專(zhuān)利名稱(chēng)：晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，尤指一種直接修改地圖檔以提高 檢測(cè)效率的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在個(gè)人移動(dòng)信息、電子商務(wù)、全球通訊以及數(shù)字家庭等電子化概 念逐漸應(yīng)用在現(xiàn)代生活的情況下，半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工業(yè)同時(shí)因應(yīng)各種 應(yīng)用端的需求而快速地成長(zhǎng)。相對(duì)的，半導(dǎo)體制程中產(chǎn)能的提高，良 率的提升亦是提升半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展。
一般來(lái)說(shuō)，為了在半導(dǎo)體基板上實(shí)現(xiàn)電路功能，該半導(dǎo)體基板必 須經(jīng)過(guò)以下步驟，例如金屬層的沉積、利用黃光制程在每一層材料上 制作圖樣、離子植入等相關(guān)制程。而為了確保每一制程的結(jié)果均能符 合當(dāng)初設(shè)計(jì)上的要求，則必須進(jìn)行電路功能或物理結(jié)構(gòu)上的檢測(cè)。例 如在沉積金屬層的步驟之后，必須針對(duì)金屬層的厚度、結(jié)晶性等進(jìn)行 確認(rèn)的動(dòng)作。
再者，在半導(dǎo)體制造制程完成之后，每一晶粒上的集成電路均會(huì) 利用探針的方式進(jìn)行電性量測(cè)的步驟。當(dāng)發(fā)現(xiàn)某一晶粒的電性功能失 效，則利用墨點(diǎn)的方式加以標(biāo)記，而該些被標(biāo)記的晶粒就不會(huì)進(jìn)行封 裝的動(dòng)作，以節(jié)省封裝的材料。而在電性量測(cè)的步驟之后，更包括一 人工檢視外觀的程序，以確保外觀上并無(wú)缺陷、瑕疵等情況。
然而，現(xiàn)有的流程中，人工檢視的結(jié)果并無(wú)法追溯到電性量測(cè)的 結(jié)果，故兩者在配合的銜接上有很大的不兼容的狀況，使人工檢視的 時(shí)程影響到整體產(chǎn)能的輸出，更可能造成檢測(cè)結(jié)果的不精確。于是，本發(fā)明人有感上述缺陷的可改善，提出一種設(shè)計(jì)合理且有 效改善上述缺陷的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，，提出一種 晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，可針對(duì)地圖檔直接做修改、標(biāo)記的動(dòng)作，可以有效節(jié) 省檢測(cè)的時(shí)程。
本發(fā)明的另一目的在于，提出一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，可應(yīng)用電子地 圖檔的修改與紀(jì)錄，避免人工紀(jì)錄的錯(cuò)誤情況。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，包括步驟如 下步驟l:加載一晶圓；步驟2:定位該晶圓與 一對(duì)應(yīng)于該晶圓的地 圖檔(map file)，其中該地圖檔為第一檔案格式；步驟3:檢視該晶 圓的外觀；步驟4:若該晶圓外觀為不良，記錄并修改該地圖檔的資料； 以及步驟5:儲(chǔ)存該修改后的地圖檔。
本發(fā)明具有以下有益的效果本發(fā)明提出的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，讓目 視檢測(cè)人員在發(fā)現(xiàn)晶圓或晶粒上出現(xiàn)外觀瑕疵的情況下，直接修改加 載的地圖檔，進(jìn)而使檢測(cè)結(jié)果得以快速地輸入計(jì)算機(jī)，而提高檢測(cè)制 程速度。
再者，本發(fā)明可針對(duì)修改后的地圖檔輸出為不同的檔案格式，使 后續(xù)制程得以更有效率的進(jìn)行。
為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān) 本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說(shuō)明用，并非 用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)流程圖2為本發(fā)明晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖3為本發(fā)明中晶圓的示意圖4A為本發(fā)明所加載的地圖檔的示意圖4B為本發(fā)明修改后的地圖檔的示意圖。
圖中符號(hào)說(shuō)明
1 晶圓 11 晶粒
2' 晶圓檢測(cè)系統(tǒng) 21 承載轉(zhuǎn)盤(pán)
22 操控裝置
23 影像擷取裝置
24 顯示裝置
25 輸入接口
具體實(shí)施例方式
在生產(chǎn)線完成最后一道制程之后，必須將晶圓切割成單一的晶粒 以進(jìn)行封裝的步驟。但在封裝之前，必須檢查每一晶粒的電性功能是 否正常，亦即利用一電性量測(cè)探針，針對(duì)每一晶粒檢測(cè)其電性功能是 否正常，并將該檢測(cè)的結(jié)果以一電子化的地圖檔的方式輸出，通常該 地圖檔為一特別的檔案格式，在本實(shí)施例中，該檔案格式為第一檔案 格式。現(xiàn)有的人工檢查，無(wú)法以計(jì)算機(jī)化的方式作業(yè)，故操作員必須 先以紙本進(jìn)行記錄。然而在本發(fā)明中，將人工檢查的作業(yè)運(yùn)用在一生 產(chǎn)平臺(tái)，使之可以直接讀取該電子化的地圖檔，并直接將目視檢查的 結(jié)果記錄在該地圖檔中。
請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2，該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2 主要應(yīng)用于目視檢查晶圓的檢測(cè)系統(tǒng)，且該系統(tǒng)可用以讀取一第一檔 案格式的地圖檔(map file)，并將該地圖檔與該對(duì)應(yīng)的晶圓進(jìn)行定位 對(duì)齊之后，檢測(cè)人員可依照其檢測(cè)結(jié)果直接于該地圖檔上記錄并加以?xún)?chǔ)存，由此可快速地將其檢測(cè)結(jié)果數(shù)字化，以加快其檢測(cè)速度。其檢 測(cè)方法包括如下步驟(請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖3):
(a )提供一晶圓1，該晶圓1反復(fù)利用半導(dǎo)體制程成形多個(gè)晶 粒11于其上，將該晶圓1加載至一晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2的承載轉(zhuǎn)盤(pán)21上。 該晶圓1在進(jìn)入此一晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2之前，已經(jīng)先行通過(guò)一電性測(cè)試 階段，該電性測(cè)試階段主要針對(duì)每一個(gè)晶粒ll進(jìn)行電性特性，例如利 用探針進(jìn)行內(nèi)存測(cè)試(memory test)、邏輯測(cè)試(logic test)等等。在 該電性測(cè)試階段之后，測(cè)試機(jī)臺(tái)通常會(huì)針對(duì)測(cè)試不合格的晶粒11印上 (inking)第一墨色以利后續(xù)切割及打線封裝制程的進(jìn)行。而在電性測(cè) 試階段之后，同時(shí)會(huì)輸出一第一檔案格式的地圖檔，以記錄該晶圓1 上每一晶粒11的電性測(cè)試結(jié)果。例如圖4A所示，該地圖檔顯示每一 晶粒11的電性測(cè)試結(jié)果，而不同晶粒11上的標(biāo)號(hào)則表示該晶粒11在 電性測(cè)試階段所出現(xiàn)的問(wèn)題，亦即A、 B、 Q、 3等僅是表示該晶粒11 發(fā)生的錯(cuò)誤情況而單點(diǎn)記號(hào)則表示該晶粒11通過(guò)電性測(cè)試的結(jié)果，并 非用以限制本發(fā)明。故在此步驟中，加載該晶圓1至該承載轉(zhuǎn)盤(pán)21上， 并同時(shí)加載對(duì)應(yīng)該晶圓1的地圖檔于該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2的作業(yè)主機(jī)。
另一方面，該晶圓1可通過(guò)該承載轉(zhuǎn)盤(pán)21移動(dòng)至一影像擷取裝置 23的中心，該影像擷取裝置23可為一CCD，但并不以此為限；并可 通過(guò)設(shè)置于該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2的顯示裝置24顯示該晶圓1的畫(huà)面。
(b)定位該晶圓1與該地圖檔。在此步驟中，必須將該晶圓1 與該地圖檔相互定位，如此才能讓操作人員在正確的地圖檔位置上進(jìn) 行標(biāo)記。在本實(shí)施例中，該對(duì)位的程序可由下列動(dòng)作進(jìn)行晶圓1與該 地圖檔的對(duì)齊，首先，擺正該晶圓1，并進(jìn)而執(zhí)行搜尋該晶圓1的上邊 緣、下邊緣、左邊緣及右邊緣的步驟，而搜尋該晶圓1的上邊緣的步 驟中更進(jìn)一步找出該晶圓1上邊緣的中心點(diǎn)，由此可決定該晶圓1的 外型，再根據(jù)該晶圓1的外型與該地圖檔相比對(duì)，如此可將該晶圓1 的坐標(biāo)軸與該地圖檔的坐標(biāo)軸相互對(duì)齊。由此，當(dāng)操作人員在該顯示 裝置24上檢測(cè)到不合格的晶粒11，即可直接在該地圖檔中進(jìn)行標(biāo)記與修改的動(dòng)作。
另一方面，若根據(jù)該晶圓1的上邊緣、上邊緣的中心點(diǎn)、下邊緣、 左邊緣及右邊緣的資料，無(wú)法將該晶圓1的坐標(biāo)軸與該地圖檔的坐標(biāo) 軸對(duì)齊，則載出該晶圓1。
(C )檢視該晶圓1的外觀；若該晶圓1的坐標(biāo)軸與該地圖檔的 坐標(biāo)軸可相互對(duì)齊，則操作人員即可在該顯示裝置24中進(jìn)行所述的晶
粒11的目視檢查。而該影像擷取裝置23設(shè)有一倍率調(diào)整裝置，操作
人員可視實(shí)際的情況調(diào)整其顯示的放大倍率，以能清楚地發(fā)現(xiàn)每一晶
粒11的外觀瑕疵。操作人員可通過(guò)設(shè)置于該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2的操控裝 置22使該晶圓1相對(duì)于該影像擷取裝置23進(jìn)行位移，使該操作人員 可每一列每一行地反復(fù)進(jìn)行每一晶粒11的目視檢測(cè)。
(d)若檢測(cè)該晶圓1外觀為不良，記錄并修改該地圖檔的資料。 在此步驟中，若操作人員于目視檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)任何外觀上的瑕疵，應(yīng)就 該缺陷的位置進(jìn)行標(biāo)記，例如該晶圓1的外觀有明顯的刮痕或裂縫， 則操作人員將該刮痕的起點(diǎn)、終點(diǎn)記錄在該地圖檔中；又如圖4A中， 自右算起第五列，自下算起第五行的晶粒11為通過(guò)電性測(cè)試的晶粒11 (在圖4A標(biāo)記為單點(diǎn)記號(hào))，但在此檢測(cè)步驟時(shí)被發(fā)現(xiàn)有外觀上的問(wèn) 題，則該操作人員可由該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2的輸入接口 25直接在該地圖 檔上進(jìn)行標(biāo)記，而該操作人員可標(biāo)記不同的記號(hào)或標(biāo)號(hào)于所述的晶粒 ll,以對(duì)應(yīng)于所述的晶粒11外觀的瑕疵情況，如在圖4B中被標(biāo)記為F; 而其它通過(guò)電性測(cè)試的晶粒11,亦出現(xiàn)外觀瑕疵的情況而被加以標(biāo)記。
此外，該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2亦可裝設(shè)有一點(diǎn)墨系統(tǒng)(圖未示)，操 作人員可在修改該地圖檔時(shí)，同時(shí)針對(duì)該外觀具有瑕疵的晶粒11印上 一第二墨色，以供后續(xù)人員或機(jī)臺(tái)進(jìn)行挑選制程。而此階段的第二墨 色可與之前電性測(cè)試的第一墨色不同，使兩者(電性測(cè)試及外觀測(cè)試) 之間的測(cè)試結(jié)果可以清楚區(qū)別。該晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2可進(jìn)行外觀瑕疵面積或長(zhǎng)度的估算，利用記錄 在地圖檔中的該刮痕的起點(diǎn)、終點(diǎn)的坐標(biāo)位置，即可估計(jì)瑕疵面積或 長(zhǎng)度的大小。
(e)儲(chǔ)存該修改后的地圖檔。當(dāng)操作人員完成該晶圓1的目視檢
查，同時(shí)也將目視檢查不合格的晶粒ll位置標(biāo)記于該地圖檔后，即可
儲(chǔ)存該修改后的地圖檔，請(qǐng)參考圖4B。圖4B顯示操作人員所標(biāo)記的 外觀不良的晶粒ll，其用標(biāo)號(hào)F顯示于地圖檔中。而該儲(chǔ)存步驟可將 該修改后的地圖檔儲(chǔ)存為第一檔案格式，亦即儲(chǔ)存為與加載的地圖檔
相同的檔案格式，以覆寫(xiě)該修改前的地圖檔；或該儲(chǔ)存步驟可將該修
改后的地圖檔儲(chǔ)存為第二檔案格式，亦即另行輸出一個(gè)新的檔案格式 的地圖檔。
另一方面，由于晶圓1為易碎材質(zhì)，且每一晶圓1上均有利用半 導(dǎo)體方法所制造的集成電路，故為了保護(hù)晶圓1及其半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，本
晶圓檢測(cè)系統(tǒng)2可加裝自動(dòng)取片系統(tǒng)，用以取代操作員直接用手拿取 芯片，進(jìn)一步達(dá)成保護(hù)芯片的功用。
綜上所述，本發(fā)明具有下列諸優(yōu)點(diǎn)
1、 具有較高的檢測(cè)性，由于本發(fā)明可直接針對(duì)電性量測(cè)結(jié)果 的地圖檔案做修改、標(biāo)記的動(dòng)作，可節(jié)省人工紀(jì)錄再轉(zhuǎn)成電子文件檔 的時(shí)間。
2、 另一方面，由于本發(fā)明可讀取地圖檔，并對(duì)齊該待檢測(cè)晶
圓與該地圖檔，使兩者之間的位置清楚對(duì)應(yīng)，進(jìn)而減少位置對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤 造成必須重新檢測(cè)的問(wèn)題。
3 、 本發(fā)明可適用于大量生產(chǎn)的自動(dòng)化產(chǎn)線，故具有較佳的生
產(chǎn)效率及較高的產(chǎn)能。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，非意欲局限本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所為之等效變化，均同 理皆包含于本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括步驟步驟1加載一晶圓；步驟2定位該晶圓與一對(duì)應(yīng)于該晶圓的地圖檔，其中該地圖檔為第一檔案格式；步驟3檢視該晶圓的外觀；步驟4若該晶圓外觀為不良，記錄并修改該地圖檔的資料；以及步驟5儲(chǔ)存該修改后的地圖檔。
2. 如權(quán)利要求l所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟l之 后更包括一擺正該晶圓，且搜尋該晶圓的上邊緣、下邊緣、左邊緣及 右邊緣的步驟。
3. 如權(quán)利要求2所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在搜尋該晶 圓的上邊緣的步驟中，更包括搜尋該晶圓上邊緣中心點(diǎn)的步驟。
4. 如權(quán)利要求3所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟2中 更包括計(jì)算該晶圓的外型，且將該外型對(duì)齊于該地圖檔的一坐標(biāo)的步 驟。
5. 如權(quán)利要求4所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟2中， 若無(wú)法對(duì)齊該外型與該地圖檔的該坐標(biāo)，則載出該晶圓；若對(duì)齊，則 進(jìn)行步驟3。
6. 如權(quán)利要求l所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于該晶圓包含 多個(gè)晶粒。
7. 如權(quán)利要求6所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟3中，反復(fù)移動(dòng)該晶圓，且檢視該每一晶粒的外觀。
8. 如權(quán)利要求7所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟4中， 若一晶粒的外觀為不良，則修改該地圖檔且標(biāo)記該地圖檔中對(duì)應(yīng)該晶 粒的位置。
9. 如權(quán)利要求7所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟4中， 若該晶圓上有一刮痕，則標(biāo)記該刮痕的端點(diǎn)于該地圖檔。
10. —種依權(quán)利要'求9所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步 驟4中更包括根據(jù)該刮痕的端點(diǎn)計(jì)算該刮痕的長(zhǎng)度及面積。
11. 如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟5 中，該修改后的地圖檔儲(chǔ)存為第一檔案格式。
12. 如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟5 中，該修改后的地圖檔儲(chǔ)存為第二檔案格式。
13. 如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于在步驟5 之后，包括一載出該晶圓的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，包括步驟如下加載一晶圓；定位該晶圓與一對(duì)應(yīng)于該晶圓的地圖檔(map file)，其中該地圖檔為第一檔案格式；檢視該晶圓的外觀；若該晶圓外觀為不良，記錄并修改該地圖檔的資料；以及儲(chǔ)存該修改后的地圖檔。由此，可針對(duì)地圖檔直接做修改、標(biāo)記的動(dòng)作，可以有效節(jié)省檢測(cè)的時(shí)程。
文檔編號(hào)G01N21/956GK101431039SQ20071016951
公開(kāi)日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2007年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者周明澔, 汪秉龍, 陳信呈 申請(qǐng)人:久元電子股份有限公司