinged double door)44。
根據(jù)這種方式，將具有形成在門柱46和48之間的合葉雙開門44的門裝置34構(gòu)成為用于防止用戶攜帶著記錄介質(zhì)10通過管制區(qū)域22的入口或出口。
如圖4和6所示，門裝置34包含激勵線圈56(作為磁場產(chǎn)生單元，在彼此相互面對的門柱46和48之間的區(qū)域26(下文中稱為特定區(qū)域)內(nèi)產(chǎn)生交變磁場)和檢測裝置55(作為檢測單元，檢測靠近特定區(qū)域26的區(qū)域內(nèi)不低于預(yù)定磁通量密度差B2的磁通量密度變化)。
雖然這里在本實施例中介紹的是激勵線圈56和檢測裝置55分別形成在門柱46和48中的情況，但是僅僅需要使激勵線圈56位于能夠在特定區(qū)域26中產(chǎn)生交變磁場的區(qū)域內(nèi)，因此可以不形成在門柱46和48中。
還在門柱46和48之一上安裝了報警器50，用于例如使用聲音(比如警鈴)或燈光來報警。
激勵線圈56與用于向激勵線圈56供應(yīng)交變電流的電源58電連接，并且例如通過向激勵線圈56供應(yīng)1kHz的AC電壓，可以在特定區(qū)域26中產(chǎn)生交變磁場。
檢測裝置55具有檢測線圈54(與根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)的脈沖檢測單元相對應(yīng))和檢測單元52(與根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)的磁通量密度差檢測單元相對應(yīng))。檢測線圈54可傳輸信號地與檢測單元52相連接。
雖然在本實施例中介紹的是激勵線圈56和檢測裝置55分別形成在門柱46和48中的情況，但是僅需要將激勵線圈56安裝在能夠在特定區(qū)域26內(nèi)產(chǎn)生交變磁場的區(qū)域內(nèi)，因此可以不形成在門柱46和48中。類似地，檢測裝置55僅需要使包含在檢測裝置55中的檢測線圈54(在下面介紹)處于靠近特定區(qū)域26的區(qū)域內(nèi)；并且因此，檢測裝置55中包含的檢測線圈54之外的裝置可以不形成在門柱46和48中，只要它們靠近特定區(qū)域26即可。
檢測線圈54檢測特定區(qū)域26中磁場的波動。具體來說，當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時，檢測線圈54檢測因記錄介質(zhì)10中包含的各磁性線12中的磁性材料的磁性造成的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖。
當(dāng)檢測線圈54檢測到的磁通量密度差(即，由包含在記錄介質(zhì)10中的多個磁性線12中的磁性材料的磁性產(chǎn)生的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖造成的電流的總和)不低于預(yù)定的磁通量密度差B2時，檢測單元52檢測到磁通量密度的變化。
當(dāng)通過將來自電源58的交變電流施加給激勵線圈56而在特定區(qū)域26中產(chǎn)生了交變磁場并且將記錄介質(zhì)10放在該交變磁場中時，包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12中的磁性材料的磁通量發(fā)生反轉(zhuǎn)，如圖2(a)所示，造成磁通量密度產(chǎn)生變化；并且在檢測線圈54中流過強度(電流)與磁通量變化相當(dāng)?shù)拿}沖電流。
例如，當(dāng)激勵線圈56在特定區(qū)域26中產(chǎn)生了圖2B上面的曲線圖中所示的交變磁場時，象圖2B的下面的曲線圖中所示的那樣的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖的脈沖電流在檢測線圈54中流過，這一脈沖電流是由記錄介質(zhì)10中的磁性線12的大巴克豪森效應(yīng)感生的。
不過，因為由交變磁場引起的交變電流也包含在檢測線圈54中流過的電流中，所以脈沖電流是以它們疊加在該交變電流上的形式檢測到的。由于這個原因，將各個檢測線圈54構(gòu)成為“8”字形，以便僅僅檢測由包含在記錄介質(zhì)10中的各磁性線12中的磁性材料的磁通量反轉(zhuǎn)造成的磁通量密度變化。
如果象本發(fā)明中使用的記錄介質(zhì)10那樣有多個磁性線12包含在記錄介質(zhì)10中，當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中(即，放在交變磁場中)時，檢測線圈54會檢測到圖2C中所示的與多個脈沖電流疊加的電流。
這樣，由檢測裝置55檢測到的包含多個磁性線12的記錄介質(zhì)10的磁通量密度差是在將記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時檢測到的多個脈沖電流的積分值。
這樣，根據(jù)在將記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時由檢測線圈54檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖而獲得的磁通量密度差B1是在將記錄介質(zhì)10帶入和帶出特定區(qū)域26時，在激勵磁場從零開始到峰值并且然后再返回到零的周期期間，檢測線圈54中流過的脈沖電流的積分值。
檢測單元52具有高通濾波器(下文中稱為HPF)52A、積分器52B、ADC 52C和CPU 52D。
檢測線圈54檢測到的脈沖電流經(jīng)過HPF 52A到達(dá)積分器52B并且在積分器52B中對其進(jìn)行積分，并且將結(jié)果得到的信號經(jīng)由ADC 52C以數(shù)字信號的形式輸出到CPU 52D。
HPF 52A從由檢測線圈54輸出的脈沖電流中除掉由交變磁場感生的電流，例如由電源58施加給激勵線圈56的交變電流分量，并且僅允許強度對應(yīng)于包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12中的磁性材料的磁通量反轉(zhuǎn)的脈沖電流通過。
通過對經(jīng)通過了HPF 52A的脈沖電流進(jìn)行積分，積分器52B將磁通量密度差(即，在將記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時檢測到的記錄介質(zhì)10中流動的多個脈沖電流的積分值)輸出到ADC 52C，作為代表由檢測裝置55檢測到的包含多個磁性線12的記錄介質(zhì)10的磁通量密度差的模擬信號。
積分的時間是由CPU 52D控制的，并且積分是針對各記錄介質(zhì)10進(jìn)行的。
ADC 52C是將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換器，并且將代表由積分器52B積分出來的磁通量密度差的模擬信號以數(shù)字信號的形式輸出給CPU 52D。
如果當(dāng)從ACD 52C輸入了信號時，不管輸入到CPU 52D中的代表磁通量密度差的信號有多大，CPU 52D都判定有記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中，那么當(dāng)把記錄介質(zhì)10之外的其它介質(zhì)或另一種磁性材料放在特定區(qū)域26中的時候或者當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26之外的時候，它有可能錯誤地判定記錄介質(zhì)10放在了特定區(qū)域26中。因此，CPU 52D將磁通量密度差B2預(yù)先設(shè)定為用于判斷記錄介質(zhì)10是否放在特定區(qū)域26中的閾值。
依據(jù)本實施例，當(dāng)從ADC 52C輸入了強度不小于該閾值(即，磁通量密度差B2)的代表磁通量密度變化的信號的時候，CPU 52D判定有記錄介質(zhì)10放在了特定區(qū)域26中。
因此，如圖7A所示，如果當(dāng)檢測到了不小于磁通量密度差B2的磁通量密度變化的時候，檢測裝置55判定有記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中，那么如果記錄介質(zhì)10不包含使得不小于磁通量密度差B2的磁通量密度變化能夠得以檢測到的磁性線12，則即使當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中分出的多個區(qū)域261到26n中的任何一個區(qū)域內(nèi)的時候，也很難判定有記錄介質(zhì)10放在了特定區(qū)域26中。
不過，即使當(dāng)把同樣的記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時，當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在遠(yuǎn)離檢測線圈54的安裝位置的區(qū)域內(nèi)的時候，檢測裝置55檢測到的磁通量密度差會小于把記錄介質(zhì)10放在靠近檢測線圈54的安裝位置的區(qū)域內(nèi)的時候檢測到的磁通量密度差。
因此，要考慮這樣一種現(xiàn)象的產(chǎn)生即使在將相同的記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時，如果把記錄介質(zhì)10放在靠近檢測線圈54的安裝位置的區(qū)域62內(nèi)，則檢測裝置55能夠檢測到記錄介質(zhì)10，但是如果將記錄介質(zhì)10放在遠(yuǎn)離檢測線圈54的區(qū)域60內(nèi)，則檢測裝置55不會檢測到記錄介質(zhì)10，如圖7所示。
由于這一原因，在本發(fā)明中，對在根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20中使用的記錄介質(zhì)10中包含的磁性線12的數(shù)量、直徑和長度之一做出了規(guī)定，以使得在將記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中的任何位置上的時候，由檢測單元52根據(jù)檢測線圈54在安裝位置檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖確定的磁通量密度差B1都不會小于預(yù)先確定的磁通量密度變化B2(即，用于檢測記錄介質(zhì)10的閾值)。
為了提高檢測裝置55對記錄介質(zhì)10的檢測精度并且即使在安裝環(huán)境產(chǎn)生改變的情況下也能夠保持該檢測精度，磁通量密度差B1特別優(yōu)選地是磁通量密度差B2(檢測裝置55檢測記錄介質(zhì)10所使用的閾值)的兩倍或更多倍。
當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中時，檢測裝置55檢測到的磁通量密度差會隨著包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12的數(shù)量的增大或者隨著各個磁性線12的截面直徑或長度的增大而變大。
因此，優(yōu)選地對包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12的數(shù)量、直徑和長度的至少其中之一做出規(guī)定，以使得檢測系統(tǒng)滿足上述關(guān)系。
磁性線12的直徑應(yīng)當(dāng)小于記錄介質(zhì)10的厚度，這是為了將磁性線12散布在記錄介質(zhì)10中，防止記錄介質(zhì)10表面上的或靠近表面的區(qū)域內(nèi)的磁性線12暴露出來，并且從生產(chǎn)能力的角度出發(fā)，也會有這樣的要求。一般來說，記錄介質(zhì)10的厚度是60μm到200μm，所述直徑不應(yīng)大于該厚度。
例如，為了在厚度接近90μm的記錄介質(zhì)10中使用，所述直徑優(yōu)選地為80μm或更小，50μm或更小更為優(yōu)選。當(dāng)以這種方式對磁性線12的直徑進(jìn)行了規(guī)定時，優(yōu)選地對包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12的數(shù)量和長度之一或二者進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使檢測系統(tǒng)滿足前述關(guān)系。
此外，磁性線12的長度優(yōu)選地比磁性線12直徑大100倍或更大，更為優(yōu)選地大500倍或更大，更更優(yōu)選地大1000倍或更大。
磁性線12的長度與磁性線12的直徑的比值小于100可能會導(dǎo)致線棒本身在長度方向上的磁化強度降低，造成對退磁場的敏感度更大的問題。不過，當(dāng)磁性線12的長度與磁性線12的直徑的比值為100或更大時，可能會降低退磁場的影響并且能夠利用大部分磁性線12的大巴克豪森效應(yīng)。
在下文中，將介紹門裝置34的功能。
在本示范性實施例中，假設(shè)CPU 52D可傳輸信號地與安裝在門裝置34中的各種裝置相連，包括報警器50和圖中未示出的驅(qū)動單元，該驅(qū)動單元用于打開和關(guān)閉形成在門裝置34中的合葉雙開門，并且CPU 52D對門裝置34進(jìn)行控制；但是也可以在門裝置34中單獨形成用于控制門裝置34的控制單元。在這種情況下，該控制單元可傳輸信號地與CPU 52D、報警器50和包含在驅(qū)動單元中的其它單元相連。
在這樣的配置方案下，當(dāng)用戶攜帶根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)10通過門裝置34的特定區(qū)域26并且走出管制區(qū)域22時，具有磁通量密度差B1的信號經(jīng)由門裝置34的檢測線圈54輸入到門裝置34的CPU 52D中。
CPU 52D判斷所輸入的磁通量密度差B1是否不低于預(yù)定磁通量密度差B2，當(dāng)磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2時，控制圖中未示出的驅(qū)動單元關(guān)閉合葉雙開門44，或者當(dāng)磁通量密度差B1低于磁通量密度差B2時，控制驅(qū)動單元打開合葉雙開門44。
因此，當(dāng)用戶攜帶著根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)10通過門裝置34的特定區(qū)域26并且走出管制區(qū)域22時，能夠禁止用戶通過門裝置34并且防止將根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)10帶出管制區(qū)域22之外的區(qū)域。
此外，當(dāng)磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2時，CPU 52D命令報警器50發(fā)出報警聲。因此能夠警示門裝置34附近的人有人正在將根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)10帶出管制區(qū)域22。
如上所述，利用根據(jù)本發(fā)明的一個方面的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20，即使當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在特定區(qū)域26中分出的多個分區(qū)中的任何一個分區(qū)內(nèi)的時候，也能夠精確地檢測到記錄介質(zhì)10，這是因為對在記錄介質(zhì)10中包含的磁性線12的數(shù)量、直徑和長度中的至少一項做出了規(guī)定，以使當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20的特定區(qū)域26中的時候，在檢測單元52中根據(jù)在檢測線圈54的安裝位置處檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖確定的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2(檢測記錄介質(zhì)10所用的閾值)。
在本示例性實施例中，介紹了這樣的一種情況對包含在記錄介質(zhì)10中的磁性線12的數(shù)量、直徑和長度中的至少一項做出了規(guī)定，以使當(dāng)把記錄介質(zhì)10放在記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20的特定區(qū)域26中的時候，在檢測單元52中根據(jù)在檢測線圈54的安裝位置處檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖確定的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2(檢測記錄介質(zhì)10所用的閾值)，但是此外也可以對下列因素中的至少一項加以規(guī)定，以使檢測系統(tǒng)滿足前述條件檢測線圈54的匝數(shù)、檢測線圈54的大小和激勵線圈56產(chǎn)生的交變磁場的強度。
示例在下文中，將參照示例詳細(xì)介紹根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)20，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于這些示例。
<例1>
—磁性線—可以用長度為25mm并且直徑大約30μm的磁性非晶體鐵鈷線(Hc＝70A/m或更小)作為磁性線。
然后，根據(jù)下面的方法在磁性線上形成厚度大約3到5μm的絕緣層，以給出經(jīng)涂覆的磁性線。
—絕緣層的形成—絕緣層是這樣制備的將磁性非晶體鐵鈷材料在熔融狀態(tài)下擠壓成線條并且立即使該磁性線條通過嚴(yán)格密封的腔室，在該腔室中，利用CVD在磁性線條上形成二氧化硅薄膜。
—記錄介質(zhì)的制備—在通過在Niagara打漿機(jī)(由Kumagai Riki Kogyo制造)中對按質(zhì)量100份的寬幅漂白硫酸鹽紙漿(LBKP)的紙漿進(jìn)行打漿而獲得的游離度為420ml的紙漿中，對于按質(zhì)量每100份的紙漿纖維固體物質(zhì)，分別加入按質(zhì)量15份的輕質(zhì)碳酸鈣(Tamapearl TP-121，由Okutama Kogyo Co.，Ltd.制造)、按質(zhì)量0.1份的硫酸鋁、按質(zhì)量0.8份的陽離子淀粉(商品名MS4600，由Nihon Shokuhin Kagaku Kogyo Co.，Ltd.制造)和按質(zhì)量0.3份的烯基琥珀酸酐(Fiblan 81，由National Starch & ChemicalJapan Co.Ltd.制造)；并且用白水稀釋這一混合物，以給出固體物質(zhì)濃度為0.3質(zhì)量％的紙漿。
在攪拌2小時之后，在Oriented Sheet Former(由Kumagai RikiKogyo制造)中以1.5kg/cm2的噴射壓力和700m/min(米/分鐘)的滾筒旋轉(zhuǎn)速度對紙漿進(jìn)行片狀成形處理；從所得的濕紙中切下兩個A4大小的紙張，并且將一張疊放在另一張上。在疊放之前，將18條上面介紹的長度為25mm的經(jīng)涂覆磁性線均勻散布在一張濕紙上的黏合面上的A4區(qū)域上(見圖8中的記錄介質(zhì)10A)。
隨后，通過使用方形片材壓床2570(由Kumagai Riki Kogyo制造)在10kg/cm2的壓力下對兩張濕紙的復(fù)合體加壓3分鐘。
然后，在上漿壓力機(jī)中將氧化淀粉(AceB，由Oji Cornstarch Co.，Ltd.制造)涂覆在濕紙上，涂覆量要達(dá)到2.5g/m2(按干重量)，并且在干燥之后，通過機(jī)器壓光對所得的紙張進(jìn)行表面處理形成30秒的Oken型光滑度，以給出具有大約52g/m2的基本重量的基材，該基材用作例1的記錄介質(zhì)。
<對比例1>
以與例1類似的方式制備記錄介質(zhì)，只是在一張濕紙的粘合面上的A4區(qū)域內(nèi)以8條的數(shù)量散布長度為25mm的磁性線(與例1中一樣的磁性線)(見圖8中的記錄介質(zhì)10B)。
<對比例2>
根據(jù)與例1類似的方式制備記錄介質(zhì)，只是在一張濕紙的粘合面上的A4區(qū)域內(nèi)以4條的數(shù)量散布長度為25mm的磁性線(與例1中一樣的磁性線)(見圖8中的記錄介質(zhì)10C)。
<對比例3>
以與例1類似的方式制備記錄介質(zhì)，只是在一張濕紙的粘合面上的A4區(qū)域內(nèi)以1條的數(shù)量散布長度為25mm的磁性線(與例1中一樣的磁性線)(見圖8中的記錄介質(zhì)10D)。
安裝在門柱46中的檢測線圈54與安裝在門柱48中的檢測線圈54之間的距離是90cm，并且各個檢測線圈54是以兩個直徑為30cm的橢圓形、平行四邊形或者兩個形成為“8”字形的圓形的形狀安裝在門柱46或48中的。
此外，將大約1kHz并且2到3V的交變電流施加給激勵線圈56，以使磁通量密度差B2變?yōu)?V或更大(在經(jīng)過133dB的放大器放大之后)。
使上面介紹的例1和對比例1到3中制備的各個記錄介質(zhì)通過特定區(qū)域26中的各個分區(qū)(沿著門柱46和48彼此面對的方向和沿著與門柱46和48彼此面對的方向垂直的方向在特定區(qū)域26中分出的大約100個區(qū)域)，同時將記錄介質(zhì)的基材表面保持在與門柱46和48彼此面對的方向相同的方向上并且在與門柱46和48彼此面對的方向垂直的方向上移動記錄介質(zhì)。
當(dāng)例1中的記錄介質(zhì)通過特定區(qū)域26中的任何一個分區(qū)時，門裝置34都檢測到了它(見圖7A)。
另一方面，當(dāng)對比例1到3中制備的記錄介質(zhì)通過特定區(qū)域26時，在多個分區(qū)中，門裝置34檢測不到對比例1到3中制備的記錄介質(zhì)，分別如圖7B、9A和9B所示。
從圖7B、9A和9B中可以看出，當(dāng)記錄介質(zhì)通過特定區(qū)域26時，隨著包含在記錄介質(zhì)中的磁性線的數(shù)量降低，會有越來越多的分區(qū)不會被門裝置34檢測到，即，按照對比例3、2、1的順序越來越多。
這樣，通過規(guī)定包含在記錄介質(zhì)中的磁性線的數(shù)量，使得即使在將記錄介質(zhì)放在特定區(qū)域26中的任何分區(qū)中時，也能由門裝置34檢測到該記錄介質(zhì)，根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)記錄介質(zhì)的精確檢測的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，包括磁場產(chǎn)生單元，用于在預(yù)定特定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生交變磁場；靠近所述特定區(qū)域設(shè)置的檢測單元，用于檢測不小于預(yù)定磁通量密度差B2的磁通量密度變化；記錄介質(zhì)，包含多個由磁性材料制成并且形成為具有預(yù)定長度的線狀的磁性線，在施加交變磁場的時候，這些磁性線會引發(fā)大巴克豪森效應(yīng)；其中，在將記錄介質(zhì)放在所述特定區(qū)域內(nèi)的時候，由檢測單元在安裝位置檢測到的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，當(dāng)把特定區(qū)域分為多個區(qū)域并且將記錄介質(zhì)置于各個分區(qū)中時，在檢測單元中在安裝位置處檢測到的磁通量密度差B1不低于磁通量密度差B2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，檢測單元還包括靠近所述特定區(qū)域設(shè)置的脈沖檢測單元，用于檢測在磁性材料的通量由交變磁場反轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖；和磁通量密度差檢測單元，用于根據(jù)由脈沖檢測單元檢測到的磁通量反轉(zhuǎn)脈沖檢測不低于磁通量密度差B2的磁通量密度變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，預(yù)先對包含在記錄介質(zhì)中的磁性線的數(shù)量、長度和在與磁性線的長度方向垂直的方向上的截面的直徑中的至少一項做出規(guī)定，以使磁通量密度差B1等于或大于磁通量密度差B2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，磁性線在與長度方向垂直的方向上的截面基本上為圓形形狀，并且磁性線在長度方向上的長度與磁性線的直徑的比值為大約100或更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，記錄介質(zhì)還包括紙制基材和包含磁性線的基材。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，基材是多層的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，所述多層基材是通過將磁性線散布在不包含磁性線的紙層之間來制備的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，所述多層基材包括包含磁性線的紙層和將包含磁性線的紙層夾在中間的不包含磁性線的多個紙層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中記錄介質(zhì)包括紙制基材、包含磁性線的基材和涂層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中磁性線用絕緣層來覆蓋。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，絕緣層是借助氣相沉積方法來形成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，其中，磁性線的直徑小于記錄介質(zhì)的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種記錄介質(zhì)檢測系統(tǒng)，具有磁場產(chǎn)生單元，用于在預(yù)定特定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生交變磁場；靠近所述特定區(qū)域設(shè)置的檢測單元，用于檢測不小于預(yù)定磁通量密度差B2的磁通量密度變化；記錄介質(zhì)，包含多個由磁性材料制成并且形成為具有預(yù)定長度的線狀的磁性線，在施加交變磁場的時候，這些磁性線會引發(fā)大巴克豪森效應(yīng)；并且在將記錄介質(zhì)放在所述特定區(qū)域內(nèi)的時候，由檢測單元在安裝位置檢測到的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2。
文檔編號G01R33/12GK1991402SQ20061010174
公開日2007年7月4日 申請日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日
發(fā)明者山口昭治, 黃田保憲, 高橋邦廣, 布施真理雄, 松田司 申請人:富士施樂株式會社