專利名稱：：晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的^r測工藝，具體地說，涉及一種晶圓的出貨品質(zhì)保證(outgoingqualityassurance,簡稱"OQA，，)4企測方法。
背景技術(shù)：
：目前，晶圓的OQA檢測通常僅對晶圓的固定區(qū)域內(nèi)的芯片進(jìn)行檢測。圖l是采用現(xiàn)有檢測方法時(shí)晶圓的取樣圖。該檢測方法釆用的步驟是首先在晶圓的上、下、左、右、中部選擇5個(gè)方塊區(qū)域，每一方塊區(qū)域具有相同數(shù)量的抬r測芯片(die)。每一區(qū)域內(nèi)檢測芯片的多少依晶圓上的芯片總數(shù)而定，圖l所示的晶圓中，每一區(qū)域內(nèi)包括16個(gè)檢測芯片。然后采用光學(xué)顯微鏡(OM)或者其他檢測設(shè)備對選擇的檢測芯片進(jìn)行檢測，根據(jù)出現(xiàn)壞片數(shù)量來決定該是否能夠出貨。釆用現(xiàn)有的檢測方法存在一定局限性，因?yàn)椴还茈S機(jī)檢測多少個(gè)晶圓，都不能發(fā)現(xiàn)方塊區(qū)域外的芯片上的缺陷，特別是系統(tǒng)性的缺陷，如在固定位置重復(fù)出現(xiàn)的缺陷，而這個(gè)位置又不在檢測區(qū)域內(nèi)。造成芯片缺陷的原因多種多樣，因此晶圓上任何位置的芯片都有可能出現(xiàn)缺陷。采用現(xiàn)有的^r測方法，會(huì)漏掉出現(xiàn)在方塊區(qū)域外的芯片的缺陷，最終導(dǎo)致客戶投訴。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法，其可有效地檢測出晶圓上的隨機(jī)缺陷。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法。該檢測方法包括如下步驟將晶圓分成若干區(qū)域，每一區(qū)域內(nèi)包括若干個(gè)芯片，其中每一區(qū)域內(nèi)的芯片數(shù)量相等或至多相差1個(gè)；根據(jù)晶圓的質(zhì)量等級確定需要檢測的芯片的最少數(shù)量，其中晶圓上包含的芯片數(shù)量越多，晶圓的質(zhì)量等級越高，需要檢測的芯片的數(shù)量也越多；根據(jù)需要4全測的芯片的最少數(shù)量，在所述區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取芯片進(jìn)行檢測，其中每一區(qū)域內(nèi)檢測的芯片數(shù)量相等或至多相差1個(gè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的檢測方法是隨機(jī)選擇檢測芯片，在不增加檢測芯片數(shù)量的情況下，檢測到了更大的晶圓區(qū)域；通過對多個(gè)晶圓抽樣，實(shí)現(xiàn)了對晶圓大部分區(qū)域芯片的檢測，提高了檢測結(jié)果的精確度，避免了或者減少了將有問題的芯片出貨給客戶。圖1是采用現(xiàn)有4企測方法時(shí)晶圓的取樣圖。圖2是采用本發(fā)明檢測方法時(shí)晶圓的區(qū)域的劃分的示意圖。圖3是采用本發(fā)明檢測方法時(shí)晶圓的取樣圖。具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法一實(shí)施例進(jìn)行描述，以期進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供的檢測方法步驟如下，首先將檢測晶圓分成若干區(qū)域，每一區(qū)域內(nèi)包括若干個(gè)芯片，其中每一區(qū)域內(nèi)的芯片數(shù)量至多相差l個(gè)。請參閱圖2，本實(shí)施例的檢測晶圓有332個(gè)芯片，分成大致相同的7個(gè)區(qū)域①、②、③、④、、、⑦、、⑨，劃分時(shí)，首先從晶圓邊緣開始，按箭頭方向逐一選擇芯片，每選擇47或者48個(gè)芯片組成一個(gè)區(qū)域。然后，根據(jù)檢測晶圓的質(zhì)量等級，來確定需要檢測的檢測芯片的數(shù)量，其中質(zhì)量等級由晶圓包含的芯片總數(shù)確定，芯片總數(shù)越高，質(zhì)量等級越高，相應(yīng)的需要的檢測芯片的數(shù)量也就越多。本實(shí)施例中，所述質(zhì)量等級依據(jù)質(zhì)量接受等級(AcceptableQualityLevel,簡稱"AQL，，)0.65劃分質(zhì)量等級，如后附表1所示。圖2所示的檢測晶圓具有332個(gè)芯片，屬于表1中的等級2，所以最少要檢測80個(gè)檢測芯片，在后續(xù)檢測中，如果有l(wèi)個(gè)壞片，屬于可接受范圍，可以通過出貨；如果有2及以上個(gè)壞片，則需要退回車間不能出貨。接下來，在每一區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選擇芯片作為檢測芯片，每一區(qū)域內(nèi)的檢測芯片至多相差1個(gè)。在本實(shí)施例中，在每一區(qū)域內(nèi)選擇11或者12個(gè)芯片作為檢測芯片進(jìn)行檢測。圖3為一種隨機(jī)選取的取樣圖，有五角星標(biāo)示的芯片就是檢測芯片。在本發(fā)明的檢測方法中，每一區(qū)域內(nèi)檢測芯片的選取是隨機(jī)的，同一批次中抽樣的檢測晶圓，多次隨機(jī)選取，可以實(shí)現(xiàn)對4企測晶圓上大部分或者全部的芯片進(jìn)行檢測，從而提高了檢測結(jié)果的精確度。另外，如果本發(fā)明的檢測方法是在晶圓的電路功能測試(CircuitProbing,簡稱"CP測試")之后進(jìn)行，上述區(qū)域劃分以及隨機(jī)選擇芯片僅針對CP測試后的好片進(jìn)行的，這樣可以節(jié)省檢測的時(shí)間，提高效率。上述描述，僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的具體描述，并非對本發(fā)明的任何限定，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述揭示內(nèi)容進(jìn)行簡單修改、添加、變換，且均屬于權(quán)利要求書中保護(hù)的內(nèi)容。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權(quán)利要求1.一種晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括如下步驟將晶圓分成若干區(qū)域，每一區(qū)域內(nèi)包括若干個(gè)芯片，其中每一區(qū)域內(nèi)的芯片數(shù)量相同或至多相差1個(gè)；根據(jù)晶圓的質(zhì)量等級確定需要檢測的芯片的最少數(shù)量，其中晶圓上包含的芯片數(shù)量越多，晶圓的質(zhì)量等級越高，需要檢測的芯片的數(shù)量也越多；根據(jù)需要檢測的芯片的最少數(shù)量，在所述區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取芯片進(jìn)行檢測，其中每一區(qū)域內(nèi)檢測的芯片數(shù)量相同或至多相差1個(gè)。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法，其特征在于若該檢測方法應(yīng)用于晶圓的CP測試之后，所述區(qū)域劃分和隨機(jī)選擇的芯片僅針對通過CP測試后的好芯片進(jìn)行劃分和檢測。3.如權(quán)利要求1所述的晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法，其特征在于所述將晶圓劃分成若干區(qū)域是從晶圓邊緣開始，采用逐一選取一定數(shù)量的芯片的方式進(jìn)行劃分的。全文摘要本發(fā)明公開了一種晶圓的出貨品質(zhì)保證檢測方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的檢測工藝?，F(xiàn)有的檢測方法檢測的區(qū)域和位置都是固定的，不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)檢測選定區(qū)域外的芯片的缺陷。本發(fā)明的檢測方法包括將晶圓分成若干區(qū)域，每一區(qū)域內(nèi)包括若干個(gè)芯片，其中每一區(qū)域內(nèi)的芯片數(shù)量相等或至多相差1個(gè)；根據(jù)晶圓的質(zhì)量等級確定需要檢測的芯片的最少數(shù)量；根據(jù)需要檢測的芯片的最少數(shù)量，在所述區(qū)域內(nèi)隨機(jī)選取芯片進(jìn)行檢測，其中每一區(qū)域內(nèi)檢測的芯片數(shù)量相同或至多相差1個(gè)。本發(fā)明的檢測方法是隨機(jī)選擇芯片進(jìn)行檢測的，在不增加檢測芯片數(shù)量的情況下，檢測到了更大的晶圓區(qū)域，通過對多個(gè)晶圓抽樣，實(shí)現(xiàn)了對晶圓大部分區(qū)域芯片的檢測，提高了檢測結(jié)果的精確度。文檔編號(hào)G01R31/00GK101452027SQ20071017157公開日2009年6月10日申請日期2007年11月30日優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日發(fā)明者呂秋玲,盛康,王明珠,臣黃申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司