專(zhuān)利名稱(chēng)：根據(jù)光電導(dǎo)通的晶體管陣列電子測(cè)試的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于測(cè)試如平面顯示器晶體管陣列的微電子組件的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器包含了許多微形對(duì)象，如薄膜晶體管、電容、交互聯(lián)機(jī)等等，該些微型對(duì)象需要在不同的制作過(guò)程中測(cè)試以確保平面顯示器能符合規(guī)定的效能需求。
在本說(shuō)明書(shū)中提及的所有公開(kāi)數(shù)據(jù)、以及該些公開(kāi)數(shù)據(jù)中直接或間接引用的公開(kāi)數(shù)據(jù)揭示皆作為現(xiàn)有技術(shù)的參考。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種用于測(cè)試具有微型對(duì)象的物體(如晶體管陣列)的改良方法及系統(tǒng)。
以下列出用于說(shuō)明書(shū)敘述的名詞的解釋
TFT是為薄膜晶體管(Thin Film Transistor)。
源極線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)是連接于一個(gè)或多個(gè)晶體管的源極接點(diǎn)以提供一電子信號(hào)到該些晶體管的導(dǎo)體線(xiàn)。
柵極線(xiàn)或地址線(xiàn)是連接于一晶體管柵極以控制該些晶體管開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)的導(dǎo)體線(xiàn)，即控制晶體管是否.為可用(開(kāi)啟狀態(tài))或非可用(關(guān)閉狀態(tài))以接收由晶體管數(shù)據(jù)來(lái)源的一電子信號(hào)。
漏極線(xiàn)或共享線(xiàn)是連接到晶體管漏極的導(dǎo)體線(xiàn)，用以操作一電子組件，如一像素的一電極。
Vg是為施加到一柵極線(xiàn)的電壓，用以控制多個(gè)晶體管線(xiàn)的開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)。 Vsd是為施加到一源極線(xiàn)或數(shù)據(jù)線(xiàn)的電壓，用以控制晶體管的運(yùn)作，通常
Vsd是個(gè)別地施加到該些晶體管上。
Vout及l(fā)out是為電氣響應(yīng)信號(hào)(分別為電壓及電流)，用以因應(yīng)可被測(cè)量
到的光激發(fā)。
IT0(銦錫氧化物，Indium Tin 0xide)及IZ0(銦鋅氧化物，Indium Zinc Oxide)是為使用于傳統(tǒng)平面顯示器中材料，用以形成透明電極，作為控制平面 顯示器中像素的運(yùn)作的用途。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，形成于制作中顯示面板的薄膜晶體管陣列是以一 光束來(lái)激發(fā)選定的晶體管進(jìn)行電性測(cè)試，而后測(cè)量由該光束激發(fā)后的一電氣響 應(yīng)或電氣特征。該測(cè)量到的電氣特征可以是因?yàn)樾纬删w管的半導(dǎo)體材料的光 激發(fā)而引發(fā)如一電壓或一電流的光電導(dǎo)通響應(yīng)，該提供的光束可以是一激光。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中， 一光束被施加到形成于制作中的平面顯示器中選 定的晶體管上，例如循序掃描在一制作中平面顯示器的像素位置，以引發(fā)在所 選位置晶體管的光電導(dǎo)通回應(yīng)。如前所述，該光束可由一適合的激光所提供， 然而這并非絕對(duì)需要，因?yàn)槠渌m合的光源亦可被采用。該產(chǎn)生的響應(yīng)電子信 號(hào)可以電流或電壓形式被測(cè)量。
至少有一被測(cè)試的晶體管，即被一光束所激發(fā)的晶體管，當(dāng)被光束激發(fā)時(shí) 是處于一關(guān)閉狀態(tài)，例如施加一適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓到該被待測(cè)晶體管的柵極與源極 接點(diǎn)上。測(cè)試通常在無(wú)光狀態(tài)下實(shí)施，且本發(fā)明的一實(shí)施例的相鄰晶體管在測(cè) 試時(shí)亦處于關(guān)閉狀態(tài)。該關(guān)閉狀態(tài)可由例如施加負(fù)偏壓到該些晶體管的柵極以 及源極短路棒所引發(fā)，因此通常除了漏電流外不應(yīng)有其它電流流動(dòng)。
光束所引發(fā)的激發(fā)會(huì)在晶體管半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生光導(dǎo)電洞對(duì)，因而使一光 激發(fā)晶體管的電子(即光電流)回應(yīng)可被觀察到。該由晶體管中通道材料的光激 發(fā)所產(chǎn)生的光電流信號(hào)可被觀察到，例如，其波形以及強(qiáng)度。該信息是用以當(dāng) 作判斷像素質(zhì)量與功能性的參考數(shù)據(jù)。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，圍繞于一待測(cè)晶體管的多個(gè)晶體管皆被置于一關(guān) 閉狀態(tài)且被施加一負(fù)電位以避免產(chǎn)生電流，可減少由相鄰晶體管來(lái)的不良電子
6干擾，并改善在該待測(cè)晶體管上由光束所引發(fā)的光電導(dǎo)通響應(yīng)的測(cè)量。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，電子信號(hào)(即令晶體管在測(cè)試時(shí)進(jìn)入一關(guān)閉狀態(tài) 的偏壓)是被周期性地施加到晶體管上以避免晶體管的電子特性降級(jí)。該光束 采依序逐一方式被施加到晶體管上且與該周期性地被施加到晶體管的電子信 號(hào)同步，使得激光束可激發(fā)被置于其關(guān)閉狀態(tài)的該晶體管。
須了解的是通常制作中的平面顯示器的每一個(gè)晶體管皆需被測(cè)試。通過(guò)照 射一晶體管來(lái)產(chǎn)生光電導(dǎo)通效應(yīng)以引發(fā)電流使判斷各種可預(yù)期損壞變得可能， 這不僅于適用于晶體管，其它電子零件如被待測(cè)晶體管相關(guān)的電容及電子互聯(lián) 機(jī)路皆可被測(cè)試。該測(cè)試可在平面顯示器的各種不同制作階段被實(shí)行，無(wú)論是 在如IT0及IZO的電極形成的前或的后的階段皆可。
因此本發(fā)明的一實(shí)施例提供了為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的方法及合適裝置，以 檢測(cè)在一機(jī)板上的微電子組件，該方法步驟包含施加一控制信號(hào)至位于該基 板上的多個(gè)微電子組件，以周期性地讓該多個(gè)微電子組件進(jìn)入一關(guān)閉狀態(tài)；利 用至少一光束掃描該多個(gè)微電子組件，以照射該多個(gè)微電子組件中選定的至少 一個(gè)微電子組件，并引發(fā)一電氣響應(yīng)，其中該掃描步驟是與該施加一控制信號(hào) 的步驟同步；以及在掃描時(shí)，測(cè)量至少一微電子組件的一電氣響應(yīng)，用以偵測(cè) 一電氣特征。通常激發(fā)光束的光點(diǎn)大小是小于像素位置的間距，且晶體管是以 依序逐一方式被掃描，而基板是不被照射，使得各個(gè)像素的回應(yīng)可被測(cè)量并判 斷出損壞是個(gè)別損壞或是一與特定像素相關(guān)的電路損壞。
依照本發(fā)明的另一實(shí)施例，本發(fā)明又提供一種測(cè)試一機(jī)板上的為電子組件 的裝置，該裝置包含一掃描器，根據(jù)依序逐一掃描方式，利用一光束掃描設(shè)置 于一平面顯示器基板上的多個(gè)薄膜晶體管上，并根據(jù)依序逐一感應(yīng)方式，在該 多個(gè)薄膜晶體管中感應(yīng)出一光電導(dǎo)通回應(yīng)； 一電流或電壓感應(yīng)電路，是與該掃 描器同步運(yùn)作，用以測(cè)量關(guān)聯(lián)于一晶體管的該光電導(dǎo)通回應(yīng)的感應(yīng)輸出，并產(chǎn) 生光電導(dǎo)通回應(yīng)的輸出值，該光電導(dǎo)通響應(yīng)的輸出值代表在該多個(gè)薄膜晶體管 中依序逐一由該光束感應(yīng)的一光電導(dǎo)通回應(yīng)；以及一偵錯(cuò)裝置，用以分析該電 氣響應(yīng)輸出值并紀(jì)錄每一晶體管的特征。


本發(fā)明的實(shí)施例顯示于下列附圖。
圖1為描繪本發(fā)明的一實(shí)施例中，基于光電導(dǎo)通效應(yīng)來(lái)測(cè)試一平面顯示陣 列或其它晶體管陣列的系統(tǒng)示意圖2A為描繪圖1的系統(tǒng)操作方法的一流程圖； 圖2B為描繪圖2A的步驟180的一實(shí)施流程圖3A為描繪最后量產(chǎn)前(pre-final)階段的TFT陣列，基于光電導(dǎo)通效應(yīng) 的測(cè)試電路示意圖3B為描繪IT0前(pre-IT0)階段的TFT陣列，基于光電導(dǎo)通效應(yīng)的測(cè)試 電路示意圖4A為描繪依照本發(fā)明的一實(shí)施例中，用以測(cè)試最后量產(chǎn)前階段的TFT 陣列的輸入信號(hào)時(shí)序圖4B為描繪依照本發(fā)明的一實(shí)施例中，用以測(cè)試ITO前階段的TFT陣列 的輸入及輸出信號(hào)時(shí)序圖5為描繪采用短路棒，以關(guān)閉一具有一單邊短路棒的共接儲(chǔ)存形式 (Storage on Common)平面顯示器的陣列中全部或部分晶體管的結(jié)構(gòu)電路示意 圖6為描繪采用短路棒，以關(guān)閉一具有一分段短路棒的共接儲(chǔ)存形式平面 顯示器的陣列中全部或部分晶體管的結(jié)構(gòu)電路示意圖7為描繪采用短路棒，以關(guān)閉一具有一單邊短路棒的柵極儲(chǔ)存形式 (Storage on Gate)平面顯示器的陣列中全部或部分晶體管的結(jié)構(gòu)電路示意圖8為描繪采用短路棒，以關(guān)閉一具有一分段短路棒的柵極儲(chǔ)存形式平面 顯示器的陣列中全部或部分晶體管的結(jié)構(gòu)電路圖9為描繪用以感應(yīng)由圖1的系統(tǒng)產(chǎn)生光電導(dǎo)通效應(yīng)引發(fā)電流的電流感應(yīng) 電路的電路示意圖10為描繪依照本發(fā)明的一實(shí)施例采用分段式短路棒以測(cè)試TFT陣列的 電路示意圖11為描繪依照本發(fā)明的一實(shí)施例采用滑動(dòng)接點(diǎn)以測(cè)試TFT陣列的電路 示意圖；以及
圖12為描繪依照本發(fā)明的一實(shí)施例的裝置以測(cè)試電路時(shí)電路上不同種類(lèi)損壞的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1，其繪示的是一系統(tǒng)10，用以執(zhí)行薄膜晶體管12陣列的電性 測(cè)試，其中該些薄膜晶體管12設(shè)置于，例如， 一制造中的平面顯示器或是其 它合適的晶體管陣列上。圖1繪示了本發(fā)明的一實(shí)施例，其中一光源單元14， 例如一激光，會(huì)輸出一光(激光)束16以配合一掃描器20的運(yùn)作，該掃描器20 包含例如一旋轉(zhuǎn)鏡單元22及適合的光學(xué)組件如一平場(chǎng)聚焦透鏡25以循序照射 于一晶體管陣列基板30的上依標(biāo)示的掃描方向32設(shè)置的每一該些薄膜晶體管 12。光束16可用投射或其它通過(guò)適合的光學(xué)組件適當(dāng)?shù)赜诚竦交?0上。常
見(jiàn)于激光系統(tǒng)中的額外光學(xué)組件及其它不重要的細(xì)節(jié)皆未繪示于圖1中以避免 模糊本發(fā)明的要點(diǎn)。雖然圖1的系統(tǒng)繪示了激光光源以輸出一激光束，且采用
一掃描器作為一旋轉(zhuǎn)鏡，然僅為例示，并非用以限制本發(fā)明的范圍，其它合適 光束及掃描器裝置亦可被采用以達(dá)成本發(fā)明的目的。如上述的使用方式， 一激 光束即包含任何其它適合的光束，且一掃描器裝置亦不限制為如圖l所示的一 旋轉(zhuǎn)多角形型式的掃描器。
晶體管陣列基板30通常是接地的，例如通過(guò)一地線(xiàn)35接地，且被置放于 平臺(tái)40上使顯示基板30轉(zhuǎn)換為可標(biāo)示交叉掃描方向42的狀態(tài)。如圖1所示， 該被測(cè)試的晶體管陣列基板30仍在制作中，且配置有與柵極線(xiàn)52互連的柵極 短路棒50、與數(shù)據(jù)線(xiàn)62互連的數(shù)據(jù)短路棒60、以及通過(guò)漏極線(xiàn)72與晶體管 漏極互連的漏極短路棒70。漏極線(xiàn)72可直接連接到晶體管12上，或是間接連 上，例如，通過(guò)一電容(未繪示)。柵極線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)以及漏極線(xiàn)可分別以晶體管 陣列不同功能架構(gòu)的方式互連，例如一平面顯示器及制作階段的基板30。須注 意的是在很多晶體管陣列架構(gòu)中漏極是未被互連的。
如圖1所示，系統(tǒng)10額外配置一柵極信號(hào)產(chǎn)生器80以輸出依信號(hào)Vg到 柵極短路棒50、 一源極信號(hào)產(chǎn)生器82以輸出依信號(hào)Vsg到數(shù)據(jù)短路棒60、以 及一信號(hào)分析器84以接收由漏極短路棒70引發(fā)的光電導(dǎo)通效應(yīng)輸出，用以指 示晶體管12以及其它設(shè)置在基板30上的組件是良好的或是損壞的。 一同步器 90是與柵極信號(hào)產(chǎn)生器80、源極信號(hào)產(chǎn)生器82、信號(hào)分析器84、掃描器20以及一轉(zhuǎn)換控制器83關(guān)聯(lián)運(yùn)作以控制由箭號(hào)42所指的基板30的交叉掃描轉(zhuǎn) 換。
詳言的，同步器90控制與掃描器20共同運(yùn)作的信號(hào)產(chǎn)生器80及82的同 步運(yùn)作，及控制一運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換器(圖未繪示)使得光束16被循序施放到每個(gè)晶體 管12上，該些位于基板30上的晶體管12被施以偏壓，使得未照光前不會(huì)有 電流或漏電流流動(dòng)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，光束16是個(gè)別地被施加到晶體 管上，或者被施加到選定的一組晶體管上。較佳地，該晶體管上的偏壓并非連 續(xù)施加，而是由一開(kāi)啟狀態(tài)至一關(guān)閉狀態(tài)循環(huán)，以避免降低該些晶體管的電氣 特性。
當(dāng)光束16被施加到一特定的晶體管時(shí)，盡管偏壓己被施加到到晶體管上， 該晶體管會(huì)產(chǎn)生一光電導(dǎo)通電流，可被由同步器90所控制的信號(hào)分析器84接 收。分析器84分析該光激發(fā)晶體管相關(guān)的光電導(dǎo)通電流以判斷該晶體管的電 子效能及其相關(guān)組件是良好的或是損壞的。
請(qǐng)參閱第2圖，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，采用如上圖l所示的系統(tǒng)以測(cè)試 一置放于一基板上的晶體管陣列，如一制作中的平面顯示器基板，測(cè)試流程如 下所述
一晶體管陣列12，例如形成于一基板30上的一TFT陣列，該基板例如一 制作中的平面顯示器基板，配置了用以連接到多個(gè)晶體管組件的選定接點(diǎn)的短 路棒(步驟110)，通常為柵極和源極接點(diǎn)。 一具有一周期波形的電子信號(hào)，例 如一電位信號(hào)，通過(guò)短路棒50及60施加到在基板30上的該些晶體管12的柵 極及/或源極接點(diǎn)(步驟130)。當(dāng)該周期電子信號(hào)被施加到在基板30上的該些 晶體管12時(shí)，至少有一光束16掃描該些排列成一陣列的晶體管(步驟140)。 該周期電子信號(hào)及該激光束掃描是以下列方式同步當(dāng)一周期性負(fù)電位通過(guò)柵 極短路棒50被施加到柵極線(xiàn)52時(shí)， 一同步的負(fù)電位亦通過(guò)源極短路棒60被 施加到源極線(xiàn)62。這使得該些晶體管進(jìn)入一關(guān)閉狀態(tài)而在基板30上全無(wú)或是 幾乎沒(méi)有電流流動(dòng)。周期性地關(guān)閉該些晶體管12是同步于激光束由一晶體管 12到下個(gè)晶體管12的掃描動(dòng)作(步驟150及160)。施加激光束到一晶體管會(huì) 引發(fā)晶體管半導(dǎo)體材料暴露于光電導(dǎo)通效應(yīng)下而產(chǎn)生的可測(cè)量電氣響應(yīng)。通 常，當(dāng)該基板30維持在不照光的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試，可使一測(cè)量獲得的電氣響應(yīng)僅與該些選定的晶體管有關(guān)。本發(fā)明的一實(shí)施例中，該電氣回應(yīng)是以一電流 或電壓形式于一短路棒上被測(cè)量(步驟170)。利用光電導(dǎo)通引發(fā)電流的測(cè)量即
可獲得一像素的性能信息特征(步驟180)并產(chǎn)生一報(bào)告。
該周期性施加一負(fù)電位的步驟是在與光束16由晶體管至晶體管掃描同步， 直到激光掃描完基板30上最后待測(cè)的晶體管(步驟190)。該用以測(cè)試一給定 的基板30的方法將在該點(diǎn)(該最后待側(cè)晶體管)終止，如同步驟200所述。
請(qǐng)參閱圖2B，用于分析由光束16光導(dǎo)性引發(fā)電流所測(cè)量到的電氣響應(yīng)步 驟180包含以下次步驟，需注意的是通常以自動(dòng)化方式，例如借助一計(jì)算機(jī)， 完成以下分析。
照射在給定晶體管上的光束16而利用光電導(dǎo)通引發(fā)的電流會(huì)被放大且被 傳到一運(yùn)作在高頻率的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，例如lOMHz及12位分辨率，在此， 模擬電流信號(hào)會(huì)被轉(zhuǎn)換成一數(shù)字信號(hào)(步驟210)。該被放大的電流信號(hào)可由下 述電路提供，請(qǐng)參閱圖9。對(duì)應(yīng)一待測(cè)晶體管所提供的放大電流信號(hào)的時(shí)序， 以及該模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器及其后續(xù)電路的動(dòng)作，是與該掃描動(dòng)作同步，使得電流 分析可在一已待測(cè)晶體管被確定。
接著，該數(shù)字信號(hào)被濾波以除去噪聲(步驟220)并減去對(duì)應(yīng)于正確形成在 一相似基板的光激發(fā)晶體管的一關(guān)聯(lián)信號(hào)的一輸入?yún)⒖夹盘?hào)(步驟230)。該參 考信號(hào)可以來(lái)自在一實(shí)際基板面板上已知是良好的晶體管的測(cè)試值，或是例如 通過(guò)算法分析合成推導(dǎo)所得的估計(jì)值。將測(cè)試信號(hào)減去參考信號(hào)的結(jié)果會(huì)與一 預(yù)設(shè)的臨界值比較(步驟240)，其比較結(jié)果用以判斷在關(guān)聯(lián)于待測(cè)晶體管的給 定像素中的待測(cè)晶體管及/或微電子組件是否是良好成形。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，測(cè)試信號(hào)的波形會(huì)與一參考信號(hào)相比，且測(cè)量及 參考信號(hào)差值的絕對(duì)值會(huì)相對(duì)于時(shí)間積分并與一臨界值比較。該差值可僅由兩 信號(hào)的信號(hào)相減值來(lái)計(jì)算，每次同步計(jì)算一次。若該差值(或是選擇性的其它 特征參數(shù)如最大差值)大于一預(yù)設(shè)的臨界值，與該測(cè)試信號(hào)有關(guān)的該待測(cè)晶體 管的像素則被推測(cè)為有損壞。
損壞可依數(shù)據(jù)歸類(lèi)，例如相對(duì)于或指明不同種類(lèi)損壞的參考信號(hào)。損壞數(shù) 據(jù)可在具有不同種損壞的像素中晶體管被光激發(fā)時(shí)檢視電氣響應(yīng)并加以系統(tǒng)
歸納而根據(jù)經(jīng)驗(yàn)法則產(chǎn)生。由晶體管引發(fā)電流會(huì)與一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)相比以確認(rèn)何種參考數(shù)據(jù)與測(cè)試信號(hào)最接近。通常，在不同面板架構(gòu)的非故障像素具有各 自特征的參考信號(hào)，此乃因?yàn)椴捎糜诓煌姘寮軜?gòu)的晶體管結(jié)構(gòu)、電容以及其 它微電子組件的變異性所致。
若關(guān)聯(lián)于一待測(cè)晶體管的測(cè)試信號(hào)與任一數(shù)據(jù)皆不相似，該電子信號(hào)可被 歸類(lèi)為一未知損壞的象征。
舉例而言，經(jīng)驗(yàn)測(cè)試法可用于一設(shè)定階段，該設(shè)定階段使用圖1到圖2B 的系統(tǒng)與方法，以產(chǎn)生各種包含晶體管損壞、導(dǎo)線(xiàn)短路及開(kāi)路、關(guān)聯(lián)于一待測(cè) 晶體管的像素電容損壞以及其它種類(lèi)損壞等不同損壞的數(shù)據(jù)。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，由一被照射的待測(cè)晶體管輸出的現(xiàn)時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)與采 用傳統(tǒng)距離函數(shù)(如絕對(duì)差值總和)的不同數(shù)據(jù)相比。若一待測(cè)晶體管的現(xiàn)時(shí)數(shù) 據(jù)的距離函數(shù)超過(guò)一相對(duì)于非故障晶體管的臨界值，則該晶體管或關(guān)聯(lián)于該待 測(cè)晶體管的像素被視為有損壞，且必須進(jìn)一步分類(lèi)。若由一待測(cè)晶體管的信號(hào) 發(fā)現(xiàn)接近但低于該些損壞數(shù)據(jù)的一的該臨界距離值，則關(guān)聯(lián)于該待測(cè)晶體管的 像素被視為有該臨界距離值數(shù)據(jù)的損壞。若由一待測(cè)晶體管的信號(hào)發(fā)現(xiàn)接近但 低于多個(gè)該些損壞數(shù)據(jù)的該臨界距離值，則關(guān)聯(lián)于該信號(hào)的該像素被歸類(lèi)為最 接近該臨界距離值數(shù)據(jù)的損壞。
在辨識(shí)故障的像素時(shí)，例如為了檢查或是損壞分類(lèi)，進(jìn)一步檢測(cè)是需要的。 舉例而言，依照本發(fā)明的一實(shí)施例，進(jìn)一步檢查及損壞分類(lèi)是以一自動(dòng)化的光 學(xué)檢視及/或檢査系統(tǒng)來(lái)完成，如以色列Yavne的0rbotech有限公司的 Pointer AOI系統(tǒng)或是其它合適的高分辨率顯微鏡。檢査及分類(lèi)可由手動(dòng)或 使用自動(dòng)化裝置完成。損壞分類(lèi)結(jié)果通常是程序采用的一部份以作為程序管理 以及后續(xù)改善。
可達(dá)成本發(fā)明的目的的一實(shí)施例的進(jìn)一步結(jié)構(gòu)與運(yùn)作細(xì)節(jié)如下所述。 請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1，光學(xué)系統(tǒng)中光源單元14可以是一激光或其它合適的光源以 輸出聚焦到晶體管陣列基板30的一光束16。該光點(diǎn)大小通常會(huì)小于形成于該 晶體管陣列基板30的一像素的最小預(yù)估尺寸或間距。當(dāng)在晶體管陣列基板-30 上的一晶體管12被照射時(shí)，需選取光束16的波長(zhǎng)及輸出功率使光束16有足 夠強(qiáng)度以產(chǎn)生足夠大量的電荷載子藉以產(chǎn)生一可測(cè)量電流。發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)15 毫瓦的紅色激光二極管適可對(duì)晶體管12產(chǎn)生光激發(fā)而不會(huì)破壞晶體管。該種二極管己普遍商業(yè)化并可由各家廣商取得，如東芝(Toshiba)。光輸出可以是
連續(xù)的或是脈沖的，例如以一光電開(kāi)關(guān)所控制的一脈沖激光。當(dāng)光輸出為脈沖 時(shí)，必須小心確保在掃描時(shí)光脈沖會(huì)在恰當(dāng)時(shí)間送到待測(cè)晶體管，亦即當(dāng)晶體 管被置于其關(guān)閉狀態(tài)時(shí)。須注意的是其它適合的光源，包含發(fā)光二極管、氦氖 激光及綠光激光(倍頻的鋁釔鋁石榴石激光)亦可適用。
合適的掃描器20包含旋轉(zhuǎn)多邊形掃描器、聲光偏轉(zhuǎn)器、快速轉(zhuǎn)向鏡等繪 示并敘述于專(zhuān)利權(quán)人申請(qǐng)于2006年6月22日的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案號(hào)11/472, 325， 其發(fā)明名稱(chēng)為"傾斜裝置"，其它合適的激光(Gal vo)機(jī)制以及共振鏡 (Resonance Mirror)掃描器與其它類(lèi)似硬件亦為合適的掃描器。
關(guān)于光學(xué)對(duì)焦，受限于一般平面顯示器上像素的大小(約在100x300微米 等級(jí))，用以激發(fā)上述各個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件的光點(diǎn)直徑通常是在數(shù)十個(gè)微米的 等級(jí)。合適的掃描鏡，例如平場(chǎng)聚焦透鏡(F-theta),通常可由各家光學(xué)器材 供貨商處取得或是可特別訂制。
雖然上述實(shí)施例己特別描述參用到傳統(tǒng)主動(dòng)式矩陣LCD(認(rèn)LCD),須注意的 是其它合適的包含光感應(yīng)電子陣列的電子裝置，如包含薄膜晶體管陣列的任一 基板，不限于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode)裝置，亦可以 在此所敘述的系統(tǒng)及方法加以測(cè)試。
通?？梢岳帽景l(fā)明的系統(tǒng)及方法加以測(cè)試的陣列型態(tài)組件，除了晶體管 陣列外，亦包含其它含有晶體管的電子組件。例如， 一般的AMLCD面板的每一 顯示像素包含至少一晶體管以及至少一電容。AMLCD面板可在制造中不同階段 被測(cè)試，又例如可在晶體管形成并互連后但在加入ITO或IZO電極前測(cè)試，另 外，面板亦可利用本發(fā)明的系統(tǒng)及方法在電極成形后加以測(cè)試。雖然被照射的 晶體管會(huì)產(chǎn)生光電導(dǎo)通效應(yīng)而引發(fā)電流，測(cè)量相對(duì)于時(shí)間的該引發(fā)的電流(或 引發(fā)電流的電壓)可用以顯示該晶體管或相關(guān)的其它微電子組件的功能特征。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，在此所敘述的系統(tǒng)及方法被用以在晶體管的一主 動(dòng)矩陣形成后的最后量產(chǎn)前(pre-final)階段，測(cè)試光電導(dǎo)通效應(yīng)所引發(fā)的電 流。在此生產(chǎn)階段，待測(cè)面板的所有列以及所有行仍為互連，因此需以適當(dāng)?shù)?短路棒分別加以短路，請(qǐng)參閱圖1的50及60。至少有一光束會(huì)掃描該平面顯 示面板的各個(gè)晶體管。陣列中待測(cè)的晶體管不被光照射且施以偏壓使得所有晶
13體管皆被關(guān)閉不產(chǎn)生電流，而僅可能有漏電流存在。此時(shí)照射一特定TFT的一 通道，會(huì)在被照射的晶體管上產(chǎn)生自由電荷載子，可被感應(yīng)成在相關(guān)源極與柵
極短路棒的電流浪涌。該電流可在一漏極短路棒70以電流或電壓形式被測(cè)量。
請(qǐng)參閱圖3A，其繪示的是一般依照本發(fā)明的一實(shí)施銅來(lái)測(cè)試的單一 N型 TFT，由于一平面顯示器面板可被視為一平行的像素陣列，該待測(cè)TFT可認(rèn)定 為是有效阻抗的一陣列Z的一部份。借助將互連的像素群組關(guān)閉，并維持不見(jiàn) 光的環(huán)境，Vout不需以探針個(gè)別測(cè)量各像素以取得。圖3A是用以描繪在AMLCD 面板中在像素電極形成后TFT陣列的一晶體管測(cè)試時(shí)分別需要用到的輸入及輸 出。圖3B是用以描繪在AMLCD面板中在像素電極形成前TFT陣列的一晶體管 測(cè)試時(shí)分別需要用到的輸入及輸出。在第3A及3B圖中， 一柵極光束照射一像 素的一晶體管。由第3A及3B圖可見(jiàn)，電壓或電流可被測(cè)量，亦即該被選用以 測(cè)量的測(cè)量裝置的功能之一。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，僅有平面顯示器晶體管陣列中一被選定的晶體 管，或是與其它區(qū)域電性隔離的一區(qū)域，才會(huì)在任一給定時(shí)間被照射，而所有 其它晶體管陣列中的晶體管，或是在同一區(qū)的所有其它晶體管，皆維持在不見(jiàn) 光狀態(tài)。例如，選定晶體管的照射可通過(guò)如圖l方式以光束掃描的。
圖4A繪示時(shí)序圖(A) 、 (B)及(C)，其代表的是多個(gè)輸入信號(hào)的同步關(guān)系(例 如在圖1的Vsd及Vg)，該些輸入信號(hào)控制一N型待測(cè)晶體管。該待測(cè)晶體管 包含于一已形成電極的TFT像素陣列。借助照射該待測(cè)晶體管(例如借助圖1 的光束16)，可產(chǎn)生一光電導(dǎo)通電流。
在此實(shí)施例中，說(shuō)明了被輸入到一如圖3A所示的測(cè)試電路的信號(hào)，以及 如圖形所示相對(duì)于以下階段的時(shí)間間隔I、 II、 III、 IV、 V、以及VI:
階段I: Vsd=Vg=0，代表無(wú)光線(xiàn)，且共接點(diǎn)無(wú)響應(yīng)。
階段II: Vsd及Vg接收正偏壓使TFT處于開(kāi)啟狀態(tài)，無(wú)光線(xiàn)提供，電流(暗 態(tài)電流)存在，但在此實(shí)施例中該暗態(tài)電流不被測(cè)量。
階段III:(與階段I相同)。
階段IV: Vsd及Vg接收負(fù)偏壓使TFT處于深關(guān)閉狀態(tài)，無(wú)光線(xiàn)提供，共
接點(diǎn)除了漏電流外無(wú)響應(yīng)。
階段V: Vsd及Vg接收負(fù)偏壓使TFT處于深關(guān)閉狀態(tài)，該TFT被如激光的脈沖光照射。在一正常的非故障晶體管中， 一光電導(dǎo)通效應(yīng)引發(fā)的電流響應(yīng)可 在共接點(diǎn)被測(cè)量。
階段VI:(與階段IV相同)。
請(qǐng)參閱圖4B,其為時(shí)序圖，其代表的是多個(gè)輸入信號(hào)的同步關(guān)系(例如在 圖l的Vsd及Vg)，該些輸入信號(hào)控制一N型待測(cè)晶體管。該待測(cè)晶體管包含 于一尚未形成電極的TFT像素陣列。借助照射該待測(cè)晶體管(例如借助圖1的 光束16)，可產(chǎn)生一光電導(dǎo)通效應(yīng)，以及一晶體管依照本發(fā)明的一實(shí)施例照射 而產(chǎn)生的一輸出信號(hào)。
在此實(shí)施例中，相對(duì)于圖3B的電路測(cè)試，該些晶體管有效地表現(xiàn)出金屬 氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor)電容，因此僅該地址與數(shù)據(jù)短路 棒可用于提供偏壓。選擇偏壓，通過(guò)應(yīng)用適當(dāng)?shù)男盘?hào)Vg，以使所有互連的金屬 氧化物半導(dǎo)體電容成為深空乏狀態(tài)，即如圖4B所示。在以一聚焦光束照射一 特定的金屬氧化物半導(dǎo)體電容時(shí)，該被照射的金屬氧化物半導(dǎo)體電容會(huì)快速轉(zhuǎn) 移到反轉(zhuǎn)模式，如圖4B所示。
當(dāng)被照射時(shí)，大量自由電荷載子產(chǎn)生，使得該金屬氧化物半導(dǎo)體電容在柵 極到源極間的空間被電荷充電，并形成電荷分布。在此狀況下電流或電壓的測(cè) 量可以圖3B所示的共接?xùn)艠O線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)實(shí)現(xiàn)?；谠撔盘?hào)響應(yīng)的強(qiáng)度及波形， 就可能識(shí)別例如但不限于源極/漏極、源極/柵極、漏極/鬧級(jí)等可能的短路。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例， 一單一光束在包含一個(gè)或多個(gè)互連晶體管陣列的 一面板上掃描，然此并非本發(fā)明的限制。因?yàn)橹谱髌矫骘@示器的基板大小逐漸 增大，考慮在制作時(shí)進(jìn)行各種測(cè)試所需的時(shí)間限制，同時(shí)提供多個(gè)光束以?huà)呙?一基板面板的不同部分可能取得較高的成本效益。第5到8圖繪示將圖1的TFT 陣列30的短路棒施以偏壓的不同方法，藉以中和該TFT陣列中的可能影響待 測(cè)晶體管的所有晶體管所可能產(chǎn)生的影響。如上所述，讓TFT進(jìn)入關(guān)閉狀態(tài)， 可消除在開(kāi)啟狀態(tài)下TFT的暗態(tài)電流導(dǎo)致的噪聲，因此有助于在TFT陣列中照 射特定晶體管以引發(fā)電流的測(cè)量，使其測(cè)量結(jié)果不被陣列中其它晶體管所影 響。
值得注意的是，圖1該特定晶體管短路棒的組態(tài)僅用以說(shuō)明且僅為一例子。 圖5繪示具有單邊短路棒的共接儲(chǔ)存形式(Storage on Common)的平面顯示器裝置的偏壓短路棒；圖6繪示具有分段短路棒的共接儲(chǔ)存形式的平面顯示器裝 置的偏壓短路棒，其中每個(gè)短路棒僅與選定的列互連而非與所有的列連續(xù)互 連；圖7繪示具有單邊短路棒的柵極儲(chǔ)存形式(Storage on Gate)的平面顯示 器裝置的偏壓短路棒；圖8繪示具有分段短路棒的柵極儲(chǔ)存形式的平面顯示器 裝置的偏壓短路棒。如第5到8圖所示，Vg偏壓710被施加到Vgate短路棒 730、 750、 760、 770、 780以及790 (相對(duì)于圖1的短路棒50)，而Vsd偏壓720 被施加到Vsource短路棒740、 800、 810、 820、 830及840(相對(duì)于圖1的短路 棒60);在每個(gè)第4A與4B圖的時(shí)序圖繪示分別施加偏壓到Vg及Vsd短路棒時(shí) 的同步時(shí)序，以及以圖1的光源單元M為例的光脈沖時(shí)序。
晶體管僅在偏壓極性改變完成后才被照射，而后如第4A到4B圖所示，Vg 以及Vsd的電壓下降稍早于照射，意即脈沖被延遲了，在本發(fā)明的一實(shí)施例中， 相對(duì)于偏壓極性改變，脈沖延遲時(shí)間間隔約在50到200微秒的范圍。當(dāng)使用 一脈沖激光時(shí)，在偏壓極性改變后照射晶體管的時(shí)間延遲相似于激光脈沖的脈 沖寬度的數(shù)量級(jí)。
請(qǐng)參閱圖9，其描繪的是依照本發(fā)明的一實(shí)施例運(yùn)作而建構(gòu)的一電流感應(yīng) 電路1110的電路示意圖，適合用來(lái)感應(yīng)在一柵極儲(chǔ)存形式的平面顯示器裝置 中一TFT被照射時(shí)在圖1的系統(tǒng)所產(chǎn)生的輸出電流所引發(fā)的光電導(dǎo)通效應(yīng)。例 如，電路1110測(cè)量圖2B偵錯(cuò)方法的漏極電流輸入。在此實(shí)施例中，可由一短 路棒1120測(cè)量。
在某些應(yīng)用中，盡管該些晶體管己處于關(guān)閉狀態(tài)，通常其它設(shè)置于顯示面 板上的一陣列內(nèi)的大量晶體管仍會(huì)產(chǎn)生充足的漏電流，使得依照本發(fā)明的一實(shí) 施例所引發(fā)的光電導(dǎo)通效應(yīng)電流不易辨別。依照本發(fā)明的一實(shí)施例，包含定義 在任兩分段間的分段點(diǎn)1215的分段短路棒1210是配置以啟動(dòng)在一大陣列中 TFT的次群組，如圖10所示。該些分段短路棒可用來(lái)取代傳統(tǒng)短路棒，或額外 增加于傳統(tǒng)短路棒的中，如第5到8圖所示的。
分段短路棒1210與一相對(duì)少數(shù)量的柵極線(xiàn)或源極線(xiàn)互連，例如僅有數(shù)百 條柵極線(xiàn)或是每個(gè)分段短路棒的短路線(xiàn)(雖然在圖10中僅繪示相當(dāng)少的柵極線(xiàn) 及短路線(xiàn))。 一實(shí)體或邏輯多任務(wù)器1220是分別運(yùn)作連接到接點(diǎn)1230以啟動(dòng) 每一個(gè)分段短路棒1210。多任務(wù)器1220選取在TFT陣列中數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管的一子集合。
一電流或電壓感應(yīng)電路，如在此所述及圖9所繪示的例子，將可測(cè)
量實(shí)質(zhì)上少于一百萬(wàn)個(gè)晶體管的子集合中單一TFT所引發(fā)的電流。
另外，如圖11所示，該電子信號(hào)感應(yīng)電路，如圖9中的示波器，可與相 對(duì)于圖1中短路棒50、 60及70形成于分段短路棒1320的上具有一 TFTs 12 陣列的基板30(圖l)相結(jié)合。 一滑動(dòng)電極1310或接點(diǎn)可利用一輪狀物或刷狀 物(在此繪示一導(dǎo)電輪，其它可達(dá)成實(shí)質(zhì)相同功能的機(jī)構(gòu)亦可考慮)延著分段短 路棒1320滑動(dòng)以與被測(cè)試的TFTs 12的次群組建立電性接觸。該滑動(dòng)電極1310 通常以一導(dǎo)電材料形成，且足夠柔細(xì)以免在基板表面滑動(dòng)時(shí)造成損壞。此外， 該滑動(dòng)電極1310直接接觸柵極、源極或是共同線(xiàn)，且被設(shè)計(jì)為具有一足夠?qū)?度，可以在相對(duì)于任一給定時(shí)間內(nèi)，同時(shí)接觸所有需要接觸接線(xiàn)的數(shù)量。
須注意的是本發(fā)明在此繪示并說(shuō)明的并不僅限于N型晶體管，上述說(shuō)明僅 為例舉，并非本發(fā)明的限制。
請(qǐng)參閱圖12，其繪示的是上述系統(tǒng)及方法可檢測(cè)的各種不同的損壞示意 圖。上述的系統(tǒng)及方法適用于偵測(cè)且可較佳地分辨出各種損壞，例如但不限于 某一或所有如下述在電路中各種型態(tài)的損壞柵極線(xiàn)斷點(diǎn)1401、數(shù)據(jù)線(xiàn)斷點(diǎn) 1402、數(shù)據(jù)線(xiàn)與柵極間短路1403、短路總線(xiàn)斷路1404、襯墊與短路總線(xiàn)間短 路1405、柵極到漏極短路1406、源極到柵極短路1407、漏極到源極短路1408、 儲(chǔ)存電容Cs短路1409、不良TFT接線(xiàn)1410、像素電極到數(shù)據(jù)線(xiàn)短路1411 、像 素電極到柵極線(xiàn)短路1412、像素電極間短路1413以及儲(chǔ)存電容變異1414。該 些損壞可于一電極形成的前或的后進(jìn)行偵測(cè)，該電極可為例如一 IT0或IZ0電 極。特征上，每一種損壞會(huì)導(dǎo)致不同的光電導(dǎo)通引發(fā)電流的響應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，該系統(tǒng)包含一或多個(gè)計(jì)算機(jī)或其它可程序裝置， 依照某一或上述所有的裝置、方法、特色以及功能來(lái)程序化。另一實(shí)施例是本 發(fā)明的該裝置可包含一機(jī)器可讀取內(nèi)存，其中該內(nèi)存包含、儲(chǔ)存或使一包含許 多指令的程序具體化，當(dāng)該程序借助該機(jī)器執(zhí)行時(shí)，可實(shí)現(xiàn)上述某一或全部裝 置、方法、特色以及功能的一實(shí)作?；蛘撸景l(fā)明的該裝置可包含可實(shí)現(xiàn)上述 某一或全部裝置、方法、特色以及功能的一計(jì)算機(jī)程序以執(zhí)行及/或可實(shí)現(xiàn)某 一或全部上述本發(fā)明實(shí)施例的某一或全部方法及/或系統(tǒng)。
須注意的是若有需要，本發(fā)明的軟件組件可被儲(chǔ)存于一只讀存儲(chǔ)器的型式。若有需要，該軟件組件亦可利用現(xiàn)有技術(shù)與硬件整合。
本發(fā)明在各個(gè)實(shí)施例分別敘述的特色亦可組合在同一實(shí)施例中，相反地， 本發(fā)明在單一實(shí)施例的簡(jiǎn)要說(shuō)明的特色亦可分開(kāi)提供到任何適當(dāng)?shù)拇谓M合中。
權(quán)利要求
1. 一種在一基板上用以檢查微電子組件的方法，其特征在于，包含下列步驟施加一控制信號(hào)至多個(gè)微電子組件，位于所述基板上，以周期性地讓所述多個(gè)微電子組件進(jìn)入一關(guān)閉狀態(tài)；利用至少一光束掃描所述多個(gè)微電子組件，以照射所述多個(gè)微電子組件中選定的至少一個(gè)微電子組件，并引發(fā)一電氣響應(yīng)，其中所述掃描步驟是與所述施加一控制信號(hào)步驟同步；以及在掃描時(shí)，測(cè)量由至少一微電子組件的一電氣響應(yīng)，用以偵測(cè)一電氣特征。
2. 如權(quán)利要求1所述的一方法，其特征在于，所述掃描所述多個(gè)微電子組件的 步驟是除被所述光束所照射的所述至少一個(gè)微電子組件外，維持其它所述微電子組 件不被照射。
3. 如權(quán)利要求1所述的一方法，其特征在于，所述至少一光束被投射到多個(gè)所 述微電子組件上。
4. 如權(quán)利要求1所述的一方法，其特征在于，所述多個(gè)微電子組件包含一晶體 管、 一電容與一二極管至少其中之一。
5. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于，所述多個(gè)微電子組件是排 列成一陣列。
6. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于，所述掃描步驟包含利用至 少一激光束以?huà)呙琛?br> 7. 如權(quán)利要求5所述的一方法，其特征在于，還包含在掃描時(shí)產(chǎn)生所述光束脈沖。 _
8. 如權(quán)利要求7所述的一方法，其特征在于，在掃描時(shí)產(chǎn)生至少一光束脈沖的步驟包含產(chǎn)生至少一序列的具時(shí)序的光束脈沖，使得每個(gè)脈沖依序被傳送到由所述 多個(gè)微電子組件中選出的微電子組件。
9. 如權(quán)利要求8所述的一方法，其特征在于，所述至少一序列的光束脈沖包含 多個(gè)脈沖序列，每一所述脈沖序列被循序傳送到由所述多個(gè)微電子組件中選出的一 微電子組件的電性隔離群組中。
10. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于，所述激光束被聚焦以形 成一與單一微電子組件空間對(duì)應(yīng)的光點(diǎn)。
11. 如權(quán)利要求IO所述的一方法，其特征在于，所述單一微電子組件包含一顯 示像素中的一電路。
12. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 一微電子組件所發(fā)射的一電流。
13. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于，單一微電子組件關(guān)聯(lián)的一電壓。
14. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 于所述多個(gè)微電子組件。
15. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 傳回的所述電氣響應(yīng)是被同時(shí)測(cè)量。
16. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 的由至少一微電子組件傳回的電氣響應(yīng)，以及一參考回應(yīng) 決定是否至少一所述至少一微電子組件為故障。
17. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 對(duì)應(yīng)的多個(gè)光源所提供的多個(gè)光束。
18. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 前置電極制作階段的平面顯示器晶體管陣列。
19. 如任一前述權(quán)利要求所述的一方法，其特征在于， 最后量產(chǎn)階段前的平面顯示器晶體管陣列。
20. —種測(cè)試裝置，其特征在于，包含 一掃描器，根據(jù)依序逐一掃描方式，利用一光束掃描設(shè)置在一平面顯示器基板上的多個(gè)薄膜晶體管上，并根據(jù)依序逐一感應(yīng)方式，在所述多個(gè)薄膜晶體管中感 應(yīng)出一光電導(dǎo)通回應(yīng)；電流感應(yīng)電路，是與所述掃描器同步運(yùn)作，用以測(cè)量關(guān)聯(lián)于一晶體管的所述 光電導(dǎo)通回應(yīng)的感應(yīng)輸出，并產(chǎn)生光電導(dǎo)通回應(yīng)的輸出值，所述光電導(dǎo)通響應(yīng)的輸 出值代表在所述多個(gè)薄膜晶體管中依序逐一由所述光束感應(yīng)的一光電導(dǎo)通回應(yīng)；以 及偵錯(cuò)裝置，用以分析所述電氣響應(yīng)輸出值并紀(jì)錄每一晶體管的特征。
21. 如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，還包含至少一信號(hào)產(chǎn)生器，用以，所述電氣響應(yīng)包含由單,所述電氣響應(yīng)包含與一,所述控制信號(hào)同時(shí)施加,由所述多個(gè)微電子組件還包含比較所述被測(cè)量 ;以及根據(jù)所述比較結(jié)果所述至少一光束包含由所述基板包含一具有一所述基板包含一具有一提供一同步于所述掃描器的電子信號(hào)至所選擇晶體管，以周期性地避免在所述顯示 面板上的漏電流。
22. 如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述至少一信號(hào)產(chǎn)生器包含一第 一信號(hào)產(chǎn)生器用以產(chǎn)生通過(guò)一柵極線(xiàn)施放到多個(gè)晶體管的一第一電子信號(hào)，使得所 述多個(gè)晶體管無(wú)法響應(yīng)一數(shù)據(jù)信號(hào)。
23. 如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，所述第一電子信號(hào)包含一電壓信號(hào)。
24. 如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，所述至少一信號(hào)產(chǎn)生器包含一第 二信號(hào)產(chǎn)生器，以同步于所述第一電子信號(hào)來(lái)產(chǎn)生通過(guò)一數(shù)據(jù)線(xiàn)施加到所述多個(gè)晶 體管的一第二電子信號(hào)，使得在缺乏外部激發(fā)下施加所述第二電子信號(hào)時(shí)，電流無(wú) 法 正常流通于所述多個(gè)晶體管。
25. 如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于，所述第二電子信號(hào)包含一電壓信號(hào)。
26. 如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述平面顯示器基板還包含至少 一短路棒，且其中所述裝置還包含一偏壓?jiǎn)卧靡允顾鲋辽僖欢搪钒舢a(chǎn)生偏壓， 用以在測(cè)量所述光電導(dǎo)通效應(yīng)的感應(yīng)電流時(shí)避免漏電流。
27. 如權(quán)利要求26所述的裝置，其特征在于，所述偏壓?jiǎn)卧坏谝慌c一第 二信號(hào)產(chǎn)生器。
28. 如權(quán)利要求26所述的裝置，其特征在于，所述至少一短路棒是分段的，用 以形成所述陣列中所述晶體管的子集合，使得感應(yīng)電流僅代表流通于其中一子集合 的電流。
29. 如權(quán)利要求26所述的裝置，其特征在于，所述電流感應(yīng)電路亦包含一滑動(dòng) 接點(diǎn)，在所述晶體管上滑動(dòng)，使得所述電流感應(yīng)電路僅能感應(yīng)所述接觸所述滑動(dòng)接 點(diǎn)的晶體管的電流。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用以測(cè)試一基板上的微電子組件的裝置，包含一掃描器，根據(jù)依序逐一掃描方式，利用一光束掃描設(shè)置在一平面顯示器基板上的多個(gè)薄膜晶體管上，并根據(jù)依序逐一感應(yīng)方式，在該多個(gè)薄膜晶體管中感應(yīng)出一光電導(dǎo)通回應(yīng)；一電流感應(yīng)電路，是與該掃描器同步運(yùn)作，用以測(cè)量關(guān)聯(lián)于一晶體管的該光電導(dǎo)通回應(yīng)的感應(yīng)輸出，并產(chǎn)生光電導(dǎo)通回應(yīng)的輸出值，該光電導(dǎo)通響應(yīng)的輸出值代表在該多個(gè)薄膜晶體管中依序逐一由該光束感應(yīng)的一光電導(dǎo)通回應(yīng)；以及一偵錯(cuò)裝置，用以分析該電氣響應(yīng)輸出值并紀(jì)錄每一晶體管的特征。
文檔編號(hào)G01R31/302GK101501516SQ200680037753
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2006年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月11日
發(fā)明者A·格拉澤爾, A·格羅斯, I·萊澤森, R·埃丁, R·本-托利拉 申請(qǐng)人:以色列商奧寶科技股份有限公司