專利名稱：：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體地說，涉及半導(dǎo)體器件的安裝測試。
背景技術(shù)：
：如本領(lǐng)域中所公知的那樣，安裝測試用以通過以作為標(biāo)準(zhǔn)配置單元的模塊的形式配置單個半導(dǎo)體器件或多個半導(dǎo)體器件且將其連接至實際應(yīng)用裝置來驗證半導(dǎo)體器件的操作。此測試不同于通過使用具有由用戶設(shè)定的用戶測試程序的測試器來檢測半導(dǎo)體器件的缺陷或故障的一般測試。因此，不可能將由用戶設(shè)定的用戶測試程序應(yīng)用于安裝測試中。在此情況下，歸因于實際應(yīng)用裝置的實際外部控制器與半導(dǎo)體器件之間的相互沖突問題，可能存在許多缺陷。對于通用測試器而言，考慮環(huán)境原因(諸如相互沖突問題)且因此正確地執(zhí)行故障分析也可能是困難的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例是針對提供一種用以執(zhí)行安裝測試模式的半導(dǎo)體器件，該安裝測試模式用于測試安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的操作。本發(fā)明的實施例是針對提供一種能夠改變安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部特性的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的實施例是針對提供一種用以響應(yīng)于自安裝于實際應(yīng)用裝置上的外部輸入的安裝測試信號而進入測試模式的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括多個引腳，其用于接收多個外部安裝測試信號；以及信號產(chǎn)生單元，其用于響應(yīng)于外部安裝測試信號的電壓電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的操作。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括信號產(chǎn)生單元，其用于響應(yīng)于外部安裝測試信號的電壓電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號；以及一解碼單元，其用于解碼該多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的操作。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種測試半導(dǎo)體器件的方法，其包括經(jīng)由多個引腳接收多個外部安裝測試信號；比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓；以及響應(yīng)于比較結(jié)果而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的^Mt。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種測試半導(dǎo)體器件的方法，其包括接收多個外部安裝測試信號；比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓；以及響應(yīng)于比較結(jié)果而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的半導(dǎo)體器件的^Nt。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括引腳；第一比較器，其用于比較來自引腳的信號與第一參考信號；以及第二比較器，其用于比較來自引腳的信號與第二參考信號。圖1為說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的用以執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件的示意圖；圖2描述說明圖1中所示的信號產(chǎn)生單元的一個實例的詳細(xì)電路圖；圖3描述說明圖1中所示的解碼器的一個實例的詳細(xì)電路圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的用以執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件的示意圖；圖5描述圖4中所示的半導(dǎo)體器件的詳細(xì)電路圖；以及圖6描述說明圖4及圖6中所示的解碼器的一個實例的詳細(xì)電路圖。具體實施方式如下文將陳述，本發(fā)明將用于使半導(dǎo)體器件進入測試模式的信號輸入至芯片的未^f吏用的引腳，以在安裝狀態(tài)下改變或測試半導(dǎo)體器件的環(huán)境。在下文中，將參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例以使得本發(fā)明可由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地進行。圖1為說明才艮據(jù)本發(fā)明的第一實施例的用以執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的方塊圖。參考圖1,執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件包括芯片106中的信號產(chǎn)生單元104及解碼單元105。信號產(chǎn)生單元104響應(yīng)于自外部提供的安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3。解碼單元105解碼該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3以輸出多個內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG3。芯片106利用任意襯墊(pad)103以獲得外部安裝測試信號EXPASIG及任意引腳101，兩者皆為導(dǎo)線M的。通過引用在其中給出的附圖標(biāo)記，圖2描述說明圖1中所示的信號產(chǎn)生單元104的一個實例的詳細(xì)電路圖。參考圖2，信號產(chǎn)生單元104配備多個比較器201至203，每一比較器接收外部安裝測試信號EXPASIG，且響應(yīng)于外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平而輸出多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3中的對應(yīng)一個。該多個比較器201至203具有相同結(jié)構(gòu)，因此下文將說明性地描述其中的一個，即第一比較器201?？赏ㄟ^使用多個NMOS晶體管MN1至MN3、多個PMOS晶體管MP1至MP2及反相器INV1來實施第一比較器201。在操作中，響應(yīng)于使能信號EN，該使能NMOS晶體管MN1首先被接通以操作第一比較器201。接著，將預(yù)設(shè)參考電壓VREF1施加至第一NMOS晶體管MN2的柵極，且將外部安裝測試信號EXPASIG施加至第二NMOS晶體管MN3的柵極。此時，根據(jù)第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1及外部安裝測試信號EXPASIG中的每一個的邏輯電平為高的還是低的，選擇性地接通第一NMOS晶體管MN2或第二NMOS晶體管MN3。在笫一狀況下，若假定外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平高于第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1的邏輯電平，則接通第二NMOS晶體管MN3，且因此第一比較器201最后輸出邏輯高電平的第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1。在第二狀況下，若假定外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平小于第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1的邏輯電平，則接通笫一NMOS晶體管MN2，且因此接通兩個PMOS晶體管MP1及MP2。歸因于這兩個PMOS晶體管MP1及MP2的接通，第一比較器201最后輸出邏輯低電平的第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1。此處，提供于信號產(chǎn)生單元104內(nèi)的多個比較器201至203接受參考電壓VREF1至VREF3的不同電平，同時將相同安裝測試信號EXPASIG作為輸入。因此，自比較器201至203中的每一個輸出的內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3的邏輯電平可根據(jù)施加于其上的參考電壓VREF1至VREF3而彼此相同或不同。通過引用在其中給出的附圖標(biāo)記，圖3說明顯示在圖1中的解碼單元105的一個實例的詳細(xì)電路圖。參考圖3，解碼單元105配備多個反相器INV2至INV7及多個與非(NAND)門ND1至ND3以解碼自信號產(chǎn)生單元104輸出的該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3。解碼單元105在邏輯上組合輸入至其的多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3的邏輯電平，以產(chǎn)生測試模式信號TMSIG1至TMSIG3。在安裝測試tAC(存取時間)的狀況下，作為半導(dǎo)體器件的測試模式的一個實例，首先假定參考電壓VREF1至VREF3滿足電壓電平VREF1<VREF2<VREF3的不等式。此外，可存在半導(dǎo)體器件在將外部安裝測試信號EXPASIG輸入至芯片106之前正常地^M乍、或可將外部安裝測試信號EXPASIG輸入至正常操作的半導(dǎo)體器件的狀態(tài)。首先，在不進行安裝測試(tAC測試)的狀況下，若被輸入的外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平小于第一參考電壓VREF1，則使內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG3無效(inactivated)。此外，作為安裝測試(tAC測試)的第一變化，若外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平高于第一參考電壓VREF1但小于第二參考電壓VREF2，則使第一內(nèi)部測試模式信號TMSIG1有效(activated)且使第二內(nèi)部測試模式信號TMSIG2及第三內(nèi)部測試模式信號TMSIG3無效。另外，作為安裝測試(tAC測試)的第二變化，若外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平高于第二參考電壓VREF2但小于第三參考電壓VREF3，則使第一內(nèi)部測試模式信號TMSIG1及第二內(nèi)部測試模式信號TMSIG2有效且使第三內(nèi)部測試模式信號TMSIG3無效。最后，作為安裝測試(tAC測試)的第三變化，若外部安裝測試信號EXPASIG的邏輯電平高于所有參考電壓VREF1至VREF3,則使內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG3全部有效?；诒惠敵鲆宰裾找陨献兓械拿恳粋€的內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG3的邏輯電平，半導(dǎo)體器件通過控制其本身延遲鎖定環(huán)路(DLL)的復(fù)本延遲(replicadelay)的量來調(diào)整安裝測試tAC。例如，對于第一變化而言，使第一內(nèi)部測試模式信號TMSIG1有效以增加復(fù)本延遲的量。對于第三變化而言，使內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG3全部有效以減少復(fù)本延遲的量。根據(jù)本發(fā)明，有可能通it^見測數(shù)據(jù)輸出(DQ)波形的變化來監(jiān)視允許復(fù)本延遲的量以此方式增加或減少的半導(dǎo)體器件。因為該實施例使用三個比較器201至203，所以對具有總共四種變化的安裝測試(tAC測試)存在說明性解釋。然而，此僅為一個實施例，且因此若需要更多變化，則將可能通it^目應(yīng)地包括更多比較器及解碼器來實現(xiàn)目的。為了概述參考圖1的本發(fā)明的實施例，通過任意襯墊103將經(jīng)由任意引腳101施加的外部安裝測試信號EXPASIG傳遞至信號產(chǎn)生單元104。接著，信號產(chǎn)生單元104根據(jù)外部安裝測試信號EXPASIG的電壓電平而輸出該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3。解碼單元105解碼該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG3，以產(chǎn)生該多個測試模式信號TMSIG1至TMSIG3。此處，施加至芯片106的外部安裝測試信號EXPASIG的電壓電平必須設(shè)定為適于預(yù)先設(shè)定的所希望測試的值。此外，可基于信號產(chǎn)生單元104的輸出信號的數(shù)目及解碼單元105中的解碼器的數(shù)目來改變所希望測試模式環(huán)境(表示也根據(jù)測試模式信號的數(shù)目而啟用精細(xì)測試的測試模式環(huán)境)。圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的用以執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的方塊圖。參考圖4，執(zhí)行安裝測試的半導(dǎo)體器件包括芯片l卯中的多個任意引腳110A及110B以及信號產(chǎn)生單元140。該多個任意引腳110A及110B接收多個外部安裝測試信號EXPASIG1及EXPASIG2至芯片l卯的內(nèi)部。信號產(chǎn)生單元140響應(yīng)于外部安裝測試信號EXPASIG1及EXPASIG2的邏輯電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6。該半導(dǎo)體器件進一步包括解碼單元150、靜電放電(ESD)保護單元160、初始化單元170以及浮動保護單元180。解碼單元150解碼該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6以輸出多個內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG15。ESD保護單元160防止任意引腳110A及110B的ESD。在半導(dǎo)體器件的預(yù)設(shè)初始操作期間，初始化單元170初始化任意引腳110A及110B處的電壓電平。浮動保護單元180防止任意引腳110A及110B處的電壓電平浮動。此外，該半導(dǎo)體器件包括與任意引腳110A及110B導(dǎo)線接合的多個任意襯墊130A及130B，以用于將外部安裝測試信號EXPASIG1及EXPASIG2轉(zhuǎn)移至信號產(chǎn)生單元140。通過引用在其中給出的附圖標(biāo)記，圖5描述圖4中所示的半導(dǎo)體器件的詳細(xì)電路圖。參考圖5，信號產(chǎn)生單元140配備比較外部安裝測試信號EXPASIG1至EXPASIG2與多個預(yù)i更參考電壓VREF1至VREF3的多個比較器141至146。詳細(xì)地說，比較器141至146中的每一個比較外部安裝測試信號EXPASIG1至EXPASIG2中的對應(yīng)一個與預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3中的對應(yīng)一個，以響應(yīng)于比較結(jié)果而輸出內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6中的對應(yīng)一個。該多個比較器141至146根據(jù)所輸入的外部安裝測試信號EXPASIG1至EXPASIG2而接收彼此不同的預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3中的一個。例如，接收第一外部安裝測試信號EXPASIG1的第一至第三比較器141至143被配置以接收彼此不同的預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3。同樣地，接收第二外部安裝測試信號EXPASIG2的第四至第六比較器144至146被配置以接收彼此不同的預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3。因此，該多個比較器141至146比較所有輸入的外部安裝測試信號EXPASIG2與所有預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3。該多個比較器141至146具有相同結(jié)構(gòu)，因此下文將說明性地描述其中的一個，即第一比較器141?？捎玫谝恢恋谌齆MOS晶體管CN1至CN3、第一PMOS晶體管CP1及第二PMOS晶體管CP2以及反相器CINT1來實施第一比較器141。第一NMOS晶體管CN1包括接收第一外部安裝測試信號EXPASIG1的柵M輸出節(jié)點OUTN與公共節(jié)點COMN之間的漏極-源極^4圣，從而響應(yīng)于第一外部安裝測試信號EXPASIG1的電壓電平而控制在其漏極-源極路徑上流動的電流量。第二NMOS晶體管CN2包括接收第一參考電壓VREF1的柵;feL5L驅(qū)動節(jié)點IN與公共節(jié)點COMN之間的漏極-源極路徑，從而響應(yīng)于第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1的電壓電平而控制在其漏極-源極路徑上流動的電流量。第一PMOS晶體管CP1及第二PMOS晶體管CP2形成電源電壓(VDD)端子與輸出節(jié)點OUTN及驅(qū)動節(jié)點IN中的一個之間的電流反射鏡，從而使在輸出節(jié)點OUTN上流動的電流量與在驅(qū)動節(jié)點IN上流動的電流量大體上相同。第三NMOS晶體管CN3包括接收使能信號ENABLE的柵^My^共節(jié)點COMN與接地電壓(VSS)端子之間的漏極-源極路徑，從而響應(yīng)于使能信號ENABLE而控制其漏極-源極路徑的連接或斷開。反相器CINT1響應(yīng)于輸出節(jié)點OUTN的電壓電平而確定并輸出第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1的邏輯電平。一經(jīng)操作，即響應(yīng)于使能信號ENABLE,接通第三NMOS晶體管CN3以操作第一比較器141。接著，將第一外部安裝測試信號EXPASIG1施加至第一NMOS晶體管CN1的柵極，且將第一預(yù)設(shè)參考電壓VREFl施加至第二NMOS晶體管CN2的柵極。此時，根據(jù)第一預(yù)設(shè)參考電壓VREFl及第一外部安裝測試信號EXPASIG1中的每一個的邏輯電平為高還是低，確定自第一比較器141輸出的第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1的邏輯電平。在第一狀況下，假定施加至第一NMOS晶體管CN1的柵極的外部安裝測試信號EXPASIG1的邏輯電平高于施加至第二NMOS晶體管CN2的柵極的第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1的邏輯電平。此時，在第一NMOS晶體管CN1的漏極-源極路徑上流動的電流量大于在第二NMOS晶體管CN2的漏極-源極路徑上流動的電流量。形成電流^^射鏡的第一PMOS晶體管CP1及第二PMOS晶體管CP2試圖使在輸出節(jié)點OUTN上流動的電流量與在驅(qū)動節(jié)點IN上流動的電流量大體上相同。因此，輸出節(jié)點OUTN的電壓電平變得較低，且驅(qū)動節(jié)點IN的電壓電平變得較高。根據(jù)輸出節(jié)點OUTN的電壓電平變得較低，反相器CINT1最后輸出具有邏輯高電平的第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1。在第二狀況下，假定施加至第一NMOS晶體管CN1的柵極的外部安裝測試信號EXPASIG1的邏輯電平低于施加至第二NMOS晶體管CN2的柵極的第一預(yù)設(shè)參考電壓VREF1的邏輯電平。此時，在第二NMOS晶體管CN2的漏極-源極路徑上流動的電流量大于在第一NMOS晶體管CN1的漏極-源極路徑上流動的電流量。第一PMOS晶體管CP1及第二PMOS晶體管CP2試圖4吏在輸出節(jié)點OUTN上流動的電流量與在驅(qū)動節(jié)點IN上流動的電流量大體上相同。因此，輸出節(jié)點OUTN的電壓電平變得較高，且驅(qū)動節(jié)點IN的電壓電平變得較低。根據(jù)輸出節(jié)點OUTN的電壓電平變得較高，反相器CINT1^輸出具有邏輯低電平的第一內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1。此處，其它比較器142至146具有與第一比較器141的結(jié)構(gòu)大體上相同的結(jié)構(gòu)，且執(zhí)行與第一比較器141的操作大體上相同的操作。參看表l，下文將描述根據(jù)比較器141至146的外部安裝測試信號EXPASIG1至EXPASIG3、預(yù)設(shè)參考電壓VREF1至VREF3以及內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6的電壓電平。[表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>ESD保護單元160包括多個ESD保護器162及164,每一ESD保護器連接至任意襯墊130A及130B中的一個，從而防止任意引腳110A及HOB的ESD。笫一ESD保護器162包括第一至第三保護電路162A至162C。用串聯(lián)連接于電源電壓(VDD)端子與接地電壓(VSS)端子之間的第一二極管DI1及第二二極管DI2來實施第一保護電路162A。用第一電阻器Rl來實施笫二保護電路162B。用第一保護MOS晶體管Nl及第二保護MOS晶體管N2來實施第三保護電路162C.笫二ESD保護器164包括第四至第六保護電路164A至164C。用串聯(lián)連接于電源電壓(VDD)端子與接地電壓(VSS)端子之間的第三4管DI3及第四二極管DI4來實施第四保護電路164A。用第二電阻器R2來實施笫五保護電路164B。用第三保護MOS晶體管N9及第四保護MOS晶體管N10來實施第六保護電路164C。初始化單元170包括多個初始化電路172及174,每一初始化電路連接至任意襯墊130A及130B中的一個，從而在半導(dǎo)體器件的預(yù)設(shè)初始操作期間初始化任意引腳110A及110B處的電壓電平。此處，響應(yīng)于在半172及174中的每一個。第一初始化電路172包括串聯(lián)耦接于第一節(jié)點NODEA與接地電壓(VSS)端子之間的多個初始化NMOS晶體管N3至N7。第一節(jié)點NODEA耦接至第一任意襯墊130A。具有耦接至接地電壓(VSS)端子的源極的第五初始化NMOS晶體管N7包括接收復(fù)位脈沖RSTTMP的柵極，使得響應(yīng)于復(fù)位脈沖RSTTMP而接通或斷開第一初始化電路172。此外，第一至第四初始化NMOS晶體管N3至N6包括接收電源電壓VDD的柵極，以防止在施加電源電壓VDD后在觸發(fā)復(fù)位脈沖RSTTMP時發(fā)生電流消耗。第二初始化電路174包括串聯(lián)耦接于第二節(jié)點NODEB與接地電壓(VSS)端子之間的多個初始化NMOS晶體管Nil至N15。第二節(jié)點NODEB耦接至第二任意襯墊130B,具有耦接至接地電壓(VSS)端子的源極的第十初始化NMOS晶體管N15包括接收復(fù)位脈沖RSTTMP的柵極，使得響應(yīng)于復(fù)位脈沖RSTTMP而接通或斷開第二初始化電路174。此外，第六至第九初始化NMOS晶體管Nil至N14包括接收電源電壓VDD的柵極，以防止在施加電源電壓VDD后在觸發(fā)復(fù)位脈沖RSTTMP時發(fā)生電流消耗。浮動保護單元180包括多個浮動保護器182及184，每一浮動保護器連接至任意襯墊130A及130B中的一個，以在經(jīng)由任意襯墊130A及130B輸入的信號不具有預(yù)定電壓電平時，不將輸入信號轉(zhuǎn)送至信號產(chǎn)生單元140。此處，浮動保護器182及184中的每一個可通過下拉驅(qū)動一對一地耦接至第一任意襯墊130A及第二任意襯墊130B的第一節(jié)點NODEA及第二節(jié)點NODEB，來切斷經(jīng)由任意襯墊130A及130B將不熟知的輸入信號轉(zhuǎn)送至信號產(chǎn)生單元140。第一浮動保護器182包括第一電平轉(zhuǎn)換器1822及第一下拉驅(qū)動器N8。當(dāng)經(jīng)由第一任意襯墊130A輸入電壓電平在預(yù)定時間期間不變化的信號時，第一浮動保護器182斷開第一下拉驅(qū)動器N8。相反，當(dāng)經(jīng)由第一任意襯墊130A輸入電壓電平連續(xù)變化的信號時，第一浮動保護器182接通第一下拉驅(qū)動器N8。此處，第一下拉驅(qū)動器N8包括耦接于接地電壓(VSS)端子與第一節(jié)點NODEA之間的漏極-源極#，從而響應(yīng)于第一電平轉(zhuǎn)換器1822的輸出而連接或斷開其漏極-源極路徑。第二浮動保護器184包^第一電平轉(zhuǎn)換器1842及第二下拉驅(qū)動器N16。當(dāng)經(jīng)由笫二任意襯墊130B輸入電壓電平在預(yù)定時間期間不變化的信號時，第二浮動保護器184斷開第二下拉驅(qū)動器N16。否則，當(dāng)經(jīng)由第二任意襯墊130B輸入電壓電平連續(xù)變化的信號時，第二浮動保護器184接通第二下拉驅(qū)動器N16。此處，第二下拉驅(qū)動器N16包括耦接于接地電壓(VSS)端子與第二節(jié)點NODEB之間的漏極-源極路徑，從而響應(yīng)于第二電平轉(zhuǎn)換器1842的輸出而連接或斷開其漏極-源極路徑。通過引用在其中給出的附圖標(biāo)記，圖6說明顯示圖4及圖5中的解碼單元150的一個實例的詳細(xì)電路圖。參考圖6,解碼單元150包括第一解碼器152及第二解碼器154。第一解碼器152配備多個反相器INT1至INT8以及多個與非(NAND)門NAND1至NAND8來解碼該多個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6，以產(chǎn)生多個解碼信號A至H。詳細(xì)地說，若所有內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6具有邏輯低電平，則第一解碼信號A及第五解碼信號E變?yōu)檫壿嫺唠娖剑移渌獯a信號B、C、D、F、G及H變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻谝粌?nèi)部安裝測試信號INPASIG1及第四內(nèi)部安裝測試信號INPASIG4具有邏輯高電平，其它內(nèi)部安裝測試信號INPASIG2、INPASIG3、INPASIG5及INPASIG6具有邏輯低電平，則第二解碼信號B及第六解碼信號F變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌獯a信號A、C、D、E、G及H變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻谌齼?nèi)部安裝測試信號INPASIG3及笫六內(nèi)部安裝測試信號INPASIG6具有邏輯低電平，其它內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1、INPASIG2、INPASIG4及INPASIG5具有邏輯高電平，則第三解碼信號C及第七解碼信號G變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌獯a信號A、B、D、E、F及H變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若所有?nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6具有邏輯高電平，則第四解碼信號D及第八解碼信號H變?yōu)檫壿嫺唠娖?，且其它解碼信號A、B、C、E、F及G變?yōu)檫壿嫷碗娖?。第二解碼器154配備多個^jt目器INT9至INT24以及多個NAND門NAND9至NAND24來解碼該多個解碼信號A至H，以輸出多個內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG15。詳細(xì)地說，若笫一解碼信號A及第六解碼信號F具有邏輯高電平，則第一內(nèi)部測試模式信號tmsig1變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號tmsig2至tmsig15變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第一解碼信號a及第七解碼信號g具有邏輯高電平，則第二內(nèi)部測試模式信號tmsig2變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第一解碼信號a及第八解碼信號h具有邏輯高電平，則第三內(nèi)部測試模式信號tmsig3變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第二解碼信號b及第五解碼信號e具有邏輯高電平，則第四內(nèi)部測試模式信號tmsig4變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻诙獯a信號b及第六解碼信號f具有邏輯高電平，則第五內(nèi)部測試模式信號tmsig5變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第二解碼信號b及第七解碼信號g具有邏輯高電平，則第六內(nèi)部測試模式信號tmsig6變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻诙獯a信號b及第八解碼信號h具有邏輯高電平，則第七內(nèi)部測試模式信號tmsig7變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻谌獯a信號c及第五解碼信號e具有邏輯高電平，則第八內(nèi)部測試模式信號tmsig8變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第三解碼信號c及第六解碼信號f具有邏輯高電平，則第九內(nèi)部測試模式信號tmsig9變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第三解碼信號c及第七解碼信號g具有邏輯高電平，則第十內(nèi)部測試模式信號tmsig10變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖健Ｈ舻谌獯a信號c及第八解碼信號h具有邏輯高電平，則第十一內(nèi)部測試模式信號tmsig11變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第四解碼信號D及第五解碼信號E具有邏輯高電平，則第十二內(nèi)部測試模式信號TMSIG12變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第四解碼信號D及第六解碼信號F具有邏輯高電平，則第十三內(nèi)部測試模式信號TMSIG13變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第四解碼信號D及第七解碼信號G具有邏輯高電平，則第十四內(nèi)部測試模式信號TMSIG14變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第四解碼信號D及第八解碼信號H具有邏輯高電平，則第十五內(nèi)部測試模式信號TMSIG15變?yōu)檫壿嫺唠娖角移渌鼉?nèi)部測試模式信號變?yōu)檫壿嫷碗娖?。若第一解碼信號A及第四解碼信號E具有邏輯高電平，則正常模式信號NMSIG變?yōu)檫壿嫺唠娖角宜袃?nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG15變?yōu)檫壿嫷碗娖健４颂?，在不?zhí)行測試操作時以正常模式使正常模式信號NMSIG有效。參考表2,下文將描述根據(jù)內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6的解碼信號A至H以及內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG15的電壓電平。[表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在第二實施例中，兩個外部安裝測試信號EXPASIG1及EXPASIG2經(jīng)由兩個任意引腳110A及110B以及兩個任意襯墊130A及130B被輸入，經(jīng)由六個比較器141至146與三個參考電壓VREF1至VREF3比較，且因此輸出六個內(nèi)部安裝測試信號INPASIG1至INPASIG6，從而產(chǎn)生十五個內(nèi)部測試模式信號TMSIG1至TMSIG15及一個正常模式信號NMSIG。然而，此僅為一個實施例，因此若需要更多變化，則將可能通it^目應(yīng)地包括更多或更少比較器及解碼器來實現(xiàn)目的。例如，可如下描述使內(nèi)部安裝測試信號的數(shù)目變?yōu)閮杀兜姆椒ā５谝?，有可能使參考電壓的?shù)目變?yōu)閮杀?，也即，六個參考電壓而非三個參考電壓。因此，內(nèi)部安裝測試信號的數(shù)目可變?yōu)閮杀丁５诙锌赡苁谷我庖_及襯墊的數(shù)目變?yōu)閮杀?，也即，四個引腳及襯墊而非兩個引腳及襯墊。因此，可輸入四個外部安裝測試信號，因此內(nèi)部安裝測試信號的數(shù)目可在三個參考電壓的情況下變?yōu)閮杀?。在第一方法的情況下，因為電源電壓VDD為固定的，所以參考電壓之的間隔可為窄的。例如，假定三個參考電壓的間隔為0.5V。若使參考電壓的數(shù)目為五個，則五個參考電壓的間隔為0.25￥。在實際裝置中，使多個參考電壓具有0.25V的間隔是困難的。在第二方法的情況下，由于維持參考電壓的數(shù)目(也即，三個)，所以不發(fā)生第一方法的以上問題。盡管關(guān)于所使用的輸入及輸出信號全部為高電平有效信號的狀況來說明了上文在優(yōu)選實施例中陳述的邏輯門的類型及配置，應(yīng)注意，可基于輸入及輸出信號的有效極性而以不同類型及配置來實施這些邏輯門。如上文所提及,本發(fā)明可在半導(dǎo)體器件的安裝狀態(tài)下改變半導(dǎo)體器件的環(huán)境或測試半導(dǎo)體器件。因此，本發(fā)明有助于在安裝狀態(tài)下分析半導(dǎo)體器件，從而減少產(chǎn)品開發(fā)所耗費的期限周期且也快速地應(yīng)對消費者的不滿。盡管已關(guān)于特定實施例來描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解可在不脫離以下申請專利范圍中界定的本發(fā)明的精神及范疇的情況下進行各種改變及修改。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，其包含多個引腳，其用于接收多個外部安裝測試信號；以及信號產(chǎn)生單元，其用于響應(yīng)于所述外部安裝測試信號而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于所述內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的操作。2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，該信號產(chǎn)生單元響應(yīng)于外部安裝測試信號的電壓電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號。3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進一步包含解碼單元，解碼單元用于解碼該多個內(nèi)部測，式信號。4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進一步包含多個襯墊，多個襯墊用于連接該多個引腳與信號產(chǎn)生單元。5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進一步包含靜電放電(ESD)保護單元，該ESD保護單元用于防止所述引腳的ESD。6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進一步包含初始化單元，該初始化單元用于在該半導(dǎo)體器件的預(yù)設(shè)初始操作期間初始化所述引腳處的電壓電平。7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其進一步包含浮動保護單元，該浮動保護單元用于防止引腳處的電壓電平浮動。8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件,其中該信號產(chǎn)生單元包括多個比較器，該多個比較器用于比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓。9.一種半導(dǎo)體器件，其包含信號產(chǎn)生單元，其用于響應(yīng)于外部安裝測試信號而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號；以及解碼單元，其用于解碼多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的^Mt。10.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，信號產(chǎn)生單元響應(yīng)于該外部安裝測試信號的電壓電平而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號。11.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其進一步包含初始化單元，該初始化單元用于在半導(dǎo)體器件的預(yù)設(shè)初始操作期間初始化信號產(chǎn)生單元。12.如權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件，其中該信號產(chǎn)生單元包括多個比較器，該多個比較器用于比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓。13.—種用于測試半導(dǎo)體器件的方法，其包含經(jīng)由多個引腳接收多個外部安裝測試信號；比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓；以及響應(yīng)于比較結(jié)果而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而^安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的^Nt。14.如權(quán)利要求13的方法，其進一步包含防止該多個引腳的靜電放電(ESD)。15.如權(quán)利要求13的方法，其進一步包含在該半導(dǎo)體器件的預(yù)設(shè)初始IMt期間初始化引腳處的電壓電平。16.如權(quán)利要求13的方法，其進一步包含防止引腳處的電壓電平浮動。17.如權(quán)利要求13的方法，其進一步包含解碼多個內(nèi)部測試模式信號以輸出多個解碼信號；以及執(zhí)行響應(yīng)于多個解碼信號而設(shè)定的測試。18.—種用于測試半導(dǎo)體器件的方法，其包含接收多個外部安裝測試信號；比較安裝測試信號與具有各種電壓電平的多個預(yù)設(shè)參考電壓；以及響應(yīng)于比較結(jié)果而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的操作。19.如權(quán)利要求18的方法，其進一步包含解碼多個內(nèi)部測試模式信號以輸出多個解碼信號；以及執(zhí)行響應(yīng)于該多個解碼信號而設(shè)定的測試。20.—種半導(dǎo)體器件，其包含引腳；第一比較器，其用于比較來自引腳的信號與第一參考信號；以及第二比較器，其用于比較來自引腳的該信號與第二參考信號。21.如權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中第一參考信號與第二參考信號具有不同電平。22.如權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，測試信號。23.如權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，試模式產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號。24.如權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，單元用于解碼多個內(nèi)部測試模式信號。25.如權(quán)利要求23的半導(dǎo)體器件，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的操作。自引腳輸入的該信號為外部安裝其中響應(yīng)于比較結(jié)果而以安裝測其進一步包括解碼單元，該解碼全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其包括多個引腳，其用于接收多個外部安裝測試信號；以及信號產(chǎn)生單元，其用于響應(yīng)于所述外部安裝測試信號而產(chǎn)生多個內(nèi)部測試模式信號，其中該半導(dǎo)體器件響應(yīng)于所述內(nèi)部測試模式信號而進入安裝測試模式，用以評估安裝于實際應(yīng)用裝置上的該半導(dǎo)體器件的操作。文檔編號G01R31/28GK101210953SQ200710305608公開日2008年7月2日申請日期2007年12月26日優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日發(fā)明者具岐峰申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司