專利名稱：非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種在其中重復(fù)堆疊了多 重絕緣薄膜和多重導(dǎo)電薄膜的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括形成于該 結(jié)構(gòu)橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜部分上的探針電極，以及形成于該結(jié)構(gòu)橫截面的外 導(dǎo)電薄膜部分上的防護(hù)部分，該結(jié)構(gòu)能夠形成具有導(dǎo)電薄膜厚度的探針電
極，該導(dǎo)電薄膜厚度與模式電極(pattern electrode)的管腳間距一致，從而 能夠在微型化的模式電極中探測(cè)到斷路和短路。
背景技術(shù)：
一般來說，諸如數(shù)據(jù)傳輸線的多線電纜中的斷路和短路能夠在將每根線 與其它線分開之后通過測(cè)量電纜兩端之間的電阻來測(cè)定。因此，需要兩名或 更多的操作人員。如果電纜包含大量的線，偶爾未記清線號(hào)，就必須重復(fù)探 測(cè)，從而降低了探測(cè)的可靠性并增加了操作時(shí)間。
此外，如圖1所示，在平板顯示裝置IO (例如LCD和PDP)中，斷路 和短路可以通過將電流加至每一個(gè)模式電極15的一端并且測(cè)量相應(yīng)的模式 電極15另一端的電壓來測(cè)定。斷路和短路也可以通過使用顯微鏡或類似裝 置檢查傳導(dǎo)線來測(cè)定。圖1中，附圖標(biāo)記20表示探針塊，附圖標(biāo)記30表示 探針。
因此，至少需要兩枚探針來探測(cè)單個(gè)模式電極中的斷路和短路。因而需 要很多探針，成本也因而提高。此外，長(zhǎng)模式電極需要兩名或更多的操作人 員在不同的位置進(jìn)行測(cè)量，從而花費(fèi)很多的時(shí)間和人力。
此外，如果是接觸型探針，由于探針與模式電極是壓力接觸，可能發(fā)生 接觸錯(cuò)誤。并且，在作為測(cè)量目標(biāo)的模式電極上可能產(chǎn)生擦痕，從而導(dǎo)致另
外的錯(cuò)誤。
為了解決上述問題， 一種非接觸型單面探針被運(yùn)用于檢測(cè)裝置，以在探 針未與模式電極接觸時(shí)在模式電極的一端探測(cè)斷路和短路，其中用作非接觸 型探針電極的激勵(lì)電極和感應(yīng)電極被配置為單個(gè)模塊。
圖2示出了非接觸型單面探針的橫截面。如圖2所示，作為探針電極的 激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42被置于所述橫截面的內(nèi)側(cè)部分，防護(hù)部分50被 置于橫截面的外側(cè)部分并被電接地，從而防止由于外界噪音造成的影響，并 防止施加到探針電極上的信號(hào)泄露到外界。
隨著模式電極微型化和多針的趨勢(shì)，探針也應(yīng)微型化以探測(cè)模式電極中 的斷路和短路。盡管如此，由于探針電極和圍繞探針電極的防護(hù)部分50應(yīng) 以傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)構(gòu)成，因此很難將傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于微型化的模式電極。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對(duì)上述問題應(yīng)運(yùn)而生，本發(fā)明的目的在于提供一種非接 觸型單面探針結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中重復(fù)堆疊了多重絕緣薄膜和多重導(dǎo)電薄膜， 該結(jié)構(gòu)包括形成于該結(jié)構(gòu)橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜部分上的探針電極，以及形成 于其橫截面的外導(dǎo)電薄膜部分上的防護(hù)部分，該結(jié)構(gòu)能夠形成具有導(dǎo)電薄膜 厚度的探針電極，該導(dǎo)電薄膜厚度與模式電極的管腳間距一致，從而能夠在 微型化的模式電極中探測(cè)到斷路和短路。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包 括探針電極，該探針電極形成于重復(fù)堆疊了多重絕緣薄膜和多重導(dǎo)電薄膜 的橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜部分；防護(hù)部分，該防護(hù)部分形成于所述橫截面的外 導(dǎo)電薄膜部分，該外導(dǎo)電薄膜部分環(huán)繞所述探針電極；以及接觸孔，該接觸 孔用于與探針電極和防護(hù)部分連接。
優(yōu)選情況下，所述絕緣薄膜和所述導(dǎo)電薄膜為印刷電路板(PCB)或柔
性印刷電路板(FPCB)。
優(yōu)選情況下，所述絕緣薄膜和所述導(dǎo)電薄膜是通過沉積形成的薄膜。 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu) 包括多個(gè)第一層，每個(gè)所述第一層包括絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄 膜被置于絕緣薄膜上以形成防護(hù)部分；至少一層第二層，該第二層包括絕緣
薄膜和導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜被置于絕緣薄膜上以具有構(gòu)型于其上的探針
電極和防護(hù)部分；防護(hù)接觸孔，該防護(hù)接觸孔用于與防護(hù)部分連接；以及電 極接觸孔，該電極接觸孔用于與探針電極連接，其中按順序堆疊的所述第一 層、所述第二層和所述第一層的橫截面形成探針。
優(yōu)選情況下，所述探針電極被構(gòu)型于所述第二層的多個(gè)電極中。 優(yōu)選情況下，所述探針電極通過多次沉積第二層而加厚。 優(yōu)選情況下，所述絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜是印刷電路板(PCB)或柔性印 刷電路板(FPCB)。
優(yōu)選情況下，所述絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜是通過沉積形成的薄膜。 如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)中，多重絕緣薄膜和 多重導(dǎo)電薄膜被重復(fù)堆疊，并且該結(jié)構(gòu)包括形成于該結(jié)構(gòu)橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄 膜部分上的探針電極，以及形成于其橫截面的外導(dǎo)電薄膜上的防護(hù)部分。因 此，該結(jié)構(gòu)能夠形成具有導(dǎo)電薄膜厚度的探針電極，該導(dǎo)電薄膜厚度與模式 電極的管腳間距一致，從而能夠在微型化的模式電極中探測(cè)到斷路和短路。


通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，能夠更清晰地理解本發(fā)明的上述以及其 他目的、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1為用于說明在一般模式電極中探測(cè)斷路和短路的方法的示圖； 圖2示出了一般非接觸型單面探針的平面圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針的透視圖4A和4B說明了根據(jù)本發(fā)明的包括在非接觸型單面探針中的各個(gè)層;
以及
圖5說明了根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針的另一個(gè)實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明，其中相 同附圖標(biāo)記表示具有實(shí)際上與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)同樣功能的相同部件。 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，多重絕緣薄膜61和多重導(dǎo)電薄膜62被重復(fù)堆疊。作為探 針電極的激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42形成于所述結(jié)構(gòu)的橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜 部分。防護(hù)部分50形成于環(huán)繞探針電極的外導(dǎo)電薄膜部分。因此，其整體 剖面與圖2所示的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)類似。也就是說，所述防護(hù)部分50 形成于外側(cè)部分，該外側(cè)部分的管腳間距與絕緣薄膜61和導(dǎo)電薄膜62的厚 度一致。作為探針電極的激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42形成于防護(hù)部分50內(nèi) 部。
此外，電纜100被提供以穿過電極接觸孔91和防護(hù)接觸孔92。探針電 極41和42以及防護(hù)部分50通過所述電纜100與檢測(cè)裝置連接，從而通過 探針電極41和42完成激勵(lì)和感應(yīng)，并且防護(hù)部分50被電接地。
在此情況下，絕緣薄膜61和導(dǎo)電薄膜62可通過堆疊印刷電路板(FCB) 或柔性印刷電路板(FPCB)形成。為了形成具有更精細(xì)線的探針電極，絕 緣薄膜61和導(dǎo)電薄膜62可通過根據(jù)半導(dǎo)體制造工藝沉積薄膜形成。
圖4A和4B說明了根據(jù)本發(fā)明的包括在非接觸型單面探針中的各個(gè)層。
如圖4A所示，第一層70位于探針的防護(hù)部分50的上和下部分。第一 層70的每一層包括絕緣薄膜61和形成于絕緣薄膜61之上的導(dǎo)電薄膜62。
第一層70進(jìn)一步包括電極接觸孔91和防護(hù)接觸孔92，所述電極接觸孔91 用于與激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42連接，所述防護(hù)接觸孔92用于與防護(hù)部 分50連接。
如圖4B所示，第二層80的每一層包括絕緣薄膜61和形成于絕緣薄膜 61之上的導(dǎo)電薄膜62，其中作為探針電極的激勵(lì)電極41和傳感電極42以 及防護(hù)部分50被構(gòu)型于導(dǎo)電薄膜62上。第二層80進(jìn)一步包括電極接觸孔 91和防護(hù)接觸孔92，所述電極接觸孔91用于與激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42 連接，所述防護(hù)接觸孔92用于與防護(hù)部分50連接。
如圖3所示，所述探針通過從底部往頂部堆疊第一層70、第二層80、 第二層80和第一層70而形成。
在此情況下，用作探針電極的激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42可通過重復(fù)堆 疊第二層80而加厚。
同時(shí)，如圖5所示，激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42可以以雙結(jié)構(gòu)形成，并 且電極接觸孔91和防護(hù)接觸孔92分別與激勵(lì)電極41和感應(yīng)電極42連接， 從而形成單個(gè)模塊。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)中，多重絕緣薄膜和 多重導(dǎo)電薄膜被重復(fù)堆疊，并且該結(jié)構(gòu)包括形成于該結(jié)構(gòu)橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄 膜部分上的探針電極，以及形成于其橫截面的外導(dǎo)電薄膜上的防護(hù)部分。因 此，該結(jié)構(gòu)能夠形成具有導(dǎo)電薄膜厚度的探針電極，該導(dǎo)電薄膜厚度與模式 電極的管腳間距一致，從而能夠在微型化的模式電極中探測(cè)到斷路和短路。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)中，用作探針的橫截面與 接觸孔相距特定的距離或者更遠(yuǎn)的距離，從而對(duì)噪音具有高的電阻。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)中，絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜 可根據(jù)半導(dǎo)體制造工藝而沉積薄膜形成。因此，其能夠被應(yīng)用于微型化的模 式電極。
盡管為了說明目的而公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員仍 能夠在不背離權(quán)利要求所公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，進(jìn)行多種修 改、補(bǔ)充和替換。
權(quán)利要求
1.一種非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括探針電極，該探針電極形成于重復(fù)堆疊了多重絕緣薄膜和多重導(dǎo)電薄膜的橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜部分；防護(hù)部分，該防護(hù)部分形成于所述橫截面的外導(dǎo)電薄膜部分，所述外導(dǎo)電薄膜部分環(huán)繞所述探針電極；以及接觸孔，該接觸孔用于與所述探針電極和所述防護(hù)部分連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣薄膜 和所述導(dǎo)電薄膜為印刷電路板或柔性印刷電路板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣薄膜 和所述導(dǎo)電薄膜是通過沉積形成的薄膜。
4. 一種非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一層，每個(gè)所述第一層包括絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜被置于所述絕緣薄膜上以形成防護(hù)部分；至少一層第二層，所述第二層包括絕緣薄膜和導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜被置于絕緣薄膜上以具有構(gòu)型于其上的探針電極和防護(hù)部分； 防護(hù)接觸孔，該防護(hù)接觸孔用于與所述防護(hù)部分連接；以及 電極接觸孔，該電極接觸孔用于與所述探針電極連接， 其中按順序堆疊的所述第一層、所述第二層和所述第一層的橫截面形成探針。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述探針電極 構(gòu)型于所述第二層中的多個(gè)電極中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述探針電極 通過沉積多個(gè)所述第二層而被加厚。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣薄膜 和所述導(dǎo)電薄膜為印刷電路板或柔性印刷電路板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，其中所述絕緣薄膜 和所述導(dǎo)電薄膜是通過沉積形成的薄膜。
全文摘要
一種非接觸型單面探針結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中重復(fù)堆疊了多重絕緣薄膜和多重導(dǎo)電薄膜，該結(jié)構(gòu)包括形成于該結(jié)構(gòu)橫截面的內(nèi)導(dǎo)電薄膜部分上的探針電極，以及形成于環(huán)繞該探針電極的外導(dǎo)電薄膜部分的防護(hù)部分。因此，該結(jié)構(gòu)能夠形成具有導(dǎo)電薄膜厚度的探針電極，所述導(dǎo)電薄膜厚度與模式電極的管腳間距一致，從而能夠在微型化的模式電極中探測(cè)到斷路和短路。用作探針的橫截面與接觸孔相距特定的距離或者更遠(yuǎn)的距離，從而對(duì)噪音具有高的電阻。
文檔編號(hào)G01R1/067GK101109770SQ20071013058
公開日2008年1月23日 申請(qǐng)日期2007年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月20日
發(fā)明者琸 殷, 金圣振 申請(qǐng)人:微探測(cè)株式會(huì)社