專利名稱：缺陷檢查方法和缺陷檢查裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及缺陷檢查方法和裝置，更詳細(xì)而言，涉及使用光學(xué)式 的檢査和利用電子射線的檢查的缺陷檢査方法和裝置。
背景技術(shù)：
作為檢查形成有各種形狀的圖案的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體芯片)的 方法，能夠使用用于調(diào)查圖案形狀的缺陷的各種檢查方法。例如在現(xiàn) 有技術(shù)中使用，利用光學(xué)顯微鏡等光學(xué)檢査裝置(檢査方法)調(diào)査圖 案形狀的缺陷的方法。但是，隨著圖案形狀的微細(xì)化，僅以光學(xué)方法 檢測(cè)缺陷變得困難。因此，提出了通過在圖案形狀的缺陷檢查中使用 電子射線，檢測(cè)更加微細(xì)的圖案形狀的缺陷的方法(例如參照專利文 獻(xiàn)1)。
在使用電子射線的缺陷檢查中，存在檢査所需的時(shí)間較長(zhǎng)的問題。 因此，考慮到檢査的效率，實(shí)際上能夠檢查的面積被限制。
在上述專利文獻(xiàn)l (日本特開2005 — 61837號(hào)公報(bào))中，提出了將 光學(xué)式檢查和使用電子射線的檢查組合的方法。但是，該方法只不過 是對(duì)形成于基板上的全部圖案進(jìn)行光學(xué)式檢查以檢測(cè)出缺陷，對(duì)該缺 陷通過使用電子射線的方式進(jìn)行再次確認(rèn)。因此，并未解決缺陷的檢 測(cè)效率變差，檢查需要較長(zhǎng)時(shí)間的問題。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2005 — 61837號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的總括的目的是提供一種解決上述問題的新的有效的缺陷 檢查方法和裝置。
本發(fā)明更具體的目的是提供一種以良好的效率檢測(cè)形成于基板上 的圖案形狀的缺陷的缺陷檢査方法和缺陷檢查裝置。
為了達(dá)成上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種缺陷檢查
方法，檢査形成于基板上的形狀的缺陷，其特征在于，具有對(duì)在基 板上的被分割的多個(gè)區(qū)域中分別形成的規(guī)定圖案，以光學(xué)式方法依次 進(jìn)行一次檢査，從該多個(gè)區(qū)域中選擇進(jìn)行二次檢査的該區(qū)域的第一工 序；和對(duì)在第一工序中選擇的區(qū)域，進(jìn)行使用電子射線的二次檢査以 檢測(cè)出缺陷的第二工序。
在本發(fā)明的缺陷檢査方法中，區(qū)域優(yōu)選為與在基板上形成半導(dǎo)體 芯片時(shí)的一個(gè)模塊(die)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?；蛘?， 一個(gè)區(qū)域可以是與在基 板上形成半導(dǎo)體芯片時(shí)的一個(gè)半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
在本發(fā)明的缺陷檢查方法中，規(guī)定圖案優(yōu)選為分別形成于多個(gè)區(qū) 域中的測(cè)試圖案(test pattern)?；蛘?，規(guī)定圖案可以是分別形成于多 個(gè)區(qū)域中的存儲(chǔ)單元。
在本發(fā)明的缺陷檢査方法中，第一工序中可以通過對(duì)規(guī)定圖案照 射光線，分析光線經(jīng)由規(guī)定圖案產(chǎn)生的反射光的光譜，并進(jìn)行規(guī)定圖 案的分析。
此外，根據(jù)本發(fā)明的其他方面，提供一種檢査裝置，檢查形成于 基板上的形狀的缺陷，其特征在于，具有對(duì)在基板上的被分割的多 個(gè)區(qū)域中形成的規(guī)定圖案，以光學(xué)式方法依次進(jìn)行一次檢査，從該多 個(gè)區(qū)域中選擇進(jìn)行二次檢查的該區(qū)域的光學(xué)式檢查裝置；和對(duì)通過光 學(xué)式檢査裝置選擇的區(qū)域，進(jìn)行使用電子射線的二次檢查以檢測(cè)出缺 陷的電子射線式檢查裝置。
在本發(fā)明的缺陷檢查裝置中，光學(xué)式檢查裝置，優(yōu)選通過對(duì)規(guī)定 圖案照射光線，分析光線經(jīng)由規(guī)定圖案產(chǎn)生的反射光的光譜，并進(jìn)行 規(guī)定圖案的分析。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供以良好的效率檢測(cè)形成于基板上的形狀的 缺陷的缺陷檢查方法和缺陷檢査裝置。


圖1是表示基于本發(fā)明的一實(shí)施例的缺陷檢査方法的流程圖。 圖2是表示基板上的被分割的多個(gè)區(qū)域的示意圖。 圖3是圖2所示的區(qū)域的放大圖(其l)。 圖4是圖2所示的區(qū)域的放大圖(其2)。
圖5是表示基于本發(fā)明的一實(shí)施例的缺陷檢査裝置的模式圖。
圖6是表示光學(xué)式檢查方法的概要的圖。
圖7是表示電子射線式檢査方法的概要的圖。
符號(hào)說明
100光學(xué)式檢査裝置 100A光學(xué)式檢査部 100B控制部 100C計(jì)算機(jī) 101照射單元 102檢測(cè)單元 103光線 104反射光
200電子射線式檢査裝置 200A電子射線式檢查部 200B控制部 200C信號(hào)處理部 200D顯示部 200E圖像存儲(chǔ)部
200F圖案匹酉己(pattern matching)單元
200G存儲(chǔ)部
201真空容器
202電子釋放部
203會(huì)聚透鏡
204掃描線圈
205基板保持臺(tái)
206電子檢測(cè)部
207電源
具體實(shí)施例方式
首先，參照?qǐng)D1說明基于本發(fā)明的一實(shí)施例的缺陷檢查方法。圖1 是表示基于本發(fā)明的一實(shí)施例的缺陷檢査方法的概要的流程圖。圖1
所示的缺陷檢査方法是檢測(cè)形成于基板上的形狀(例如圖案配線、孔 等)的缺陷的方法。
在圖1所示的缺陷檢查方法中，在步驟S1進(jìn)行光學(xué)式的一次檢查。
接著，在步驟S2對(duì)應(yīng)于步驟S1中的光學(xué)式檢查的結(jié)果進(jìn)行使用電子 射線的二次檢查。在上述1次檢査中，通過光學(xué)式檢査檢測(cè)出形成有 缺陷的概率高的基板上的區(qū)域，迅速地選擇進(jìn)行能夠檢測(cè)出微細(xì)的缺 陷的利用電子射線的二次檢查的區(qū)域。
在上述缺陷檢查方法中，通過對(duì)以分割基板的方式形成的多個(gè)區(qū) 域，依次以光學(xué)式方法檢査形成于各個(gè)區(qū)域的規(guī)定圖案，迅速地選擇 產(chǎn)生缺陷的可能性高的區(qū)域。
艮口，上述一次檢查中，原則上與檢査形成于基板上的全部圖案(形 狀)的方法(例如，日本特開2005 — 61837號(hào)公報(bào)記載的方法)不同， 通過在每個(gè)被分割的區(qū)域上，依次檢查分別形成于該區(qū)域的規(guī)定圖案， 判斷在該區(qū)域上形成有缺陷的可能性是否高。其結(jié)果是，選擇形成有 缺陷的可能性高的區(qū)域，對(duì)被選擇的區(qū)域進(jìn)行能夠檢測(cè)出微細(xì)的缺陷 的使用電子射線的二次檢査。
此外，在進(jìn)行上述一次檢査時(shí)，優(yōu)選使用對(duì)規(guī)定圖案照射規(guī)定的 光線(例如激光等)，通過分析該光線經(jīng)由規(guī)定圖案產(chǎn)生的反射光的光 譜以分析規(guī)定圖案的形狀的方法。該分析方法的例子如后文所述。
這樣，基于反射光的分析的圖案識(shí)別方法與基于光學(xué)顯微鏡的圖 案識(shí)別方法(例如，日本特開2005—61837號(hào)公報(bào)記載的方法)相比， 具有能夠使一次檢査的效率良好的優(yōu)點(diǎn)。
艮口，在基于反射光的光譜分析的方法中，不是像基于光學(xué)顯微鏡 等的圖案識(shí)別那樣進(jìn)行掃描并檢測(cè)缺陷，而是在規(guī)定圖案上點(diǎn)(spot) 狀地照射光線，分析反射光并檢測(cè)缺陷。因此，在基于反射光的光譜 分析的方法中， 一次檢査的效率變得良好。此外，因?yàn)橄襁@樣的光線 的照射(反射光的分析)，只要至少在被分割的區(qū)域中的形成有規(guī)定圖 案的部分點(diǎn)狀地依次進(jìn)行，所以能夠以非常高的速度進(jìn)行一次檢查。
此外，分割基板得到的多個(gè)區(qū)域，例如由以下方式確定即可。通 常，在制造半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體芯片)的情況下，基板被分割為被稱 為模塊的、矩陣狀排列的多個(gè)區(qū)域。通常，在形成半導(dǎo)體芯片時(shí)，由
曝光器進(jìn)行曝光時(shí)的一個(gè)單位稱為模塊。 一個(gè)模塊也被稱為一個(gè)射區(qū) (曝光區(qū)，shot)。
因此，在基于本實(shí)施例的缺陷檢査方法中，令在一次檢査中使用 的多個(gè)被分割的區(qū)域?yàn)榕c上述模塊對(duì)應(yīng)的區(qū)域。通過這樣使一個(gè)區(qū)域 為與一個(gè)模塊對(duì)應(yīng)的區(qū)域，能夠有效地進(jìn)行缺陷檢查。
制造半導(dǎo)體芯片的情況下的成品率下降存在各種原因。認(rèn)為圖案 形成時(shí)的曝光、顯影工序的偏差對(duì)成品率的下降造成很大影響。在該 情況下，通過在每個(gè)作為曝光、顯影時(shí)的一個(gè)射區(qū)的模塊上進(jìn)行一次 檢查，判斷在每個(gè)模塊上的缺陷的有無的可能性，能夠有效地檢測(cè)由 曝光、顯影的偏差引起的不良狀況。
圖2是表示將基板W分割為多個(gè)區(qū)域(例如模塊)Al的一例的 示意圖。在圖2中，區(qū)域A1矩陣狀地排列于基板W上。 一次檢查相 對(duì)區(qū)域A1的規(guī)定圖案點(diǎn)狀地進(jìn)行。
圖3是示意性地表示區(qū)域A1的放大圖。圖3表示在一個(gè)模塊(區(qū) 域Al )上形成一個(gè)半導(dǎo)體芯片Cl的情況，半導(dǎo)體芯片Cl是邏輯類半 導(dǎo)體芯片。
在半導(dǎo)體芯片Cl上設(shè)置有形成有邏輯電路的區(qū)域al，形成有周邊 電路的區(qū)域a2，形成有存儲(chǔ)電路的區(qū)域a3。此外，在半導(dǎo)體芯片Cl 的周緣部形成形成有測(cè)試圖案的區(qū)域T。測(cè)試圖案相當(dāng)于上述一次檢査 中的規(guī)定圖案。例如，通過對(duì)測(cè)試圖案進(jìn)行光學(xué)檢査，判斷對(duì)區(qū)域A1 是否進(jìn)行基于電子射線的二次檢査。
此外，也可以將作為進(jìn)行一次檢査的對(duì)象的圖案(進(jìn)行一次檢查 的一次檢查區(qū)域)，和進(jìn)行基于電子射線的二次檢查的圖案(進(jìn)行二次 檢查的二次檢査區(qū)域)設(shè)定為不同。
例如，也可以以在一次檢査中使用適于光學(xué)式檢査的光學(xué)檢査用 測(cè)試圖案，在二次檢査中使用適于電子射線的檢查的電子射線檢査用 測(cè)試圖案的方式，在基板上預(yù)先個(gè)別形成測(cè)試圖案。
此外，在二次檢查中，除了測(cè)試圖案以外，也可以使用例如在區(qū) 域al a3的任一個(gè)中形成的，與半導(dǎo)體芯片的器件相關(guān)的圖案進(jìn)行檢 査。
也可以在一次檢查中，為了選擇進(jìn)行二次檢查的區(qū)域，以效率為
優(yōu)先使用測(cè)試圖案迅速地進(jìn)行檢查，在二次檢查中，使用與制品(半
導(dǎo)體芯片)的特性相關(guān)的器件的圖案(區(qū)域al a3)，以檢査的精度為 優(yōu)先進(jìn)行缺陷檢測(cè)。
此外，在上述一次檢査中，根據(jù)在一次檢查中使用的規(guī)定圖案的 設(shè)計(jì)上的形狀與實(shí)際由一次檢查計(jì)算出的形狀的不同，選擇進(jìn)行二次 檢査的區(qū)域即可。
艮口，在進(jìn)行一次檢查的區(qū)域中，由一次檢査計(jì)算出的規(guī)定圖案的 形狀與設(shè)計(jì)上的規(guī)定圖案的形狀的差較大的情況下，推測(cè)在該區(qū)域中 形成有形狀的缺陷的可能性高。于是，對(duì)該區(qū)域進(jìn)行二次檢査，檢測(cè) 更微細(xì)的缺陷即可。此外，在進(jìn)行一次檢査的區(qū)域中，由一次檢查計(jì) 算出的規(guī)定圖案的形狀與設(shè)計(jì)上的規(guī)定圖案的形狀的差很小的情況 下，推測(cè)在該區(qū)域中形成有形狀的缺陷的可能性低，因此能夠省略對(duì) 該區(qū)域的二次檢査。
例如，在該圖案為線形的圖案(圖案配線)的情況下，在某區(qū)域 中設(shè)計(jì)上的線的寬度與由一次檢査計(jì)算出的線的寬度的差在規(guī)定的值 以上時(shí)，在該區(qū)域進(jìn)行二次檢查即可。
此外，在該圖案為孔的情況下，在設(shè)計(jì)上的孔的直徑與由一次檢 查計(jì)算出的孔的直徑的差在規(guī)定的值以上時(shí)，在該區(qū)域進(jìn)行二次檢査 即可。
此外，在上述一次檢査中，也可以根據(jù)多個(gè)區(qū)域中的各個(gè)規(guī)定圖 案的形狀的偏差選擇進(jìn)行二次檢查的區(qū)域。
此外，不局限于圖3所示的情況，也可以在基板W上的被分割的 區(qū)域A1中形成各種圖案、各種器件。圖4是表示區(qū)域A1的另一結(jié)構(gòu) 例的圖。在圖4所示的例子中，在區(qū)域A1中形成有多個(gè)存儲(chǔ)類的半導(dǎo) 體芯片C2。此外，在半導(dǎo)體芯片C2上形成有存儲(chǔ)單元bl和周邊電路 b2。也存在這樣在一個(gè)模塊(一個(gè)區(qū)域)上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的 情況。
此外，在圖4所示的例子中，也可以使用上述存儲(chǔ)單元bl作為在 一次檢査中使用的規(guī)定圖案。
此外，圖4所示的例子中的一次檢査是，例如以1個(gè)模塊為1個(gè) 場(chǎng)所，對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體芯片C2中的任意一個(gè)的儲(chǔ)存單元bl進(jìn)行一次檢
查即可。此外，也可以對(duì)一個(gè)模塊中的各個(gè)半導(dǎo)體芯片C2進(jìn)行一次檢 查。在該情況下，對(duì)各個(gè)半導(dǎo)體芯片C2的存儲(chǔ)器M進(jìn)行一次檢查即 可。
接著，參照?qǐng)D5 圖7說明實(shí)施上述缺陷檢査方法的缺陷檢査裝置 的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
圖5是示意性地表示實(shí)施在圖1中說明的缺陷檢查方法的缺陷檢 査裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖5所示的缺陷檢查裝置300具有光學(xué)式檢査裝 置100、電子射線式檢查裝置200。
首先說明光學(xué)式檢查裝置100。光學(xué)式檢查裝置100具有光學(xué)式檢 査部100A、控制部IOOB和計(jì)算機(jī)IOOC。光學(xué)式檢査部IOOA例如將 激光等光線照射在基板上的規(guī)定圖案上，分析該光線經(jīng)由規(guī)定圖案產(chǎn) 生的反射光，識(shí)別規(guī)定圖案的形狀。光學(xué)式檢查部100A通過控制部 IOOB，利用計(jì)算機(jī)100C進(jìn)行動(dòng)作。而且，計(jì)算機(jī)100C是與后述的電 子射線式檢査裝置200共有的。通過上述光學(xué)式檢查裝置100，進(jìn)行圖 1已說明的一次檢查，選擇進(jìn)行二次檢査的基板上的區(qū)域。
另一方面，電子射線式檢査裝置200具有向基板(圖案)進(jìn)行電 子射線的照射的電子射線檢査部200A、控制部200B、信號(hào)處理部 200C、顯示部200D、圖像存儲(chǔ)部200E、圖案匹配單元200F、存儲(chǔ)部 200G和與光學(xué)式檢査裝置100共有的計(jì)算機(jī)100C。
在電子射線式檢查部200A中，在減壓空間中的基板(圖案)上照 射電子射線(一次電子)，檢測(cè)由一次電子的照射生成的二次電子。檢 測(cè)出的二次電子的數(shù)據(jù)通過信號(hào)處理部200C被處理成為圖像數(shù)據(jù)。圖 像數(shù)據(jù)在顯示部200D中被顯示。此外，圖像數(shù)據(jù)被順次存儲(chǔ)在圖像存 儲(chǔ)部200E中。與圖像數(shù)據(jù)比較用的圖案的圖案匹配通過圖案單元200F 進(jìn)行，檢測(cè)出缺陷。此外，缺陷檢測(cè)的數(shù)據(jù)根據(jù)需要被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部 200G。
如上所述，在電子射線式檢査裝置200中通過使用電子射線，能 夠檢測(cè)出在光學(xué)式的檢查中難以檢測(cè)的微細(xì)的圖案的缺陷。
接著，參照

光學(xué)式檢査裝置100和電子射線式檢査裝置 200的各自的原理。
首先，參照?qǐng)D6說明上述的光學(xué)式檢査部100A識(shí)別規(guī)定圖案的形
狀的原理。如圖6所示，光學(xué)式檢査部100A對(duì)基板W的規(guī)定圖案(例 如測(cè)試圖案等)的一次檢查區(qū)域A2，通過照射單元101照射激光等的 光線103。
此處，光線103通過規(guī)定圖案被反射。反射光104通過檢知部102 檢知，通過例如分光式橢圓偏振光分析器或分光反射計(jì)等的分光部(未 圖示)進(jìn)行分光，并進(jìn)行光譜分析。此處，通過將反射光的光譜的圖 案和預(yù)先存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)100C中的多個(gè)光譜的圖案(這也被稱為庫(kù) (library))進(jìn)行比較，通過選擇最為相近的光譜，能夠計(jì)算出上述規(guī) 定圖案的外形(線寬、孔徑、高度等)。
這樣的光學(xué)式的圖案識(shí)別方法(裝置)例如記載于日本特開2005 一61837號(hào)公報(bào)、日本特開2002—243925號(hào)公報(bào)、日本特開2005 — 517903號(hào)公報(bào)等中。根據(jù)上述方法，例如與使用基于光學(xué)顯微鏡的圖 案識(shí)別等的情況相比，能夠高效地進(jìn)行一次檢查。
此外，根據(jù)上述方法，不僅是圖案的線寬、孔徑，例如形成的圖 案的角度、圖案邊緣的表面粗糙度等也能夠不進(jìn)行圖像處理等的復(fù)雜 的處理，迅速地計(jì)算得出。
艮口，在上述方法中，由于能夠迅速地把握被光線103照射的一次 檢査區(qū)域A2中的圖案形狀的總體的傾向，因此能夠迅速地進(jìn)行是否對(duì) 形成有該圖案的區(qū)域進(jìn)行二次檢査的選擇。
接著，參照?qǐng)D7說明電子射線式檢查裝置100中的電子射線檢查 部100A的概要。圖7是示意性地表示電子射線式檢査部200A的概要 的圖。
如圖7所示，本實(shí)施例的電子射線式檢查部200A具有內(nèi)部由排氣 單元220進(jìn)行真空排氣成為減壓空間的真空容器201 。在真空容器201 的內(nèi)部設(shè)置有保持作為檢査對(duì)象的基板W的基板保持臺(tái)205。此外， 以與基板保持臺(tái)205相對(duì)的方式設(shè)置有向基板W照射一次電子的電子 釋放部202。
此外，在電子釋放部202和基板保持臺(tái)205之間設(shè)置有用于對(duì)釋 放出的一次電子(電子射線)進(jìn)行會(huì)聚的會(huì)聚透鏡203，用于掃描一次 電子的掃描線圈204和縫隙221。進(jìn)一步，在基板保持臺(tái)205和掃描線 圈204之間設(shè)置有檢測(cè)由一次電子的照射生成的二次電子的電子檢測(cè)
部206。在電子釋放部202連接有用于對(duì)電子釋放部202施加電壓的電 源207。
在電子式檢查部200A中，通過由電源207向電子釋放部202施加 規(guī)定的電壓，向基板W照射一次電子。通過照射在基板W上的圖案 上的一次電子生成的二次電子，由電子檢測(cè)部206檢測(cè)，通過圖5所 示的信號(hào)處理部200C進(jìn)行處理而成為圖像數(shù)據(jù)。
電子射線式檢查部200A也被稱為SEM (掃描型電子顯微鏡)式 檢查裝置。
如上所述，在使用電子射線的缺陷檢查中，與光學(xué)式相比能夠檢 測(cè)出更微細(xì)的缺陷。但是，另一方面，為了以高倍率進(jìn)行檢査，存在 檢測(cè)寬廣面積的情況下，存在耗費(fèi)時(shí)間較多的問題。
因此，在缺陷檢查裝置300中，通過光學(xué)式檢査裝置100進(jìn)行一 次檢查，迅速地選擇出實(shí)施使用電子射線的二次檢査的基板上的區(qū)域。 因此，能夠更有效率地進(jìn)行微細(xì)的缺陷的檢査。
此外，在缺陷檢査裝置300中，如先前已說明的那樣，由于依次 點(diǎn)狀地檢査基板的被分割的區(qū)域的一部分的規(guī)定圖案，因此能夠迅速 地選擇必須進(jìn)行二次檢查的產(chǎn)生缺陷的可能性高的區(qū)域。
此外，上述缺陷檢査方法和缺陷檢査裝置不僅能夠應(yīng)用于半導(dǎo)體 芯片(半導(dǎo)體裝置)的制造，也能夠應(yīng)用于例如液晶顯示裝置、等離 子體顯示器等的顯示裝置，以及其他的電子部件的制造中。
以上說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例，但本發(fā)明并非限定于具體公 開的實(shí)施例，只要不脫離本發(fā)明的范圍，能夠進(jìn)行各種變形、改良。
本申請(qǐng)基于2006年8月11日申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)主張申請(qǐng)2006—220162 號(hào)，在此處引用其全部?jī)?nèi)容。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明能夠應(yīng)用于使用光學(xué)式的檢査和基于電子射線的檢査的缺 陷檢查方法和裝置。
權(quán)利要求
1.一種缺陷檢查方法，檢查形成于基板上的形狀的缺陷，其特征在于，具有對(duì)在所述基板上的被分割的多個(gè)區(qū)域中分別形成的規(guī)定圖案，以光學(xué)式方法依次進(jìn)行一次檢查，從該多個(gè)區(qū)域中選擇進(jìn)行二次檢查的該區(qū)域的第一工序；和對(duì)在第一工序中選擇的所述區(qū)域，進(jìn)行使用電子射線的所述二次檢查以檢測(cè)出缺陷的第二工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢査方法，其特征在于 所述各個(gè)區(qū)域是與在所述基板上形成半導(dǎo)體芯片時(shí)的一個(gè)模塊對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查方法，其特征在于 所述各個(gè)區(qū)域是與在所述基板上形成半導(dǎo)體芯片時(shí)的一個(gè)半導(dǎo)體芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的缺陷檢査方法，其特征在于所述規(guī)定圖案是分別形成于所述多個(gè)區(qū)域中的測(cè)試圖案。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的缺陷檢查方法，其特征在于所述規(guī)定圖案是分別形成于所述多個(gè)區(qū)域中的存儲(chǔ)單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的缺陷檢査方法，其特征在于在所述第一工序中，通過對(duì)所述規(guī)定圖案照射光線、并分析經(jīng)由 所述規(guī)定圖案產(chǎn)生的所述光線的反射光的光譜，進(jìn)行所述規(guī)定圖案的 分析。
7. —種缺陷檢査裝置，檢査形成于基板上的形狀的缺陷，其特征 在于，具有-對(duì)在所述基板上的被分割的多個(gè)區(qū)域中的規(guī)定圖案，以光學(xué)式方 法依次進(jìn)行一次檢査，從該多個(gè)區(qū)域中選擇進(jìn)行二次檢查的該區(qū)域的光學(xué)式檢査裝置；和對(duì)經(jīng)由所述光學(xué)式檢査裝置選擇的區(qū)域，進(jìn)行使用電子射線的所 述二次檢查以檢測(cè)出缺陷的電子射線式檢査裝置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的缺陷檢査裝置，其特征在于 所述光學(xué)式檢査裝置，通過對(duì)所述規(guī)定圖案照射光線、并分析經(jīng)由所述規(guī)定圖案產(chǎn)生的所述光線的反射光的光譜，進(jìn)行所述規(guī)定圖案 的分析。
全文摘要
本發(fā)明提供一種對(duì)形成于基板上的形狀的缺陷進(jìn)行檢查的缺陷檢查方法，對(duì)于在基板上的被分割的多個(gè)區(qū)域中分別形成的規(guī)定圖案，以光學(xué)式方法依次進(jìn)行一次檢查，從該多個(gè)區(qū)域中選擇進(jìn)行二次檢查的該區(qū)域。對(duì)所選擇的區(qū)域，使用電子射線進(jìn)行二次檢查，檢測(cè)出缺陷。
文檔編號(hào)G01R31/302GK101341589SQ20078000085
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者林輝幸, 藤原馨, 齊藤美佐子 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社