專利名稱：射頻屏蔽方法、磁共振成像設備和發(fā)射/接收表面線圈的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及射頻屏蔽方法、MRI(磁共振成像)設備和發(fā)射/接收表面線圈。本發(fā)明尤其涉及可以降低把安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈從表面線圈隔離的成本的射頻屏蔽方法、磁共振成像設備和發(fā)射/接收表面線圈。
背景技術：
目前為止，已經(jīng)存在一種技術用于提供安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈和梯度磁場線圈之間的射頻屏蔽(例如見專利文獻1和2)。
專利文獻1日本公開號為No.2000-11619的未審專利；專利文獻2日本公開號為No.2004-248928的未審專利；目前為止，梯度磁場線圈與安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈發(fā)射的射頻脈沖隔離已經(jīng)通過射頻屏蔽來實現(xiàn)，但是安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈與表面線圈發(fā)射的射頻脈沖隔離是利用在體線圈側(cè)上提供的開關經(jīng)過偏壓電源切換二極管的開/關從一個狀態(tài)到另一個狀態(tài)，由此打開或關閉體線圈來實現(xiàn)的。
然而，偏壓電源具有大電流或大電壓的規(guī)格，并且為了防止噪聲傳播需要高性能的濾波器，這會導致設備規(guī)模和成本的增加。此外，為了在體線圈側(cè)上提供開關，使用耐高電流和高電壓的元件例如用于大電流的二極管是必要的，如此，也可以帶來成本變高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種可以降低安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈和表面線圈之間隔離成本的射頻屏蔽方法、MRI(磁共振成像)設備和發(fā)射/接收表面線圈。
本發(fā)明的另一個方面是提供了一種射頻屏蔽方法，為了抑制體線圈接收發(fā)自于表面線圈的射頻脈沖，該方法包括提供體線圈和表面線圈之間的射頻屏蔽，其中體線圈安裝在MRI設備的磁體部件側(cè)上，表面線圈不安裝在磁體部件側(cè)上。
根據(jù)上述本發(fā)明一方面的射頻屏蔽方法，因為體線圈接收的發(fā)自于表面線圈的射頻脈沖因放置于兩者之間的射頻屏蔽而被抑制，所以體線圈中的感應電壓大幅度降低。結(jié)果，在體線圈側(cè)上提供的開關可以分配有耐高電壓和高電流的元件例如用于大電流的二極管，由此有可能降低成本。而且，也不必使用具有大電流或大電壓規(guī)格的偏壓電源和高性能的濾波器。這樣，不僅設備可以簡化，而且成本可以降低。結(jié)果，設備的可靠性得到改善。
根據(jù)本發(fā)明第二方面提供的MRI設備包括安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈；不安裝在磁體部件側(cè)上的表面線圈；和位于體線圈和表面線圈之間的射頻屏蔽，用于抑制體線圈接收發(fā)自于表面線圈的射頻脈沖。
根據(jù)上述本發(fā)明第二方面的MRI設備，因為體線圈接收的發(fā)自于表面線圈的射頻脈沖因放置于兩者之間的射頻屏蔽而被抑制，所以體線圈中的感應電壓大幅度降低。結(jié)果，在體線圈側(cè)上提供的開關不再需要耐高電壓和高電流元件例如用于大電流的二極管，由此有可能降低成本。此外，不再需要大電流或電壓的偏壓電源，并且也不需要高性能的濾波器。這樣，不僅設備可以簡化，而且成本可以降低。最終，設備的可靠性得到改善。
根據(jù)本發(fā)明第三方面，提供了一種與上述第二方面相結(jié)合的MRI設備，其中射頻屏蔽與表面線圈集成在一起。
根據(jù)上述第三方面的MRI設備，因為射頻屏蔽與表面線圈集成在一起，設備的操作變得方便了。
根據(jù)本發(fā)明第四方面，提供了一種與上述第四方面相結(jié)合的MRI設備，其中射頻屏蔽是與磁體部件和表面線圈相分離。
根據(jù)上述第四方面的MRI設備，通過移除射頻屏蔽，安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈可以被用作發(fā)射線圈，而表面線圈可以用作接收線圈。
根據(jù)本發(fā)明第五方面，提供了一種與上述第二方面相結(jié)合的MRI設備，其中射頻屏蔽安裝在磁體部件側(cè)上使得它可以在體線圈和表面線圈之間插入或者移出。
根據(jù)上述第五方面的MRI設備，因為射頻屏蔽被安裝在磁體部件側(cè)上，所以設備的操作變得方便了。此外，通過移除射頻屏蔽，安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈可以用作發(fā)射線圈。
根據(jù)本發(fā)明第六方面，提供了一種發(fā)射/接收表面線圈，包括用在一個對象附近的表面線圈體，并且具有發(fā)射和接收功能；和位于對象對面的側(cè)上、與表面線圈體集成的射頻屏蔽。
根據(jù)上述第六方面的發(fā)射/接收表面線圈，因為體線圈接收的發(fā)自于發(fā)射/接收表面線圈的射頻脈沖因射頻屏蔽而被抑制，所以體線圈中的感應電壓大幅度降低。結(jié)果，在體線圈側(cè)上提供的開關不再需要耐高電壓和高電流元件例如用于大電流的二極管，由此可以降低成本。此外，不再需要大電流或電壓的偏壓電源，并且也不需要高性能的濾波器。結(jié)果，不僅設備可以簡化，而且成本可以降低。最終，設備的可靠性得到改善。
根據(jù)本發(fā)明第七方面，提供了一種與上述第六方面相結(jié)合的發(fā)射/接收表面線圈，其中表面線圈體是圓柱形的并且射頻屏蔽是圍繞著表面線圈體外圍的圓柱形。
根據(jù)上述第七方面的發(fā)射/接收表面線圈，體線圈接收的發(fā)自于圓柱形表面線圈體的射頻脈沖可以通過圓柱形的射頻屏蔽而被適當?shù)匾种啤?br> 根據(jù)本發(fā)明第八方面，提供了一種與上述第六方面相結(jié)合的發(fā)射/接收表面線圈，其中表面線圈體是平板形狀的并且射頻屏蔽是與表面線圈體的一個表面?zhèn)燃傻钠桨逍螤睢?br> 根據(jù)上述第八方面的發(fā)射/接收表面線圈，體線圈接收的發(fā)自于平板形狀的表面線圈體的射頻脈沖可以通過平板形狀的射頻屏蔽而被適當?shù)匾种啤?br> 根據(jù)上述第八方面的發(fā)射/接收表面線圈，體線圈接收來自平板形狀的表面線圈體的射頻脈沖能夠通過平板形狀的射頻屏蔽得到適當?shù)匾种啤?br> 根據(jù)本發(fā)明的射頻屏蔽方法、MRI設備和發(fā)射/接收表面線圈，降低表面線圈和安裝在磁體部件側(cè)上的體線圈之間的隔離成本是可能的。進一步，可以改善可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的射頻屏蔽方法、MRI設備和發(fā)射/接收表面線圈可以被用在使用表面線圈的磁共振成像(MRI)中。
本發(fā)明的進一步的目的和優(yōu)點從下面對本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明并參考附圖描述將更加明顯。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的MRI設備和發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖2是根據(jù)第一實施例的發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的MRI設備和發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖5是根據(jù)第三實施例的發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)射/接收表面線圈的透視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的MRI設備(插入了射頻屏蔽)的透視圖；和圖8是根據(jù)第五實施例的MRI設備(移除了射頻屏蔽)的透視圖。
具體實施例方式
下面將通過附圖所描述的實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但本發(fā)明并不限于這些實施例。
第一實施例圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的MRI設備100和發(fā)射/接收表面線圈10的透視圖。
在MRI設備100中，體線圈2、用于體線圈的射頻屏蔽3和梯度磁場線圈4以這樣的順序從內(nèi)部外圍側(cè)上同心地放置在磁場部件1內(nèi)部。主磁場產(chǎn)生磁體5被放置在梯度磁場線圈4的外側(cè)。進一步，在磁體部件1中形成用于在其中插入放置于桌子單元T的搖床上的對象H的孔(圓柱形空間)S。
圓柱形的發(fā)射/接收表面線圈10被安置在對象H上。發(fā)射/接收表面線圈10由圓柱形的表面線圈體11和用于表面線圈的圓柱形的射頻屏蔽12構(gòu)成，屏蔽12包圍著表面線圈體11的外圍。
在如圖2所示的發(fā)射/接收表面線圈10中，表面線圈體11和用于表面線圈的射頻屏蔽12相互集成在一起。
根據(jù)第一實施例的MRI設備100和發(fā)射/接收表面線圈10，因為體線圈2接收的發(fā)自于表面線圈體11的射頻脈沖因用于表面線圈的射頻屏蔽12而被抑制，所以體線圈2中的感應電壓大幅度降低。因此，在體線圈2側(cè)上提供的開關(沒有示出)中不再需要耐高電壓和高電流元件例如用于大電流的二極管，由此可以降低成本。同樣，不必使用大電流或大電壓規(guī)格的偏壓電源和高性能的濾波器。從而，不僅設備可以簡化，而且成本可以降低。結(jié)果，有可能改善設備的可靠性。
第二實施例如圖3所示，發(fā)射/接收表面線圈10中的表面線圈體11和用于表面線圈的射頻屏蔽12可以彼此分離。
根據(jù)該第二實施例的發(fā)射/接收表面線圈10，通過將用于表面線圈的射頻屏蔽12應用于表面線圈體11的外圍上面，體線圈2接收發(fā)自于表面線圈體11的射頻脈沖可以被抑制。另一方面，通過從表面線圈體11的外圍移除用于表面線圈的射頻屏蔽12，體線圈2可以被用作發(fā)射線圈。
第三實施例如圖4所示，也可以使用平板形狀的發(fā)射/接收表面線圈10。這種發(fā)射/接收表面線圈10由平板形的表面線圈體11和用于表面線圈的平板形的射頻屏蔽12構(gòu)成，射頻屏蔽12被放置于相對于表面線圈體11與對象相對的側(cè)上。
如圖5所示，發(fā)射/接收表面線圈10中的表面線圈體11和用于表面線圈的射頻屏蔽12彼此集成在一起。
第四實施例如圖6所示，發(fā)射/接收表面線圈10中的表面線圈體11和用于表面線圈的射頻屏蔽12可以彼此分離。
第五實施例圖7是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的MRI設備200的透視圖。
在MRI設備200中，用于表面線圈的射頻屏蔽22、體線圈2、用于體線圈的射頻屏蔽3和梯度磁場線圈4被以這樣的順序從內(nèi)部外圍側(cè)上同心地放置在磁場部件1內(nèi)部。主磁場產(chǎn)生磁體5被放置在梯度磁場線圈4的外側(cè)。在磁體部件1內(nèi)部形成用于在其中插入放置于桌子單元T的搖床上的對象H的孔(圓柱形空間)S。
圓柱形的表面線圈21被安置在對象H上。
根據(jù)該第五實施例的MRI設備200，因為體線圈2接收的發(fā)自于表面線圈21的射頻脈沖因用于表面線圈的射頻屏蔽22而被抑制，所以體線圈2中的感應電壓大幅度降低。從而，放置在體線圈2側(cè)上的開關(未示出)可以不再需要耐高電壓和高電流元件例如用于大電流的二極管，由此可以降低成本。此外，不必使用大電流或大電壓規(guī)格的偏壓電源和高性能的濾波器。這樣，不僅設備可以簡化，而且成本可以降低。結(jié)果，有可能改善設備的可靠性。
如圖8所示，用于表面線圈的射頻屏蔽22可以人工或自動從孔S中抽出。
當用于表面線圈的射頻屏蔽22從孔S中抽出后，體線圈2可以被用作發(fā)射線圈。
本發(fā)明許多廣泛的不同實施例可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下被配置。應該理解的是，除了附加的權(quán)利要求所確定的方案之外，本發(fā)明并不限于說明書中描述的具體實施例。
零件目錄表圖1和4100 MRI設備10 發(fā)射/接收表面線圈12 用于表面線圈的射頻屏蔽11 表面線圈體H對象S孔
T桌子單元2體線圈3用于體線圈的射頻屏蔽4梯度磁場線圈5主磁場產(chǎn)生磁體1磁體部件圖2，3，5和610 發(fā)射/接收表面線圈11 表面線圈體12 用于表面線圈的射頻屏蔽圖7200 MRI設備22 用于表面線圈的射頻屏蔽21 表面線圈體H對象S孔T桌子單元2體線圈3用于體線圈的射頻屏蔽4梯度磁場線圈5主磁場產(chǎn)生磁體1磁體部件圖8200 MRI設備22 用于表面線圈的射頻屏蔽H對象S孔
T桌子單元2體線圈3用于體線圈的射頻屏蔽4梯度磁場線圈5主磁場產(chǎn)生磁體1磁體部件。
權(quán)利要求
1.一種射頻屏蔽方法，包括在安裝在MRI設備(100)的磁體部件(1)側(cè)上的體線圈(2)和不安裝在磁體部件(1)側(cè)上的表面線圈(10)之間提供射頻屏蔽，用以抑制體線圈(2)接收發(fā)自于表面線圈(10)的射頻脈沖。
2.一種MRI設備(100)，包括安裝在磁體部件(1)側(cè)上的體線圈(2)；不安裝在磁體部件(1)側(cè)上的表面線圈(10)；和在體線圈(2)和表面線圈(10)之間提供的用于抑制體線圈(2)接收發(fā)自于表面線圈(10)的射頻脈沖的射頻屏蔽(12)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的MRI設備(100)，其中射頻屏蔽(12)與表面線圈(10)集成在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的MRI設備(100)，其中射頻屏蔽(12)與磁體部件(1)和表面線圈(10)分離。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的MRI設備(100)，其中射頻屏蔽(12)安裝在磁體部件(1)側(cè)上，使得它在體線圈(2)和表面線圈(10)之間可以插入和移出。
6.一種發(fā)射/接收表面線圈(10)，包括用在對象(H)附近并且具有發(fā)射和接收功能的表面線圈體(11)；和與表面線圈體(11)集成的射頻屏蔽(12)，所述表面線圈體位于對象(H)對面的側(cè)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)射/接收表面線圈(10)，其中表面線圈體(11)是圓柱形的，并且射頻屏蔽(12)是圍繞著表面線圈體(11)外圍的圓柱形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)射/接收表面線圈(10)，其中表面線圈體(11)是平板形的，并且射頻屏蔽(12)是與表面線圈體(11)的一個表面?zhèn)燃傻钠桨逍巍?br> 全文摘要
為了降低隔離表面線圈(10)和安裝在磁體部件(1)側(cè)上的體線圈(2)的成本，用于表面線圈(10)的射頻屏蔽(12)放置在安裝于MRI設備(100)的磁體部件(1)側(cè)上的體線圈(2)和不安裝在磁體部件(1)側(cè)上的表面線圈體(11)之間。用于表面線圈(10)的射頻屏蔽(12)抑制體線圈(2)接收發(fā)自于表面線圈體(11)的射頻脈沖。因為體線圈(2)中的感應電壓大幅度降低，在體線圈(2)側(cè)上提供的開關不再需要電阻元件用于高電壓和高電流。因此，設備(100)可以簡化，成本可以降低。結(jié)果，設備(100)的可靠性得到改善。
文檔編號G01R33/422GK1947656SQ20061016050
公開日2007年4月18日 申請日期2006年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月13日
發(fā)明者荻野徹男 申請人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術有限公司