專利名稱：：多x射線發(fā)生器以及多x射線攝影設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于使用X射線源的醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域中的非破壞性X射線攝影、診斷等的多X射線發(fā)生器(multiX-raygenerator)。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)上，X射線管使用熱電子源作為電子源，并且通過經(jīng)由韋內(nèi)電極(Wehneltelectrode)、引出電極、加速電極以及透鏡電極加速從加熱到高溫的細(xì)絲(filament)發(fā)射的熱電子來獲得高能電子束。在使電子束成形為所需的形狀后，X射線管通過用電子束照射由金屬制成的X射線靶部產(chǎn)生X射線。近年來，冷陰極電子源已被發(fā)展為取代該熱電子源的電子源，并且作為平板顯示(FPD)應(yīng)用而被廣泛研究。作為典型的冷陰極，Spindt型電子源是已知的，其通過在幾十nm的針的尖端施加高電場而引出電子。還可獲得以碳納米管(CNT)為材料的電子發(fā)射器以及通過在玻璃基板表面上形成納米級(jí)(nanometer-order)細(xì)結(jié)構(gòu)而發(fā)射電子的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子源。作為這些電子源的應(yīng)用，專利文獻(xiàn)1和2提出通過用Spindt型電子源或者碳納米管型電子源形成單個(gè)電子束而引出X射線的技術(shù)。專利文獻(xiàn)3和非專利文獻(xiàn)1公開了通過使用來自利用多個(gè)這些冷陰極電子源的多電子源的電子束照射X射線靶部而產(chǎn)生X射線的技術(shù)。專利文獻(xiàn)l:日本特開平9-180894號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:曰本特開2004—329784號(hào)/^才艮專利文獻(xiàn)3:日本特開平8-264139號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)l:AppliedPhysicsLetters86,184104(2005)，J.Zhang"StationaryScanningX-raysourcebasedoncarbonnanotubefieldemitters，，("基于碳纟內(nèi)米管場發(fā)射器的固定掃描X射線源")
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題圖14是示出使用多電子束的傳統(tǒng)X射線產(chǎn)生方案的配置的圖。在真空室l中，包括多電子發(fā)射元件的多個(gè)電子源產(chǎn)生電子束e,電子束e撞擊靶部2以產(chǎn)生X射線。所產(chǎn)生的X射線被直接引出到大氣中。然而，從耙部2產(chǎn)生的X射線在真空中在各個(gè)方向上發(fā)散。因?yàn)檫@個(gè)原因，難以通過利用從設(shè)置在大氣側(cè)的X射線遮蔽板3的X射線引出窗口4輸出的X射線形成獨(dú)立的X射線束x,因?yàn)閺泥徑腦射線源發(fā)射的X射線透過相同的X射線引出窗口4。另外，如圖15所示，當(dāng)通過在真空室1的壁部5的大氣側(cè)設(shè)置一個(gè)X射線遮蔽板6來將X射線從X射線引出窗口4引出到大氣側(cè)時(shí)，發(fā)散的X射線xl的不撞擊被檢體P的許多泄漏X射線x2被輸出。此外，因?yàn)槭褂冒ㄅc傳統(tǒng)的單個(gè)X射線源不同的多電子發(fā)射元件的多個(gè)電子源，難以形成具有一致的強(qiáng)度的多X射線束。本發(fā)明的目的在于提供能夠解決上述問題并且形成具有極少分散X射線以及極好的一致性的多X射線束的緊湊多X射線發(fā)生器，以及提供使用該發(fā)生器的X射線攝影設(shè)備。解決問題的方法為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的多X射線發(fā)生器的技術(shù)特征在于，其包括多個(gè)電子發(fā)射元件、用于加速從多個(gè)電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束的加速部件以及用電子束照射的靶部，其中，對(duì)應(yīng)于電子束設(shè)置靶部，靶部包括X射線屏蔽部件，并且從靶部產(chǎn)生的X射線作為多X射線束被引出到大氣中。本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的多x射線發(fā)生器，使用多個(gè)電子發(fā)射元件的x射線源能夠形成發(fā)散角受控的、具有極少散亂和泄漏X射線的多x射線束。使用多x射線束能夠?qū)崿F(xiàn)具有極好的射線束一致性的緊湊x射線攝影設(shè)備。從以下結(jié)合附圖所作的說明中，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯。結(jié)合在說明書部分中并構(gòu)成說明書一部分的附解了本發(fā)明的實(shí)施例，并且附圖與說明一起用來解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的多X射線源主體的配置的圖；圖2是元件基板的平面圖；圖3是示出Spindt型元件的配置的圖；圖4是示出碳納米管型元件的配置的圖；圖5是示出表面?zhèn)鲗?dǎo)型元件的配置的圖；圖6是示出多電子發(fā)射元件的電壓-電流特性的圖；圖7是示出具有X射線遮蔽板的多透過型靶部的配置的圖；圖8是示出透過型靶部的配置的圖；圖9是示出具有X射線遮蔽板的多透過型靶部的配置的圖；圖IO是示出具有X射線/反射電子束遮蔽板的透過型靶部的配置的圖；圖ll是示出設(shè)置有錐狀X射線引出部的X射線遮蔽板的配置的圖12是根據(jù)第二實(shí)施例的包括反射型靶部的多X射線源主體的透視圖13是示出根據(jù)第三實(shí)施例的多X射線攝影設(shè)備的配置的圖14是示出傳統(tǒng)的多X射線源的配置的圖；圖15是示出傳統(tǒng)的多X射線源的圖。具體實(shí)施例方式將基于圖l至圖13所示的實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明。[第一實(shí)施例]圖l是示出多X射線源主體10的配置的圖。在真空室ll中配置電子束產(chǎn)生單元12和陽極20。電子束產(chǎn)生單元12包括元件基板14和元件陣列16，該元件陣列16具有多個(gè)排列在元件基板上的電子發(fā)射元件15。驅(qū)動(dòng)信號(hào)單元17控制電子發(fā)射元件15的驅(qū)動(dòng)。設(shè)置固定到絕緣構(gòu)件18的透鏡電極19以控制從電子發(fā)射元件15發(fā)射的電子束e。高電壓經(jīng)由高電壓導(dǎo)入部21和22被施加到電極19和20上。發(fā)射出的電子束e撞擊的透過型靶部13離散地形成在陽極20上以面對(duì)電子束e。透過型靶部13還設(shè)置有重金屬制成的X射線遮蔽板23。該真空室中的X射線遮蔽板23具有X射線引出部24。真空室11的壁部25在X射線引出部的前方位置處設(shè)置有X射線引出窗口27，該X射線引出窗口27具有X射線透過膜26。從電子發(fā)射元件15發(fā)射的電子束e受到透鏡電極19的透鏡作用，并且由陽極20的部分透過型耙部1被加速到最終電位。由透過型靶部13產(chǎn)生的X射線束x通過X射線引出部24并且經(jīng)由X射線引出窗口27被引出到大氣中。對(duì)應(yīng)于來自多個(gè)電子發(fā)束e產(chǎn)生多個(gè)X射線束x。從X射線引出部24引出的多個(gè)X射線束x形成多X射線束。如圖2所示，電子發(fā)射元件15被二維地排列在元件陣列16上。隨著在納米技術(shù)中的最新進(jìn)步，可以通過器件工藝(deviceprocess)在預(yù)定位置形成nm尺寸的孩i細(xì)結(jié)構(gòu)。通過這種納米技術(shù)來制造電子發(fā)射元件15。經(jīng)由驅(qū)動(dòng)信號(hào)單元17通過驅(qū)動(dòng)信號(hào)S1和S2(后述)單獨(dú)地控制電子發(fā)射元件15的電子發(fā)射量。也就是，通過利用驅(qū)動(dòng)信號(hào)S1和S2作為矩陣信號(hào)分別控制元件陣列16上的電子發(fā)射元件15的電子發(fā)射量，從而可以分別開/關(guān)控制x射線束。圖3是示出Spindt型電子發(fā)射元件15的配置的圖。在由硅制成的元件基板31上設(shè)置絕緣構(gòu)件32和引出電極33。通過使用器件制造工藝，在電極中央的pim尺寸的槽中形成圓錐狀發(fā)射器34,每個(gè)發(fā)射器34均由金屬或者半導(dǎo)體材料制成并且具有幾十nm的尖端直徑。圖4是示出碳納米管(carbonnanotube)型電子發(fā)射元件15的配置的圖。關(guān)于用于發(fā)射器35的材料，使用包括具有幾十nm的微細(xì)結(jié)構(gòu)的碳納米管。發(fā)射器35形成在引出電極36的中央。當(dāng)幾十到幾百V的電壓被施加到Spindt型元件和碳納米管型元件的引出電極33和36上時(shí)，高電場施加到發(fā)射器34和35的尖端,從而通過場發(fā)射現(xiàn)象(fieldemissionphenomenon)發(fā)射電子束e。圖5是示出表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件15的配置的圖。包括納米粒子的微細(xì)結(jié)構(gòu)形成為位于薄膜電極37中的間隙中的發(fā)射器38,該薄膜電極37形成在玻璃元件基板31上。當(dāng)在這種表面?zhèn)鲗?dǎo)型元件的電極之間施加十幾V的電壓時(shí)，高電場施加到由電極之間的微粒子形成的微間隙。這產(chǎn)生傳導(dǎo)電子。同時(shí)，在真空中發(fā)射電子束e,并且可以用相對(duì)低的電壓控制電子發(fā)射。圖6示出Spindt型元件、碳納米管型元件和表面?zhèn)鲗?dǎo)型元件的電壓-電流特性。為了獲得恒定的發(fā)射電流，將通過用修正電壓AV修正平均驅(qū)動(dòng)電壓Vo而獲得的電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓施加到電子發(fā)射元件15上。這能夠修正電子發(fā)射元件15的發(fā)射電流的差異(variation)。作為用于產(chǎn)生多X射線束的電子源，除了上面的電子發(fā)射元件外，還可以使用MIM(金屬絕緣體金屬)型元件和MIS(金屬絕緣體半導(dǎo)體)型元件。另外，可以使用諸如半導(dǎo)體PN結(jié)型電子源和肖特基結(jié)型電子源等冷陰極型電子源。器通過在室溫將低電壓施加到電子發(fā)射元件來發(fā)射電子而不需加熱陰極。因此，這種發(fā)生器不需要用于X射線產(chǎn)生的等待時(shí)間。另外，由于不需要用于加熱陰極的電力，即使使用多X射線源也能制造低電力消耗的X射線源。由于通過使用驅(qū)動(dòng)電壓的高速驅(qū)動(dòng)操作能夠開/關(guān)控制這些電子發(fā)射元件的電流，因此可以制造多陣列(multiarray)型X射線源，該X射線源選擇待驅(qū)動(dòng)的電子發(fā)射元件并且執(zhí)行高速響應(yīng)操作。圖7至圖ll是用于說明形成X射線束x的方法的圖。圖7示出多透過型靶部13的實(shí)例。與電子發(fā)射元件15對(duì)應(yīng)的透過型靶部13并排布置在真空室11中。為了形成多X射線束x,有必要從真空室11中分別地引出通過利用一個(gè)電子束e照射透過型靶部13產(chǎn)生的X射線和通過鄰近的電子束e產(chǎn)生的X射線束x,而不混合它們。因?yàn)檫@個(gè)原因，真空室中的X射線遮蔽板23和多透過型靶部13被結(jié)合成一體結(jié)構(gòu)。設(shè)置在X射線遮蔽板23中的X射線引出部24被布置在與電子束e對(duì)應(yīng)的位置，以從透過型靶部13引出X射線束x,其中，每個(gè)X射線束x具有必要的發(fā)散角(divergenceangle)。由于由金屬薄膜形成的透過型靶部13通常具有低散熱性，因此難以施加大電力。然而，本實(shí)施例中的透過型耙部13除了用電子束e照射時(shí)引出X射線束x的區(qū)域以外的區(qū)域，由厚X射線遮蔽板23覆蓋，并且透過型靶部13和X射線遮蔽板23彼此機(jī)械和熱接觸。因?yàn)檫@個(gè)原因，X射線遮蔽板23具有通過熱傳導(dǎo)散發(fā)由透過型耙部13產(chǎn)生的熱量的功能。這使得能夠形成多個(gè)透過型靶部13的陣列，該透過型靶部13可被施加比施加到傳統(tǒng)的透過型靶部的電力大的多的電力。另外，使用厚X射線遮蔽板23能夠提高表面精度因此能夠制造具有一致的X射線發(fā)射特性的多X射線源。如圖8所示，透過型靶部13包括X射線產(chǎn)生層131和X射線產(chǎn)生支持層132,并且透過型靶部13具有高X射線產(chǎn)生效率的卓越功能。X射線遮蔽板23設(shè)置在X射線產(chǎn)生支持層132上。X射線產(chǎn)生層131由膜厚度大約為幾十nm到幾u(yù)m的重金屬制成，以在X射線束x透過透過型靶部13時(shí)降低對(duì)X射線的吸收。X射線產(chǎn)生支持層132使用由輕元素制成的基板來支持X射線產(chǎn)生層131的薄膜層，并且通過提高由電子束e的施加加熱的X射線產(chǎn)生層131的冷卻效率來降低由對(duì)X射線束x的吸收引起的強(qiáng)度衰減。通常認(rèn)為，對(duì)于傳統(tǒng)的X射線產(chǎn)生支持層132,金屬鈹作為基板材料是有效的。然而，在本實(shí)施例中，使用厚度為大約O.lmm至幾mm的Al、A1N或SiC膜或者它們的組合。這是因?yàn)檫@種材料具有高的熱傳導(dǎo)性和卓越的X射線透過特性，有效地吸收X射線束X中的在低能量區(qū)域并且對(duì)X射線透過圖像的品質(zhì)的貢獻(xiàn)為50%以下的X射線束，并且這種材料具有改變X射線束X的線質(zhì)的過濾功能。參照?qǐng)D7，X射線束x的發(fā)散角由布置在真空室ll中的X射線引出部24的開口條件確定。在某些情況下，需要根據(jù)攝影條件調(diào)節(jié)X射線束x的發(fā)散角。參照?qǐng)D9，為了滿足這種要求，這種設(shè)備包括兩個(gè)遮蔽部件。也就是，除了真空室中的X射線遮蔽板23外，還在真空室11外部設(shè)置X射線遮蔽斧反41。由于可以容易地更換(replace)設(shè)置在大氣中的X射線遮蔽板41,因此可以根據(jù)用于被檢體的照射條件任意地選擇用于X射線束x的發(fā)散角。為了通過在真空室11中設(shè)置X射線遮蔽板23和在真空室11外部設(shè)置X射線遮蔽板41來防止來自鄰近X射線源的X射線束泄漏到外部，需要下列條件。也就是，需要將X射線遮蔽板23和41以及X射線引出部24設(shè)置成保持d〉2D'tana的關(guān)系，其中d是X射線束x之間的距離，D是透過型靶部13和X射線遮蔽板41之間的距離，而a是從X射線遮蔽板23射出的X射線束x的輻射角。當(dāng)高能電子束e撞擊透過型靶部13時(shí)，不僅反射電子而且X射線在反射方向上分散。這些X射線和電子束被認(rèn)為是從X射線源泄漏X射線和高電壓的微小放電的原因。圖10示出解決這種問題的對(duì)策。具有電子束入射孔42的X射線/反射電子束遮蔽板43設(shè)置在透過型靶部13的電子發(fā)射元件15側(cè)。從電子發(fā)射元件15發(fā)射的電子束e通過X射線/反射電子束遮蔽板43的電子束入射孔42并且撞擊透過型靶部13。利用這種結(jié)構(gòu)，X射線/反射電子束遮蔽板43能夠阻擋從透過型靶部13的表面在電子源側(cè)產(chǎn)生的X射線、反射電子以及二次電子。當(dāng)將通過用高能電子束e照射透過型靶部13形成X射線束x時(shí)，X射線束x的密度不受電子發(fā)射元件15的組裝密度(packingdensity)的限制。X射線束x的密度由X射線遮蔽板23和4l確定，該X射線遮蔽板23和41用于從由透過型靶部13產(chǎn)生的多X射線源引出分開的X射線束x。表l示出了重金屬(Ta、W牙口Pb)乂于能量為50kev、62kev和82kev的X射線束的遮蔽效果，假定當(dāng)用100kev電子束e照射透過型靶部13時(shí)產(chǎn)生X射線束x的能量。表l遮蔽材料厚度(單位cm,衰減率1/100)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>作為從透過型靶部13產(chǎn)生的X射線束x之間的遮蔽標(biāo)準(zhǔn)，1/100的衰減率是不影響X射線圖像的適當(dāng)值。顯然，對(duì)于要獲得這種衰減率的遮蔽板，需要厚度大約為5mm至10mm的重金屬板。當(dāng)將這種方案應(yīng)用到使用大約100kev的電子束e的多X射線源主體上時(shí)，設(shè)置圖11所示的X射線/反射電子束遮蔽板43和X射線遮蔽板23的厚度D1和D2為5mm至10mm是合適的。另外，使真空中的X射線遮蔽板23的X射線引出部24形成為錐形窗口可以提高遮蔽效率。[第二實(shí)施例]圖12是示出第二實(shí)施例的配置的圖，其是包括反射型靶部13'的多X射線源主體ll'的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括在真空室IO，中的電子束產(chǎn)生單元12'和陽極20',該陽極20'包括反射型靶部13，和X射線/反射電子束遮蔽板43'，該X射線/反射電子束遮蔽板43，包括電子束入射孔42，和X射線引出部24'。在電子束產(chǎn)生單元12，中，從電子發(fā)射元件15發(fā)射的電子束e通過透鏡電極并且被加速到高能量。一皮加速的電子束e通過X射線/反射電子束遮蔽板43，的電子束入射孔42'，并且被施加到反射型耙部13，上。由反射型靶部13，產(chǎn)生的X射線被從X射線/反射電子束遮蔽板43'的X射線引出部24'作為X射線x引出。多個(gè)X射線束x形成多X射線束。X射線/反射電子束遮蔽板43'能夠大幅地抑制引起高電壓放電的反射電子的散亂。在圖9所示的配置中，利用真空室ll中的X射線遮蔽板23和真空室ll外部的X射線遮蔽板41調(diào)節(jié)X射線束x的輻射角，在圖12所示的配置中，可以利用真空室11外部的X射線遮蔽板41調(diào)節(jié)X射線束x的輻射角。第二實(shí)施例已經(jīng)示例了將本發(fā)明應(yīng)用到具有平面結(jié)構(gòu)的反射型革巴部13，的應(yīng)用。然而，本發(fā)明還可以應(yīng)用到電子束產(chǎn)生單元12'、陽極20'和反射型靶部13'被設(shè)置成圓弧狀的多X射線源主體中。例如，將反射型靶部13，設(shè)置成以被檢體為中心的圓弧狀，并且設(shè)置X射線遮蔽板23和41,能夠極大地降低圖15中所示的現(xiàn)有技術(shù)中的泄漏X射線x2的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意，這種配置還能以相同的方式應(yīng)用到透過型靶部13上。如上所述，第二實(shí)施例能夠從通過利用電子束e照射反射型靶部13，產(chǎn)生的X射線中以非常少的X射線散亂或者X射線泄漏引出具有高S/N比的獨(dú)立的X射線束x。因此，使用這種X射線束x能夠以高對(duì)比度和高圖像品質(zhì)進(jìn)行X射線攝影。[第三實(shí)施例]圖13是示出多X射線攝影設(shè)備的配置的圖。這種攝影設(shè)備具有包括透過型X射線檢測器51的多X射線強(qiáng)度測量單元52,該檢測器51被安置在圖l所示的多X射線源主體10的前方。這種設(shè)備還具有經(jīng)由被檢體(未示出)安置的X射線檢測器53。多X射線強(qiáng)度測量單元52和X射線檢測器53分別經(jīng)由X射線檢測信號(hào)處理單元54和55連接到控制單元56。另外，控制單元56的輸出經(jīng)由電子發(fā)射元件驅(qū)動(dòng)電路57連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)單元17上。控制單元56的輸出經(jīng)由高電壓控制單元58和59分別連接到透鏡電才及19和P日才及20的高電壓導(dǎo)入部21和22。與第一實(shí)施例中相同，多X射線源主體10通過利用從電子束產(chǎn)生單元12引出的多個(gè)電子束e照射透過型靶部13來產(chǎn)生多個(gè)X射線束x。多個(gè)所產(chǎn)生的X射線束x經(jīng)由設(shè)置在壁部25中的X射線引出窗口27被作為多X射線束為朝向大氣中的多X射線強(qiáng)度測量單元52引出。多X射線束(多個(gè)X射線束x)在透過多X射線強(qiáng)度測量單元52的透過型X射線檢測器51之后撞擊在被檢體上。X射線檢測器53檢測透過被檢體的多X射線束，從而獲得被檢體的X射線透過圖像。在排列在元件陣列16上的電子發(fā)射元件15中，電子發(fā)射元件15之間發(fā)生電流-電壓特征的微小變化。發(fā)射電流的變化引起多X射線束強(qiáng)度分布的變化，導(dǎo)致在X射線攝影時(shí)對(duì)比度的不一致性。因此，有必要使電子發(fā)射元件15中的發(fā)射電流一致。多X射線強(qiáng)度測量單元52的透過型X射線檢測器51是使用半導(dǎo)體的檢測器。透過型X射線檢測器51吸收部分多X射線束并將它們轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。然后轉(zhuǎn)換控制電路54將獲得的電信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)?？刂茊卧?6將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)為多個(gè)X射線束x的強(qiáng)度數(shù)據(jù)?？刂茊卧?6存儲(chǔ)用于電子發(fā)射元件15的修正數(shù)據(jù)，該修正數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于圖6中的電子發(fā)射元件15的電壓-電流特性，并且控制單元56通過比較修正數(shù)據(jù)與多X射線束的檢測強(qiáng)度數(shù)據(jù)來確定用于電子發(fā)射元件15的修正電壓的設(shè)定值。用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)S1和S2通過由電子發(fā)射元件驅(qū)動(dòng)電路57控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)單元17獲得。這樣可以一致化電子發(fā)射元件15中的發(fā)射電流和一致化多X射線束中的X射線束x的強(qiáng)度。使用透過型X射線檢測器51的X射線強(qiáng)度修正方法可以與被檢體無關(guān)地檢測X射線強(qiáng)度，因此能夠在X射線攝影期間實(shí)時(shí)修正X射線束x的強(qiáng)度。不同于上述修正方法，還可以通過利用用于攝影的X射線檢測器53來修正多X射線束的強(qiáng)度。X射線檢測器53使用例如CCD固體攝影器件或者使用非晶硅法攝影器件等二維型X射線檢測器，并且能夠測量各X射線束的強(qiáng)度分布。為了利用X射線檢測器53修正X射線束x的強(qiáng)度，通過驅(qū)動(dòng)單個(gè)電子發(fā)射元件15來引出電子束e同時(shí)利用X射線檢測器53檢測產(chǎn)生的X射線束x的強(qiáng)度就夠了。在這種情況下，在使用于多X射線束的各X射線束的產(chǎn)生信號(hào)與來自用于攝影的X射線檢測器53的檢測信號(hào)同步時(shí)，通過執(zhí)行測量可以有效地測量多X射線束的強(qiáng)度分布。這種檢測信號(hào)由X射線檢測信號(hào)處理單元55轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。然后該數(shù)字信號(hào)被存儲(chǔ)在控制單元56中。對(duì)于所有電子發(fā)射元件15都執(zhí)行這種操作。然后，得到的數(shù)據(jù)作為所有多X射線束的強(qiáng)度分布被存儲(chǔ)在控制單元56中。同時(shí)，利用多X射線束強(qiáng)度分布的部分或者積分值確定用于電子發(fā)射元件15的驅(qū)動(dòng)電壓的修正值。在對(duì)被檢體X射線攝影時(shí)，多電子發(fā)射元件驅(qū)動(dòng)電路57根校正執(zhí)行這一系列操作能夠一致化X射線束X的強(qiáng)度。以上說明已經(jīng)舉例說明了單獨(dú)驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射元件15以測量X射線強(qiáng)度的情況。然而，可以通過使用X射線束x同時(shí)照射X射線檢測器53上的多個(gè)部分來加速測量，其中，所施加的X射線束x在X射線檢測器53上的上述多個(gè)部分不重疊。另外，這個(gè)修正方法具有每個(gè)X射線束x的強(qiáng)度分布的數(shù)據(jù)，因此可以;陂用來》務(wù)正X射線束x中的不一致性。本實(shí)施例的使用多X射線源主體10的X射線攝影設(shè)備通過以上述方式配置X射線束x能夠?qū)嵤┚哂斜粰z體尺寸的平面X射線源，因此，通過將多X射線源主體10靠近X射線檢測器53安置能夠減小設(shè)備尺寸。另外，如上所述，對(duì)于X射線束x,通過設(shè)計(jì)用于電子發(fā)射元件驅(qū)動(dòng)電路57的驅(qū)動(dòng)條件和待驅(qū)動(dòng)的元件區(qū)域可以任意地選擇X射線照射強(qiáng)度和照射區(qū)域。另外，多X射線攝影設(shè)備能夠通過改變圖9所示的設(shè)置在真空室ll外部的X射線遮蔽板41來選擇X射線束x的輻射角。因此，根據(jù)例如多X射線源主體10和被4全體之間的距離以及分辨率等攝影條件可以獲得最佳X射線束x。本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變化和修改。因此，為告知公眾本發(fā)明的范圍撰寫了所附的權(quán)利要求。本申i會(huì)要求2006年3月3曰遞交的申i貪號(hào)為2006—057846的日本專利申請(qǐng)以及2007年3月1日遞交的申請(qǐng)?zhí)枮?007-050942的日本專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該兩份申請(qǐng)的全部內(nèi)容引用于此。權(quán)利要求1.一種多X射線發(fā)生器，其特征在于，包括多個(gè)電子發(fā)射元件、用于加速從所述多個(gè)電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束的加速部件以及用所述電子束照射的靶部，其中，對(duì)應(yīng)于所述電子束設(shè)置所述靶部，所述靶部包括X射線屏蔽部件，并且從所述靶部產(chǎn)生的X射線作為多X射線束被引出到大氣中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，元件進(jìn)行電壓控制，以允許對(duì)形成所述多X射線束的每個(gè)X射線束進(jìn)行開/關(guān)控制。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述X射線遮蔽部件包括兩個(gè)遮蔽部件，該兩個(gè)遮蔽部件中的一個(gè)被構(gòu)造成在大氣中可更換。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述耙部包括的所述X射線遮蔽部件具有散失所述靶部中產(chǎn)生的熱量的功能。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，用于抑止散亂X射線和反射電子束的另一個(gè)遮蔽部件被安裝到所述耙部上，并且所述另一個(gè)遮蔽部件包括用于電子束的入射孔。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述耙部和所述兩個(gè)遮蔽部件被布置成以將安置被檢體的位置為中心的圓弧狀。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述把部包括透過型靶部。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述透過型靶部包括X射線產(chǎn)生層和X射線產(chǎn)生支持層，所述X射線產(chǎn)生層包括重金屬并且所述X射線支持層包括具有良好X射線透過特性的輕元素。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述X射線產(chǎn)生支持層具有改變從所述X射線產(chǎn)生層產(chǎn)生的X射線的線質(zhì)的過濾功能，并且所述X射線產(chǎn)生支持層包括具有高熱傳導(dǎo)性的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述X射線產(chǎn)生支持層使用包括Al、AlN和SiC之一或者它們的組合的基板。11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，所述靶部包括反射型靶部。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，多X射線束之間的距離d具有d>2D'tana的關(guān)系，其中，D是從所述靶部到用于將所述多X射線束引出到大氣中的引出部的距離，a是X射線束從所述X射線遮蔽部件的輻射角。13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，基于修正數(shù)據(jù)由用于多電子發(fā)射元件的驅(qū)動(dòng)電壓來控制所述多X射線束的強(qiáng)度。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，通過利用與所述多X射線束對(duì)應(yīng)的透過型多X射線強(qiáng)度測量單元的測量來獲得所述修正數(shù)據(jù)。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多X射線發(fā)生器，其特征在于，通過使用于所述多X射線束中的每個(gè)的產(chǎn)生信號(hào)和來自用于攝影的X射線檢測器的檢測信號(hào)同步時(shí)的測量來獲得所述修正數(shù)據(jù)。16.—種多X射線攝影設(shè)備，其使用權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所限定的X射線發(fā)生器，其特征在于，檢測、攝影以及診斷通過用所述多X射線束照射被檢體而獲得的X射線束的X射線透過圖像。全文摘要一種多X射線發(fā)生器，用于使用X射線源的醫(yī)療設(shè)備或工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域中的非破壞性X射線攝影、診斷等。從多電子束產(chǎn)生單元(12)中的電子發(fā)射元件(15)發(fā)射的電子束(e)受到透鏡電極(19)的透鏡作用。所得到的電子束(e)由陽極(20)的部分的透過型靶部(13)加速到最終電位。由透過型靶部(13)產(chǎn)生的多X射線束(x)通過真空室中的X射線遮蔽板(23)和X射線引出部(24)，并且從壁部(25)的X射線引出窗口(27)被引出到大氣中。緊湊的設(shè)備能夠形成具有良好控制性的多X射線束。文檔編號(hào)G01T1/24GK101395691SQ200780007029公開日2009年3月25日申請(qǐng)日期2007年3月2日優(yōu)先權(quán)日2006年3月3日發(fā)明者塚本健夫,奧貫昌彥,辻井修申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社