專利名稱：：硅基光子分子的設(shè)置與制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是涉及硅基光子分子的設(shè)置與制備方法，尤其是一維耦合微腔設(shè)置與氣相共形薄膜生長(zhǎng)方法相結(jié)合設(shè)計(jì)與制備硅基光子分子的新方法。二
背景技術(shù)：
：在微米尺度的半導(dǎo)體微腔結(jié)構(gòu)中限制光子態(tài)可以形成類似于原子中的電子態(tài)分布的特性，這種結(jié)構(gòu)可以稱為光子量子點(diǎn)[1.S.Chen，B.Qian,K.Chen,X.Zhang,J.Xu,Z.Ma,W.Li，andX.Huang,^;p/.P/^.卯，174101(2007)]或光子原子。將兩個(gè)(多個(gè))光子量子點(diǎn)耦合將會(huì)形成類似于氫分子的雙原子(多原子)的光子分子結(jié)構(gòu)。這種對(duì)于光子態(tài)的操控，在普通的原子和分子中是不可能實(shí)現(xiàn)的，它擁有著廣泛的應(yīng)用，從探討分子鍵合的基本物理問題到更加有效的半導(dǎo)體激光器。應(yīng)用光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)操控光子量子點(diǎn)的耦合相對(duì)于電子能量量子化量子點(diǎn)將更加容易和便于理解，因?yàn)槠洳恍枰紤]多體效應(yīng)，比如耦合的半導(dǎo)體量子點(diǎn)中復(fù)雜的電子與電子相互作用。國(guó)際上對(duì)于光子分子的研究還在起步階段，多為利用刻蝕技術(shù)制備的光子量子點(diǎn)腔體的橫向耦合而形成，包括了III-V族的Fabry-Perot型的微腔結(jié)構(gòu)[2.M.Bayer,T.Gutbrod,J.P.Reithmaier,A.Forchel,T.L.Reinecke，P.A.Knipp,A.A.Dremin,andV.D.Kulakovskii,戶/z;^.及ev.81，2582(1998)]和耳語廊(WisperGallery)結(jié)構(gòu)[3.A.Nakagawa,S.Ishii，andT.Baba,^//.PA".86，041112(2005)，4.T.Mukaiyama,K.Takeda,H.Miyazaki，Y.Jimba,andM.Kuwata-Gonokami,Phys.Rev.Lett.82,4623(1999)]。在之前的工作中，本申請(qǐng)人利用氣相共形薄膜生長(zhǎng)的方法成功實(shí)現(xiàn)了硅基光子量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)[l],在這個(gè)基礎(chǔ)上，本工作結(jié)合了一維耦合微腔結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)(多個(gè))光子量子點(diǎn)的縱向耦合的類雙原子的光子分子結(jié)構(gòu)。通過微區(qū)光致熒光(PU譜的測(cè)量，可以明顯觀察到光子分子的成鍵態(tài)與反鍵態(tài)及其內(nèi)部的能級(jí)分布,如圖1和圖4所示。這種簡(jiǎn)單的雙原子的光子分子結(jié)構(gòu)只是通向制作更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的第一步，通過排列更多的光子量子點(diǎn)，可以得到光子的大分子結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成類似于晶體的光子能帶結(jié)構(gòu)，這又和普通的周期介質(zhì)結(jié)構(gòu)形成的光子晶體的能帶理論不盡相同，是一種新的意義上的光子能帶。通過調(diào)節(jié)光子分子的能級(jí)結(jié)構(gòu)，對(duì)于光子的量子調(diào)控和制作更加高效的激光器都具有重要意義。而本工作在硅基材料上實(shí)現(xiàn)了光子分子結(jié)構(gòu)，對(duì)于硅基的光互聯(lián)也將產(chǎn)生重要的影響。三
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是利用耦合腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與氣相共形薄膜生長(zhǎng)方法相結(jié)合構(gòu)筑光子分子。實(shí)現(xiàn)了類似于氫雙原子分子能級(jí)結(jié)構(gòu)的光子能帶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的還在于在實(shí)現(xiàn)雙原子光子分子的前提下，通過幾何光學(xué)和耦合腔的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的光子大分子結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的還在于通過調(diào)節(jié)縱向有源層之間的距離調(diào)節(jié)成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間的能量間隔，通過調(diào)節(jié)圖形襯底的橫向尺寸調(diào)節(jié)^;鍵態(tài)反鍵態(tài)內(nèi)部的能級(jí)分布，從而實(shí)現(xiàn)人工調(diào)控光子分子內(nèi)部能級(jí)分布的目的。本發(fā)明尤其是基于本申請(qǐng)人申請(qǐng)的中國(guó)專利申請(qǐng)200710020973.1，即氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備光子量子點(diǎn)的方法，利用共形薄膜生長(zhǎng)技術(shù)制備三維分布布拉格反射器(DBR)限制兩個(gè)(多個(gè))光子量子點(diǎn)形成光子分子的新方法；通過設(shè)計(jì)耦合腔中有源層之間的距離，達(dá)到調(diào)控光子分子成鍵態(tài)與反鍵態(tài)能量間隔的目的；通過調(diào)節(jié)圖形襯底的橫向尺寸，達(dá)到調(diào)控光子分子成鍵態(tài)和反鍵態(tài)內(nèi)部能級(jí)分布的目的。對(duì)于光子的量子調(diào)控、硅基光互聯(lián)和制作更加高效的硅基激光器都具有重要意義。本發(fā)明的技術(shù)方案是硅基光子分子的設(shè)置，氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備的光子分子，在玻璃和硅襯底設(shè)有尺寸為0.5-5pm，高度為0.4-2脾的柱形平臺(tái)，并以共形薄膜生長(zhǎng)方法制備含兩個(gè)有源層為a-SiNz的三維限制微腔結(jié)構(gòu)即形成兩個(gè)有源層的三維DBR限制結(jié)構(gòu)的微腔；設(shè)有兩個(gè)DBR位于兩個(gè)有源層兩側(cè)微腔的諧振波長(zhǎng)為人，DBR包括4士10個(gè)周期的中低折射率層和高折射層的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每個(gè)折射層厚度為A/(4n);n是折射率，有源層是折射率在低折射率層和高折射層的折射率之間a-SiNz薄膜，厚度為V(2n);兩個(gè)有源層之間的距離為m個(gè)周期的DBR的厚度d-mxL，m為0.5-9.5，L為一個(gè)周期高低折射率薄膜的厚度。所述微腔的諧振中心為730nm，由5周期DBR+—個(gè)有源層+2.5周期DBR十一個(gè)有源層+5周期DBR;DBR中低折射率層的折射率n為1.9，光學(xué)帶隙Eg為3.8eV，厚度為96nm;高折射率n為2.8，Eg為2.0eV,厚度為65nm;有源層n為2.1，Eg為2.5eV，厚度為173nm。如圖2所示。氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備光子分子的制備方法，先通過光刻和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)在玻璃和硅襯底上制作高度為0.4-2pm的柱形平臺(tái)作為圖形襯底；在所述圖形襯底上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)的方法周期性淀積制備的設(shè)有兩個(gè)有源層的三維限制的a-SiNx/a-SiNy微腔。利用特定設(shè)計(jì)的模版以及光刻和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù),在平板玻璃或拋光硅襯底上制作橫向尺寸為0.5-5pm，高度為0.4-2pm的柱形平臺(tái)。然后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備兩個(gè)有源層為a-SiNz的三維限制的a-SilVa-SiNy微腔。通過設(shè)計(jì)兩個(gè)有源層之間的不同距離d,即通過改變兩個(gè)有源層之間DBR的周期數(shù)m來調(diào)控兩個(gè)有源層之間的耦合強(qiáng)度,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)光子分子成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間能量間隔的目的。本發(fā)明原理通過共形薄膜生長(zhǎng)微腔，在垂直方向設(shè)計(jì)兩個(gè)模式耦合的有源層，通過側(cè)面DBR的橫向光子限制作用，在空間上形成類似雙原子耦合的光子分子結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，在PL光譜上顯示了明顯的成鍵態(tài)(bonding-BN)和反鍵態(tài)(anti-bondhig-ABN)的模式分布。進(jìn)一步地，通過改變兩個(gè)有源層之間的距離，可以觀察到耦合程度不同的光子分子模式的分布形式，對(duì)設(shè)計(jì)和調(diào)控光子分子的模式發(fā)射具有重要的意義。A.光子分子的縱向耦合設(shè)計(jì)。通過改變有源層之間的1E巨離可以調(diào)節(jié)成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間的能量間隔?？紤]兩個(gè)相互作用的腔體，其諧振能量分別為A-Ac/A和A-Z^/A,兩個(gè)非簡(jiǎn)并能級(jí)之間的耦合效應(yīng)將會(huì)使它們的諧振頻率發(fā)生劈裂，這一劈裂的大小正比于它們之間的耦合強(qiáng)度。耦合產(chǎn)生兩個(gè)模式￡+和￡_，其之間的耦合能量為『12。兩個(gè)劈裂的模式可以表達(dá)為，22+五2)1當(dāng)￡,=￡7=￡時(shí)，即兩個(gè)相互作用的腔體的發(fā)射模式相同時(shí)，為對(duì)稱的一維光子帶隙耦合微腔，上式簡(jiǎn)化為，￡一=￡-1『12|五+=五+兩個(gè)分裂模式的間距則為2|『12|。對(duì)于一維的情況，通過計(jì)算機(jī)模擬可得隨著有源層之間距離腔體模式劈裂的能量間隔變化。如圖3所示?？梢钥闯?，隨著有源層之間的距離不斷靠近，模式的分裂間距2|『12|就越大。由此規(guī)律，可以調(diào)節(jié)光子分子成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間的能量間隔。B.成鍵態(tài)與反鍵態(tài)上的分子能級(jí)分布設(shè)計(jì)。通過調(diào)節(jié)襯底圖形的橫向尺寸，調(diào)節(jié)成鍵態(tài)與反鍵態(tài)上的分子能級(jí)分布。在三維限制微腔的模式限制效應(yīng)上，其模式本征值擁有明顯的尺寸依賴關(guān)系，這一點(diǎn)上可以類比相對(duì)于電子能量量子化的量子點(diǎn)的特征。模式的本征值理論計(jì)算公式如下五-=W^A為一個(gè)光量子點(diǎn)的光子能量本征值；A:。=2柳/義。代表微腔的縱向波矢；、和、是與微腔橫向尺寸相關(guān)的波矢:1，2，3,…代表微腔數(shù)值模型中的橫向量子數(shù)；,代表微腔的橫向尺寸。通過控制共形薄膜生長(zhǎng)所用襯底圖形的不同橫向尺寸可以控制成鍵態(tài)與反鍵態(tài)上的分子能級(jí)分布。圖4為在不同橫向尺寸的襯底圖形上氣相共形生長(zhǎng)的光子分子樣品的微區(qū)PL譜。從PL譜中可以看出，光子分子由于垂直方向兩個(gè)有源層的模式耦合產(chǎn)生了兩個(gè)分立的發(fā)光帶，對(duì)應(yīng)于雙原子分子中的成鍵態(tài)(BN)和反鍵態(tài)(ABN)，且能量間隔基本一致，不隨橫向尺寸變化，說明成鍵態(tài)和反鍵態(tài)的能量間隔只與有源層之間的距離相關(guān)聯(lián)。而由于橫向DBR的光限制作用，成鍵態(tài)和反鍵態(tài)上均出現(xiàn)模式分裂，對(duì)應(yīng)于分子中在兩個(gè)態(tài)上的分裂能級(jí)。隨著橫向尺寸的減小，對(duì)應(yīng)于光子分子能級(jí)的模式數(shù)不斷減少，模式分裂的間距增大，且分裂的深度也逐步增大，越來越接近類雙原子分子的能譜。從圖4(a)中的可以看出，在橫向尺寸接近lum時(shí)，由于縱向耦合所致的成鍵態(tài)和反鍵態(tài)已經(jīng)完全分裂為清晰獨(dú)立的光子分子能級(jí)。由此可以看出，通過控制樣品的橫向尺寸，可以達(dá)到調(diào)控光子分子成鍵態(tài)和反鍵態(tài)上分子能級(jí)的目的。本發(fā)明的特點(diǎn)是在圖形襯底上自下而上的采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法共形生長(zhǎng)非晶氮化硅光子分子的制備方法具有如下優(yōu)點(diǎn)1.三維DBR光限制共形生長(zhǎng)方法形成對(duì)于有源層各個(gè)方向上的DBR光限制。相對(duì)于自上而下刻蝕方法制備的微腔側(cè)面空氣反射面而言，側(cè)面DBR具有更高的反射率，從而可以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的光子限制。2.通過調(diào)節(jié)縱向有源層之間的距離d，調(diào)節(jié)成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間的能量間隔，通過調(diào)節(jié)圖形襯底的橫向尺寸調(diào)節(jié)成鍵態(tài)和反鍵態(tài)上的分子能級(jí)分布，從而實(shí)現(xiàn)人工調(diào)控光子分子能級(jí)分布的目的。3.通過設(shè)計(jì)更多的有源層，并調(diào)控各個(gè)有源層之間的距離，可以設(shè)計(jì)出光子大分子的結(jié)構(gòu)。對(duì)于光子的量子調(diào)控器件以及研究原子間耦合作用等基本物理問題都具有重要意義。4.避免工藝過程中引入缺陷的幾率相對(duì)于自上而下刻蝕方法制備的微腔而言，由于減少了刻蝕過程，可以減少削弱發(fā)光的懸掛鍵的形成，從而保證了微腔的品質(zhì)。5.工序簡(jiǎn)單易行，便于大規(guī)模生產(chǎn)由于其方法簡(jiǎn)單，工序少，一旦大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，將會(huì)大大節(jié)約成本，且產(chǎn)品的重復(fù)性高。6.在硅基單片電光互聯(lián)和全光互聯(lián)應(yīng)用中都有重要作用。對(duì)于進(jìn)一步研制硅基高效激光器及研究硅基光子量子調(diào)控器件在量子信息領(lǐng)域應(yīng)用的具有重要意義。四-圖1.從光子量子點(diǎn)到光子分子能級(jí)結(jié)構(gòu)變化的示意圖，作為比較，圖中給出了從氫原子到氫分子的電子能級(jí)變化過程。圖2.設(shè)計(jì)的5周期DBR+1個(gè)有源層+2.5周期DBR+1個(gè)有源層+5周期DBR構(gòu)成的光子分子結(jié)構(gòu)示意圖圖3.計(jì)算機(jī)模擬一維耦合腔的(a)透射譜；(b)反射譜；(c)耦合劈裂的能量間隔隨有源層之間距離的關(guān)系曲線圖4不同橫向尺寸的光子分子PL模式譜(BN-成鍵態(tài)BondingMode;ABN-反鍵態(tài)Anti-BondingMode);(a)-(d)代表橫向尺寸分別為1、2、3和4nm的圖形襯底五具體實(shí)施例方式利用特定設(shè)計(jì)的模版以及光刻和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù)，在平板玻璃襯底上制作橫向尺寸為1、2、3、4pm，高度為0.6Mm的柱形平臺(tái)。然后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備三維限制的a-SiN/微腔。1.利用光刻和反應(yīng)離子刻蝕(R正)技術(shù)，在玻璃襯底上制作橫向尺寸為1、2、3、4pm，高度為0.6nm的柱形平臺(tái)。a)模版設(shè)計(jì)利用微電子平面工藝制版技術(shù)制備光刻模版，圖形是邊長(zhǎng)為l、2、3、4pm正方形。b)圖形轉(zhuǎn)移I:利用微電子平面工藝光刻技術(shù)將模版圖形轉(zhuǎn)移到涂敷于玻璃襯底上的Cr膜上。Cr掩模腐蝕液配方:Ce(N03)4'2NH4N03:HC104:H20=100g:25ml:650ml。腐蝕溫度為室溫。c)圖形轉(zhuǎn)移II:利用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù)把O膜上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃上，形成橫向尺寸為l、2、3、4nm，高度為0.6nm的柱形平臺(tái)。RIE的具體條件如下刻蝕氣源及流量CHF330seem5scctn功率源頻率13.56MHz功率300W反應(yīng)腔壓力4.0PaRIE完成后，腐蝕去除在柱形平臺(tái)上的Cr膜掩模。腐蝕液配方同上。2.光子分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)微腔的諧振中心為730nm，由5周期DBR+—個(gè)有源層+2.5周期DBR+—個(gè)有源層+5周期DBR構(gòu)成。DBR中低折射率a-SiNx層R=8，折射率為1.9，光學(xué)帶隙為3.8eV，厚度為％nm;DBR中高折射率a-SiNy層R=0.5，折射率為2.8，光學(xué)帶隙為2.0eV,厚度為65nm。有源層a-SiNz層R-2，折射率為2丄光學(xué)帶隙為2.5eV，厚度為173nm。諧振中心在730nm的由5周期DBR+—個(gè)有源層+2.5周期DBR+—個(gè)有源層+5周期DBR構(gòu)成的光學(xué)微腔的設(shè)計(jì)參數(shù)如表1所示。3.在圖形襯底上淀積光子分子結(jié)構(gòu)。3-1、固定SiH4流量為6sccm，根據(jù)流量比R調(diào)節(jié)NH3流量，在圖形襯底上PECVD法淀積5周期的a-SiH/a-SiNy薄膜。(a)生長(zhǎng)R=8的a-SiNx層，NH3流量為48sccm，生長(zhǎng)時(shí)間為9*40"，厚度為96ran;(b)生長(zhǎng)R-0.5的a-SiNy層，NH3流量為3sccm，生長(zhǎng)時(shí)間為6'28"，厚度為65nm;重復(fù)(a)、(b)過程，總共生長(zhǎng)5個(gè)周期的DBR。PECVD中薄膜生長(zhǎng)的具體工藝條件如下功率源頻率13.56MHz功率密度0.6W/cm2反應(yīng)腔壓力40Pa襯底溫度250°C3-2、固定SiH4流量為6sccm，根據(jù)流量比R調(diào)節(jié)NH3流量，在5周期的a-SiNx/a-SiNy薄膜上形成a-SiNx有源層。PECVD法生長(zhǎng)R=2的a-SiNx有源層，NH3流量為12sccm,生長(zhǎng)時(shí)間為16'50"，厚度為173nm。PECVD法薄膜生長(zhǎng)的具體工藝條件如下功率源頻率13.56MHz功率密度0.6W/cm2反應(yīng)腔壓力40Pa襯底溫度250°C3-3、固定SiH4流量為6sccm,根據(jù)流量比R調(diào)節(jié)NH3流量，在有源層上PECVD法再淀積2.5周期的a-SiNx/a-SiNy薄膜。淀積條件同3-l。3-4、固定SiH4流量為6sccm，根據(jù)流量比R調(diào)節(jié)NH3流量，在2.5周期的a-SiNx/a-SiNy薄膜上形成a-SiNx有源層。淀積條件同3-2。3-5、固定SiH4流量為6sccm，根據(jù)流量比R調(diào)節(jié)NH3流量，在圖形襯底上PECVD法淀積5周期的a-SiNy/a-SiNy薄膜。淀積條件同3-l。通過以上的工序我們完成了共形生長(zhǎng)的光子分子薄膜樣品。表1:諧振中心在730nm的由由5周期DBR+—個(gè)有源層+2.5周期DBR+—個(gè)有源層+5周期DBR構(gòu)成的光學(xué)微腔的設(shè)計(jì)參數(shù)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>權(quán)利要求1、硅基光子分子的設(shè)置方法，其特征是以氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備的光子分子，在玻璃和硅襯底設(shè)有直徑尺寸為0.5-5μm，高度為0.4-2μm的柱形平臺(tái)，并以共形薄膜生長(zhǎng)方法制備含兩個(gè)或多個(gè)有源層為a-SiNz的三維限制微腔結(jié)構(gòu)即形成兩個(gè)有源層的三維DBR限制結(jié)構(gòu)的微腔；設(shè)有兩個(gè)DBR位于兩個(gè)有源層兩側(cè)微腔的諧振波長(zhǎng)為λ，DBR包括4±10個(gè)周期的中低折射率層和高折射層的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每個(gè)折射層厚度為λ/(4n)；n是折射率，有源層是折射率在低折射率層和高折射層的折射率之間a-SiNz薄膜，厚度為λ/(2n)；兩個(gè)有源層之間的距離為m個(gè)周期，DBR的厚度d＝m×L，m為0.5-9.5，L為一個(gè)周期高低折射率薄膜的厚度。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光子分子的設(shè)置方法，其特征是所述微腔的諧振中心為730nm，由5周期DBR加一個(gè)有源層加2.5周期DBR再加一個(gè)有源層加5周期DBR;DBR中低折射率層的折射率n為1.9，光學(xué)帶隙Eg為3.8eV，厚度為96nm;高折射率n為2.8，Eg為2.0eV，厚度為65nm;有源層n為2丄Eg為2.5eV，厚度為173nm。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光子分子的設(shè)置方法，其特征是通過設(shè)計(jì)兩個(gè)有源層之間的不同距離d，即通過改變兩個(gè)有源層之間DBR的周期數(shù)m來調(diào)控兩個(gè)有源層之間的耦合強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)光子分子成鍵態(tài)與反鍵態(tài)之間能量間隔的目的。4、氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備光子分子的制備方法，其特征是先通過光刻和反應(yīng)離子刻蝕在玻璃或硅襯底上制作高度為0.4-2nm的柱形平臺(tái)作為圖形襯底；在模版上利用光刻和反應(yīng)離子刻蝕技術(shù),在平板玻璃或拋光硅襯底上制作橫向尺寸為0.5-5pm，高度為0.4-2pm的柱形平臺(tái)；在所述圖形襯底上利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積的方法周期性淀積制備的設(shè)有兩個(gè)有源層的三維限制的a-SiNx/a-SiNy微腔；然后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積方法氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備兩個(gè)有源層為a-SiNz的三維限制的a-SiNx/a-SiNy微腔。全文摘要硅基光子分子的設(shè)置方法，以氣相共形薄膜生長(zhǎng)制備的光子分子，在玻璃和硅襯底設(shè)有直徑尺寸為0.5-5μm，高度為0.4-2μm的柱形平臺(tái)，并以共形薄膜生長(zhǎng)方法制備含兩個(gè)或多個(gè)有源層為a-SiN<sub>z</sub>的三維限制微腔結(jié)構(gòu)即形成兩個(gè)有源層的三維DBR限制結(jié)構(gòu)的微腔；設(shè)有兩個(gè)DBR位于兩個(gè)有源層兩側(cè)微腔的諧振波長(zhǎng)為λ，DBR包括4±10個(gè)周期的中低折射率層和高折射層的a-SiN<sub>x</sub>和a-SiN<sub>y</sub>薄膜，每個(gè)折射層厚度為λ/4n)；n是折射率，有源層是折射率在低折射率層和高折射層的折射率之間a-SiN<sub>z</sub>薄膜，厚度為λ/(2n)；兩個(gè)有源層之間的距離為m個(gè)周期，DBR的厚度d＝m×L，m為0.5-9.5，L為一個(gè)周期高低折射率薄膜的厚度。文檔編號(hào)G01N21/64GK101114102SQ20071002512公開日2008年1月30日申請(qǐng)日期2007年7月13日優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日發(fā)明者丁宏林,奎劉,張賢高,嶺徐,駿徐,偉李,波錢,三陳,陳坤基,馬忠元,黃信凡申請(qǐng)人:南京大學(xué)