專利名稱：識別方法與識別系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種識別方法及系統(tǒng)，且特別涉及一種用以識別與半導(dǎo)體基板有關(guān)的缺陷圖像的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
每個半導(dǎo)體集成電路晶片中皆包括多個芯片。芯片經(jīng)由晶片制造廠中的多個加工工藝制造而成。每個加工工藝步驟都會造成一些缺陷，例如質(zhì)量與可靠度的問題、失敗以及產(chǎn)量的減少。為了改善制造技術(shù)以及提升芯片(晶片)質(zhì)量、可靠度以及產(chǎn)量，使用故障分析法(failure mode analysis)來測量、測試、監(jiān)視以及分析半導(dǎo)體晶片。上述分析法包括缺陷圖案識別(defect patternrecognition)。然而，目前所實施的缺陷圖案識別依賴建立復(fù)雜的識別規(guī)則或復(fù)雜的模型，因而效率較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種識別方法，用以識別半導(dǎo)體基板的缺陷圖像。識別方法包括通過測試與測量半導(dǎo)體基板而收集缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從缺陷數(shù)據(jù)中提取圖案；歸一化圖案的位置、方位與尺寸；以及于圖案歸一化后識別圖案。
根據(jù)所述的識別方法，其中該缺陷圖像包括分布于該半導(dǎo)體基板上的微粒以及超過該半導(dǎo)體基板的預(yù)定錯誤標準的參數(shù)分布的其中之一，且收集該缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測量機臺、制造廠、測試廠以及上述的組合的群組中挑選的制造系統(tǒng)來收集數(shù)據(jù)。
根據(jù)所述的識別方法，其中從該缺陷數(shù)據(jù)中提取該圖案包括通過至少一預(yù)定標準從該缺陷數(shù)據(jù)中濾掉低密度的缺陷；以及從該缺陷數(shù)據(jù)中隔離該圖案。
根據(jù)所述的識別方法，其中歸一化該圖案包括重新設(shè)置該圖案使其密度位于中心點；旋轉(zhuǎn)該圖案至預(yù)定線條的方位；以及調(diào)整該圖案的尺寸，使該圖案符合預(yù)定尺寸。
根據(jù)所述的識別方法，其中該預(yù)定線條包括連接該圖案中具有最大間距的兩個缺陷點的線條，且調(diào)整該圖案包括縮放該圖案使得該預(yù)定線條縮放至該預(yù)定尺寸。
根據(jù)所述的識別方法，其中識別該圖案包括在歸一化該圖案后，從該圖案中提取參數(shù)；以及將該圖案配對至數(shù)據(jù)庫中的每個缺陷圖案。
根據(jù)所述的識別方法，其中識別該圖案包括在歸一化該圖案后，從該圖案中提取多個參數(shù)；以及通過具有從該圖案中所提取的該參數(shù)的預(yù)定公式分析該圖案。
再者，本發(fā)明提供一種識別方法，適用于識別與基板有關(guān)的缺陷圖像。識別方法包括通過測試與測量基板而收集缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從缺陷數(shù)據(jù)中將圖案隔離；歸一化圖案；從歸一化圖案中提取多個參數(shù)；以及通過歸一化圖案與提取出的參數(shù)識別圖案。歸一化圖案包括重新設(shè)置圖案使其密度中心位于中心點；旋轉(zhuǎn)圖案至預(yù)定方位；以及將圖案的尺寸調(diào)整到統(tǒng)一尺寸。
根據(jù)所述的識別方法，其中該基板從具有半導(dǎo)體晶片、光阻以及液晶顯示器的群組中所挑選而得。
根據(jù)所述的識別方法，其中該缺陷圖像從具有微粒分布、同軸錯誤分布以及測試錯誤分布的群組中所挑選而得。
根據(jù)所述的識別方法，其中收集該缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測試機臺、制造廠、測試廠以及該組合的群組中所挑選的制造系統(tǒng)收集缺陷數(shù)據(jù)。
根據(jù)所述的識別方法，其中隔離圖案包括通過預(yù)定標準從該缺陷數(shù)據(jù)中濾除低密度缺陷。
根據(jù)所述的識別方法，其中識別該圖案包括通過預(yù)定公式分析該圖案。
再者，本發(fā)明提供一種識別系統(tǒng)，適用于識別半導(dǎo)體基板上的缺陷圖案，包括輸入模塊、圖案轉(zhuǎn)換機以及圖案識別模塊。輸入模塊用以收集形成于半導(dǎo)體基板上的缺陷圖像。圖案轉(zhuǎn)換機用以歸一化圖案的位置、方位以及尺寸，其中圖案從缺陷圖像中提取。圖案識別模塊用以在圖案轉(zhuǎn)換機歸一化圖案之后識別圖案。
根據(jù)所述的識別系統(tǒng)，還包括噪聲過濾器，用以排除該缺陷圖像中的低密度缺陷；特征提取模塊，用以在該圖案歸一化后提取適用于該圖案識別模塊的該圖案中的多個參數(shù)；以及輸出模塊，用以給使用者呈現(xiàn)該圖案識別模塊中的數(shù)據(jù)。
因此，本發(fā)明提供的用以識別半導(dǎo)體基板上的缺陷圖像的識別系統(tǒng)與識別方法能提高識別效率。


圖1A顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的執(zhí)行缺陷圖案識別的方法的簡化流程圖。
圖1B顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的歸一化缺陷圖案的簡化流程圖。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的圖案轉(zhuǎn)換機的方框圖，圖案轉(zhuǎn)換機可用以實現(xiàn)圖1A與圖1B的方法。
圖3A至圖3F顯示在缺陷圖案識別的不同階段時，具有缺陷的基板的示意圖。
圖4顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的使用圖2所示的轉(zhuǎn)換機的虛擬制造系統(tǒng)的方框圖。
其中，附圖標記說明如下200 缺陷圖案識別系統(tǒng)202 數(shù)據(jù)收集器204 噪聲過濾模塊206 圖案轉(zhuǎn)換機208 特征提取模塊210 圖案識別模塊212 通信接口230 工程師240 網(wǎng)絡(luò)300 基板310、312、314 缺陷圖像316 散布缺陷322 方框
400 虛擬制造系統(tǒng)402 服務(wù)系統(tǒng)404 客戶406 工程師408 測量機臺410 制造廠412 測試廠416 虛擬制造場418 網(wǎng)絡(luò)414 缺陷圖案識別系統(tǒng)具體實施方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下實施例以下將介紹根據(jù)本發(fā)明所述的較佳實施例。必須說明的是，本發(fā)明提供了許多可應(yīng)用的發(fā)明概念，所揭示的特定實施例僅是說明達到以及使用本發(fā)明的特定方式，不可用以限制本發(fā)明的范圍。
圖1A顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的用以識別在半導(dǎo)體制造廠的基板加工工藝中所形成的基板上的缺陷圖案的方法100的簡化流程圖。方法100開始于步驟112，收集基板上缺陷圖像的原始數(shù)據(jù)(raw data)?；蹇梢詾榘雽?dǎo)體晶片、掩?；蚴瞧渌澹缭陲@示器制造廠中所處理的薄膜晶體管液晶顯示器(thin-film-transistor liquid crystal display，TFT-LCD)基板。以晶片為例，晶片可經(jīng)過半導(dǎo)體制造廠中的多個加工工藝而在晶片上形成數(shù)個芯片，每個芯片包括實用的集成電路(functional integrated circuit)。每個加工工藝步驟皆可在晶片上形成缺陷，包括實體缺陷、電性缺陷或是其它形式的缺陷。實體缺陷可包括刮痕(scratches)、污染(contamination)與微粒、碎屑以及裂痕。電性缺陷可包括短路、斷開線路(open line)以及超過規(guī)定的電性參數(shù)(例如薄片電阻)。通過測量機臺(metrology tool)(例如檢測儀器以及/或探針測試工具)可檢查并且測量這些缺陷。提取分散于晶片的缺陷可形成缺陷圖像，缺陷圖像可包括至少一缺陷圖案。缺陷圖案可有關(guān)于某種失效機制(failuremechanism)。識別缺陷圖案可有助于故障分析法并且確認引起缺陷的根本原因(root cause identification)。
參照圖2，用以提取缺陷數(shù)據(jù)的測量機臺可包括電性、光學(xué)以及分析工具，例如顯微鏡、微分析工具、線寬測量工具、掩模與缺陷標線工具、微粒分布工具、表面分析工具、應(yīng)力分析工具、電阻率與接觸電阻測量工具、流動性與載子濃度測量工具、接面深度測量工具、薄膜厚度測量工具、柵極氧化物完整性測試工具、C-V測量工具、聚焦式離子束顯微鏡(Focused Ion Beam，F(xiàn)IB)以及其它測試與測量工具。
在執(zhí)行檢查、測量以及/或測試后，至少一測量機臺可收集晶片上的缺陷的圖像。圖2所示的缺陷圖案識別系統(tǒng)200中的數(shù)據(jù)收集器202可用以收集缺陷數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)收集器202可包括用以從測量機臺提取并存儲缺陷數(shù)據(jù)的硬件與軟件。數(shù)據(jù)收集器的硬件可包括或與不同的測量機臺結(jié)合。圖3A顯示根據(jù)本發(fā)明實施例所述的具有一種缺陷形成上的半導(dǎo)體基板300，其中特定種類的缺陷形成缺陷圖像310。
在方法100的步驟114中通過缺陷圖案識別系統(tǒng)200中的噪聲過濾模塊204過濾缺陷圖像而排除噪聲。在一個實施例中，當缺陷群組的密度低于預(yù)定標準時(例如圖3B的散布缺陷(scattered defect)316)可視為噪聲并且被排除于噪聲圖像之外。接下來，可更進一步地估計缺陷圖像而將缺陷圖像上的至少一缺陷圖像分開，例如圖3B中被圈選的缺陷圖像312與314。值得注意的是，缺陷圖像可具有不同的尺寸、不同的位置、不同的方位以及不同的幾何圖形(例如線狀、弧形、一組放射狀線條、環(huán)形以及半環(huán)形)。圖3B所示的缺陷圖像312與314為線狀缺陷。分開的圖像可被標示，且每次會有一個圖像會被選取用以執(zhí)行圖像轉(zhuǎn)換以及圖像識別。接下來，下一個圖像會被選取并且重復(fù)上述步驟，直到所有被標示的圖像皆被使用為止。如圖3C所示。選取并且隔離缺陷圖像312來說明下面的圖像分析步驟。
在方法100的步驟116中執(zhí)行圖案轉(zhuǎn)換程序而將圖案的位置、方位以及尺寸歸一化。通過缺陷圖案識別系統(tǒng)200的圖案轉(zhuǎn)換機206可執(zhí)行圖案轉(zhuǎn)換。圖1B為步驟116的圖案轉(zhuǎn)換程序的詳細步驟。
參照圖1B，步驟116的圖案轉(zhuǎn)換程序包括子步驟130，用以計算缺陷圖案的中心點并且移動缺陷圖案，如此一來即可將缺陷圖案的中心點設(shè)定于原點。例如，可將缺陷圖案312移動至如圖3D所示的位置。只要缺陷圖案被隔離，缺陷圖案與基板之間便沒有任何關(guān)系。缺陷圖案的中心點可根據(jù)缺陷圖案中，各缺陷的位置以相同權(quán)值或是以其它特定權(quán)值所求得的平均位置來定義。接下來，在圖案轉(zhuǎn)換程序116的子步驟132中旋轉(zhuǎn)缺陷圖案，如此一來可將缺陷圖案旋轉(zhuǎn)至特定方位。例如，可將缺陷圖案132旋轉(zhuǎn)是如圖3E所示的方位。特定方位可定義為連接缺陷圖案中相距最遠的兩個缺陷點的直線。缺陷圖案可以順時鐘旋轉(zhuǎn)，如此一來特定方位可以為水平的方向。接下來，在圖案轉(zhuǎn)換程序116的子步驟134中重新調(diào)整缺陷圖案的尺寸，如此一來缺陷圖案會剛好在預(yù)先定義的限制(或預(yù)先定義的區(qū)域)內(nèi)。例如，可調(diào)整缺陷圖案312的尺寸(例如在垂直的方向上擴大或縮小比例)，使其恰好位于圖3F所示的預(yù)先定義的方框322內(nèi)。因此，在方法100接下來的步驟中將缺陷圖案歸一化，用以更進一步地對圖案執(zhí)行處理。
接下來，方法100的步驟118通過缺陷圖案識別系統(tǒng)200的特征提取模塊208從歸一化缺陷圖案中提取至少一特征。特征提取程序可提取出圖案參數(shù)，例如平均圖案密度、核心圖案密度、邊緣圖案密度、寬/長比、相對面積(定義為歸一化缺陷圖案相對于預(yù)先定義的限制(例如方框322)的面積)以及面積/圓周比。提取出的參數(shù)可用于如步驟120所述的缺陷圖案識別。
方法100的步驟120根據(jù)歸一化缺陷圖案以及/或提取參數(shù)來識別缺陷圖案。圖案識別程序通過缺陷圖案識別系統(tǒng)200的圖案識別模塊210執(zhí)行，且圖案識別程序還由具有多個標準缺陷圖案以及/或多個缺陷圖案規(guī)則的數(shù)據(jù)庫所支持。缺陷圖案識別可以模型、規(guī)則或結(jié)合上述兩者為基礎(chǔ)。在一實施例中，歸一化缺陷圖案與存儲于數(shù)據(jù)庫中的每個標準缺陷圖案執(zhí)行比對，直到其中一個標準缺陷圖案被預(yù)定的標準所接受。上述比對可根據(jù)例如差距函數(shù)(discrepancy function)在預(yù)定限制內(nèi)所有點的總和的公式而執(zhí)行。在另一實施例中，提取出的參數(shù)可合并為用以估計與識別圖案的公式。在另一實施例中，每個缺陷圖案規(guī)則可用以判斷缺陷圖案的提取參數(shù)，直到缺陷圖案被識別為標準缺陷圖案的一個或是直到所有的缺陷圖案規(guī)則皆被拒絕。在另一實施例中通過合并兩個或更多的上述方法來識別缺陷圖案。
缺陷圖案識別程序的步驟120所產(chǎn)生的結(jié)果可通過缺陷圖案識別系統(tǒng)200的通信接口212提供給使用者(例如工程師230)。
方法100接著回到步驟116對另一個被標示的缺陷圖案(例如圖3B中的314)重復(fù)上述步驟，直到所有被標示的缺陷圖案皆被使用。
缺陷圖案識別系統(tǒng)200可包括連接至局域網(wǎng)絡(luò)240的軟件或硬件，其更可連接至虛擬制造廠或部分虛擬制造廠(下面會有更詳細的說明)。每個功能模塊與系統(tǒng)200的不同功能可被設(shè)定用以實現(xiàn)缺陷圖案識別。
由于將缺陷圖案執(zhí)行歸一化，因此缺陷圖案識別可以被簡化并且為更有效率的設(shè)計。例如，將具有不同位置、方位以及尺寸的相同的缺陷圖案執(zhí)行歸一化，并且作為相同的缺陷圖案。例如，缺陷圖案312與314皆可被識別為線型的缺陷圖案。必須與位置、方位與尺寸的缺陷圖案差異有關(guān)的規(guī)則與公式的數(shù)量可以被縮小并且被排除。
圖4顯示虛擬IC制造系統(tǒng)(virtual fab)400。虛擬IC制造系統(tǒng)400可與圖3的缺陷圖案識別系統(tǒng)300結(jié)合。虛擬IC制造系統(tǒng)400包括與通信網(wǎng)路418連接的多個實體402、404、406、408、410、412、414、416...N。網(wǎng)絡(luò)418可以為單一網(wǎng)絡(luò)或是多種不同的網(wǎng)絡(luò)(例如內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)以及因特網(wǎng))，并且可包括有線與無線通信信道。
在此實施例中，實體402代表用以提供合作與規(guī)定(provision)的服務(wù)，實體404代表客戶，實體406代表工程師，實體408代表用以測試并測量IC的測量機臺，實體410代表制造廠，實體412代表測試廠，實體414代表缺陷圖案識別系統(tǒng)且實體416代表其它的虛擬制造廠(例如屬于子公司或生意伙伴的虛擬制造廠)。每個實體可與其它實體互動，且可提供服務(wù)至其它實體以及/或從其它實體接收服務(wù)。
為了說明的目的，可將每個實體402-416視為形成部分虛擬制造廠400的內(nèi)部實體(例如工程師、客服人員、自動化系統(tǒng)程序、設(shè)計廠或制造廠等)，或是可視為與虛擬制造廠400有互動的外部實體(例如客戶)。值得注意的是，實體402-416可以集中于同一個位置或可以為分開的，且一些實體可與其它實體合并。此外，每個實體402-416可與系統(tǒng)識別信息有關(guān)，其可存取系統(tǒng)中的信息，其中系統(tǒng)由與每個實體識別信息有關(guān)的授權(quán)層次(authority level)所控制。
如同提供服務(wù)一樣，虛擬制造廠400為了制造IC而使實體402-416之間的互動。在此實施例中，IC制造包括接受客戶的IC命令并且產(chǎn)生命令I(lǐng)C(ordered IC)相關(guān)操作并傳送至客戶，例如IC的設(shè)計、制造、測試以及運送。
在設(shè)計、策劃、物流(logistics)以及缺陷控制方面，由虛擬制造廠400所提供的一項服務(wù)可促使合作與數(shù)據(jù)存取。例如，在設(shè)計的方面，客戶404可通過服務(wù)系統(tǒng)402提供對產(chǎn)品設(shè)計的數(shù)據(jù)的存取以及相關(guān)的工具。工具可促使客戶404執(zhí)行產(chǎn)量提升分析，檢視布局信息以及取得類似的信息。在策劃的方面，工程師406可通過有關(guān)導(dǎo)向產(chǎn)量趨勢(pilot yield runs)、風(fēng)險分析、質(zhì)量與可靠度的制造信息與其它工程師合作。在物流的方面，可提供制造狀態(tài)、測試結(jié)果、命令管理以及運輸日期給客戶404。在缺陷控制的方面，工程師406可通過網(wǎng)絡(luò)418提供對缺陷圖案識別系統(tǒng)414與其它來源(例如測量機臺408、制造廠410以及測試廠)的存取而執(zhí)行缺陷圖案程序。必須注意的是，上述這些方面僅作為本發(fā)明的實施例，通過虛擬制造廠400可提供更多或更少必要的信息。
由虛擬制造廠400所提供的另一項服務(wù)可將系統(tǒng)與工廠整合，例如將測量機臺408與制造廠410整合。這樣的整合使設(shè)備協(xié)調(diào)其活動(activity)。例如，整合測試機臺408與制造廠410可更有效率的使制造信息與制造程序結(jié)合，并且可使來自測試機臺的晶片數(shù)據(jù)送回制造廠410，用以改善并整合。
因此，本發(fā)明揭示一種識別方法，用以識別半導(dǎo)體基板的缺陷圖像。識別方法包括通過測試與測量半導(dǎo)體基板而收集缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從缺陷數(shù)據(jù)中提取圖案；歸一化圖案的位置、方位與尺寸；以及于圖案歸一化后識別圖案。
在其它實施例中，缺陷圖像可包括分布于半導(dǎo)體基板上的微粒。缺陷圖像可包括半導(dǎo)體基板上超過預(yù)定錯誤標準的參數(shù)的分布。收集缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測量機臺、制造廠、測試廠以及上述的組合的群組中所選挑選的制造系統(tǒng)來收集數(shù)據(jù)。從缺陷數(shù)據(jù)中提取圖案包括通過至少一預(yù)定標準從缺陷數(shù)據(jù)中濾掉低密度的缺陷；以及從缺陷數(shù)據(jù)中將圖案隔離。歸一化圖案包括重新設(shè)置圖案使其密度位于中心點；旋轉(zhuǎn)圖案至預(yù)定線條的方位；以及調(diào)整圖案的尺寸，使圖案符合預(yù)定尺寸。預(yù)定線條包括連接圖案中具有最大間距的兩個缺陷點的線條。調(diào)整圖案包括縮放圖案使得預(yù)定線條縮放至預(yù)定尺寸。識別圖案包括在歸一化圖案后，從圖案中提取參數(shù)；以及將圖案配對至數(shù)據(jù)庫中的每個缺陷圖案。識別圖案包括在歸一化圖案后，從圖案中提取多個參數(shù)；以及通過具有從圖案中所提取的參數(shù)的預(yù)定公式分析圖案。
本發(fā)明更揭示另一種識別方法，適用于識別與基板有關(guān)的缺陷圖像。識別方法包括通過測試與測量基板而收集缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從缺陷數(shù)據(jù)中將圖案隔離；歸一化圖案；從歸一化圖案中提取多個參數(shù)；以及通過歸一化圖案與提取出的參數(shù)識別圖案。歸一化圖案包括重新設(shè)置圖案使其密度中心位于中心點；旋轉(zhuǎn)圖案至預(yù)定方位；以及將圖案的尺寸調(diào)整到統(tǒng)一尺寸。
在此方法中，基板從具有半導(dǎo)體晶片、光阻以及液晶顯示器的群組中所挑選而得。缺陷圖像從具有微粒分布、同軸錯誤分布以及測試錯誤分布的群組中所挑選而得。收集缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測試機臺、制造廠、測試廠以及上述組合的群組中所挑選的制造系統(tǒng)收集缺陷數(shù)據(jù)。隔離圖案包括通過預(yù)定標準從缺陷數(shù)據(jù)中濾除低密度缺陷。識別圖案包括通過預(yù)定公式分析圖案。
在另一實施例中揭示一種識別系統(tǒng)，適用于識別半導(dǎo)體基板上的缺陷圖案，包括輸入模塊、圖案轉(zhuǎn)換機以及圖案識別模塊。輸入模塊用以收集形成在半導(dǎo)體基板上的缺陷圖像。圖案轉(zhuǎn)換機用以歸一化圖案的位置、方位以及尺寸，其中圖案從缺陷圖像中所提取。圖案識別模塊用以在圖案轉(zhuǎn)換機歸一化圖案之后識別圖案。
此處所揭示的系統(tǒng)還包括噪聲過濾器，用以排除缺陷圖像中的低密度缺陷。此處所揭示的系統(tǒng)還包括特征提取模塊，用以在圖案歸一化后提取適用于圖案識別模塊的圖案中的多個參數(shù)。此處所揭示的系統(tǒng)還包括輸出模塊，用以給使用者呈現(xiàn)圖案識別模塊中的數(shù)據(jù)。
本發(fā)明雖以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種識別方法，用以識別與半導(dǎo)體基板有關(guān)的缺陷圖像，包括通過測試與測量該半導(dǎo)體基板收集該缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從該缺陷數(shù)據(jù)中提取圖案；歸一化該圖案的位置、方位與尺寸；以及在該圖案歸一化后識別該圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別方法，其中該缺陷圖像包括分布于該半導(dǎo)體基板上的微粒以及超過該半導(dǎo)體基板的預(yù)定錯誤標準的參數(shù)分布的其中之一，且收集該缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測量機臺、制造廠、測試廠以及上述的組合的群組中所挑選的制造系統(tǒng)來收集數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別方法，其中從該缺陷數(shù)據(jù)中提取該圖案包括通過至少一預(yù)定標準從該缺陷數(shù)據(jù)中濾掉低密度的缺陷；以及從該缺陷數(shù)據(jù)中隔離該圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別方法，其中歸一化該圖案包括重新設(shè)置該圖案使其密度位于中心點；旋轉(zhuǎn)該圖案至預(yù)定線條的方位；以及調(diào)整該圖案的尺寸，使該圖案符合預(yù)定尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的識別方法，其中該預(yù)定線條包括連接該圖案中具有最大間距的兩個缺陷點的線條，且調(diào)整該圖案包括縮放該圖案使得該預(yù)定線條縮放至該預(yù)定尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別方法，其中識別該圖案包括在歸一化該圖案后，從該圖案中提取參數(shù)；以及將該圖案配對至數(shù)據(jù)庫中的每個缺陷圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別方法，其中識別該圖案包括在歸一化該圖案后，從該圖案中提取多個參數(shù)；以及通過具有從該圖案中所提取的該參數(shù)的預(yù)定公式分析該圖案。
8.一種識別方法，適用于識別與基板有關(guān)的缺陷圖像，包括通過測試與測量該基板收集該缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)；從該缺陷數(shù)據(jù)中隔離圖案；歸一化該圖案，包括重新設(shè)置該圖案使其密度中心位于中心點；旋轉(zhuǎn)該圖案至預(yù)定方位；以及將圖案的尺寸調(diào)整到統(tǒng)一尺寸；從該歸一化圖案中提取多個參數(shù)；以及通過該歸一化圖案與提取出的該參數(shù)識別該圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識別方法，其中該基板從具有半導(dǎo)體晶片、光阻以及液晶顯示器的群組中所挑選而得。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識別方法，其中該缺陷圖像從具有微粒分布、同軸錯誤分布以及測試錯誤分布的群組中所挑選而得。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識別方法，其中收集該缺陷數(shù)據(jù)包括通過從具有測試機臺、制造廠、測試廠以及該組合的群組中所挑選的制造系統(tǒng)收集缺陷數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識別方法，其中隔離圖案包括通過預(yù)定標準從該缺陷數(shù)據(jù)中濾除低密度缺陷。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的識別方法，其中識別該圖案包括通過預(yù)定公式分析該圖案。
14.一種識別系統(tǒng)，適用于識別半導(dǎo)體基板上的缺陷圖案，包括輸入模塊，用以收集形成于該半導(dǎo)體基板上的缺陷圖像；圖案轉(zhuǎn)換機，用以歸一化圖案的位置、方位以及尺寸，其中該圖案從該缺陷圖像中所提??；以及圖案識別模塊，用以在該圖案轉(zhuǎn)換機歸一化該圖案之后識別該圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的識別系統(tǒng)，還包括噪聲過濾器，用以排除該缺陷圖像中的低密度缺陷；特征提取模塊，用以在該圖案歸一化后提取適用于該圖案識別模塊的該圖案中的多個參數(shù)；以及輸出模塊，用以給使用者呈現(xiàn)該圖案識別模塊中的數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明揭示用以識別半導(dǎo)體基板上的缺陷圖像的識別系統(tǒng)與識別方法。根據(jù)實施例所述的識別方法包括通過測試與測量半導(dǎo)體基板而收集缺陷圖像的缺陷數(shù)據(jù)，從缺陷數(shù)據(jù)中提取圖案，歸一化圖案的位置、方位以及尺寸，在歸一化圖案后識別圖案。因此，本發(fā)明能提高識別效率。
文檔編號G01N21/956GK101026113SQ200610107809
公開日2007年8月29日 申請日期2006年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月21日
發(fā)明者林宸霆, 周志成, 吳志宏, 張家華 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司