專利名稱：基板檢查裝置和基板檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查形成在基板上的圖案的基板檢査方法和實(shí)施該基 板檢查方法的基板檢查裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，關(guān)于檢査形成在基板上的圖案的基 板檢査方法，提案有很多種方法。
例如，提案有將電子射線照射在形成在基板上的圖案，通過檢查2 次iU子來檢測該圖案的缺陷即所謂ili子射線檢査。與光學(xué)檢查相比， Hi子射線檢查能夠檢測更細(xì)微的缺陷，因此近年來，作為細(xì)微化的半 導(dǎo)體裝置的圖案的缺陷的檢測方法被利用。
但是，就電子射線檢査而言，將實(shí)際上并非缺陷的部分當(dāng)作缺陷 檢測的所謂疑似缺陷檢測的現(xiàn)象可能會(huì)發(fā)生。尤其是，檢查疊層有組 成不同的層的疊層結(jié)構(gòu)上形成的圖案缺陷時(shí)，發(fā)生疑似缺陷檢測，導(dǎo) 致缺陷檢測的精度低下。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-216698號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是為了解決以上的問題提供一種實(shí)用的新型基板檢 査裝置和基板檢查方法。
本發(fā)明的具體課題在于，提供能以良好的精度檢測基板上的疊層 結(jié)構(gòu)上的圖案缺陷的基板檢查裝置和基板檢査方法。
在本發(fā)明的第一觀點(diǎn)中，通過具有以下特征的基板檢査裝置來解 決以上課題，該基板檢査裝置檢查在基板上的由在第一層上疊層與該 第一層的組成不同的第二層而形成的疊層結(jié)構(gòu)上，以該第二層的一部
分露出的方式而形成的圖案的缺陷，其具有
向上述基板上照射1次電子的電子發(fā)射單元；檢測由上述1次電子的照射而生成的2次電子的電子檢測單元； 對由上述電子檢測單元檢測出的2次電子的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的
數(shù)據(jù)處理單元；和
控制上述1次電子的加速電壓的電壓控制單元，其中， 上述電壓控制單元控制加速電壓，使照射在露出的上述第二層的
上述1次電子到達(dá)上述第一層與上述第二層的界面附近以外的上述第
一層或上述第二層中。
在本發(fā)明的第二觀點(diǎn)中，通過具有以下特征的基板檢査方法來解
決以上課題，該基板檢査方法檢査在基板上的由在第一層上疊層與該
第一層的組成不同的第二層而形成的疊層結(jié)構(gòu)上，以該第二層的一部
分露出的方式而形成的圖案的缺陷，其包括
向上述基板上照射1次電子的電子發(fā)射工序；
檢測由上述1次屯子的照射而生成的2次電子的電子檢測工序；
和
對由上述ili子檢測:i:序檢測出的2次電子的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的 數(shù)據(jù)處理工序，其中，
在上述電子發(fā)射工序中，控制加速電壓，使照射在露出的上述第 二層的上述i次電子到達(dá)上述第一層與上述第二層的界面附近以外的 上述第一層或上述第二層中。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，提供能以良好的精度檢測基板上的疊層結(jié)構(gòu)上的圖 案缺陷的基板檢査裝置和基板檢查方法成為可能。


圖1A是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(之i)。 圖1B是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(之2)。 圖1C是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(之3)。 圖1D是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖(之4)。 圖2A是使圖案的缺陷可視化的圖(之l)。 圖2B是使圖案的缺陷可視化的圖(之2)。圖2C是使圖案的缺陷可視化的圖(之3)。
圖3是表示加速電壓與疑似缺陷檢測數(shù)的關(guān)系的圖。
圖4A是表示多晶硅的表面形態(tài)(surface morphology)的圖(之1 )。
圖4B是表示圖4A的多晶硅上發(fā)生的缺陷的圖。
圖5A是表示多晶硅的表面形態(tài)(surface morphology)的圖(之2)。
圖5B是表示圖5A的多晶硅上發(fā)生的缺陷的圖。
圖6A是表示缺陷檢測原理的模式圖(之l)。
圖6B是表示缺陷檢測原理的模式圖(之2)。
圖7是表示利用模擬求得的1次電子的到達(dá)深度的圖。
圖8是表示基于實(shí)施例1的基板檢査裝置的模式圖。
圖9是表示輸入?yún)?shù)的圖。
圖10是表示基于實(shí)施例1的基板檢査方法的圖。
符號(hào)說明
1基板
2柵極絕緣膜 3柵極電極層 3A柵極電極 4防反射膜 5光致抗蝕劑層 5A抗蝕劑圖案 100基板檢查裝置 101真空容器 102電子發(fā)射部 103聚焦透鏡 104掃描線圈 105基板保持臺(tái) 105A基板 106電子檢測部 107電源 108計(jì)算機(jī)109輸入單元 110顯示單元 111電壓算出單元 112電壓控制單元 113數(shù)據(jù)處理單元
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的基板檢查裝置(基板檢査方法)，利用電子射線檢査， 以良好的精度檢測基板上的疊層結(jié)構(gòu)上所形成的圖案的缺陷成為可 能。例如，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，有時(shí)難以實(shí)施組成不同的多層結(jié)構(gòu) 上形成的圖案的電子射線檢查。下面，本發(fā)明的發(fā)明人就所發(fā)現(xiàn)的電 子射線檢查所產(chǎn)生的問題及其解決方法加以說明。
這樣，作為電子射線檢査難以實(shí)施的一個(gè)例子，例如，有檢查在 蝕刻對象膜上形成的抗蝕劑圖案的情況。大多數(shù)情況下，抗蝕劑圖案 的曝光*顯像之后，在該抗蝕劑圖案的下層都會(huì)殘留防反射膜(BARC)。 即，抗蝕劑圖案形成在蝕刻對象膜和防反射膜的疊層結(jié)構(gòu)上。下面， 就包括上述抗蝕劑圖案的形成工序的半導(dǎo)體裝置的制造例子加以說 明。但是在圖中，對先前說明過的部分付與同樣的參照符號(hào)，省略說 明。
首先，在圖1A所示工序中，在由硅構(gòu)成的基板1上形成柵極絕緣 膜2，接著在該柵極絕緣膜2上形成由多晶硅(polysilicon)構(gòu)成的柵 極電極層3 (第一層)。
其次，在圖1B所示工序中，在上述柵極電極層3上形成防反射膜 (第二層)4，在該防反射膜4上形成光致抗蝕劑層5。
其次，在圖1C所示工序中，根據(jù)所謂光刻法將上述光致抗蝕劑層 5曝光，顯像后形成圖案，由此形成抗蝕劑圖案5A。這里，在除去了 上述抗蝕劑層5的區(qū)域A上，所述防反射膜4露出。
其次，在圖1D所示工序中，將在圖1C形成的上述抗蝕劑圖案5A 作為掩膜，進(jìn)行上述防反射膜4的蝕刻，和上述柵極電極層3的蝕刻。 其結(jié)果，形成上述柵極電極層3的圖案，從而形成柵極電極3A。在之后的工序中，經(jīng)過利用上述柵極絕緣膜2的蝕刻、不純物的 注入、擴(kuò)散等公知的方法的工序，能夠形成MOS晶體管。
在形成上述晶體管時(shí)，例如，優(yōu)選能夠在上述圖1C的工序后，檢 測上述抗蝕劑圖案5A的圖案缺陷。但是在以前，例如，大部分檢查是 在將抗蝕劑圖案5A作為掩膜進(jìn)行蝕刻之后(圖1D以后的工序)進(jìn)行。
另一方面，有因不良的蝕刻導(dǎo)致形成不良的抗蝕劑的圖案的情況。 如果能夠在形成抗蝕劑圖案之后立刻檢測圖案形成的不良的話，就能 夠更有效地發(fā)現(xiàn)圖案的不良。
但是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如圖1C所示，因?yàn)橛幸伤迫毕輽z測的問題，組 成不同的上述柵極電極層3和上述防反射膜4的疊層結(jié)構(gòu)上形成的上 述抗蝕劑圖案5A的電子射線檢査變得很難進(jìn)行。并且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn) 這樣的疑似缺陷檢測的問題依賴于電子射線檢査中的1次電子的加速 電壓。下面，就這些加以說明。
圖2A 圖2C表示根據(jù)圖1C所示結(jié)構(gòu)的抗蝕劑圖案的電子射線檢 査所得到的圖像(SEM圖像)。并且，在圖2A 圖2C中，l次電子的 加速電壓不同，加速電壓分別為300 eV、 1000 eV、 1500 eV。
參照圖2A 圖2C，在各自的情況下，被認(rèn)定存在有抗蝕劑圖案 的缺陷D (抗蝕劑圖案脫落的部分)。但是，在另一方而，如圖2B所 示，僅在加速電壓為1000 eV時(shí)，在抗蝕劑圖案之間(防反射膜露出 的部分)，發(fā)現(xiàn)有許多黑色疑似缺陷de。通過其他途徑所進(jìn)行的電特性 的檢查，確認(rèn)這些疑似缺陷de是因?yàn)殡娮由渚€檢査的檢查方法(檢査 裝置)上的問題而發(fā)生的。
圖3是表示上述疑似缺陷的檢測數(shù)與加速電壓的關(guān)系的圖。參照 圖3，可以明白，加速電壓和疑似缺陷檢測數(shù)之間存在相關(guān)關(guān)系，尤其 是在規(guī)定的加速電壓的范圍(例如800 1000eV左右)疑似缺陷數(shù)明 顯增大。目卩，與上述規(guī)定的加速電壓的范圍相比，加速電壓低或加速 電壓高時(shí)，疑似缺陷的檢測數(shù)變少。
這樣，通過以下的驗(yàn)證，很明顯可知，在規(guī)定的加速電壓下、疑 似缺陷的檢測數(shù)增大是因作為檢查對象的圖案的襯底層的影響。
圖4A是表示多晶硅的表面形態(tài)的SEM圖像。圖4B是在圖4A的多晶硅上形成防反射膜和抗蝕劑圖案后的狀態(tài)(圖1C所示的狀態(tài))的SEM圖像。參照圖4A，可以發(fā)現(xiàn)多晶硅的表面形態(tài)變成顆粒(grain)狀的凹 凸形狀。此時(shí)，多晶硅的Ra表面粗糙度為5.7nm。并且，參照圖4B，就像剛才說明那樣，在抗蝕劑圖案間的防反射 膜中，被認(rèn)為存在有很多疑似缺陷de。所以，這種疑似缺陷被認(rèn)為與 襯底的多晶硅的表面形態(tài)有關(guān)聯(lián)。多晶硅的表面形態(tài)不同吋，形成同樣的圖案并進(jìn)行電子射線檢查。 圖5A是表示與圖4A相比具有不同表面粗糙度的多晶硅的表面形態(tài)的 SEM圖像。圖5B是在圖5A的多晶硅上形成防反射膜和抗蝕劑圖案后 的狀態(tài)(圖1C所示狀態(tài))的SEM圖像。參照圖5A，與圖4A的情況相比，多晶硅的表面形態(tài)的顆粒狀凹 凸形狀變小。此吋，多晶硅的Ra表面粗糙度為0.9nm。另外，參照圖5B，在本圖所示現(xiàn)象中，圖4A所看見的疑似缺陷 de基木上被認(rèn)為不存在。所以，很明顯，在圖4B所看見的疑似缺陷是 因襯底的多晶硅的表面形態(tài)而引起的。借鑒以上的結(jié)果，由電子射線檢查導(dǎo)致在規(guī)定的加速電壓下疑似 缺陷的檢測數(shù)明顯增大的原因，通過以下模型進(jìn)行說明。圖6A、圖6B是模示地表示圖1C所示結(jié)構(gòu)的電子射線檢査中，照 射到露出的上述防反射膜4 (圖1C的區(qū)域A)中的1次電子的狀態(tài)的 圖。在圖中，對先前說明過的部分付與同樣的參照符號(hào)，并省略說明。 另外，圖6A表示疑似缺陷的檢測數(shù)多的情況(例如在上述的例子中， 加速電壓為800eV 1000eV左右)，圖6B表示疑似缺陷的檢測數(shù)少的 情況(加速電壓比規(guī)定值小的情況或比規(guī)定值大的情況)。參照圖6A，本圖所示情況下，比較多的l次電子到達(dá)上述柵極電 極層(第一層)3與上述防反射膜(第二層)4的界面附近?？梢哉J(rèn)為 比較多的1次電子在該第一層上被反射。艮P，通過檢測2次電子來檢測圖案的缺陷時(shí)，可以認(rèn)為像上述那 樣，受到在界面被反射的1次電子的影響，作為疑似缺陷而被檢測。 這樣的現(xiàn)象，可以認(rèn)為尤其是在第一層和第二層的組成不同的情況下發(fā)生?？梢哉J(rèn)為因第一層和第二層的密度差大的原因更容易發(fā)生。例如，在圖1C所示結(jié)構(gòu)中，第一層是由多晶硅構(gòu)成的無機(jī)物的層(無機(jī)層)，第二層是由防反射膜構(gòu)成的有機(jī)物的層(有機(jī)層)。由此， 可以認(rèn)為因?yàn)樵摰诙拥拿芏缺鹊谝粚用黠@小而使電子容易透過，導(dǎo) 致上述的現(xiàn)象容易發(fā)生。另外，如圖6B所示，使1次電子的加速電壓小到規(guī)定值以下或大 于規(guī)定值以上時(shí)，在2次電子的檢測中，受到1次電子在第一層與第 二層的界面附近反射的影響就變小。艮P，由于1次電子的到達(dá)深度依賴于加速電壓，優(yōu)選控制該加速 電壓而使疑似缺陷檢測變少。此吋，優(yōu)選控制加速電壓，使照射到露 出的第二層(區(qū)域A)的1次電子到達(dá)第一層與第二層的界而附近以 外的上述第一層或上述第二層中。此吋，疑似缺陷檢測數(shù)變少，以良 好的精度檢測圖案的缺陷成為可能。在該情況下，所說的"界面附近"是1次電子受到第一層的表面 形態(tài)的影響的區(qū)域?？梢哉J(rèn)為它是以第 一 層的形態(tài)的中'1>線為中'1> ， 至少具有表而粗糙度Ra左右的厚度的部分。并且，優(yōu)選該情況下的加速電壓的下限是能夠至少使1次電子浸 透到第一層的程度的電壓，上限是使1次電子不透過第二層的程度。 利用蒙特卡羅模擬(monte carlo simulation),可以很容易算出。圖7是表示在圖1C的區(qū)域A，利用模擬求出1次電子到達(dá)的深度 和在該深度存在的電子比例的結(jié)果圖。參照圖7，例如在加速電壓為800eV時(shí)，可知比較多的1次電子 存在于第一層與第二層的界面附近。另一方面，加速電壓為300eV時(shí)， 可知1次電子其大部分只到達(dá)第二層(防反射膜，圖中以BARC標(biāo)記) 的界面附近以外淺的部分。另外，加速電壓為1500eV時(shí)，可知大多數(shù) 的1次電子到達(dá)第一層(多晶硅)。圖7的模擬的結(jié)果與圖2A 圖2C、圖3所示的結(jié)果，以及圖6A、 圖6B的疑似缺陷檢測的模型很一致。這樣，根據(jù)模擬算出1次電子的到達(dá)深度時(shí)，就可以容易地求出 使1次電子到達(dá)第一層與第二層的界面附近以外的上述第一層或上述10第二層中的加速電壓。
下面，對運(yùn)用以上原理的基板檢査裝置、使用該基板檢查裝置的 基板檢査方法進(jìn)行說明。
實(shí)施例1
圖8是作為運(yùn)用上述原理的基板檢査裝置的一個(gè)例子的基板檢査 裝置IOO的模式圖。
參照圖8，本實(shí)施例的基板檢查裝置100具有利用排氣單元120 使內(nèi)部經(jīng)過真空排氣變成減壓空間的真空容器101。在上述真空容器 101的內(nèi)部設(shè)置有保持作為檢查對象的基板105A (相當(dāng)于圖1C的基 板l)的基板保持臺(tái)105。與該基板保持臺(tái)105相對，設(shè)置向該基板105 照射1次電子的電子發(fā)射部102。
另外，在上述電子發(fā)射部102和上述基板保持臺(tái)105之間，設(shè)置 有川于聚焦被發(fā)射的1次電子(電子射線)的聚焦透鏡103、用于掃描 1次屯子的掃描線圈104和孔121。并且，在上述基板保持臺(tái)105和上 述掃描線圈104之間設(shè)賈冇檢測閑1次電子的照射而生成的2次電子 的i乜子檢測單元106。
另外，在上述電子發(fā)射部102上連接有向該電子發(fā)射部102施加 屯壓的電源107。上述電源107連接在控制基板檢查裝置的動(dòng)作的控制 裝置(計(jì)算機(jī))108的總線114上。并且，上述電子檢測單元106也連 接在該控制裝置108 (總線114)上。
上述控制裝置108具有如下結(jié)構(gòu)例如鍵盤或者通信單元等的輸 入單元109、控制器屏幕等顯示單元110、算出由上述電源107施加的 加速電壓的電壓算出單元111、控制上述電源107的電壓控制單元112、 和處理由上述電子檢測單元106所檢測的2次電子的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理 單元113都連接在總線114上。
在上述電子發(fā)射單元102上，由上述電源107施加了電壓，該電 壓根據(jù)上述電壓算出單元lll，利用蒙特卡羅模擬算出。對應(yīng)于該電壓 算出單元所算出的電壓，上述電壓控制單元112控制上述電源107，控 制1次電子的加速電壓。
從上述電子發(fā)射單元102放射的電子被照射在作為檢查對象的基
ii板105上。例如，上述基板105具有圖1C所示的結(jié)構(gòu)。即，基板105 (基板1)上形成有疊層結(jié)構(gòu)。該疊層結(jié)構(gòu)是由在第一層(上述柵極電 極層3)上疊層與第一層的組成不同的第二層(上述防反射膜4)而形 成。并且，在該疊層結(jié)構(gòu)上以該第二層的一部分露出(區(qū)域A)的方 式形成圖案(抗蝕劑圖案5A)。由照射的1次電子所生成的2次電子 被上述電子檢測單元106檢測出，利用數(shù)據(jù)處理單元113，檢測(認(rèn)知) 圖案的缺陷。在這里，被照射的1次電子的加速電壓由上述電壓控制單元112 控制。該情況下，控制該加速電壓，使照射到露出的上述第二層(圖 1C的區(qū)域A)的1次電子到達(dá)上述第一層與上述第二層的界面附近以 外的上述第一層或上述第二層中(如圖6B所示)。其結(jié)果是，就像先前說明的那樣，1次電子在該界面附近的反射所 產(chǎn)生的疑似缺陷的影響(如圖6A所示)被抑制，以良好的精度檢測圖 案(圖1C的抗蝕劑圖案5A)的缺陷成為可能。并且，在該情況下，禾擁卜.述電壓算出單元111，根據(jù)蒙特卡羅模 擬黨出上述加速電壓時(shí)更優(yōu)選。圖9是表示上述蒙特卡羅模擬所用的參數(shù)的圖。在該蒙特卡羅模 擬中，由上述第一層(例如多晶硅)的密度M1、質(zhì)量S1、膜厚T1、 以及第二層(例如防反射膜、BARC)的密度M2、質(zhì)量S2、膜厚T2， 算出使1次電子到達(dá)上述界面附近以外的第一層或第二層中的加速電 壓。在上述蒙特卡羅模擬中， 一邊重復(fù)彈性散亂和非彈性散亂， 一邊 考慮前進(jìn)中的1次電子的狀態(tài)，能夠求出到達(dá)規(guī)定深度所需的加速電 壓。接著，以檢查圖1C所示結(jié)構(gòu)的情況為例，按照圖10的流程，對 利用上述圖8的基板檢查裝置100的基板檢查方法的一個(gè)例子進(jìn)行說 明。另外，在下文中對先前說明過的部分使用同樣的參照符號(hào)，有時(shí) 會(huì)省略其說明。首先，在步驟1 (圖中以Sl標(biāo)記，以下同樣)，從上述輸入單元 109，輸入M1、 M2、 Sl、 S2、 Tl、 T2。其次，在步驟2中，由上述電壓算出單元lll，算出l次電子的加 速電壓VI (eV)。該情況下，按照使1次電子到達(dá)第一層(上述柵極 電極層3)與第二層(上述防反射膜4)的界面附近以外的上述第一層 或上述第二層中的值，通過模擬算出上述加速電壓VI。其次，在步驟3中，使從上述電子發(fā)射單元102發(fā)射的1次電子 的加速電壓為V1，由上述電壓控制單元112，控制上述電源107， l次 電子被發(fā)射，照射在基板上。該情況下，1次電子到達(dá)第一層與第二層 的界面附近以外的上述第一層或上述第二層中，生成2次電子。其次，在步驟4中，起因于上述1次電子而生成的2次電子，由 上述電子檢測單元106檢測出。由上述電子檢測單元106檢測出的2 次電子的檢測數(shù)據(jù)，由上述數(shù)據(jù)處理單元113處理后，以良好的精度 檢測上述抗蝕劑圖案5A的缺陷。另外，在上述的實(shí)施例中，以柵極電極的圖案的情況為例進(jìn)行說 明，本發(fā)明的基板檢查裝置和基板檢查方法并不僅限如此。例如，即 使在上述結(jié)構(gòu)以外，對于組成或密度不同的疊層結(jié)構(gòu)上的細(xì)微圖案的 缺陷，也可以高效地檢測。并且，與以前的光學(xué)檢査方法相比，本實(shí) 施例的基板檢杳裝置或基板檢査方法能夠檢測細(xì)微圖案的缺陷。例如， 利用本實(shí)施例的基板檢查裝置，hp (半節(jié)距half pitch) 65nm世代的 抗蝕劑圖案的40nm的細(xì)微缺陷也能夠檢測出。如上所述，以優(yōu)選的例子對本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定 于上述特定的實(shí)施例，在本申請請求保護(hù)的范圍中記載的要點(diǎn)內(nèi)，可 以進(jìn)行各種各樣的變形、變更。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供能以良好的精度來檢測基板上的疊層結(jié)構(gòu) 上的圖案缺陷的基板檢查裝置和基板檢査方法。本國際申請基于2006年2月15日提出的日本專利申請2006-38521 號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，將2006-38521中的所有內(nèi)容引用到本國際申請中。
權(quán)利要求
1. 一種基板檢查裝置，其特征在于，該基板檢查裝置檢査在基板上的由在第一層上疊層與該第一層的 組成不同的第二層而形成的疊層結(jié)構(gòu)上，以該第二層的一部分露出的 方式而形成的圖案的缺陷，其具有向所述基板上照射1次電子的電子發(fā)射單元；檢測由所述1次電子的照射而生成的2次電子的電子檢測單元； 對由所述電子檢測單元檢測出的2次電子的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的數(shù)據(jù)處理單元；和控制所述1次電子的加速電壓的電壓控制單元，其中， 所述電壓控制單元控制加速電壓，使照射在露出的所述第二層的所述1次電子到達(dá)所述第一層與所述第二層的界面附近以外的所述第一層或所述第二層中。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板檢査裝置，其特征在于 還具有利用模擬算出所述1次電子的加速電壓的電壓算出單元。
3. 如權(quán)利要求l所述的基板檢査裝置，其特征在于 所述第一層為無機(jī)層，所述第二層為有機(jī)層。
4. 如權(quán)利要求l所述的基板檢査裝置，其特征在于 所述第一層的表面具有顆粒狀的凹凸形狀。
5. 如權(quán)利要求4所述的基板檢查裝置，其特征在于 所述第一層由多晶硅構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求l所述的基板檢査裝置，其特征在于 所述第二層由防反射膜構(gòu)成，所述圖案由光致抗蝕劑構(gòu)成。
7. —種基板檢查方法，其特征在于，該基板檢査方法檢査在基板上的由在第一層上疊層與該第一層的組成不同的第二層而形成的疊層結(jié)構(gòu)上，以該第二層的一部分露出的 方式而形成的圖案的缺陷，其包括向所述基板上照射1次電子的電子發(fā)射工序；檢測由所述1次電子的照射而生成的2次電子的電子檢測工序；禾口對由所述電子檢測工序檢測出的2次電子的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的 數(shù)據(jù)處理工序，其中，在所述電子發(fā)射工序中，控制加速電壓，使照射在露出的所述第 二層的所述1次電子到達(dá)所述第一層與所述第二層的界面附近以外的 所述第一層或所述第二層中。
8. 如權(quán)利要求7所述的基板檢査方法，其特征在于 所述1次電子的加速電壓通過模擬算出。
9. 如權(quán)利要求7所述的基板檢查方法，其特征在于 所述第一層為無機(jī)層，所述第二層為有機(jī)層。
10. 如權(quán)利要求7所述的基板檢查方法，其特征在于 所述第一層的表面具有顆粒狀的凹凸形狀。
11. 如權(quán)利要求IO所述的基板檢査方法，其特征在于 所述第一層由多晶硅構(gòu)成。
12. 如權(quán)利要求7所述的基板檢查方法，其特征在于 所述第二層由防反射膜構(gòu)成，所述圖案由光致抗蝕劑構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板檢查裝置，該基板檢查裝置檢查在基板上的由在第一層上疊層與該第一層的組成不同的第二層而形成的疊層結(jié)構(gòu)上，以該第二層的一部分露出的方式而形成的圖案的缺陷，其具有向上述基板上照射1次電子的電子發(fā)射單元；檢測由上述1次電子的照射而生成的2次電子的電子檢測單元；對由上述電子檢測單元檢測出的2次電子的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的數(shù)據(jù)處理單元；和控制上述1次電子的加速電壓的電壓控制單元，其中，上述電壓控制單元控制加速電壓，使上述1次電子在露出上述第二層的部分，到達(dá)上述第一層與上述第二層的界面附近以外的上述第一層或上述第二層中。
文檔編號(hào)G01N23/225GK101313398SQ20078000026
公開日2008年11月26日 申請日期2007年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月15日
發(fā)明者林輝幸, 齊藤美佐子 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社