專利名稱：：閃爍元件、閃爍陣列及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及閃爍元件、閃爍陣列、閃爍元件的制備方法和閃爍陣列的制備方法，特別地，涉及可用于計算機X射線層析照相(CT)領(lǐng)域中的閃爍元件和閃爍陣列。
背景技術(shù)：
：在計算機X射線層析照相(CT)中，目前將熒光陶瓷Gd202S:Pr，Ce(GOS)用作閃爍器材料以將x射線光子轉(zhuǎn)換為可見光。GOS具有高光產(chǎn)率和吸收效率的優(yōu)點，但是一般地在輻射后會顯示余輝信號。該余輝具有信號作用，其非常高并且持續(xù)時間長以致于重構(gòu)圖象受嚴重的假相(artefacts)的影響。陶瓷片的適當?shù)暮筇幚?，例如，通過在空氣中退火數(shù)小時，可以減少這樣的余輝。除了余輝之外，光產(chǎn)率的問題是對于CT應(yīng)用最為重要的。在傳統(tǒng)的CT檢測器中，使用反射涂布材料，其在五個側(cè)面覆蓋每個CT檢測器像素(pixel)，從而增加位于第六側(cè)面的光敏光電二極管上的光碰撞的量。
發(fā)明內(nèi)容期望提供一種有效的閃爍元件、閃爍陣列及其制備方法，其中閃爍元件和閃爍陣列可用于計算機X射線層析照相領(lǐng)域中。該需求可以通過根據(jù)獨立權(quán)利要求的閃爍元件、閃爍陣列、閃爍元件的制備方法和閃爍陣列的制備方法而實現(xiàn)。根據(jù)一個示例性實施方式，提供一種閃爍元件，其包含閃爍材料和反射層，其中反射層以閃爍材料的內(nèi)在部分形成。優(yōu)選地，可設(shè)置多個閃爍元件以形成閃爍陣列。根據(jù)一個示例性實施方式，提供閃爍元件的制備方法，其包括提供閃爍材料，和通過將閃爍材料暴露于物理條件下以使得反射層由閃爍材料的一部分形成而在閃爍材料上形成反射層。根據(jù)一個示例性實施方式，提供閃爍陣列的制備方法，其包括提供包含閃爍材料的原料陶瓷片和通過在該原料陶瓷片的頂部表面中形成溝槽而構(gòu)造(structure)該原料陶瓷片。而且，該方法包括通過將原料陶瓷片的閃爍材料暴露于物理條件下以使得反射層由閃爍材料的一部分形成而在構(gòu)造的陶瓷片上形成反射層。本發(fā)明的基本構(gòu)思是高反射涂布或者涂層可由閃爍材料本身形成。這樣，可以省略在閃爍材料上涂布反射層而形成反射層的步驟，這也是現(xiàn)有技術(shù)中制備反射層的方法，從而實現(xiàn)了更為簡單的制備方法。再者，根據(jù)本發(fā)明的反射層的耐用性可以提高，因為其是由閃爍材料形成，而不是如現(xiàn)有技術(shù)中被涂到閃爍材料上。根據(jù)本發(fā)明的反射層可以反射將會被損失掉的大量的光。這使得增加各個閃爍元件的光輸出，而不需要如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的方法中所必需的其它材料成本和進一步的高成本的處理步驟。根據(jù)本發(fā)明的反射層可以呈現(xiàn)與傳統(tǒng)的涂層非常相當?shù)姆瓷涮匦?，同時其可以通過簡單得多的方法形成。換句話說，類似于傳統(tǒng)涂層，根據(jù)本發(fā)明的反射涂層可以改善光的收集效率。同時，當根據(jù)本發(fā)明的實施方式的反射層由閃爍材料本身形成時，閃爍材料的所謂的余輝并不增加。優(yōu)選地，反射涂層可以形成在各個閃爍元件的所有側(cè)面上，除了耦合有光電檢測器例如光電二極管的側(cè)面之外，也即在設(shè)置單個光電檢測器到閃爍元件的情形下，僅一個側(cè)面不涂布反射層，即閃爍元件在其六個表面中有五個表面上包含反射層。內(nèi)在反射層可以與閃爍材料一體形成，即并不是在閃爍材料上涂布或形成單獨的層，而是由一部分閃爍材料本身形成。這樣，反射層可通過物理和/或化學(xué)方法由閃爍材料本身形成。反射層的形成可以與閃爍材料的退火步驟一起完成，即反射層的制備步驟和退火步驟是一個單一的步驟。為了降低閃爍材料的余輝，這樣的退火過程是有利的。下面將描述閃爍元件的進一步示例性實施方式。這些實施方式同樣適于閃爍陣列、閃爍元件的制備方法和閃爍陣列的制備方法。根據(jù)閃爍元件的另一示例性實施方式，閃爍材料包含Gd202S。優(yōu)選地，閃爍材料還包含鐠和/或鈰或者其它稀土元素例如Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、和/或Ho。Gd202S可以是合適的無機閃爍材料。特別地，原料Gd202S粉末可以用c浐摻雜以補償銪效果，以及用鐠作為與閃爍處理相關(guān)的離子。而且，少量的例如堿金屬和/或堿土金屬的氟化物，例如氟化鋰(LiF)或者氟化鍺鋰(Li^GeF6)可用作燒結(jié)助劑。根據(jù)閃爍元件的另一示例性實施方式，反射層是通過閃爍材料的氧化處理形成。提供具有通過氧化閃爍材料本身的一部分例如表面部分而形成的反射層的閃爍元件，可以是提供反射層的有效方法以使得閃爍材料的光輸出增加。在下面，將描述閃爍陣列的進一步示例性實施方式。這些實施方式同樣適于閃爍元件、閃爍元件的制備方法和閃爍陣列的制備方法。根據(jù)另一示例性實施方式，閃爍陣列還包括至少一個光電檢測器，其中至少一個光電檢測器耦合到多個閃爍元件的至少一個，其中所述至少一個光電檢測器適于檢測多個閃爍元件的至少一個發(fā)出的光。優(yōu)選地，光電檢測器可以是光電二極管。特別地，多個光電檢測器可以耦合到多個閃爍元件。例如，對于每個閃爍元件，可以耦合單獨的光電檢測器或者光電二極管。優(yōu)選地，光電檢測器可以耦合到閃爍元件的未形成反射層的一側(cè)。通過提供多個閃爍元件，每個單一的閃爍元件耦合到光電二極管，可以提供可用于計算機X射線層析照相領(lǐng)域中的檢測器陣列，即提供分節(jié)檢測器陣列或者像素化檢測器陣列。根據(jù)本發(fā)明的閃爍陣列可以特別適合用于計算機X射線層析照相裝置中，例如作為計算機X射線層析照相裝置的檢測器陣列。下面將描述閃爍元件制備方法的進一步示例性實施方式。這些實施方式同樣適于閃爍元件、閃爍陣列和閃爍陣列的制備方法。根據(jù)另一示例性實施方式，制備反射層的方法包括氧化閃爍材料的表面部分。閃爍材料的表面部分的氧化可以是一種形成內(nèi)在反射層的有效方法。氧化層可以是適于作為反射與涂在閃爍材料的表面上或者以箔施加到閃爍材料的傳統(tǒng)的白層相當光量的反射層。根據(jù)另一示例性實施方式，制備反射層的方法包括將閃爍材料暴露于具有在ioooo百帕斯卡和o.ooi百帕斯卡之間的氧分壓和8ocrc和140(rc之間的高溫氣氛，特別地，高溫可以是在1000'C和1300'C之間，氧分壓可以是在1000百帕斯卡和0.01百帕斯卡之間。根據(jù)又一示例性實施方式，制備反射層的方法包括將閃爍材料暴露于二氧化碳流，升高溫度至約120(TC，并提供約O.l百帕斯卡的氧分壓。根據(jù)再一示例性實施方式，審d備反射層的方法包括將閃爍材料暴露于在2(TC增濕的氮氣流，升高溫度至約1200°C，并提供約0.01百帕斯卡的氧分壓。根據(jù)再又一示例性實施方式，制備反射層的方法包括將閃爍材料暴露于空氣流，升高溫度至約IIOO'C，并提供約200百帕斯卡的氧分壓?？諝饬魇侵甘褂没旧习?0%的氮氣和20%的氧氣的大氣來提供空氣流。在所有上面的物理和/或化學(xué)條件下，可以由閃爍材料的表層形成反射層。通過選擇暴露于該物理條件的持續(xù)時間，可以確定反射層的厚度，即包括氧化的閃爍材料的層的厚度。四個小時的持續(xù)時間是形成可呈現(xiàn)與涂在閃爍材料上的傳統(tǒng)的反射層所呈現(xiàn)的反射效果相當?shù)姆瓷湫Ч倪m當?shù)臅r間。根據(jù)又一示例性實施方式的方法還包括以每分鐘5"C的步長升高溫度至高溫。在反射層形成后，溫度可以例如以每分鐘5'C的速度降低。下面將描述閃爍陣列制備方法的進一步示例性實施方式。這些實施方式同樣適于閃爍元件、閃爍陣列和閃爍元件的制備方法。根據(jù)又一示例性實施方式提供原料陶瓷片的方法包括提供Gd202S粉末和將Gd202S粉末暴露于熱單軸壓制處理(hotuniaxialpressingprocess)。熱單軸壓制處理是所謂的HUP-方法，并且是提供后續(xù)可用于制造包含內(nèi)在反射層的閃爍陣列的原料陶瓷片的適當方法。根據(jù)又一示例性實施方式，閃爍陣列的制備方法還包括將原料陶瓷片切割為具有預(yù)定厚度的陶瓷片并拋光該切割的陶瓷片。通過切割原料陶瓷片，可以提供可以后續(xù)被拋光的適當厚度的陶瓷片，其允許有效的氧化過程和形成具有適當反射系數(shù)的反射層，即其反射足夠量的光以使得閃爍陣列可用于例如計算機X射線層析照相裝置中。適當?shù)暮穸瓤梢允抢缂s2毫米或更少。根據(jù)再一示例性實施方式的閃爍陣列的制備方法，進行溝槽的形成以使得溝槽具有的深度小于切割的陶瓷片的厚度。通過切割具有深度小于陶瓷片的厚度的溝槽，可以提供可容易地進行進一步處理的閃爍元件的大陣列的有效制備方法。單個閃爍元件可以由未被構(gòu)造的陶瓷片的部分保持在一起，即未切割溝槽的底部。根據(jù)再一示例性實施方式的閃爍陣列的制備方法，進行反射層的制備以使得溝槽完全被反射層填充。通過形成反射層以使得溝槽完全被反射層填充，是將單一的閃爍元件保持在一起的有效方法，即使當陶瓷片的底部在形成反射層之后被移除時。根據(jù)再一示例性實施方式，所述方法還包括在形成反射層之后從陶瓷片的底側(cè)移除構(gòu)造的陶瓷片的層。優(yōu)選地，從構(gòu)造的陶瓷片移除的層具有的厚度大于其中未切割溝槽的陶瓷片的部分的厚度，即通過移除該層，填充的溝槽的底部被暴露，實現(xiàn)被形成在溝槽中的反射層彼此完全分隔開的閃爍元件。這可以是其中所有的閃爍元件彼此光隔離的閃爍陣列的有效制備方法。根據(jù)再又一示例性實施方式，所述方法還包括拋光構(gòu)造的陶瓷片的底側(cè)，和設(shè)置至少一個光電檢測器在拋光的底部側(cè)，光電檢測器可以是例如光電二極管。一個基本構(gòu)思是在于由閃爍材料本身形成內(nèi)在反射層的事實，而不是如現(xiàn)有技術(shù)中一般所進行的將反射層涂在閃爍材料上或者施加反射箔。反射層可以通過氧化閃爍材料的表面部分或者表層而形成。該氧化也即反射層的形成可以與退火處理一起在單一處理步驟中完成，其對于降低閃爍材料的余輝是有利的。相應(yīng)地，退火步驟和氧化步驟的結(jié)合可以通過選擇物理條件例如溫度、氣氛和/或壓力實現(xiàn)。與現(xiàn)有技術(shù)中已知的傳統(tǒng)涂層相似，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的反射層可以改善光收集效率。使用根據(jù)本發(fā)明的實施方式的閃爍陣列的制備方法可以提供簡單和便宜的粘合和安裝步驟以形成閃爍器-光電檢測器的夾心結(jié)構(gòu)，即包含層合的閃爍陣列和膠粘或設(shè)置到該閃爍陣列的至少一個或多個光電檢測器的層的結(jié)構(gòu)。與單一的光電檢測器相關(guān)的每個單一的閃爍元件可以形成檢測器陣列的像素。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的閃爍陣列可用于具有GOS閃爍檢測器的計算機X射線層析照相裝置中，用于具有集成的像素電子元器件的計算機X射線層析照相檢測器中和/或具有光電二極管陣列的計算機x射線層析照相檢測器中。優(yōu)選地，每個閃爍元件具有立方體形狀或者長方體形狀，并在其五個側(cè)面具有反射層，而在沒有反射層的側(cè)面設(shè)置有光電檢測器，例如光電二極管。閃爍材料優(yōu)選地是Gd202S(GOS)，其包含少量的鐠、鈰、其它的稀土元素(例如Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho)和/或剩余的為助熔劑例如氟化鋰。每個閃爍元件可形成由具有高反射系數(shù)以增加光輸出的反射層包覆的單個CT檢測器像素。反射層或者涂層可以包含或者由釓氧硫酸鹽(Gd202S04)和/或軋氧亞硫酸鹽(Gd202S03)和/或氧化釓(Gd203)形成，并且可以在更高溫度的氧化氣氛中形成，其直接來自GOS陶瓷材料本身，可以用于退火。以所述方式形成的這樣的層是呈現(xiàn)與傳統(tǒng)的涂層非常相當?shù)姆瓷涮匦缘陌讓樱⑶铱梢酝ㄟ^設(shè)定物理條件至預(yù)定的值以新的和簡單的方法例如以受控方式直接在退火處理步驟中形成。本發(fā)明的這些和其它方面將參照在此及后所描述的實施方式變得明顯和清楚。本發(fā)明的示例性實施方式將在下面參照附圖進行描述。圖la-lc示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的閃爍陣列的簡化的示意性制備方法。圖中的示例是圖解性的。在不同的圖中，用相同的標記表示類似或相同的元件。具體實施例方式圖1圖解地示出閃爍陣列，特別是構(gòu)造的和涂布的Gd202S(GOS)閃爍陣列的制備方法。使用GOS粉末作為原材料，其優(yōu)選地摻雜有鐠(Pr)和鈰(Ce)。然后，加入少量的例如相對低的濃度的氟化鋰(LiF)。典型地，Gd202S中的Pr濃度是在GOS的100-2000重量ppm范圍內(nèi)(最優(yōu)選在500-1000重量ppm之間)，而Ce濃度基于Gd202S是在0.1-100重量ppm之間，并根據(jù)GOS的Eu含量選取，其最為優(yōu)選地基于Gd202S為1重量ppm以下。助熔劑LiF具有基于Gd202S為0.001-1重量％(最優(yōu)選0.02重量％)的濃度。當以C+加入鈰以補償銪的效果，并加入Pr作為與閃爍處理相關(guān)的離子時，加入LiF作為下面的熱單軸壓制(HUP)處理的燒結(jié)助劑，借助LiF摻雜的GOS粉末被燒結(jié)為原料陶瓷片。在典型的條件例如150MPa的單軸壓力，1250'C的溫度下進行HUP處理，同時在熱單軸壓制處理中，施加約10""hPa的真空。所得到的包含Gd202S:Pr;Ce熒光材料的原料陶瓷片是幾乎透明的并且由于鈰的含量和例如由于氧缺失的最小化缺陷結(jié)構(gòu)而呈現(xiàn)黃色。然后，研磨得到的原料陶瓷片，并切割為具有期望應(yīng)用所需的厚度的陶瓷片。取決于應(yīng)用的需要，可能的厚度是例如約2毫米。優(yōu)選地，在切割和研磨后，拋光陶瓷片。該拋光僅在后來被反射層覆蓋的側(cè)面，即在圖1中被表示為頂部表面的面進行。進行該拋光以在所述側(cè)面獲得閃爍器的更高反射系數(shù)并進一步促進所述表面的受控氧化。拋光的陶瓷片然后通過由鋸切步驟形成的狹縫被切成方塊并像素化。但是，拋光的陶瓷片并不完全切割貫穿底部，而是維持拋光片的未切割層以保持片仍內(nèi)在地穩(wěn)定，即無需外部穩(wěn)定的穩(wěn)定，以使得其在接下來的處理步驟中易于處理。該切成方塊或像素構(gòu)造的步驟圖解地在圖la中示出，其中陶瓷片100包含多個狹縫或者溝槽101，其是由示為圓鋸102的鋸形成。再者，由圖la可看出，陶瓷片沒有被切割成各個片，而是具有連接單個方塊元件的層103。而且，拋光的陶瓷片的頂部表面在圖la中用標記104標識。圖lb圖解地示出在氧化氣氛中進行的退火步驟之后的圖la的陶瓷片，其在陶瓷片100的所有側(cè)面形成白層105，在圖lb中僅示出在頂側(cè)的涂布。在單個元件或像素之間形成間隙的狹縫或溝槽101，也被反射層105填充。取決于間隙尺寸和退火條件，即退力氧化步驟中的物理條件，間隙可以僅部分地填充。相應(yīng)地，通過設(shè)置退火/氧化步驟中的物理條件，即退火溫度、退火時間和在氧化性氣氛中的氧分壓，可以形成具有不同厚度和反射質(zhì)量的涂層?？梢孕纬赏耆畛洫M縫101的涂層，從而將單個像素"粘接"在一起。因為單個像素通過涂層105固定在一起，所以可以移除連接層或者底面層103，其已經(jīng)在先前的步驟中用作穩(wěn)定層或基底，從而不失去像素矩陣之間的連接的穩(wěn)定性?；蛘撸梢杂媚z覆蓋陶瓷片的涂布的頂部側(cè)面以進一步穩(wěn)定矩陣。這在涂層對于矩陣的適當穩(wěn)定不夠厚的情況下是有利的。膠可在后來當矩陣通過其它方法穩(wěn)定時移除。在該固定后，通過在頂側(cè)使用膠，也可移除底層103。在兩種替代方式中，陶瓷片的底部側(cè)面，即在圖lc中表示為片的下端處的側(cè)面然后被拋光。然后，將光電檢測器，例如光電二極管，安裝在閃爍陣列的底部側(cè)面或者GOS閃爍器層上。這樣，形成分節(jié)的單一閃爍檢測器?；蛘撸Q于單個像素的尺寸，單獨的光電檢測器可以安裝到每個單一的像素上，從而形成包含多個閃爍檢測器的檢測器陣列。如上面己經(jīng)提及的，可以調(diào)節(jié)退火條件以通過設(shè)定物理條件即溫度、時間和氧分壓至適當?shù)闹狄垣@得期望的涂層。這樣，可以獲得表面氧化的期望的厚度和本征密度，其直接影響其作為反射層的質(zhì)量。同時，在退火處理過程中消除了陶瓷片中的后處理氧缺失，這種消除實現(xiàn)了閃爍片的改善的余輝行為。在HUP方法中這樣的后處理氧缺失不可避免地形成?？捎糜诟鶕?jù)本發(fā)明的方法的示例性退火條件如下在二氧化碳流中，在1200'C溫度和在約0.1hPa的氧分壓下4小時；在20。C的溫度增濕的氮氣流中，在120(TC溫度，和在大約0.01hPa的氧分壓下4小時；在空氣流中，在1100'C溫度和約200hPa的氧分壓下4小時，其中，空氣流是具有大氣的組成的氣體，即基本上約80%的氮氣和20%的氧氣。在具有金剛砂導(dǎo)管的管式爐中進行退火處理，其中GOS片設(shè)置在金剛砂載體上。每分鐘5。C的加熱速度和冷卻速度施加到管式爐。在下面示出實驗結(jié)果。進行測試測量以便確定余輝、光輸出和反射涂布特性，它們是閃爍檢測器的關(guān)鍵指標，應(yīng)當最優(yōu)化。測試是在具有4毫米x4毫米大小的片上進行。示出在一次HUP方法中形成的兩個單片的示例性結(jié)果。根據(jù)下面的步驟已經(jīng)測量余輝和光輸出使用Hamamatsu光電倍增管和NationalInstruments的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，其中使用鉛屏屏蔽光電倍增器以防止直接輻射。用120kV/100mA，80厘米的Focus-to-Detector-Distance,以及使用具有吸收劑量(能流)為每秒18-20毫戈瑞的持續(xù)2秒的x射線脈沖測量余輝。在x射線脈沖已經(jīng)關(guān)掉后直接測量余輝。在下表中給出的余輝是以x射線脈沖已經(jīng)關(guān)掉后500毫秒的穩(wěn)定信號的百萬分之一(ppm)給出。在通過使用硅樹脂粘接到光電二極管(Hamamatsu)的4毫米x4毫米的像素上測量信號值，即光輸出。對于光輸出測量，使用120kV/20mA的x射線脈沖，80厘米的Focus-to-Detector-Distance，曝光時間為5秒。x射線曝光導(dǎo)致光電流(信號值)，在穩(wěn)態(tài)條件下在5s曝光時間結(jié)束后用Keithley靜電計測量。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在表中示出的結(jié)果表明在實驗誤差內(nèi)根據(jù)本發(fā)明的實施方式制備的內(nèi)在涂層與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制備的外部反射體之間不存在明顯的差異。通常，與沒有使用反射涂層的情況相比，反射涂層實現(xiàn)光輸出增加約20%數(shù)量級。此外，該結(jié)果證明可以形成在0.5s后具有遠低于20ppm的余輝的陶瓷，即閃爍元件，其是確保閃爍元件可以用作計算機X射線層析照相裝置中的檢測器而不引入余輝假相到CT圖像中的基本前提。根據(jù)本發(fā)明的一方面，通過氧化閃爍元件本身的材料形成閃爍元件的反射層可以提供有效的閃爍元件、閃爍陣列及其簡單而不復(fù)雜的制備方法。閃爍元件和閃爍陣列可用于計算機X射線層析照相領(lǐng)域中。應(yīng)當注意到，術(shù)語"包含"并非排除其它的元件或步驟，泛指的情況可以包括復(fù)數(shù)的量。再者，可以組合不同實施方式相關(guān)的所述元件。同樣應(yīng)當注意到，權(quán)利要求中的附圖標標記不應(yīng)該解釋為限制權(quán)利要求的范圍。權(quán)利要求1.閃爍元件，其包含閃爍材料和反射層，其中所述反射層以所述閃爍材料的內(nèi)在部分形成。2.如權(quán)利要求1所述的閃爍元件，其中，所述閃爍材料包含Gd202S。3.如權(quán)利要求2所述的閃爍元件，其中，所述閃爍材料還包含鐠和/或鈰和/或其它稀土元素例如Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho。4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的閃爍元件，其中，所述反射層通過對所述閃爍材料的氧化處理形成。5.閃爍陣列，其包含多個如權(quán)利要求l-4任一項所述的閃爍元件。6.如權(quán)利要求5所述的閃爍陣列，其還包含至少一個光電檢測器，其中所述至少一個光電檢測器耦合至所述多個閃爍元件的至少一個；和其中所述至少一個光電檢測器適于檢測由所述多個閃爍元^^的至少一個發(fā)出的光。7.閃爍元件的制備方法，其包括提供閃爍材料；和通過將所述閃爍材料暴露于物理和/或化學(xué)條件以使得反射層由所述閃爍材料的一部分形成而在所述閃爍材料上形成反射層。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述反射層的形成包括氧化所述閃爍材料的表面部分。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述反射層的形成包括將所述閃爍材料暴露于具有10000百帕斯卡和0.001百帕斯卡之間的氧分壓和800。C和140(TC之間的高溫氣氛中。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述高溫是在IOOO'C和1300°C之間；所述氧分壓是在1000百帕斯卡和0.01百帕斯卡之間。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述反射層的形成包括將所述閃爍材料暴露于二氧化碳流；升高溫度至大約1200'C;并提供約O.l百帕斯卡的氧分壓。12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述反射層的形成包括將所述閃爍材料暴露于在20'C增濕的氮氣流；升高溫度至大約120(TC;并提供約0.01百帕斯卡的氧分壓。13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述反射層的形成包括將所述閃爍材料暴露于空氣流；升高溫度至大約1100'C;并提供約200百帕斯卡的氧分壓。14.如權(quán)利要求9-13任一項所述的方法，其還包括以每分鐘5"C的步長升高溫度至所述高溫。15.如權(quán)利要求9-14任一項所述的方法，其還包括在形成所述反射層后降低溫度。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述溫度的降低以每分鐘5°C的步長完成。17.閃爍陣列的制備方法，其包括提供包含閃爍材料的原料陶瓷片；通過在所述原料陶瓷片的頂部表面中形成溝槽而構(gòu)造所述原料陶瓷片；和通過將所述構(gòu)造的陶瓷片的閃爍材料暴露于物理條件以使得由所述閃爍材料的一部分形成反射層而在所述構(gòu)造的陶瓷片上形成反射層。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述原料陶瓷片的制備包括提供Gd202S粉末；和使所述Gd202S粉末經(jīng)受熱單軸壓制過程。19.如權(quán)利要求17或18所述的方法，其還包括將所述原料陶瓷片切割為具有預(yù)定厚度的陶瓷片；和拋光所述切割的陶瓷片。20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，進行所述溝槽的形成以使得所述溝槽具有的深度小于所述切割的陶瓷片的厚度。21.如權(quán)利要求17-20任一項所述的方法，其中，進行所述反射層的形成以使得所述溝槽完全被所述反射層填充。22.如權(quán)利要求17-21任一項所述的方法，其還包括在形成所述反射層后從所述原料陶瓷片的底部側(cè)移除所述構(gòu)造的陶瓷片的一層。23.如權(quán)利要求22所述的方法，其還包括拋光所述構(gòu)造的陶瓷片的底部側(cè)；和在所述拋光的底部側(cè)上設(shè)置至少一個光電二極管。24.如權(quán)利要求5或6所述的閃爍陣列的用途，其用于計算機X射線層析照相系統(tǒng)中。全文摘要本發(fā)明提供一種閃爍元件，其包含閃爍材料和反射層，其中所述反射層以所述閃爍材料的內(nèi)在部分形成。優(yōu)選地，可設(shè)置多個閃爍元件以形成閃爍陣列。本發(fā)明還提供閃爍元件的制備方法，其包括提供閃爍材料，通過將所述閃爍材料暴露于物理和/或化學(xué)條件下以使得由所述閃爍材料的一部分形成反射層而在閃爍材料上形成反射層。文檔編號G01T1/20GK101371163SQ200780002434公開日2009年2月18日申請日期2007年1月8日優(yōu)先權(quán)日2006年1月16日發(fā)明者C·R·龍達,G·蔡特勒,H·施賴訥馬赫爾,N·康拉茨申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司