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晶片測(cè)試方法

文檔序號(hào):6115687閱讀:408來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:晶片測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試方法,尤其涉及一種晶片測(cè)試方法。
背景技術(shù)
目前在晶片(wafer)測(cè)試中,一般的做法是預(yù)先把被測(cè)晶片的信息(測(cè) 試mapping (映象),同測(cè)數(shù)量及方向等)和晶片測(cè)試時(shí)探針臺(tái)系統(tǒng)托盤
(probe station chuck)的走向存儲(chǔ)到服務(wù)器上;測(cè)試晶片時(shí),探針臺(tái) 系統(tǒng)(probe station)從服務(wù)器上取得晶片的品種參數(shù),探針臺(tái)系統(tǒng)根 據(jù)制定好的走向信息進(jìn)行定位,然后扎針,探針臺(tái)系統(tǒng)把要測(cè)試的die
(wafer上的晶圓)數(shù)和可以開始測(cè)試的信息發(fā)送給測(cè)試儀,測(cè)試儀收到 信息和命令后開始測(cè)試, 一個(gè)step (移動(dòng)位置)測(cè)試結(jié)束后,測(cè)試儀把 測(cè)試結(jié)果發(fā)送回探針臺(tái)系統(tǒng);探針臺(tái)系統(tǒng)把針移開,根據(jù)走向信息探針臺(tái) 系統(tǒng)把針移到相應(yīng)的位置(下一個(gè)st印),扎針,測(cè)試,如此探針移動(dòng)位 置循環(huán)直到wafer測(cè)試結(jié)束。在設(shè)定探針臺(tái)系統(tǒng)的走向信息往往是通過(guò)人 工進(jìn)行設(shè)置的,其缺點(diǎn)是明顯的,如下所示
1、 通過(guò)人工設(shè)定走向信息,依賴人員的經(jīng)驗(yàn)和多次試驗(yàn)才能確定。 這種方法浪費(fèi)人力,而且,最后計(jì)算出來(lái)的走向不一定是最優(yōu)化的。
2、 當(dāng)計(jì)算出來(lái)的走向信息不是最優(yōu)化時(shí),且wafer上晶圓的數(shù)目較 多時(shí),因?yàn)樽呦虻年P(guān)系,在同測(cè)時(shí),造成較多的冗余扎針次數(shù),從而浪費(fèi) 較多的測(cè)試時(shí)間。
目前在探針臺(tái)系統(tǒng)中能設(shè)置的走向?yàn)樯舷潞妥笥业淖呦蚍绞?如圖1
和圖2所示),而當(dāng)探針卡為斜線排列同測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí)(如圖4所示),要比 探針卡為矩形排列同測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí)(如圖3所示),在wafer測(cè)試中會(huì)導(dǎo)致 更多的冗余扎針次數(shù),從而浪費(fèi)較多的測(cè)試時(shí)間。當(dāng)探針卡為斜線排列同 測(cè)的設(shè)計(jì)時(shí),探針臺(tái)系統(tǒng)托盤設(shè)置為斜線走向方式(如圖5所示)為最優(yōu) 化走向方式,在目前的探針臺(tái)系統(tǒng)中不能設(shè)置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種晶片測(cè)試方法,采用該方法能實(shí) 現(xiàn)對(duì)晶片測(cè)試的最優(yōu)化,減少了在同測(cè)時(shí)對(duì)晶片的扎針次數(shù),有效減少產(chǎn) 品測(cè)試時(shí)間,提高測(cè)試效率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種晶片測(cè)試方法,包括如下步驟: 步驟l,根據(jù)晶片及探針卡的信息,計(jì)算同測(cè)時(shí)探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的最 短走向;
步驟2,測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB (通用接口總線)接口給 探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令,控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向;
步驟3,探針臺(tái)系統(tǒng)取得測(cè)試儀的走向信息后,探針臺(tái)系統(tǒng)托盤移動(dòng) 到的相應(yīng)位置,扎針,然后探針臺(tái)系統(tǒng)給測(cè)試儀發(fā)送可以開始測(cè)試的信息;
步驟4,測(cè)試儀收到開始測(cè)試的命令后,測(cè)試程序開始測(cè)試,測(cè)試完 畢后,把測(cè)試結(jié)果和一個(gè)移動(dòng)位置測(cè)試結(jié)束的命令發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng),探 針臺(tái)系統(tǒng)收到信息后,把針移開,等待接收下一個(gè)移動(dòng)位置的坐標(biāo)信息;
步驟5,探針臺(tái)系統(tǒng)和測(cè)試儀重復(fù)步驟2至步驟4的操作,直到測(cè)試
儀給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送整枚晶片測(cè)試完畢的信息。
步驟2中所述的測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB接口給探針臺(tái)系
統(tǒng)發(fā)送命令具體為探針臺(tái)系統(tǒng)裝載好晶片后,給測(cè)試儀發(fā)送等待接收坐 標(biāo)信息的命令;測(cè)試儀接收到可以發(fā)送坐標(biāo)信息的命令后,根據(jù)測(cè)試的走 向信息取得一個(gè)移動(dòng)位置的坐標(biāo)參數(shù)信息,然后測(cè)試儀把坐標(biāo)信息通過(guò) GPIB接口發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng)。
本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明利用軟件自動(dòng)計(jì)算wafer測(cè)試的最 短走向,然后測(cè)試儀把走向的方式通過(guò)GPIB接口給探針卡系統(tǒng)發(fā)送命令, 控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向,實(shí)現(xiàn)對(duì)wafer測(cè)試的最優(yōu)化,減少了在同測(cè) 時(shí)對(duì)wafer的扎針次數(shù),從而縮短了 wafer的測(cè)試時(shí)間,提高了測(cè)試效率, 節(jié)省了人力成本。


圖1是現(xiàn)有的探針臺(tái)系統(tǒng)托盤上下走向方式示意圖2是現(xiàn)有的探針臺(tái)系統(tǒng)托盤左右走向方式示意圖3是現(xiàn)有的探針卡同測(cè)普通排列方式示意圖-,.
圖4是現(xiàn)有的探針卡同測(cè)斜線排列方式示意圖5是本發(fā)明中控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤斜線走向方式示意圖6是本發(fā)明中控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤其它走向方式示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。 本發(fā)明提供一種晶片測(cè)試方法,包括如下步驟 1.自動(dòng)計(jì)算wafer測(cè)試的最短走向。
針對(duì)每個(gè)wafer品種和探針卡同測(cè)的排列方式及同測(cè)數(shù)目,使用軟件
計(jì)算wafer的走向方式,并得出wafer扎針次數(shù)最少的走向方式(最短走 向)。將Wafer測(cè)試的最短走向信息保存為文件。 2.測(cè)試儀控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向。
(1) 探針臺(tái)系統(tǒng)裝載好wafer后,給測(cè)試儀發(fā)送等待接收坐標(biāo)信息 (扎針位置)的命令。
(2) 測(cè)試儀接收到可以發(fā)送坐標(biāo)信息的命令后,根據(jù)測(cè)試的走向信 息取得第一個(gè)st印的坐標(biāo)參數(shù)信息,然后測(cè)試儀把坐標(biāo)信息通過(guò)GPIB 接口發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng)。
(3) 探針臺(tái)系統(tǒng)取得測(cè)試儀得走向信息后,探針臺(tái)系統(tǒng)托盤移動(dòng)到 wafer的相應(yīng)位置,扎針,然后探針臺(tái)系統(tǒng)給測(cè)試儀發(fā)送可以開始測(cè)試的 信息。
(4) 測(cè)試儀收到開始測(cè)試的命令后,測(cè)試程序開始測(cè)試,測(cè)試完畢 后,把測(cè)試結(jié)果和一個(gè)st印測(cè)試結(jié)束的命令發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng)。探針臺(tái) 系統(tǒng)收到信息后,把針移開,等待接收下一個(gè)st印的坐標(biāo)信息。
(5) 測(cè)試儀根據(jù)測(cè)試的走向信息取得下一個(gè)st印的坐標(biāo)參數(shù)信息, 然后測(cè)試儀把坐標(biāo)信息通過(guò)GPIB接口發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng)。
(6) 探針臺(tái)系統(tǒng)和測(cè)試儀重復(fù)步驟3至步驟5的操作,直到測(cè)試儀 給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送整枚wafer測(cè)試完畢的信息。
(7) 如果探針臺(tái)系統(tǒng)還有待測(cè)的wafer,重復(fù)步驟1至步驟6的操 作直到所有wafer測(cè)試完畢。
在wafer的測(cè)試中,還可以根據(jù)需要控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向?qū)?wafer進(jìn)行測(cè)試(如圖5所示的斜線走向方式,或者如圖6所示的其他走向方式)。
權(quán)利要求
1、一種晶片測(cè)試方法,其特征在于,包括如下步驟步驟1,根據(jù)晶片及探針卡的信息,計(jì)算同測(cè)時(shí)探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的最短走向;步驟2,測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB接口給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令,控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向;步驟3,探針臺(tái)系統(tǒng)取得測(cè)試儀的走向信息后,探針臺(tái)系統(tǒng)托盤移動(dòng)到的相應(yīng)位置,扎針,然后探針臺(tái)系統(tǒng)給測(cè)試儀發(fā)送可以開始測(cè)試的信息;步驟4,測(cè)試儀收到開始測(cè)試的命令后,測(cè)試程序開始測(cè)試,測(cè)試完畢后,把測(cè)試結(jié)果和一個(gè)移動(dòng)位置測(cè)試結(jié)束的命令發(fā)送給探針臺(tái)系統(tǒng),探針臺(tái)系統(tǒng)收到信息后,把針移開,等待接收下一個(gè)移動(dòng)位置的坐標(biāo)信息;步驟5,探針臺(tái)系統(tǒng)和測(cè)試儀重復(fù)步驟2至步驟4的操作,直到測(cè)試儀給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送整枚晶片測(cè)試完畢的信息。
2、 如權(quán)利要求l所述的晶片測(cè)試方法,其特征在于,步驟2中所述 的測(cè)試儀把走向方式的信息通過(guò)GPIB接口給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令具體 為探針臺(tái)系統(tǒng)裝載好晶片后,給測(cè)試儀發(fā)送等待接收坐標(biāo)信息的命令; 測(cè)試儀接收到可以發(fā)送坐標(biāo)信息的命令后,根據(jù)測(cè)試的走向信息取得一個(gè) 移動(dòng)位置的坐標(biāo)參數(shù)信息,然后測(cè)試儀把坐標(biāo)信息通過(guò)GPIB接口發(fā)送給 探針臺(tái)系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片測(cè)試方法,包括如下步驟首先,根據(jù)晶片及探針卡的信息,計(jì)算同測(cè)時(shí)探針的最短走向;然后,測(cè)試儀把走向的方式通過(guò)GPIB(通用接口總線)接口給探針臺(tái)系統(tǒng)發(fā)送命令,控制探針臺(tái)系統(tǒng)托盤的走向,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片測(cè)試的最優(yōu)化。采用本方法減少了在同測(cè)時(shí)對(duì)晶片的扎針次數(shù),能有效減少產(chǎn)品測(cè)試時(shí)間,提高測(cè)試效率。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101169461SQ200610117430
公開日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2006年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月23日
發(fā)明者杜發(fā)魁, ??V? 謝晉春, 辛吉升, 婷 陳, 陳凱華 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司
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