專利名稱：核醫(yī)學(xué)診斷裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種核醫(yī)學(xué)診斷裝置(ECT裝置)，此核醫(yī)學(xué)診斷裝置是用 于對(duì)被檢測(cè)體投予放射性藥劑，并同時(shí)計(jì)量由蓄積在所述被檢測(cè)體的目標(biāo) 部位上的正電子放射性同位素(radioisotope, RI )放出的一對(duì)Y射線，以 獲得目標(biāo)部位的斷層圖像，本發(fā)明尤其涉及一種同時(shí)計(jì)數(shù)y射線的技術(shù)。
背景技術(shù)：
作為核醫(yī)學(xué)診斷裝置，即ECT (Emission Computed Tomography)裝置 的一例，對(duì)正電子發(fā)射斷層顯像(Positron Emission Tomography, PET) 裝置的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。PET裝置是以如下方式構(gòu)成利用相對(duì)向的Y射線檢 測(cè)器來(lái)對(duì)從被檢測(cè)體的目標(biāo)部位彼此成大致180°的方向放出的2條y射線 進(jìn)行^r測(cè)，在同時(shí)4企測(cè)出(同時(shí)計(jì)數(shù))Y射線時(shí)，再構(gòu)成被檢測(cè)體的斷層 圖像。而且，在PET裝置中用于對(duì)Y射線同時(shí)進(jìn)行計(jì)數(shù)的Y射線檢測(cè)器，有 的是由閃爍體(scintillator)禾口光電子4咅增管(photoelectron multiplier)構(gòu)成，所述閃爍體在入射有從被;險(xiǎn)測(cè)體放出的y射線時(shí)會(huì)發(fā) 光，所述光電子倍增管將所述閃爍體的發(fā)光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
此處，從原理上來(lái)講，從離開(kāi)視野中心的位置放出的Y射線如圖l6所 示那樣斜向入射到Y(jié)射線檢測(cè)器D的閃爍體中的情況較多，當(dāng)Y射線入射 方向上沒(méi)有被分割的閃爍體時(shí)，不僅會(huì)在準(zhǔn)確的位置檢測(cè)到Y(jié)射線，而且 也會(huì)在錯(cuò)誤的位置檢測(cè)到Y(jié)射線。也就是說(shuō)，視差誤差從視野中心朝向周 邊部分而逐漸變大，從而造成PET裝置所獲得的斷層圖像變得不準(zhǔn)確。
因此，如圖17所示，提出了一種Y射線檢測(cè)器，此y射線檢測(cè)器將閃爍 體分割(光學(xué)結(jié)合)成在Y射線入射方向上發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間不同的閃 爍體。例如，當(dāng)使用將閃爍體分割成在Y射線入射側(cè)Y射線衰減時(shí)間較短的 閃爍體陣列和在光電子倍增管側(cè)Y射線衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體陣列的Y射 線檢測(cè)器md時(shí)，即使y射線斜向入射到y(tǒng)射線檢測(cè)器md的閃爍體中，也可 以高精度地檢測(cè)到所放射的Y射線的位置，以獲得更準(zhǔn)確的斷層圖像，從 而實(shí)現(xiàn)了改善(例如參照日本專利特開(kāi)平6-337289號(hào)公報(bào)(第2-3頁(yè)、 圖l)、日本專利2000-56023號(hào)公報(bào)(第2 - 3頁(yè)、圖l))。
而且，作為在Y射線入射方向上層疊配置的衰減時(shí)間較短的閃爍體陣 列和衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體陣列的Y射線位置的具體檢測(cè)機(jī)構(gòu)，是通過(guò)具 備如下機(jī)構(gòu)而達(dá)成，即加算機(jī)構(gòu)，通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器，將如圖18所示那樣從受光元件輸出的電信號(hào)即模擬信號(hào)SF (衰減時(shí)間較短的閃爍體陣列的信號(hào))或者SR (衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體陣列的信號(hào))轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并將
如圖19所示那樣將經(jīng)過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號(hào)順次相加；識(shí)別值計(jì)算機(jī)構(gòu)，根據(jù)中途加算值A(chǔ)n或B^以及總加算值A(chǔ)t2或BT2,計(jì)算出表示中途加
算值除以總加算值所得的值A(chǔ)JAt2或Bn/BT2的識(shí)別值，其中，中途加算值A(chǔ)T1
或BT1是在加算機(jī)構(gòu)中，將從閃爍體塊發(fā)出的發(fā)光脈沖的發(fā)光開(kāi)始時(shí)起直到發(fā)光結(jié)束時(shí)為止的中途即直到中途時(shí)刻為止的數(shù)字信號(hào)相加所得的值，總加算值A(chǔ)n或Bn是在加算機(jī)構(gòu)中，將從閃爍體塊發(fā)出的發(fā)光脈沖的發(fā)光開(kāi)始時(shí)起直到發(fā)光結(jié)束時(shí)為止的數(shù)字信號(hào)相加所得的值；用于根據(jù)識(shí)別值計(jì)算機(jī)構(gòu)所計(jì)算出的識(shí)別值中的最大值和最小值來(lái)決定中間值K的機(jī)構(gòu)；以及判別機(jī)構(gòu)，判別所述識(shí)別值計(jì)算機(jī)構(gòu)所計(jì)算出的識(shí)別值相對(duì)于中間值K是較大的值還是較小的值。
而且，現(xiàn)有的核醫(yī)學(xué)診斷裝置中，是以如下方式來(lái)決定用于判別的參數(shù)。即，在如圖20所示的例如具有二級(jí)構(gòu)造的閃爍體陣列的二級(jí)閃爍體檢測(cè)器112的情況下，閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)L、 T2、 K是通過(guò)如
下方式來(lái)決定的。作為Y射線檢測(cè)器單體的檢查階段，設(shè)置在暗箱n5內(nèi)的二級(jí)閃爍體檢測(cè)器112將初始值的參數(shù)輸入到檢查用處理電路中，首先開(kāi)始僅對(duì)閃爍體陣列正面IIO'照射Y射線，并通過(guò)判別計(jì)算來(lái)計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)N,和信號(hào)計(jì)數(shù)N2，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N)被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列正面110的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)fU皮判斷為是來(lái)自閃爍體陣列背面111的信號(hào)。接著，如圖21所示，僅對(duì)閃爍體陣列背面111照射Y射線，并通過(guò)判別計(jì)算來(lái)計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)N/和信號(hào)計(jì)數(shù)N/ ，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列背面111的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列正面110的信號(hào)。進(jìn)而，如圖22所示，在不使用射線源的狀態(tài)下，在自然放射線116所造成的背景(background)下，通過(guò)判別計(jì)算來(lái)計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)Ntb和信號(hào)計(jì)數(shù)N2b，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N"皮判斷為是來(lái)自閃爍體陣列正面110的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N2b被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列背面111的信號(hào)。在此處，對(duì)(N廣N!b) / (N2-N2b)和(N/ - N2b)/ (N/ - Nlb)進(jìn)行定義。此處，將(N廣NJ / (N2-N2b)和(N/ - N2b) / (N/ - Nlb)這兩者的值相等且成為最大時(shí)的參數(shù)定為最佳值。此時(shí)，需要用來(lái)僅對(duì)任一個(gè)閃爍體陣列照射Y射線的鉛準(zhǔn)直器(lead coHimator ) 113和Ri射線源114。以上述方式所決定的參數(shù)在將Y射線檢測(cè)器單體搭栽到實(shí)際的PET裝置中的階段預(yù)先輸入到裝置用處理電路中。
然而，現(xiàn)有的核醫(yī)學(xué)診斷裝置中存在如下的問(wèn)題。即，在如圖"所示的例如具有二級(jí)構(gòu)造的閃爍體陣列的二級(jí)閃爍體檢測(cè)器112的情況下，閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)L、 T2、 K,是將Y射線檢測(cè)器U單體的檢查階段由檢查用處理電路所決定的參數(shù)，在搭載到實(shí)際的PET裝置中的階
段應(yīng)用于裝置用處理電路，但無(wú)論檢查用處理電路與裝置用處理電路是否
以相同的規(guī)格而制造，增益放大器(gain amplifier)等的溫度特性等都會(huì)稍有不同而產(chǎn)生個(gè)體差異，因而參數(shù)的最佳值未必一致，從而無(wú)法很好地進(jìn)行上下分離，對(duì)畫質(zhì)造成不良影響。
另一方面，如果想要在搭載到實(shí)際的裝置中的階段來(lái)決定參數(shù)，則需要與PET裝置相符的大身見(jiàn)模的鉛校準(zhǔn)夾具(jig)和Ri射線源，作業(yè)非常

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述課題，權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置采用了如下構(gòu)成。即，此核醫(yī)學(xué)診斷裝置的特征在于包括多個(gè)y射線檢測(cè)器，由閃爍體塊、受光元件和A/d轉(zhuǎn)換器而構(gòu)成，所述閃爍體塊是將發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間彼此不同的多個(gè)閃爍體陣列在y射線入射深度方向上以光學(xué)結(jié)合配置而成，所述受光元件將所述閃爍體塊發(fā)出的發(fā)光脈沖轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，所述A/d轉(zhuǎn)換器將從所述受光元件輸出的電信號(hào)即模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信子，裝置用處理電路，根據(jù)來(lái)自所述y射線檢測(cè)器的數(shù)字信號(hào)而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)比；框體，用于搭載所述多個(gè)y射線纟企測(cè)器；識(shí)別用參數(shù)決定機(jī)構(gòu)，在未
連接到不同于所述裝置;處理電路的檢查;處理電路的狀態(tài)下，'根據(jù)將;射線照射到各個(gè)所述閃爍體陣列時(shí)所獲得的所述數(shù)字信號(hào)來(lái)計(jì)算出第一信號(hào)計(jì)數(shù)比，并通過(guò)將y射線照射到所述閃爍體塊來(lái)進(jìn)行測(cè)定而求出第二信號(hào)計(jì)數(shù)比，并且，在將所述多個(gè)y射線檢測(cè)器分別搭載于所述框體中并將這些y射線檢測(cè)器連接到所述裝置用處理電路的狀態(tài)下，通過(guò)將y射線照射到所述y射線檢測(cè)器所分別具有的所述閃爍體塊并進(jìn)行測(cè)定而求出第三信號(hào)計(jì)數(shù)比，再根據(jù)所述第一信號(hào)計(jì)數(shù)比、所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比來(lái)決定識(shí)別用參數(shù)；以及識(shí)別機(jī)構(gòu)，根據(jù)所述識(shí)別用參數(shù)來(lái)識(shí)別測(cè)定對(duì)象的y射線入射到了所述多個(gè)y射線檢測(cè)器所分別具有的哪一個(gè)所述閃爍體陣列。
而且，權(quán)利要求2所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置是如權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比是通過(guò)從所述閃爍體塊的前面或后面照射y射線并進(jìn)行測(cè)定而求出。
而且，權(quán)利要求3所述6f核醫(yī)學(xué)診斷裝置是如權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比是通過(guò)從所述閃爍體塊的,'j面照射y射線并進(jìn)行測(cè)定而求出。
而且，權(quán)利要求4所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置是如權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于用于求出所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比的y射幾的照射
是利用傳輸用射線源來(lái)進(jìn)行。[發(fā)明效果]
通過(guò)上述手段，可決定最佳參數(shù)。利用最佳參數(shù)，可高精度地指定測(cè)
定對(duì)象的Y射線源的位置，因而能提供高畫質(zhì)的斷層圖像。
進(jìn)而，通過(guò)分成Y射線檢測(cè)器單體的測(cè)定和搭載到框體中之后的測(cè)定，能夠簡(jiǎn)便地決定最佳參數(shù)。


圖1是表示本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的外觀圖。
圖2是本發(fā)明的閃爍體陣列的識(shí)別方法的說(shuō)明圖。
圖3是本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的位置運(yùn)算電路的一例的說(shuō)明圖。圖4是本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的位置編碼圖的說(shuō)明圖。圖5是表示本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的能譜的圖。圖6是第一實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖7是第一實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖8是第一實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖9是第一實(shí)施例的閃爍體陣列的識(shí)別方法的說(shuō)明圖。圖10是在框體中搭載著多個(gè)Y射線檢測(cè)器的圖。圖11是第二實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖12是第二實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖13是第二實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖14是第三實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖15是第三實(shí)施例的參數(shù)的決定方法的說(shuō)明圖。圖16是現(xiàn)有的Y射線檢測(cè)器的Y射線檢測(cè)原理的說(shuō)明圖。圖17是現(xiàn)有的DOI Y射線檢測(cè)器的Y射線檢測(cè)原理的說(shuō)明圖。圖18是表示從現(xiàn)有的DOI Y射線檢測(cè)器輸出的電信號(hào)的波形的圖。圖19表示對(duì)從現(xiàn)有的DOI Y射線4企測(cè)器輸出的時(shí)間序列(time series )的數(shù)據(jù)進(jìn)行積分所得的值。
圖2 0是現(xiàn)有的核醫(yī)學(xué)診斷裝置的參數(shù)決定方法的說(shuō)明圖。圖21是現(xiàn)有的核醫(yī)學(xué)診斷裝置的參數(shù)決定方法的說(shuō)明圖。圖22是現(xiàn)有的核醫(yī)學(xué)診斷裝置的參數(shù)決定方法的說(shuō)明圖。[符號(hào)的說(shuō)明]
1閃爍體塊 1SF 脈沖衰減時(shí)間較短的閃爍體
1SR發(fā)光脈沖衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體
10 Y射線檢測(cè)器 11F 閃爍體陣列
611R閃爍體陣列12反光材料
13反光材料15暗箱
16檢查用處理電路17自然放射線
18裝置用處理電路20光導(dǎo)管
31、32、 33、 34 光電子倍增管35Ri射線源
36鉛準(zhǔn)直器37Ri射線源
38Ri射線源39傳輸用射線源
40傳輸用檢測(cè)器41鉛箱
42旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)71、72、 73、 74 加算器
75、76 位置辨別電3各80位置編碼圖上的代表部
81衰減時(shí)間較短的閃爍體的編碼圖
82衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體的編碼圖
83位置編碼圖81上的代表部84位置編碼圖82上的代^
110閃爍體陣列正面111閃爍體陣列背面
112二級(jí)閃爍體檢測(cè)器113鉛校準(zhǔn)夾具
114Ri射線源115暗箱
116自然放射線
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施例)
以下，將本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的第一實(shí)施例的構(gòu)成詳細(xì)示于圖中并加以說(shuō)明。圖1是本發(fā)明的具有二級(jí)構(gòu)造的閃爍體陣列的Y射線檢測(cè)器10的外觀圖。如圖l所示，Y射線檢測(cè)器10在Y射線入射深度方向上將閃爍體塊l分割而配置，即，放射線檢測(cè)器IO是三維配置有閃爍體的作用深度
(Depth Of Interaction, DOI ) y射線檢測(cè)器。本例的DOIy射線檢測(cè)器中為二級(jí)構(gòu)造的閃爍體陣列。
本實(shí)施例的Y射線檢測(cè)器10大體上分4個(gè)部分構(gòu)成。第一部分是二維緊密配置有發(fā)光脈沖衰減時(shí)間較短的閃爍體1SF的閃爍體陣列IIF，所述閃爍體1SF是通過(guò)適當(dāng)?shù)貖A入反光材料12而劃分，且所述閃爍體1SF在X方向上配置有8個(gè)，在Y方向上配置有8個(gè)，共計(jì)64個(gè)。第二部分是二維緊密配置有發(fā)光脈沖衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體1SR的閃爍體陣列IIR，所述閃爍體1SR是通過(guò)適當(dāng)?shù)貖A入反光材料12而劃分，且所述閃爍體1SR在X方向上配置有8個(gè)，在Y方向上配置有8個(gè)，共計(jì)64個(gè)。此處，所述閃爍體陣列11F以及閃爍體群11R組合而成的便是閃爍體塊1。第三部分是光導(dǎo)管
(light guide)20，該光導(dǎo)管20的構(gòu)造為，以光學(xué)方式結(jié)合于閃爍體塊1，且埋設(shè)有組合著反光材料13 (未圖示)的格子框體，并劃定有多個(gè)小的區(qū)。第四部分是分別以光學(xué)方式結(jié)合于光導(dǎo)管20的4個(gè)光電子倍增管31、 32、 33、 34。
此處，作為發(fā)光脈沖衰減時(shí)間較短的閃爍體1SF,使用Gd2Si05: Cel. 5 mol% ( GSO: Cel. 5 mol% )、摻雜有Zr的Gd2Si05: Cel. 5 mol% ( GSOZ: Cel. 5 mol°/。)、 Lu2Si05: Ce (LSO )、 LuYSi05: Ce (LYSO )、 LaBr3: Ce、 LaCh: Ce、 Lul: Ce等的無(wú)機(jī)結(jié)晶。另一方面，作為發(fā)光脈沖衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體 1SR，使用Gd2Si05: CeO. 5 mol% ( GSO: CeO. 5 mol% )、摻雜有Zr的Gd2 Si05: CeO. 5 mol% (GSOZ: CeO. 5mol%)、 Bi4Ge3012 ( BGO )、 Lu^GduSiOs: Ce ( LGSO ) 等的無(wú)機(jī)結(jié)晶。
表1表示各閃爍體的衰減時(shí)間的數(shù)據(jù)。
閃爍體衰減時(shí)間 [ns〗
Gd2Si05: Cel. 5 mol% (GSO: Cel. 5 mol%)40
摻雜有Zr的Gd2Si05: Cel. 5 mol% (GSOZ: Cel. 5 mol%)40
Lu2Si05: Ce (LSO)40
LuYSi(k Ce (LYSO)40
LaBr3: Ce27
LaCh: Ce70
Lul: Ce25
Gd2Si05: CeO. 5 mol%(GSO: CeO. 5 mol°/。)80
摻雜有Zr的Gd2 Si05: CeO. 5 mol% (GSOZ: CeO. 5 mol%)80
Bi4Ge3012 (BGO)300
Lu04Gd16SiO5: Ce (LGSO)43
閃爍體塊1是將在Y射線入射深度方向(Z方向)上發(fā)光脈沖的衰減時(shí) 間不同的2個(gè)閃爍體陣列11F與閃爍體陣列11R以光學(xué)方式結(jié)合而成的， 閃爍體陣列IIF二維緊密配置有多個(gè)發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間較短的閃爍體ISF, 閃爍體陣列IIR二維緊密配置有發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體1SR。具 體來(lái)說(shuō)，閃爍體塊l在Y射線入射側(cè)(前段)例如使用Gd2Si05: Cel.5mol°/。 (GSO: Cel. 5 mol%)來(lái)作為發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間較短的閃爍體1SF,而在 光導(dǎo)管20側(cè)(后段)例如使用Gd2Si05: CeO. 5 mol% (GSO: CeO. 5 mol%) 來(lái)作為發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間較長(zhǎng)的閃爍體1SR 。
82個(gè)閃爍體陣列IIF以及閃爍體陣列IIR分別由8根x8根(X方向、Y 方向)晶片狀的閃爍體構(gòu)成，由部位而插入或者填充有用以使y射線入射 時(shí)產(chǎn)生的光在X方向與Y方向上按比例分配的反光材料12或透光材料(未 圖示)以及光學(xué)粘結(jié)劑(未圖示)。
光導(dǎo)管20將閃爍體塊1的閃爍體IIF、 11R所產(chǎn)生的光導(dǎo)入到光電子 倍增管31~ 34中，光導(dǎo)管20插入在閃爍體塊1與光電子倍增管31~ 34之 間，并分別利用光學(xué)粘結(jié)劑而彼此光學(xué)結(jié)合。
在閃爍體陣列iiF、 IIR所產(chǎn)生的光入射到4面的光電子倍增管光電轉(zhuǎn) 換膜并被電子放大后，最終轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(模擬信號(hào))而輸出。因此，此 光電子倍增管31 ~ 34的輸出成為Y射線檢測(cè)器10的輸出。
此處，閃爍體塊1內(nèi)的光是通過(guò)以光學(xué)方式結(jié)合的光導(dǎo)管20而導(dǎo)入到 光電子倍增管31~34中，此時(shí)，調(diào)整光導(dǎo)管20中的各反光材料13 (未圖 示)的位置和長(zhǎng)度以及角度，以使排列在X方向上的光電子倍增管31 (33) 與光電子倍增管32 ( 34 )的輸出比以固定的比例而變化。
此處，在本發(fā)明中，以如下方式來(lái)決定閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的 參數(shù)T、T2、 K。如圖2所示，相對(duì)于設(shè)置在暗箱15內(nèi)的具有二級(jí)構(gòu)造的閃
爍體陣列的Y射線檢測(cè)器10,從前方由Ri射線源35來(lái)照射Y射線，對(duì)位 置編碼圖(coding map)與能譜(energy spectrum)進(jìn)行測(cè)定。即，如果 將光電子倍增管31的輸出設(shè)為Pl，將光電子倍增管32的輸出設(shè)為P2，將 光電子倍增管33輸出設(shè)為P3，將光電子倍增管34的輸出設(shè)為P4,則計(jì)算 出表示X方向的位置的計(jì)算值{(P1+P3) - (P2 + P4)) / (P1+P2 + P3 + P4)。對(duì)于Y方向，也以同樣的方式計(jì)算出表示Y方向的位置的計(jì)算值((P1
+ P2) - (P3 + P4)W (Pl + P2 + P3 + P4)。
圖3是表示y射線檢測(cè)器10的位置運(yùn)算電路的構(gòu)成的方塊圖。位置運(yùn) 算電路由加算器71、 72、 73、 74和位置辨別電路75、 76而構(gòu)成。如圖3 所示，為了對(duì)Y射線的X方向的入射位置進(jìn)行;險(xiǎn)測(cè)，將光電子倍增管31的 輸出Pl與光電子倍增管33.的輸出P3輸入到加算器71中，并且將光電子 倍增管32的輸出P2與光電子倍增管34的輸出P4輸入到加算器"中。將 兩加算器71、 72的各加算輸出(Pl + P3)和(P2 + P4)輸入到位置辨別電 路75中，根據(jù)兩個(gè)加算輸出來(lái)求出Y射線的X方向的入射位置。同樣地， 對(duì)于Y射線的Y方向的入射位置的檢測(cè)，也是將各加算輸出(Pl + P2)和
(P3 + P4)輸入到位置辨別電路76中，根據(jù)兩加算輸出來(lái)求出Y射線的Y 方向的入射位置。以上述方式計(jì)算出的結(jié)果按照入射到閃爍體中的Y射線 的位置而表示為如圖4所示的位置編碼圖，表示各個(gè)位置辨別信息。
另一方面，計(jì)算值(Pl+P2 + P3 + P4)表示相對(duì)于該事件(event)的 能量，是作為能譜而計(jì)算。作為一例，在圖5中表示相對(duì)于位置編碼圖上的代表部80的能譜。此處，由于兩個(gè)閃爍體的發(fā)光輸出的不同，出現(xiàn)了兩
個(gè)能量峰值(energy peak) 'PF和PR。在本實(shí)施例的情況下，PF相當(dāng)于 Gd2Si05: Cel. 5 mol% (GSO: Cel. 5 mol°/。)， PR相當(dāng)于Gd2Si05: CeO. 5 mol°/。 (GSO: CeO. 5 mol%)。
此處說(shuō)明針對(duì)具有二級(jí)構(gòu)造的閃爍體陣列的Y射線檢測(cè)器10,來(lái)決定 閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)T2、 K的方法。如圖6所示，作為y 射線檢測(cè)器單體的第一檢查階段，將Y射線檢測(cè)器IO設(shè)置于暗箱15內(nèi)，將 參數(shù)的初始值輸入到檢查用處理電路16中。在此狀態(tài)下，從經(jīng)過(guò)鉛準(zhǔn)直器 36校準(zhǔn)的Ri射線源35而來(lái)的Y射線僅照射到閃爍體陣列IIF。此時(shí)，根據(jù) 所輸入的參數(shù),在檢查用處理電路16內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)N, 和信號(hào)計(jì)數(shù)N,，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N,被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列IIF的信號(hào)，所 述信號(hào)計(jì)數(shù)N2被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11R的信號(hào)。
接著，如圖7所示，在此狀態(tài)下，從經(jīng)過(guò)鉛準(zhǔn)直器36校準(zhǔn)的Ri射線源 35而來(lái)的y射線僅照射到閃爍體陣列IIR。此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在 檢查用處理電路16內(nèi)通過(guò)判另'J計(jì)算而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)N/和信號(hào)計(jì)數(shù)N/ ， 所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11R的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/ 被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11F的信號(hào)。
進(jìn)而，如圖8所示，在未使用射線源的狀態(tài)下，主要對(duì)自然放射線17 所造成的計(jì)數(shù)進(jìn)行計(jì)量。在此背景的狀態(tài)下，在檢查用處理電路16內(nèi)通過(guò) 判別計(jì)算而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)l和信號(hào)計(jì)數(shù)N2b,所述信號(hào)計(jì)數(shù)l被判斷為 是來(lái)自閃爍體陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)L被判斷為是來(lái)自閃爍體陣 列11R的信號(hào)。
此處，將R, (N「Nlb) / (N2 — N2b)與R/ = (N/ — N2b) / ( N/ — Nlb) 定義為第一信號(hào)計(jì)數(shù)比。將R與R'兩者的值相等且為最大時(shí)的參數(shù)T" T2、 K定為最佳值。
接著，如圖9所示，作為Y射線檢測(cè)器單體的第二檢查階段，將Y射 線檢測(cè)器IO設(shè)置于暗箱15內(nèi)，將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K輸入到 檢查用處理電路16中。在此狀態(tài)下，在相對(duì)于Y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi) 距離d的位置上配置Ri射錢源35，從y射線;險(xiǎn)測(cè)器10的前面照射y射線。 此處，距離d是與從PET裝置上的中心到y(tǒng)射線檢測(cè)器表面為止的距離相 等的值。此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在檢查用處理電路16內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算 而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)Nf和信號(hào)計(jì)數(shù)Nr,所述信號(hào)計(jì)數(shù)N"皮判斷為是來(lái)自閃爍 體陣列IIF的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)NR被判斷為來(lái)自閃爍體陣列IIR的信號(hào)。 此處，將112 = &/&定義為第二信號(hào)計(jì)數(shù)比。至此為止是Y射線檢測(cè)器單體 的檢查階段。
接著，如圖IO所示，作為第三檢查階段，將多個(gè)Y射線檢測(cè)器10按實(shí)際的PET裝置所構(gòu)成的數(shù)量而搭載到框體(未圖示)中。各個(gè)y射線檢 測(cè)器10與裝置用處理電路18相連。圖10中，僅表示了整周中的1/4的y
射線檢測(cè)器，但實(shí)際上整周都存在著Y射線檢測(cè)器，且Y射線檢測(cè)器收納 在適當(dāng)?shù)陌迪?未圖示)中。另外，就框體而言，較理想的是使用實(shí)際上 構(gòu)成PET裝置的框體，但也可以另行使用檢查用的框體。
此時(shí)，無(wú)論檢查階段中所使用的檢查用處理電路16與裝置用處理電路 18是否以相同的規(guī)格而制造，增益放大器等的溫度特性等都會(huì)稍有不同而 產(chǎn)生個(gè)體差異，因而前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)T、T2、 K未必一致。因此，此 處需要重新決定最佳參數(shù)，但暫時(shí)將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K作為 初始值而輸入到裝置用處理電路18中。接著，如圖10所示，在相對(duì)于所 有的Y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi)距離d的PET裝置上的中心位置處配置Ri 射線源37,從所有的y射線檢測(cè)器10的前面照射y射線。
此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在裝置用處理電路18內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì) 算出信號(hào)計(jì)數(shù)N/和信號(hào)計(jì)數(shù)N/ ,所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體 陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列IIR的信號(hào)。
此處，將R^NZ/N/定義為第三信號(hào)計(jì)數(shù)比。因此，找出作為前項(xiàng)所 求出的第二信號(hào)計(jì)數(shù)比的R2 = NF/NR與作為此次計(jì)算出的第三信號(hào)計(jì)數(shù)比的 R3 = /N/變得相等的參數(shù)的條件，將該參數(shù)定為閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所 需的參數(shù)最佳值T、、 T/、 K'。
如上所述，使用檢查階段中的第二信號(hào)計(jì)數(shù)比數(shù)據(jù)，以作為PET裝置 的第三信號(hào)計(jì)數(shù)比變得相等的方式來(lái)決定參數(shù)的最佳值T、、 T/、 r，因此 能夠非常準(zhǔn)確地決定參數(shù)的最佳值。 (第二實(shí)施例)
以下，將本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的第二實(shí)施例的構(gòu)成詳細(xì)示于圖中并 加以說(shuō)明。本實(shí)施例用于更嚴(yán)格地決定最佳值的情況。作為閃爍體陣列的 識(shí)別機(jī)構(gòu)，對(duì)在Y射線檢測(cè)器單體的第一檢查階段中所求出的第一信號(hào)計(jì) 數(shù)比即R) = ( N, - Nlb) / ( N2 - N2b)和R/ = ( N/ — N2b) / ( N/ — Nlb)進(jìn)行定 義，將R與R'兩者的值相等且為最大時(shí)的參數(shù)L、 T2、 K定為最佳值，至此 為止與第一實(shí)施例完全相同(圖6-圖8)。
接著，如圖11所示，作為y射線檢測(cè)器單體的第二檢查階段，將Y射 線檢測(cè)器IO設(shè)置于暗箱15內(nèi)，將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K輸入到 檢查用處理電路16中。在ot匕ft態(tài)下，在相對(duì)于Y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi) 距離d的位置上配置Ri射線源35，從Y射線;險(xiǎn)測(cè)器10的前面照射y射線。 此處，距離d是與從PET裝置上的中心到y(tǒng)射線檢測(cè)器表面為止的距離相 等的值。此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在^r查用處理電路16內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算 而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)Np和信號(hào)計(jì)數(shù)NR,所述信號(hào)計(jì)數(shù)NF被判斷為是來(lái)自閃爍
ii體陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)NK被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11R的信
號(hào)。此處，將R2-Np/NF定義為第二信號(hào)計(jì)數(shù)比。
進(jìn)而，在此狀態(tài)下，如圖12所示，在相對(duì)于Y射線檢測(cè)器10而只離 開(kāi)距離d'的位置上配置Ri射線源35，從v射線^r測(cè)器10的后面照射y射 線。此處，距離d'是與隨后在PET裝置上搭載Y射線檢測(cè)器時(shí)從Y射線檢 測(cè)器10的后面到Ri射線源為止的距離相等的值。此時(shí)，根據(jù)所輸入的參 數(shù)，在檢查用處理電路16內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)NFb和信號(hào)計(jì)數(shù) NRb,所述信號(hào)計(jì)數(shù)1被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列IIF的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì) 數(shù)l被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11R的信號(hào)。此處，將1^ = 1/1定義為 第二信號(hào)計(jì)數(shù)比。至此為止是y射線檢測(cè)器單體的檢查階段。
接著，如圖13所示，作為第三檢查階段，將多個(gè)Y射線檢測(cè)器10按 實(shí)際的PET裝置所構(gòu)成的數(shù)量而搭載到框體(未圖示)中。各個(gè)Y射線檢 測(cè)器10與裝置用處理電路18相連。圖13中，僅表示了整周中的1/4的y
射線檢測(cè)器，但實(shí)際上整周都存在著Y射線檢測(cè)器，且Y射線檢測(cè)器收納 在適當(dāng)?shù)陌迪?未圖示)中。另外，就框體而言，較理想的是使用實(shí)際上 構(gòu)成PET裝置的框體，但也可以另行使用檢查用的框體。
此時(shí)，無(wú)論;險(xiǎn)查階段中所使用的檢查用處理電路16與裝置用處理電路 18是否以相同的規(guī)格而制造，增益放大器等的溫度特性等都會(huì)稍有不同而 產(chǎn)生個(gè)體差異，因而前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K未必一致。因此，此 處需要重新決定最佳參數(shù)，但暫時(shí)將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K作為 初始值而輸入到裝置用處理電路18中。接著，如圖13所示，在相對(duì)于所 有的Y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi)距離d的PET裝置上的中心位置處配置Ri 射線源37,從所有的Y射線檢測(cè)器10的前面照射Y射線。
此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在裝置用處理電路18內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì) 算出信號(hào)計(jì)數(shù)N/和信號(hào)計(jì)數(shù)N/ ，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體 陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N/被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列IIR的信號(hào)。 此處，將R3-NZ/N/定義為第三信號(hào)計(jì)數(shù)比。因此，找出作為前項(xiàng)所求出 的第二信號(hào)計(jì)數(shù)比的1(2 = $/^與作為此次計(jì)算出的第三信號(hào)計(jì)數(shù)比的R3 = N/ /N/變得相等的參數(shù)的條件，將該參數(shù)定為閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需 的參數(shù)最佳值T、、 T/、 K'。
進(jìn)而，如圖13所示，在相對(duì)于所有的Y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi)距離 d'的PET裝置上的位置處配置Ri射線源38 (雖然也圖示了 Ri射線源37， 但此時(shí)Ri射線源37并不存在)，針對(duì)所有的Y射線檢測(cè)器10，順次從后面 照射Y射線。
此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在裝置用處理電路18內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì) 算出信號(hào)計(jì)數(shù)NF/和信號(hào)計(jì)數(shù)NRb',所述信號(hào)計(jì)數(shù)N〃被判斷為是來(lái)自閃爍
12體陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)N^被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11R的信
號(hào)。此處，將R3-l'/NRb'定義為第三信號(hào)計(jì)數(shù)比。因此，找出作為前項(xiàng)所 求出的第二信號(hào)計(jì)數(shù)比的R2 = NFb/NRb與作為此次計(jì)算出的第三信號(hào)計(jì)數(shù)比 的113 = &//1'變得相等的參數(shù)的條件，將該參數(shù)定為閃爍體陣列的識(shí)別機(jī) 構(gòu)所需的參數(shù)最佳值T'、、 T/'、 K"。
此處，取參數(shù)最佳值T/、 T/、 K'與參數(shù)最佳值T/'、 T2〃、 K〃各自 的中間值，從而能夠更準(zhǔn)確地決定參數(shù)的最佳值。 (第三實(shí)施例) ，
以下，將本發(fā)明的Y射線檢測(cè)器的第三實(shí)施例的構(gòu)成詳細(xì)示于圖中并 加以說(shuō)明。作為閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)，對(duì)Y射線檢測(cè)器單體的第一檢查 階段中所求出的第一信號(hào)計(jì)數(shù)比即R, (N一N") / (N2-N2b)和R/ = (N/ -N2b) / (N/ - Nlb)進(jìn)行定義，將R與R'兩者的值成為相等且為最大時(shí)的 參數(shù)L、 T2、 K定為最佳值，至此為止與第一實(shí)施例完全相同(圖6~圖8)。
接著，如圖14所示，作為Y射線檢測(cè)器單體的第二檢查階段，將y射 線檢測(cè)器IO設(shè)置于暗箱15內(nèi)，將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K輸入到 ;險(xiǎn)查用處理電路16中。在此狀態(tài)下，在相對(duì)于Y射線^險(xiǎn)測(cè)器10而只離開(kāi) 距離1的位置上配置Ri射線源35，從y射線檢測(cè)器10的側(cè)面照射y射線。 此處，距離1是與從PET裝置上的傳輸用射線源到Y(jié)射線檢測(cè)器表面為止 的距離相等的值。此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在檢查用處理電路l6內(nèi)通過(guò) 判別計(jì)算而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)l和信號(hào)計(jì)數(shù)NR。，所述信號(hào)計(jì)數(shù)l被判斷為 是來(lái)自閃爍體陣列11F的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)l被判斷為是來(lái)自閃爍體陣 列11R的信號(hào)。此處,將R^'Ul定義為第二信號(hào)計(jì)數(shù)比。至此為止是Y 射線檢測(cè)器單體的檢查階段。
接著，如圖15所示，作為第三檢查階段，將多個(gè)Y射線檢測(cè)器10按 實(shí)際的PET裝置所構(gòu)成的數(shù)量而搭載到框體(未圖示)中。各個(gè)y射線檢 測(cè)器10與裝置用處理電路18相連。圖15中，僅表示了整周中的I/4的Y 射線檢測(cè)器，但實(shí)際上整周都存在著Y射線檢測(cè)器，且Y射線檢測(cè)器收納 于適當(dāng)?shù)陌迪?未圖示)中。另外，就框體而言，較理想的是使用實(shí)際上 構(gòu)成PET裝置的框體，但也可以另行使用檢查用的框體。此時(shí)，無(wú)論檢查 階段中所使用的檢查用處理電路16與裝置用處理電路18是否以相同的規(guī) 格而制造，增益放大器等的溫度特性等都會(huì)稍有不同而產(chǎn)生個(gè)體差異，因 而前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)L、 T2、 K未必一致。因此，此處需要重新決定最 佳參數(shù)，但暫時(shí)將前項(xiàng)所決定的最佳參數(shù)T,、 T2、 K作為初始值而輸入到裝 置用處理電路18中。
如圖15所示，在相對(duì)于所有的y射線檢測(cè)器10而只離開(kāi)距離1的位 置上配置旋轉(zhuǎn)式傳輸用射線源39。另外，為了獲取吸收校正數(shù)據(jù)，傳輸用
13射線源39與傳輸用檢測(cè)器40在pet裝置中一般都有配備，因此傳輸用射 線源39可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)42來(lái)順次照射傳輸用檢測(cè)器40。傳輸用射線源 39配置于鉛箱41內(nèi)，且具備用于照射y射線檢測(cè)器10的開(kāi)閉式窗口和用 于照射傳輸用檢測(cè)器40的開(kāi)閉式窗口。利用該傳輸用射線源39，可以通過(guò) 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)42來(lái)對(duì)所有的y射線檢測(cè)器10順次從側(cè)面照射y射線。
此時(shí)，根據(jù)所輸入的參數(shù)，在裝置用處理電路18內(nèi)通過(guò)判別計(jì)算而計(jì) 算出信號(hào)計(jì)數(shù)nf/和信號(hào)計(jì)數(shù)nr/ ,所述信號(hào)計(jì)數(shù)nf/被判斷為是來(lái)自閃爍 體陣列11f的信號(hào)，所述信號(hào)計(jì)數(shù)nj被判斷為是來(lái)自閃爍體陣列11r的信 號(hào)。此處，將r^n^/nk/定義為第三信號(hào)計(jì)數(shù)比。因此，找出作為前項(xiàng)所 求出的第二信號(hào)計(jì)數(shù)比的}12 = 1/1與作為此次計(jì)算出的第三信號(hào)計(jì)數(shù)比 的r3 = nf/ 變得相等的參數(shù)的條件，將該參數(shù)定為閃爍體陣列的識(shí)別機(jī) 構(gòu)所需的參數(shù)最佳值t、、 t/、 k'。
本發(fā)明可提供一種核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其通過(guò)采用如上所述的方法，無(wú) 須使用特別的外部射線源便能準(zhǔn)確且簡(jiǎn)便地決定參數(shù)的最佳值，因此可保 持高畫質(zhì)，從而通過(guò)簡(jiǎn)便的作業(yè)便能達(dá)成高畫質(zhì)。而且，在將y射線檢測(cè) 器搭載到實(shí)際的pet裝置中后，不需要與pet裝置相符的大規(guī)模的鉛校準(zhǔn) 夾具，作業(yè)變得非常簡(jiǎn)便。
本發(fā)明并不限于所述實(shí)施形態(tài)，可按照下述方式來(lái)變形實(shí)施。
在上述實(shí)施例中，是以pet裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但只要本發(fā)明是對(duì) 從投予了放射性藥劑的被檢測(cè)體發(fā)出的放射線進(jìn)行同時(shí)計(jì)數(shù)而進(jìn)行核醫(yī)學(xué) 診斷的核醫(yī)學(xué)裝置，則可以不限定于pet裝置地加以應(yīng)用。
上述實(shí)施例中，也可應(yīng)用于像具備pet裝置和x射線ct裝置的pet -ct那樣，將核醫(yī)學(xué)診斷裝置與x射線ct裝置組合而成的裝置中。
上述實(shí)施例中，說(shuō)明了閃爍體塊1是將閃爍體陣列11f和閃爍體陣列 11r這兩層(個(gè))組合而成，但也可以是兩層(個(gè))以外的多層(個(gè))。而 且，說(shuō)明了各閃爍體中所具務(wù)的閃爍體陣列11F、11R的數(shù)量為8根x8根， 但也可以是具備8根x 8根以外的多根。
上述實(shí)施例中，說(shuō)明了受光元件是光電子倍增管31~34，但也可以使 用除此以外的受光元件，例如也可以^^用光電二才及管(photodiode )或者 雪崩式光電二極管(avalanche photodiode)等。
產(chǎn)業(yè)適用性
如上所述，本發(fā)明適用于醫(yī)療用或產(chǎn)業(yè)用的放射線攝影裝置。
1權(quán)利要求
1. 一種核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于包括多個(gè)γ射線檢測(cè)器，由閃爍體塊、受光元件和A/D轉(zhuǎn)換器而構(gòu)成，所述閃爍體塊是將發(fā)光脈沖的衰減時(shí)間彼此不同的多個(gè)閃爍體陣列在γ射線入射深度方向上以光學(xué)結(jié)合配置而成，所述受光元件將所述閃爍體塊發(fā)出的發(fā)光脈沖轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，所述A/D轉(zhuǎn)換器將從所述受光元件輸出的電信號(hào)即模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)；裝置用處理電路，根據(jù)來(lái)自所述γ射線檢測(cè)器的數(shù)字信號(hào)而計(jì)算出信號(hào)計(jì)數(shù)比；框體，用于搭載所述多個(gè)γ射線檢測(cè)器；識(shí)別用參數(shù)決定機(jī)構(gòu)，在未將所述多個(gè)γ射線檢測(cè)器分別搭載于所述框體中而是將這些γ射線檢測(cè)器連接到不同于所述裝置用處理電路的檢查用處理電路的狀態(tài)下，根據(jù)將γ射線照射到各個(gè)所述閃爍體陣列時(shí)所獲得的所述數(shù)字信號(hào)來(lái)計(jì)算出第一信號(hào)計(jì)數(shù)比，并通過(guò)將γ射線照射到所述閃爍體塊來(lái)進(jìn)行測(cè)定而求出第二信號(hào)計(jì)數(shù)比，并且，在將所述多個(gè)γ射線檢測(cè)器分別搭載于所述框體中并將這些γ射線檢測(cè)器連接到所述裝置用處理電路的狀態(tài)下，通過(guò)將γ射線照射到所述γ射線檢測(cè)器所分別具有的所述閃爍體塊并進(jìn)行測(cè)定而求出第三信號(hào)計(jì)數(shù)比，再根據(jù)所述第一信號(hào)計(jì)數(shù)比、所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比來(lái)決定識(shí)別用參數(shù)；以及識(shí)別機(jī)構(gòu)，根據(jù)所述識(shí)別用參數(shù)來(lái)識(shí)別測(cè)定對(duì)象的γ射線入射到了所述多個(gè)γ射線檢測(cè)器所分別具有的哪一個(gè)所述閃爍體陣列。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于 所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比是通過(guò)從所述閃爍體塊的前面或后面照射y射線并進(jìn)行測(cè)定而求出。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于 所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)比和所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比是通過(guò)從所述閃爍體塊的側(cè)面來(lái)照射y射線并進(jìn)行測(cè)定而求出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的核醫(yī)學(xué)診斷裝置，其特征在于 用于求出所述第三信號(hào)計(jì)數(shù)比的y射線的照射是利用傳輸用射線源來(lái)進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種核醫(yī)學(xué)診斷裝置，能夠高精度且簡(jiǎn)便地決定二級(jí)閃爍體γ射線檢測(cè)器(DOI)中的閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)T₁、T₂、K。閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)是參照第一信號(hào)計(jì)數(shù)比來(lái)決定，所述第一信號(hào)計(jì)數(shù)比是通過(guò)在γ射線檢測(cè)器單體的檢查階段對(duì)在γ射線入射深度方向上發(fā)光脈沖衰減時(shí)間不同的各個(gè)閃爍體陣列中的每一個(gè)照射γ射線而獲取，進(jìn)而，通過(guò)從該γ射線檢測(cè)器單體的前面來(lái)照射γ射線而獲取第二信號(hào)計(jì)數(shù)比，接著，通過(guò)在將γ射線檢測(cè)器單體搭載到PET裝置中的階段而從γ射線檢測(cè)器單體的前面照射γ射線而獲取第三信號(hào)計(jì)數(shù)比，以決定在與所述第二信號(hào)計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)相同的條件下的閃爍體陣列的識(shí)別機(jī)構(gòu)所需的參數(shù)。
文檔編號(hào)G01T1/161GK101460864SQ20068005486
公開(kāi)日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2006年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者大井淳一, 戶波寬道 申請(qǐng)人:株式會(huì)社島津制作所