專利名稱：一種用于Pseudo-MOS表征的測試臺及其測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體領域制造測試領域，具體地是一種用于半導體 薄膜材料電學性能表征的Pseudo-M0S測試臺及其測試方法。
技術背景隨著微電子技術的迅猛發(fā)展，高性能、高集成度、多功能IC的 研發(fā)對材料的要求越來越苛刻，新型半導體薄膜材料(如SOI、 GeOI、 SiGeOI、 sSOI、 GaN薄膜等)是下一代集成電路重要基礎材料 [http:〃www. etime. net. cn/pages/jsyy. asp]，能夠滿足微電子禾斗技 發(fā)展的要求。目前，發(fā)展新技術、降低新型半導體薄膜材料的成本、 發(fā)展半導體薄膜材料、研制半導體薄膜材料的新結構、提高電路集成 度、降低功耗等是現(xiàn)代半導體技術的主要發(fā)展趨勢[Yoshiki Kamata， High-k/Ge M0SFETs for future nanoelectronics, Materials today, 11(1)， 2008， pp30-38]。而電學性能與檢測是半導體薄膜材 料研發(fā)及生產(chǎn)應用的關鍵參數(shù)，是半導體薄膜技術發(fā)展應用的必要條 件，也是制備性能優(yōu)越的超大規(guī)模集成電路和系統(tǒng)的前提條件。對以SOI (絕緣體上硅)材料為代表的半導體薄膜材料，常規(guī)的 電學測試一般采用C-V或M0S器件方法。采用這些常規(guī)測試方法，很 難精確評估以SOI為代表的半導體薄膜材料上下界面及頂層硅膜的 電學特性[5-9];對于M0S器件方法，制作器件的工藝流程復雜、測試 周期長，這延長了S0I材料的研發(fā)周期，不能適應微電子技術的迅速 發(fā)展。因此，迫切需要研發(fā)能精確快速表征SOI材料質量的新技術。國內外研究者對此展開了大量的研究，Cristoloveanu等人首先提出 Pseudo-MOS表征方法，用于表征厚度lum的SOI材料，并沒有給出 合適的表征測試系統(tǒng)，且對測試數(shù)據(jù)分析也存在嚴重的問題。 發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺及其 測試方法，結構簡單，使用方便，充分發(fā)揮Pseudo-MOS表征方法的 優(yōu)越性，測試的數(shù)據(jù)非常精確。本發(fā)明的目的是通過下述技術方案實現(xiàn)的 一種用于Pseudo-M0S 表征的測試臺，包括測試臺、測試臺架、固定配件、導電載物臺及測 試屏蔽盒，其特征在于還包括壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)，測試 臺上裝有導電載物臺及測試屏蔽盒，壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)采 用固定配件安裝在測試臺架上。所述的探針定位系統(tǒng)采用探針高度定位控制器控制探針在X、 Y、 Z方向移動，壓力控制系統(tǒng)主要由壓力控制器、數(shù)字顯示器、壓力傳 感器、探針接觸緩沖器及探針組成。所述的探針接觸緩沖器由兩根彈 簧組成。探針的材料采用具有良好電導率的金屬及金屬合金制成，如 Pt、 Au、鎢鈦合金、高速鋼、硬質合金鋼及其合金，以保證金屬與半 導體薄膜材料形成歐姆接觸。所述的屏蔽盒是一個對測試臺進行屏蔽的盒狀結構，屏蔽盒設有接地裝置，該屏蔽盒材料為金屬或金屬合金， 其可以是Fe、 Ni、 Cr、 Al、 Pb、 Sn等多種金屬合金，也可以是某種 金屬。所述的導電載物臺活動連接測試臺，導電載物臺的表面材料采 用良好導電性能的金屬制成，并與連接電極的屏蔽導線相連。該測試臺與精密半導體參數(shù)分析儀連接。該測試臺的測試方法是采用探針與半導體薄膜形成歐姆解除，壓 力傳感器控制探針與半導體薄膜之間的作用力，并能顯示出該作用力 的具體數(shù)值，作用于探針上的壓力作用系統(tǒng)與高彈性彈簧相連，便于 控制作用力，防止瞬間作用力過大。探針定位系統(tǒng)用于控制并確定探針的高度與XY方向坐標，便于對樣品進行測試。測試臺上載物臺上 表面是具有良好導電性能的金屬制備而成，且與屏蔽導線相連，便于 對載物臺施加電壓、電流。測試臺上配有屏蔽盒，屏蔽盒留有與探針 密切配合的孔，便于探針與樣品接觸。本發(fā)明的有益效果是該測試臺在樣品不接受外界光電干預的條 件下便可以對樣品施加相應的電流、電壓，從而對半導體薄膜樣品進 行電學性能測試，測試的數(shù)據(jù)非常精確，而且測試周期短。


圖1是本發(fā)明的測試臺的結構示意圖； 圖2是本發(fā)明的測試臺的測試結果圖。圖1中1是數(shù)字顯示儀，用于顯示兩根探針與樣品作用力數(shù)值， 該數(shù)值單位可為牛頓、克力、Pa等壓力單位；2是壓力傳感器；3是 兩根探針，該探針材料可為Fe、 Pt、 Ni、 Cr、 Ag等金屬，也可為金 屬合金，具有良好的導電率，并確保與半導體材料可形成歐姆接觸； 4是探針高度定位控制器，該配件與測試臺架相連，并由鏍絲控制， 可沿5 (臺架)上下移動，并由刻度指示高度位置；5是測試臺架， 用于探針、傳感器等其他配件的定位與固定；6是測試臺，含樣品夾具；7是測試屏蔽盒；8是屏蔽導線，用于連結外界電壓；9是導電 載物臺；IO是壓力控制器；ll是固定配件，Vl、 V2、 V3是外界電壓。 具體實施例本發(fā)明包括一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺及其測試方法。 其中兩根探針為Hg探針，探針尖半徑為0.1um，測試材料為頂層硅 為50nm的S0I材料，Hg可與Si薄膜形成歐姆解除，壓力傳感器控 制探針與半導體薄膜之間的作用力，并能顯示出該作用力的具體數(shù) 值，作用于探針上的壓力作用系統(tǒng)與高彈性彈簧相連，便于控制作用 力，防止瞬間作用力過大。探針定位系統(tǒng)用于控制并確定探針的高度 與XY方向坐標，便于對樣品進行測試。測試臺上載物臺上表面是具 有良好導電性能的金屬制備而成，且與屏蔽導線相連，便于對載物臺 施加電壓、電流。測試臺上配有屏蔽盒，屏蔽盒留有與探針密切配合 的孔，便于探針與樣品接觸。因此，該測試臺系統(tǒng)可實現(xiàn)如下功能， 即在樣品不接受外界光電干預的條件下，對樣品施加相應的電流、電 壓，從而對半導體薄膜樣品進行電學性能測試。測試結果如圖2所示。
權利要求
1. 一種用于Pseudo-MOS表征的測試臺，包括測試臺、測試臺架、固定配件、導電載物臺及測試屏蔽盒，其特征在于還包括壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)，測試臺上裝有導電載物臺及測試屏蔽盒，壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)采用固定配件安裝在測試臺架上。
2. 根據(jù)權利1所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于所述的探針定位系統(tǒng)采用探針高度定位控制器控制探針在X、 Y、 Z方向移動，壓力控制系統(tǒng)主要由壓力控制器、數(shù)字顯示器、壓力傳 感器、探針接觸緩沖器及探針組成。
3. 根據(jù)權利2所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于所述的探針接觸緩沖器由兩根彈簧組成。
4. 根據(jù)權利2所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于探針的材料采用具有良好電導率的金屬及金屬合金制成。
5. 根據(jù)權利1所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于所述的屏蔽盒是一個對測試臺進行屏蔽的盒狀結構，屏蔽盒設有 接地裝置，該屏蔽盒材料為金屬或金屬合金。
6. 根據(jù)權利1所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于所述的導電載物臺活動連接測試臺，導電載物臺的表面材料采用 良好導電性能的金屬制成，并與連接電極的屏蔽導線相連。
7. 根據(jù)權利1所述的一種用于Pseudo-M0S表征的測試臺，其特征在 于該測試臺與精密半導體參數(shù)分析儀連接。
8. —種用于Pseudo-MOS表征的測試方法，包括測試臺、測試臺架、 固定配件、導電載物臺及測試屏蔽盒，其特征在于還包括壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)，探針與半導體薄膜形成歐姆解除，壓力傳感器 控制探針與半導體薄膜之間的作用力，并能通過數(shù)字顯示器顯示出該 作用力的具體數(shù)值，作用于探針上的壓力作用系統(tǒng)與高彈性彈簧相連控制作用力，探針定位系統(tǒng)用于控制并確定探針的高度與XY方向坐 標。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體領域制造測試領域，具體地是一種用于半導體薄膜材料電學性能表征的Pseudo-MOS測試臺及其測試方法，包括測試臺、測試臺架、固定配件、導電載物臺及測試屏蔽盒，其特征在于還包括壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)，測試臺上裝有導電載物臺及測試屏蔽盒，壓力控制系統(tǒng)、探針定位系統(tǒng)采用固定配件安裝在測試臺架上；本發(fā)明的有益效果是該測試臺在樣品不接受外界光電干預的條件下便可以對樣品施加相應的電流、電壓，從而對半導體薄膜樣品進行電學性能測試，測試的數(shù)據(jù)非常精確，而且測試周期短。
文檔編號G01R31/00GK101271137SQ20081003696
公開日2008年9月24日 申請日期2008年5月5日 優(yōu)先權日2008年5月5日
發(fā)明者于治水, 佳 何, 張恩霞, 曹陽根, 智 言, 晨 黃 申請人:上海工程技術大學