專(zhuān)利名稱(chēng)：一種探針及安裝有該探針的垂直探針晶元探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路(IC)測(cè)試裝置。
背景技術(shù)：
集成電路UC)在應(yīng)用前， 一般均需要進(jìn)行測(cè)試。例如，集成電路(ic)在晶元封裝前、封裝后和焊接在線路板后，都需要進(jìn)行測(cè)試。在晶元上測(cè)試集成電路(IC),用探針卡接觸集成電路(IC)的焊盤(pán)上，探針卡輸入電信號(hào)到 集成電路(IC),并接收集成電路(IC)輸出的電信號(hào)。集成電路(IC)輸出 的電信號(hào)為對(duì)輸入電信號(hào)的反應(yīng)，輸入探針卡和集成電路(IC)的電信號(hào)一般 由信號(hào)發(fā)生器(例如自動(dòng)測(cè)試機(jī))所產(chǎn)生。通過(guò)編寫(xiě)好程序的自動(dòng)測(cè)試機(jī)以 對(duì)比從集成電路(IC)輸出的電信號(hào)是否合格的模式去決定該集成電路(IC) 是否合格，然后選擇合格者進(jìn)行封裝。早期的探針卡只能測(cè)試單一晶元(即單 一IC)，這些早期的探針卡一般用針尖彎曲、水平放置的鴒探針。然后，將這 些探針排放成對(duì)角方向，這樣可以測(cè)試二個(gè)或二個(gè)以上的IC。這些探針片均有 一個(gè)缺點(diǎn)只能一次測(cè)試有限數(shù)量的IC。隨著近年來(lái)生產(chǎn)商需要一次性測(cè)試晶 元上更大數(shù)量的IC,此缺點(diǎn)就存在非常大的影響。因此，需要一種在一次接觸中便能完成測(cè)試更多數(shù)量的集成電路(IC)的 探針卡。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于解決上述存在問(wèn)題，提供一種受壓縮彈性好、檢測(cè) 可靠，且可垂直安裝的探針卡探針；在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型進(jìn)一步的目的在 于提供一種在一次接觸測(cè)試中便能完成測(cè)試更多數(shù)量的集成電路(IC)，檢測(cè)結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確、測(cè)試效率高的垂直探針晶元探針卡。 本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種探針卡的探針，其特點(diǎn)在于所述探針包括上接觸端頭、下接觸端頭及 上、下接觸端頭之間設(shè)置有的多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)。 其中上述探針的方形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角為圓弧角。上述探針的每一方形彎結(jié)構(gòu)的深度為45um 55um。 上述^:針的每一方形彎結(jié)構(gòu)的寬度為45um 55um。上述探針上位于多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)之中設(shè)置有一水平支架，且該水平支架 靠近方形彎折結(jié)構(gòu)數(shù)量較少的一端設(shè)置。上述探針上位于水平支架上方的方形彎結(jié)構(gòu)的深度和寬度與位于其下方 的方形彎結(jié)構(gòu)不相同。上述探針的上接觸端頭與下接觸端頭之間的長(zhǎng)度為2誦 3mm。上述探針為沿長(zhǎng)度方向具有受壓縮彈性的探針結(jié)構(gòu)。上述相鄰二個(gè)探針的距離為5um 25um。一種利用上述探針組裝成的垂直探針晶元探針卡，其特點(diǎn)在于包括頂測(cè)試 盤(pán)、底測(cè)試盤(pán)及設(shè)置于其中的若干探針，其中所述探針包括上接觸端頭、下接 觸端頭及上、下接觸端頭之間設(shè)置有的多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)，所述頂測(cè)試盤(pán)、底 測(cè)試盤(pán)分別相對(duì)地開(kāi)有貫通的上、下錐孔，且該上錐孔與下錐孔的錐底口呈相 對(duì)準(zhǔn)設(shè)置，該探針穿置于上、下錐孔之間，且其上、下接觸端分別伸出于頂、 底測(cè)試盤(pán)外。其中，上述安裝于頂測(cè)試盤(pán)與底測(cè)試盤(pán)上的相鄰二個(gè)探針之間距離為20um 或大于20um。本實(shí)用新型的探針具有受壓縮彈性好、檢測(cè)可靠、且可垂直安裝等特點(diǎn)， 使得可以根據(jù)具有這些特點(diǎn)探針組裝出在一次接觸測(cè)試中便能完成測(cè)試更多 數(shù)量的集成電路(IC)的探針卡，而且該探針卡還具有檢測(cè)結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確、測(cè)試效 率高的優(yōu)點(diǎn)。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)作進(jìn)一步的說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖。圖2為本實(shí)用新型的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的底面圖。 圖3為本實(shí)用新型圖1的A-A部分的局部放大簡(jiǎn)圖。 圖4為本實(shí)用新型的多種不同方案的探針的側(cè)面簡(jiǎn)圖。 圖5為本實(shí)用新型的探針的側(cè)面簡(jiǎn)圖之一。 圖6為本實(shí)用新型的探針的側(cè)簡(jiǎn)圖之二。 圖7為本實(shí)用新型圖5 C-C部分的局部放大簡(jiǎn)圖。 圖8為本實(shí)用新型的帶間距的探針卡的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖之一。 圖9為本實(shí)用新型的帶間距的探針卡的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖之二。 圖10為本實(shí)用新型的揮:針卡的其中一具體實(shí)施方案的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如本實(shí)用新型的揮:針卡的側(cè)面和底面的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)示意圖圖i與圖2所示，所述探針卡一般包括頂測(cè)試盤(pán)1、底測(cè)試盤(pán)2和一定數(shù)量探針3,以及空間轉(zhuǎn) 換器4和線路板5，其中，底測(cè)試盤(pán)2形成有數(shù)組由探針3排列組成的接觸晶 元組IO,以使探針卡能夠一次完成一個(gè)或多個(gè)集成電路(IC)的測(cè)試。測(cè)試時(shí)， 每一探針3的下接觸端頭對(duì)應(yīng)接觸被測(cè)集成電路(IC )的一個(gè)探測(cè)點(diǎn)。所述探 針3排列方式，可以按集成電路(IC)的探測(cè)點(diǎn)排列方式進(jìn)行排列和安置，以使排列形成接觸晶元組10能夠方便與被測(cè)集成電路(IC)進(jìn)行相觸接測(cè)試。圖1與圖2為探針3排列方式中的其中一方案示例。如A-A局部放大圖圖3所示，所述^果針3安置在頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2 上分別開(kāi)設(shè)有貫通的上錐孔11與下錐孔21中，其中上錐孔11與下錐孔21的 錐底口呈相對(duì)準(zhǔn)設(shè)置，并垂直對(duì)準(zhǔn)，以使探針3能相應(yīng)地垂直安置于其中。本 實(shí)用新型的每一探針3均以這種方式安裝于頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2上。所述 頂測(cè)試盤(pán)1與底測(cè)試盤(pán)2的每一錐孔均由激光鉆孔形成，而且激光鉆孔的激光 進(jìn)入的孔徑通常比激光射出的孔徑要大，以此形成錐孔。并且，所形成的錐孔 可以是圓形的錐形孔，或者橢圓形的錐形孔。又如圖3所示，本實(shí)用新型的頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2放置方式是以錐孔 的孔徑較大呈垂直相對(duì)準(zhǔn)、錐孔的孔徑較小呈相背方式放置一起。以此得到， 每對(duì)上錐孔11與下錐孔21的二個(gè)口徑較小孔口的相距距離大于其二個(gè)口徑較 大孔口，把二個(gè)口徑較小孔口放置成距離較遠(yuǎn)，是為了相對(duì)地增加探針3的探 測(cè)方向的穩(wěn)定性。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，所述空間轉(zhuǎn)換器4是為了減少探針卡的電接觸密度與間距， 也就說(shuō)，分布于頂測(cè)試盤(pán)1與底測(cè)試盤(pán)2的探針3的密度(即探測(cè)密度)要大 于被分布到PCB線路板5底部表面的接觸焊盤(pán)52的密度，間距(探測(cè)間距) 要小于被分布到PCB線路板5底部表面的接觸焊盤(pán)52的間距。所述接觸焊盤(pán) 52可以為焊接環(huán)或焊接盤(pán)。而圖2所示是以焊接盤(pán)為例子。又如圖3所示，所 述空間轉(zhuǎn)換器4的底面上對(duì)應(yīng)于每一探針3的上接觸端頭設(shè)置有一個(gè)與之相觸 接的接觸焊盤(pán)41，而探針3的下接觸端頭則對(duì)應(yīng)地設(shè)置一接觸晶元焊盤(pán)。所述 空間轉(zhuǎn)換器4底面的接觸焊盤(pán)41與其底面設(shè)有的一條連接線43連接，該連接 線43可以連接到與空間轉(zhuǎn)換器4的頂面相通的孔42,而該孔42則連接到空間轉(zhuǎn)換器4頂面對(duì)應(yīng)設(shè)有的焊盤(pán)44。所述連接線43可以設(shè)置在空間轉(zhuǎn)換器4底 面，也可以設(shè)置在空間轉(zhuǎn)換器4的頂面或者內(nèi)部，如圖3所示，本實(shí)施例采用 將連接線43設(shè)置在空間轉(zhuǎn)換器4的底面上為一例子結(jié)構(gòu)。按此設(shè)計(jì)要求，一 個(gè)空間轉(zhuǎn)換器4底面的接觸焊盤(pán)41至少有一個(gè)通孔直接連接至其頂面的焊盤(pán) 44，不一定要通過(guò)連接線43進(jìn)行連接。其如圖1 B-B局部所示，也就是說(shuō)， 空間轉(zhuǎn)換器4底面的接觸焊盤(pán)41與其頂面的焊盤(pán)44可以通過(guò)孔42進(jìn)行連接 一起。如圖l所示，本實(shí)用新型的探針卡的頂測(cè)試盤(pán)1與底測(cè)試盤(pán)2、空間轉(zhuǎn)換 器4與線路板5可以由一個(gè)或多個(gè)固定器6固定一起，所述固定器6可以是螺 絲釘、夾具等。而已組合好的頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2、空間轉(zhuǎn)換器4和線路 板5之間則可以用一個(gè)或多個(gè)固定器6固定一起組成探針卡。而且，已固定頂 測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2、空間轉(zhuǎn)換器4和線路板5可以進(jìn)行分離，以使探針卡 需要更換時(shí)(如探針損壞或磨損等)，能方便更換。如圖4所示，本實(shí)用新型的探針3按不同方案就可以有不同形狀。 如圖4中的a方案，該探針3包括上部的上彈簧31、下部的下彈簧32和 上、下彈簧之間的水平支架33,上彈簧31、下彈簧32的形狀可以巻狀、蛇形 狀或類(lèi)似的能達(dá)到垂直擠壓作用的結(jié)構(gòu)。以達(dá)到探針3的上彈簧31在連接空 間轉(zhuǎn)換器4時(shí)被擠壓，其底部與集成電路(IC)接觸時(shí)被擠壓，水平支架33 支承在頂測(cè)試盤(pán)1的錐孔孔口 ，使探針3不會(huì)掉下。如圖4中的b方案，該揮:針3也可以由垂直的上部31、垂直的下部32 和設(shè)置于其之間的水平支架33構(gòu)成。其中，水平支架33的作用與a方案相 同。當(dāng)探針3的上部和上部受到垂直擠壓時(shí)，可以向水平方向彎曲，產(chǎn)生彈性， 起到彈簧的作用。例如，當(dāng)空間轉(zhuǎn)換器4連接頂測(cè)試盤(pán)1與底測(cè)試盤(pán)2時(shí)，其接觸焊盤(pán)41壓在探針3的上部31,該上部31在壓力作用下向水平方向彎曲， 而探針3的下部32被擠壓在集成電路(IC)的晶元焊盤(pán)時(shí)向水平方向彎曲。 按此設(shè)計(jì)，空間轉(zhuǎn)換器4的接觸焊盤(pán)41壓著探針3的上接觸端頭而產(chǎn)生接觸 壓力，而不會(huì)損壞空間轉(zhuǎn)換器4的接觸焊盤(pán)41。這表示探針的接觸端頭與接觸 焊盤(pán)41的接觸面大約相當(dāng)于探針的接觸端頭的大小，使探針的接觸端頭在接 觸點(diǎn)上不會(huì)大量移動(dòng)，因此接觸焊盤(pán)41不會(huì)受損壞。例如，當(dāng)探針3推向晶 元焊盤(pán)時(shí)，空間轉(zhuǎn)換器4的接觸焊盤(pán)41的探針端不會(huì)對(duì)接觸焊盤(pán)41有太大的 損傷，在空間轉(zhuǎn)換器4與探針3的水平支架33間所受擠壓力(該擠壓力由空 間轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生)比探針3與晶元焊盤(pán)接觸時(shí)的沖齊壓力(該沖齊壓力由纟笨針推向晶 元焊盤(pán)產(chǎn)生)大。如圖4中的c方案，該探針3還可以是包含一個(gè)曲形水平支架33的上部 31與下部32垂直的探針結(jié)構(gòu)。當(dāng)空間轉(zhuǎn)換器4連接探針卡的頂測(cè)試盤(pán)1與底 測(cè)試盤(pán)2時(shí)，能受到^^壓，所起到作用與a、 b方案相同。如圖4中的d方案，該探針3也還可以是包含有二個(gè)曲形的水平支架33 的上部31與下部32垂直的探針結(jié)構(gòu)。當(dāng)空間轉(zhuǎn)換器4連接探針卡的頂測(cè)試盤(pán) l與底測(cè)試盤(pán)2時(shí)，能受到擠壓，所起到作用與a、 b方案相同。如圖4中的e方案，該探針3或者也可以是包含一個(gè)彎折狀的階梯形式水 平支架33的上部31與下部32垂直的探針結(jié)構(gòu)。圖4中的a h方案為舉例， 任何借此類(lèi)似方式所設(shè)計(jì)得到的探針3，都包含于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。 例如，可以將b、 c、 d、 e方案中的上部31和下部做成類(lèi)似a方案中的巻狀、 蛇形或類(lèi)似形狀的結(jié)構(gòu)?；蛘?，如圖4中的f、 g、 h方案所示，該採(cǎi):針3可以 包含巻狀、蛇形或類(lèi)似形狀的上部31與下部32,同時(shí)也包含一水平支架33。 所述水平支架33可以^t成為直形、彎形、方形或彈簧狀。如圖5所示，本實(shí)用新型的探針3包括具有多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)的上部31 與下部32,以及設(shè)置于上部31與下部32之間的與探針卡的頂測(cè)試盤(pán)1接觸的 水平支架33，探針3上位于水平支架33上方的方形彎結(jié)構(gòu)的深度和寬度與位 于其下方的方形彎結(jié)構(gòu)不相同。該方案的探針的上接觸端頭與下接觸端頭之間 的長(zhǎng)度為2mm 3mm。并且可以根據(jù)接觸壓力、探針3滑行長(zhǎng)度、探針卡的盤(pán)體 的高度而更改。其上的方形彎折結(jié)構(gòu)的深度'd，和寬度V可以約為45um 55um 或更大。該深度'd，與寬度V可以根據(jù)所需的特定接觸壓力和滑行長(zhǎng)度進(jìn) 行更改。如圖7所示，在本實(shí)施例中，該方形彎折結(jié)構(gòu)的深度'd，約為45um， 寬度'w，約為55um或更大，其深度'd，與寬度'w，可以根據(jù)實(shí)施需要進(jìn)行 大幅度更改。而所述揮:針的寬度'wl，和'w2，可以為5um 25um。例如，可 以將探針的寬度wl，和'w2，做成約為IO咖，其厚度則可以做成為5um或更 大。所述探針的深度可以做成約為IO咖，此時(shí)，由于探針很小，安裝在探針卡 上的相鄰二支探針距離可以做得很小。例如，相鄰二支探針距離可以做成為 20咖或更大。所述探針的方形彎折結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以令探針在壓著晶元焊盤(pán)、接觸 焊盤(pán)或鉛錫凸起時(shí)不會(huì)發(fā)生彎曲。由于探針不會(huì)發(fā)生彎曲，使纟笨針壓著晶元焊 盤(pán)、接觸焊盤(pán)或鉛錫凸起所產(chǎn)生的接觸壓力可以得到精確控制。例如，接觸壓 力可以相對(duì)地減小，從而防止探針穿破焊盤(pán)或其它金屬，造成焊盤(pán)損壞，同時(shí) 能達(dá)到良好地接觸。為了防止信號(hào)在彎折角位的反射，如圖7所示，探針3的 方形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角位做成為圓弧角。圖6所示的探針為圖5所示方案的其中一簡(jiǎn)化方案，該探針與圖5所示方 案相比減少了上部31。其它結(jié)構(gòu)與圖5所示方案相同。圖8為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方案的切面簡(jiǎn)圖，其與前面所述揮3十卡不同 的地方在于此探針卡在頂測(cè)試盤(pán)1、底測(cè)試盤(pán)2之間形成有一間距，該間距中設(shè)置有一塊或多塊間隔塊7。該間距使頂測(cè)試盤(pán)l、底測(cè)試盤(pán)2之間有一空間，以容許不同長(zhǎng)度的探針3安裝于探針卡中。同時(shí)，該間距亦容許探針有相對(duì)更大的水平方向彎曲空間。圖9為本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施方案的切面簡(jiǎn)圖，此〗笨針卡與前面的採(cǎi):針 卡不同之處在于，此探針卡包含在頂測(cè)試盤(pán)1與底測(cè)試盤(pán)2之間形成有一間隔 板8,該間隔板8對(duì)應(yīng)于每一〗采針3、錐孔的位置開(kāi)有穿孔81,該該間隔板8 的穿孔81起到的作用與間隔塊7相同，能容許不同長(zhǎng)度的探針3使用以及增 加探針3水平方向彎曲空間。圖10為本實(shí)用新型的探針卡的其中一具體實(shí)施方案的切面簡(jiǎn)圖，該探針 卡與圖l所示方案不同之處在于頂測(cè)試盤(pán)1與空間轉(zhuǎn)換器4之間設(shè)有一隔板 9,該隔板9上對(duì)應(yīng)于每一探針3的位置開(kāi)有容許〗笨針3的頂部穿過(guò)的通孔91, 該通孔91可以用激光或其它方法形成。此方案的探針卡同樣也可以包含圖5 與圖6方案中的間隔塊7、間隔板8結(jié)構(gòu)。按上述任何探針卡的一個(gè)方案，首先把頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2偶合。頂 測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2偶合后可以相對(duì)地水平移動(dòng)，頂測(cè)試盤(pán)1或底測(cè)試盤(pán)2 可以偶合到一個(gè)或多個(gè)移動(dòng)平臺(tái)上，使能向一個(gè)或多個(gè)水平方向移動(dòng)。頂測(cè)試 盤(pán)1或底測(cè)試盤(pán)2水平方向移動(dòng)調(diào)整孔的位置。通過(guò)對(duì)孔的位置的移動(dòng)，探針 3的垂直角度得到調(diào)整，使探針3與晶元焊盤(pán)對(duì)應(yīng)。上述頂測(cè)試盤(pán)l和底測(cè)試 盤(pán)2的移動(dòng)，亦可用已知的其它方法和工藝去移動(dòng)。頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2 偶合后，該探針3在頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2的孑L內(nèi)?？臻g轉(zhuǎn)換器4可以裝在 已裝好的頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2，線路板5偶合到空間轉(zhuǎn)換器4上?；蛘呔€ 路板5與空間轉(zhuǎn)換器4偶合后，再接到頂測(cè)試盤(pán)1和底測(cè)試盤(pán)2上。間距板9 可以在組合過(guò)程中用已知的工藝偶合到各個(gè)部件上。按設(shè)計(jì)要求，空間轉(zhuǎn)換器4可以是陶資片或柔性基板或低溫共燒陶瓷(LTCC)。線路板5可以用多種材料制造，例如FR4、聚酰亞胺、聚酯等，探針 3可以用鴒、鎳、鈹銅合金或多種合金或其它已知材料制造。上述舉例的方案只是為顯示目的，不同的改變或更改可以按以下的權(quán)利要 求和應(yīng)用了解該技術(shù)的人進(jìn)行。因此上述描述不能對(duì)該發(fā)明的權(quán)利要求有所限制。
權(quán)利要求1. 一種探針卡的探針，其特征在于所述探針(3)包括上接觸端頭、下接觸端頭及上、下接觸端頭之間設(shè)置有的多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的撰:針，其特征在于上述纟采針(3)的方形 彎折結(jié)構(gòu)的彎折角為圓弧角。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述4笨針(3 )的上接 觸端頭和下接觸端頭可以是直形、巻狀、蛇形或微型彈簧狀結(jié)構(gòu)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3 )的每一 方形彎結(jié)構(gòu)的深度為45um 55um。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3 )的每一 方形彎結(jié)構(gòu)的深度為才艮據(jù)所需壓力、滑行長(zhǎng)度和與晶元的距離而定。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3 )的每一 方形彎結(jié)構(gòu)的寬度為45um 55um。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3 )的每一 方形彎結(jié)構(gòu)的寬度為才艮據(jù)所需壓力、滑行長(zhǎng)度和與晶元的距離而定。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述〗笨針(3)上位于 多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)之中設(shè)置有一水平支架(33),且該水平支架(33)為直形、 彎形、方形或彈簧狀。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3 )上位于 水平支架(33)上方的方形彎結(jié)構(gòu)的深度和寬度與位于其下方的方形彎結(jié)構(gòu)不 相同。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征于上述探針(3)的上接 觸端頭與下4妻觸端頭之間的長(zhǎng)度為2mm 3mm。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述探針(3)為沿 長(zhǎng)度方向具有受壓縮彈性的探針結(jié)構(gòu)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述探針卡的探針，其特征在于上述相鄰二個(gè)探針的 3巨離為5um~25um。
13、 一種利用權(quán)利要求1所述探針組裝成的垂直探針晶元探針卡，其特征 在于包括頂測(cè)試盤(pán)(1)、底測(cè)試盤(pán)(2)及設(shè)置于其中的若干探針(3)，其中 所述探針(3)包括上接觸端頭、下接觸端頭及上、下接觸端頭之間設(shè)置有的 多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)，所述頂測(cè)試盤(pán)(1)、底測(cè)試盤(pán)(2)分別相對(duì)地開(kāi)有貫通 的上、下錐孔(11、 21)，且該上錐孔(11)與下錐孔(21)的錐底口呈相對(duì) 準(zhǔn)設(shè)置，該探針(3)穿置于上、下錐孔(11、 21)之間，且其上、下接觸端 分別伸出于頂、底測(cè)試盤(pán)(1、 2)夕卜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述揮:針(3 ) 的方形彎折結(jié)構(gòu)的彎折角為圓弧角。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 的每一方形彎結(jié)構(gòu)的深度為45um 55um。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 的每一方形彎結(jié)構(gòu)的深度為根據(jù)所需壓力、滑行長(zhǎng)度和與晶元的距離而定。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 的每一方形彎結(jié)構(gòu)的寬度為45um 55um。
18、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 的每一方形彎結(jié)構(gòu)的寬度為根據(jù)所需壓力、滑行長(zhǎng)度和與晶元的距離而定。
19、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 上位于多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)之中設(shè)置有一水平支架(33)，且該水平支架(33)為直形、彎形、方形或彈簧狀。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 上位于水平支架(33)上方的方形彎結(jié)構(gòu)的深度和寬度與位于其下方的方形彎結(jié)構(gòu)不相同。
21、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征于上述探針(3 ) 的上接觸端頭與下接觸端頭之間的長(zhǎng)度為2mm 3隱。
22、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 為沿長(zhǎng)度方向具有受壓縮彈性的纟笨針結(jié)構(gòu)。
23、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述安裝于 頂測(cè)試盤(pán)(1)與底測(cè)試盤(pán)(2 )上的相鄰二個(gè)探針(3 )之間距離為20um或大 于20um。
24、 根據(jù)權(quán)利要求13所述垂直探針晶元探針卡，其特征在于上述探針(3 ) 是可拆去或可替換的。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種探針及安裝有該探針的垂直探針晶元探針卡，其特點(diǎn)在于包括頂測(cè)試盤(pán)、底測(cè)試盤(pán)及設(shè)置于其中的若干探針，其中所述探針包括上接觸端頭、下接觸端頭及上、下接觸端頭之間設(shè)置有的多個(gè)方形彎折結(jié)構(gòu)，所述頂測(cè)試盤(pán)、底測(cè)試盤(pán)分別相對(duì)地開(kāi)有貫通的上、下錐孔，且該上錐孔與下錐孔的錐底口呈相對(duì)準(zhǔn)設(shè)置，該探針穿置于上、下錐孔之間，且其上、下接觸端分別伸出于頂、底測(cè)試盤(pán)外。本實(shí)用新型的探針具有受壓縮彈性好、檢測(cè)可靠、且可垂直安裝等特點(diǎn)，使得可以根據(jù)具有這些特點(diǎn)探針組裝出在一次接觸測(cè)試中便能完成測(cè)試更多數(shù)量的集成電路(IC)的探針卡，而且該探針卡還具有檢測(cè)結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確、測(cè)試效率高的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01R1/067GK201090983SQ20072013895
公開(kāi)日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2007年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月28日
發(fā)明者徐家梧, 丹尼爾 楊 申請(qǐng)人:嘉兆科技有限公司