專利名稱：基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于機(jī)械工程的摩擦學(xué)技術(shù)研究領(lǐng)域，尤其屬于一種微動(dòng)摩擦磨損 試驗(yàn)方法及其試驗(yàn)裝置。
技術(shù)背景微動(dòng)(Fretting)是指在機(jī)械振動(dòng)、疲勞載荷、電磁振動(dòng)或熱循環(huán)等交變載 荷作用下，接觸表面間發(fā)生的振幅極小的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，這些接觸表面通常名義上 靜止，即微動(dòng)發(fā)生在"緊固"配合的機(jī)械部件中。微動(dòng)摩擦學(xué)是研究微動(dòng)運(yùn)行 機(jī)理、損傷、測(cè)試、監(jiān)控、預(yù)防的一個(gè)學(xué)科分支，它是一門日益發(fā)展的新興交 叉學(xué)科，涉及的學(xué)科廣泛，如機(jī)械學(xué)、材料學(xué)，甚至生物醫(yī)學(xué)、電工學(xué)等。微 動(dòng)是一種相對(duì)運(yùn)動(dòng)幅度4艮小的摩擦方式，其造成的材料損傷通常表現(xiàn)為兩種形 式，即(l)微動(dòng)導(dǎo)致的磨損微動(dòng)可以造成接觸面間的表面磨損，產(chǎn)生材料 損失和構(gòu)件尺寸變化，引起構(gòu)件咬合、松動(dòng)、功率損失、噪聲增加或形成污染 源。(2)微動(dòng)導(dǎo)致的疲勞微動(dòng)可以加速裂紋的萌生與擴(kuò)展，使構(gòu)件的疲勞壽 命大大降低，微動(dòng)疲勞極限甚至可低于普通疲勞極限的1/3。往往這種損傷形式 危險(xiǎn)性更大，造成一些災(zāi)難性的事故。在球-平面接觸條件下，微動(dòng)可以分為切向、徑向、扭動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)等四種基本 微動(dòng)模式。切向微動(dòng)與徑向微動(dòng)均為對(duì)磨副在法向載荷的作用下，在接觸面上 做小位移直線運(yùn)動(dòng)，不同之處在于切向微動(dòng)的法向載荷方向與其運(yùn)動(dòng)方向垂 直，徑向微動(dòng)法向載荷方向與運(yùn)動(dòng)方向一致。扭動(dòng)微動(dòng)與轉(zhuǎn)動(dòng)微動(dòng)均為對(duì)磨副 在法向載荷的作用下，在接觸面上做小角度的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，不同之處在于扭動(dòng) 微動(dòng)的旋轉(zhuǎn)軸與接觸面垂直；轉(zhuǎn)動(dòng)微動(dòng)的旋轉(zhuǎn)軸與接觸平面平行。轉(zhuǎn)動(dòng)微動(dòng)是在交變載荷作用下緊配合接觸副間發(fā)生微幅轉(zhuǎn)動(dòng)的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。 轉(zhuǎn)動(dòng)微動(dòng)現(xiàn)象大量存在于各種機(jī)械裝備和器械中，例如機(jī)車車輛的輪軸緊配合 面在機(jī)車服役過程中、飛機(jī)渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)中的渦輪葉片榫槽配合面在工作時(shí)發(fā)生 的摩擦磨損，各種軛軸機(jī)構(gòu)的緊配合面發(fā)生的摩擦磨損，人體植入器械中的髖 關(guān)節(jié)和膝關(guān)節(jié)杵臼狀接觸區(qū)內(nèi)發(fā)生的摩擦磨損等。轉(zhuǎn)動(dòng)微動(dòng)摩擦給工業(yè)生產(chǎn)、端壓下，力度以保證試樣與培養(yǎng)基之間無氣泡存在為宜，再次用食指輕輕壓緊，然后蓋好培 養(yǎng)器皿的器皿蓋，防止已滅菌的培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基染菌。將己加入試樣的培養(yǎng)皿放入恒溫培養(yǎng)箱中在指定溫度下腐蝕， 一般為20-4(TC為宜，按 實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)要求取樣，然后采用掃描電鏡觀察腐蝕形貌，采用XRD和XPS進(jìn)行腐蝕產(chǎn)物的測(cè) 定，取下的試樣也可以做成電極，完成電化學(xué)測(cè)試。本發(fā)明的技術(shù)效果是與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果1、 針對(duì)鎂合金耐蝕性差的特點(diǎn)，為研究鎂合金的微生物腐蝕行為而設(shè)計(jì)的腐蝕方法。2、 該方法是通過細(xì)菌的原位生長(zhǎng)來完成其對(duì)鎂合金的腐蝕，腐蝕的結(jié)果直觀，可信。3、 腐蝕完成取樣后，細(xì)菌會(huì)粘附到被腐蝕試樣的表面，從而達(dá)到原位觀察的效果。而現(xiàn)有的浸泡腐蝕法很難達(dá)到。4、 該腐蝕方法可以在培養(yǎng)基較少的情況下完成，節(jié)省節(jié)約實(shí)驗(yàn)藥品，與現(xiàn)有的浸泡腐蝕法相比更經(jīng)濟(jì)。5、 在利用該方法進(jìn)行腐蝕實(shí)驗(yàn)時(shí)，對(duì)試樣的處理要求較低，只要將被腐蝕表面處理到指定的技術(shù)指標(biāo)即可，其它表面不需要采用其它手段進(jìn)封閉處理，并且其它表面對(duì)實(shí)驗(yàn)精度 沒有影響。這一點(diǎn)當(dāng)前的浸泡腐蝕法是不具有的。


圖1基于固體培養(yǎng)基的新的鎂合金的微生物腐蝕的研究方法的實(shí)驗(yàn)裝置示意2利用貼片腐蝕法獲得的24h的AZ91鎂合金在無微生物的情況下的腐蝕形貌(掃 描電鏡照片)。圖3利用貼片腐蝕法獲得的24h的AZ91鎂合金在有微生物的情況下的腐蝕形貌(掃 描電鏡照片)。圖4利用貼片腐蝕法腐蝕24h以后的鎂合金試樣制成的電極的極化曲線，圖中SCM代 表無菌試樣的極化曲線，SRB代表硫酸鹽還原菌腐蝕試樣。圖5利用貼片腐蝕法獲得的24h的AZ31鎂合金在硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐蝕 形貌(掃描電鏡照片)。圖6利用貼片腐蝕法獲得的24h的AZ51鎂合金在有硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐 蝕形貌(掃描電鏡照片)。圖7利用貼片腐蝕法獲得的24h的AZ71鎂合金在硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐蝕 形貌(掃描電鏡照片)。圖8利用貼片腐蝕法腐蝕24h以后的AZ31、 AZ51和AZ71電極的極化曲線。圖9 利用貼片腐蝕法獲得的Ce改性AZ91鎂合金在無硫酸鹽還原菌存在的情況下的 腐蝕形貌(掃描電鏡照片)。圖10 利用貼片腐蝕法獲得的Ce改性AZ91鎂合金在硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐 蝕形貌(掃描電鏡照片)。圖中A.培養(yǎng)器皿B.鎂合金試樣C.固體培養(yǎng)基D.菌落
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)例進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體內(nèi)容 本發(fā)明采用的培養(yǎng)基的組成成分的濃度經(jīng)優(yōu)化后詳見附表一。附表一 固體培養(yǎng)基組成成分及其濃度成分分子式純度含量無水硫酸鈉Na2S04分析純0.25 g/L氯化銨NH4Cl分析純0.5 g/L無水氯化鈣CaCl2分析純0.05 g/L磷酸氫二鉀K2HP04*3H20分析純0.25 g/L硫酸鎂MgS04分析純1.0 g/L乳酸鈉化學(xué)純1.75 g/L酵母汁化學(xué)純0.5g/L注固體培養(yǎng)基中瓊脂質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%。利用IN的NaOH和HC1進(jìn)行PH的調(diào)節(jié)，將ffl 調(diào)節(jié)為PH=7. 20±0. 2為宜。 腐蝕過程如下1、 將鎂合金切成長(zhǎng)方體試樣，試樣的具體尺寸以12mmXl2mmX5mm為宜。將試樣用于 測(cè)試及形貌觀察的平面用碳化硅砂紙逐級(jí)打磨至1200#。然后用0. 5to拋光膏將測(cè)試表面拋 光。拋光后，利用乙醇清洗表面后，在潔凈工作臺(tái)內(nèi)利用冷風(fēng)吹干，打開紫外燈滅菌30分 鐘。2、 按附表一中的濃度數(shù)據(jù)配置培養(yǎng)基，調(diào)節(jié)pH值至7.20士0.2，并按質(zhì)量分?jǐn)?shù)1%加入 瓊脂粉后將培養(yǎng)基分裝入500mL的三角瓶中。利用高壓滅菌鍋在12(TC的溫度下將培養(yǎng)基滅 菌20分鐘。將盛裝培養(yǎng)基的三角瓶取出并放入潔凈工作臺(tái)內(nèi)。待培養(yǎng)基冷卻至55-60'C時(shí) 按0.1g/L的比例加入抗壞血酸(抗壞血酸在加入前需要紫外燈下滅茼20分鐘)。將固體培 養(yǎng)基溶液分裝至直徑為90mm的培養(yǎng)皿中，并冷卻至室溫。3、 為了對(duì)比觀察，取兩組培養(yǎng)皿，對(duì)其中一組接種硫酸鹽還原菌，并將接種過硫酸鹽 還原菌的培養(yǎng)皿放入恒溫培養(yǎng)箱中37'C培養(yǎng)12小時(shí)，保證細(xì)菌處于最高的活性狀態(tài)。然后 將兩組培養(yǎng)皿分別放入潔凈工作臺(tái)中。取已滅菌的鎂合金試樣，先將其一端貼于培養(yǎng)基上， 保證鎂合金試樣的待腐蝕表面與培養(yǎng)基平面之間存在大約30-60°的角度，然后將另一端壓 下，力度以保證試樣與培養(yǎng)基之間無氣泡存在為宜，再次用食指輕輕壓緊。然后蓋好培養(yǎng)皿 的皿蓋，防止己滅菌的培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基染菌。4、將已加入試樣的培養(yǎng)皿放入恒溫培養(yǎng)箱中在指定溫度下腐蝕， 一般為20-4(TC為宜 (此溫度最有利于細(xì)菌的生長(zhǎng)和代謝)。按實(shí)驗(yàn)的設(shè)計(jì)要求取樣，然后采用掃描電鏡觀察腐蝕 形貌，采用XRD和XPS進(jìn)行腐蝕產(chǎn)物的測(cè)定。取下的試樣也可以做成電極，完成電化學(xué)測(cè)試。貼片腐蝕法主要適用于鎂合金的微生物腐蝕研究，其主要原因?yàn)楫?dāng)前鎂合金件一般很少 用于液體環(huán)境中。而鎂合金受到潮濕環(huán)境以及微生物腐蝕的威脅是存在的。因此，利用此種腐蝕研究方法可以很好的模擬潮濕、存在有機(jī)物質(zhì)以及溫度適宜細(xì)菌生^:的環(huán)境中鎂合金的 微生物原位腐蝕。 實(shí)例一利用此種方法進(jìn)行的AZ91鎂合金的微生腐蝕研究發(fā)現(xiàn)，AZ91鎂合金的微生物腐蝕主要 特征為點(diǎn)蝕參閱附圖3。通過對(duì)無菌及有菌(圖2和圖3)情況下的24h的腐蝕形貌的對(duì)比。 證明細(xì)菌的確能夠引起AZ91鎂合金的點(diǎn)蝕。點(diǎn)蝕的形貌狀與細(xì)菌菌落的形狀相似。通過圖 3可以看出，細(xì)菌的菌落的代謝對(duì)鎂合金的腐蝕尤為嚴(yán)重。在掃描電鏡下，可以清晰的觀察 到利用貼片腐蝕法獲得的腐蝕形貌中細(xì)菌的菌落所在的位置與蝕坑的位置的關(guān)系。從而可以 推斷出細(xì)菌菌落的代謝對(duì)蝕坑有重要的影響。圖4為腐蝕24h的鎂合金試樣制作成電極后測(cè) 得的極化曲線。圖中SCM代表無菌腐蝕試樣的極化曲線，SRB代表硫酸鹽原菌腐蝕試樣的極 化曲線。極化曲線的測(cè)試結(jié)果表明，細(xì)菌腐蝕后的鎂合金試樣的腐蝕電位明顯低于無菌鎂合 金腐蝕試樣的電極電位。這說明細(xì)菌通過加速鎂合金試樣的點(diǎn)蝕，從而引發(fā)電極腐蝕電位的 負(fù)移。極化曲線的結(jié)果同時(shí)還表明，有菌情況下的鎂合金試樣的腐蝕電流要明顯大于無菌情 況下的腐蝕電流。這主要是由硫酸還原菌的代謝引發(fā)了鎂合金試樣表面點(diǎn)蝕增加了試樣表面 的實(shí)際面積。另一方面，細(xì)菌的存在利用了鎂合金腐蝕過程中所產(chǎn)生的氫作為能量來源。在 體內(nèi)氫化酶的催化作用下將氫原子轉(zhuǎn)化為氫離子。細(xì)菌的這種陰極去極化作用加速了鎂合金 的陰極反應(yīng)。從而加速了鎂合金的腐蝕。由此，鎂合金的微生物腐蝕試樣比無菌試的腐蝕電 流大就不難理解了。通過對(duì)AZ91鎂合金微生物腐蝕的研究。我們可以得出這樣的結(jié)論貼 片腐蝕法用于鎂合金微生物腐蝕的研究，有利于細(xì)菌在鎂合金表面的代謝及其它生命活動(dòng)。 一方面固體培養(yǎng)基能夠?yàn)榧?xì)菌的生長(zhǎng)提供充足的營(yíng)養(yǎng)，另一方面，有利于細(xì)菌在鎂合金表面 的原位生長(zhǎng)，適宜進(jìn)行微生物腐蝕的觀察研究。因此說，貼片腐蝕法是一種實(shí)用的可行的鎂 合金的微生物腐蝕的研究方法。實(shí)例二利用貼片腐蝕法，通過AZ31、 AZ51、 AZ71鎂合金微生物腐蝕來研究0相的含量對(duì) Mg-A1-Zn系合金微生物腐蝕的影響。其中圖5為AZ31鎂合金在硫酸鹽還原菌存在的情況下 的24h的腐蝕形貌。從圖5中可以看出，AZ31鎂合金電極的表面已經(jīng)受到嚴(yán)重的腐蝕，尤 其是a相，腐蝕產(chǎn)物膜層己經(jīng)開裂并形成較大的板塊。從形貌可以得出，電極的表面已經(jīng)形 成了較厚的腐蝕產(chǎn)物膜層。同時(shí)在a相的表面還附著白色的物質(zhì)，在白色的物質(zhì)中可以清晰 的看到細(xì)菌細(xì)胞的存在。白色的膜層即為細(xì)菌的代謝產(chǎn)物與鎂合金電極的反應(yīng)產(chǎn)物。圖6為 AZ51鎂合金電極在硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐蝕形貌。從圖6可以得出，AZ51鎂合金電極也受到了較為嚴(yán)重的腐蝕，但腐蝕膜層所形成的板塊的尺寸與AZ71相比要小得多，腐 蝕產(chǎn)物膜層的表面為細(xì)菌的代謝產(chǎn)物所覆蓋。在細(xì)菌的代謝產(chǎn)物中依然可以見到清晰的細(xì)菌 細(xì)胞。但從AZ31與AZ51鎂合金電極的對(duì)比來看，AZ31鎂合金電極要遠(yuǎn)遠(yuǎn)比AZ51鎂合金電 極受到的腐蝕更為嚴(yán)重。圖7為AZ71鎂合金電極在硫酸鹽還原菌存在的情況下的腐蝕形貌。 從AZ71鎂合金電極的腐蝕形貌來看，只有局部區(qū)域的a相受到的腐蝕較為嚴(yán)重。形成了板 塊狀的腐蝕產(chǎn)物膜層。通過圖5、圖6和圖7的對(duì)比，總體來看，隨著P相含量的增加，鎂合金所受到的微生 物腐蝕越來越輕。腐蝕產(chǎn)物膜層的厚度也有所下降。圖8給出了，腐蝕24h以后AZ31、 AZ51和AZ7i鎂合金電極的極化曲線。通過極化曲線的結(jié)果分析，隨著e相的含量的增加，電極正移，腐蝕電流密度也不斷下降。這與腐蝕形貌所反映的情況基本一致。 實(shí)例三圖9及圖10給出的是Ce改性的AZ91鎂合金的微生物腐蝕的形貌顯微圖片。圖為無菌 時(shí)的Ce改性AZ91鎂合金的24h的腐蝕形貌。圖10為24h的Ce改性AZ91鎂合金的微生物 腐蝕形貌。從圖10可以看出，細(xì)菌的分布及其分裂方式。通過圖9及圖10的對(duì)比，可以獲 得硫酸鹽還原菌的存在及其代謝對(duì)的Ce改性AZ91鎂合金的腐蝕過程的影響。因此，通過以上實(shí)例可以看出，貼片腐蝕法對(duì)研究鎂合金的微生物腐蝕而言，是一種行 之有效的研究方法。
權(quán)利要求
1、一種基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于利用固體培養(yǎng)基作為鎂合金的腐蝕媒介，通過細(xì)菌在鎂合金表面的原位生長(zhǎng)來觀察細(xì)菌在鎂合金腐蝕過程中的行為，具體工藝步驟是(1)試樣的加工及滅菌將鎂合金切成長(zhǎng)方體試樣，其用于測(cè)試及形貌觀察的平面經(jīng)打磨(要求打打磨至1200#)、拋光、清洗、干燥后滅菌；(2)固體培養(yǎng)基的配置及滅菌培養(yǎng)基的配置固體培養(yǎng)基的組成成分的最佳濃度為API推薦標(biāo)準(zhǔn)培養(yǎng)基的濃度的一半，固體培養(yǎng)基中瓊脂含量為培養(yǎng)基質(zhì)量的1％，利用1N的NaOH和HCl進(jìn)行PH的調(diào)節(jié)，將PH值調(diào)節(jié)至7.20±0.2，培養(yǎng)基滅菌后待溫度冷卻到55-60℃之間加入抗壞血酸，在加入抗壞血酸之前，需對(duì)抗壞血酸滅菌，時(shí)間為15至20min；(3)細(xì)菌的培養(yǎng)及活化腐蝕前需要將細(xì)菌進(jìn)行培養(yǎng)，在潔凈工作臺(tái)內(nèi)，先將培養(yǎng)器皿及培養(yǎng)基在紫外燈下滅菌15-30min，然后，將活性較高的菌種接種至固體培養(yǎng)基的表面，涂布要盡量均勻，完成接種后，用已滅菌的報(bào)紙將培養(yǎng)器皿封閉，然后放入恒溫培養(yǎng)基中，培養(yǎng)溫度為20-40℃之間，培養(yǎng)時(shí)間為6-18h為宜。此操作為保證在進(jìn)行腐蝕試驗(yàn)時(shí)細(xì)菌已達(dá)到最大的活性。培養(yǎng)到指定的時(shí)間后，開始腐蝕試驗(yàn)，腐蝕試驗(yàn)中將固體培養(yǎng)基從恒溫培養(yǎng)箱中取出并放入潔凈工作臺(tái)內(nèi)。(4)貼片腐蝕過程a、將鎂合金試片一端傾斜30-60°的角度，然后漸漸用力直至另一端完全緊貼培養(yǎng)基表面，試樣與培養(yǎng)基相貼處無氣泡存在；b、在潔凈工作臺(tái)內(nèi)完成，選取最適宜的溫度區(qū)間為20-40℃；c、無菌培養(yǎng)器皿在恒溫腐蝕前需要用已經(jīng)過滅菌時(shí)間為10-20min的報(bào)紙包封閉，其目的為防止培養(yǎng)器皿染菌，然后再置入恒溫培養(yǎng)箱恒溫腐蝕；d、貼片腐蝕法最適宜的腐蝕時(shí)間為6-48小時(shí)，在此時(shí)間內(nèi)可以清晰的觀察細(xì)菌的生長(zhǎng)形態(tài)及其對(duì)電極腐蝕過程的影響。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于所說 的方體試樣的具體尺寸以12腿X12mmX5腿為宜，將試樣用于測(cè)試及形貌觀察的平面用碳化 硅砂紙逐級(jí)打磨至1200#，然后用0.5Mm拋光膏將測(cè)試表面拋光，拋光后，利用乙醇清洗表 面后，在潔凈工作臺(tái)內(nèi)利用冷風(fēng)吹干，打開紫外燈滅菌15至30分鐘。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于所說 的培養(yǎng)基的組成成分和濃度為無水硫酸鈉0. 25-0. 5g/L;氯化銨0.5-1.0g/L;無水氯化鈣 0. 05-0. lg/L;磷酸氫二鉀0. 25-0. 5g/L;硫酸鎂1. 0-2. Og/L;乳酸鈉1. 75-3. 5g/L;酵母粉 0. 5-1. Og/L.瓊脂含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)1%。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于將配 置的培養(yǎng)基，調(diào)節(jié)pH值至7. 20±0. 2，并按質(zhì)量分?jǐn)?shù)1%加入瓊脂粉后將培養(yǎng)基分裝入500mL 的三角瓶中，利用高壓滅菌鍋在120。C的溫度下將培養(yǎng)基滅菌20分鐘，將盛裝培養(yǎng)基的三角瓶取出并放入潔凈工作臺(tái)內(nèi)，待培養(yǎng)基冷卻至55-60'C時(shí)按0. lg/L的比例加入抗壞血酸， 抗壞血酸在加入前需要紫外燈下滅菌20分鐘，將固體培養(yǎng)基溶液分裝至直徑為90咖的培養(yǎng) 皿中，并冷卻至室溫。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于以為 了對(duì)比觀察，將所說的培養(yǎng)皿取兩組，對(duì)其中一組接種硫酸鹽還原菌，并將接種過硫酸鹽還 原菌的培養(yǎng)皿放入恒溫培養(yǎng)箱中37'C培養(yǎng)12小時(shí)，保證細(xì)菌處于最高的活性狀態(tài)，然后將 兩組培養(yǎng)皿分別放入潔凈工作臺(tái)中，取已滅菌的鎂合金試樣，先將其一端貼于培養(yǎng)基上，保 證鎂合金試樣的待腐蝕表面與培養(yǎng)基平面之間存在大約30-60°的角度，然后將另一端壓下， 力度以保證試樣與培養(yǎng)基之間無氣泡存在為宜，再次用食指輕輕壓緊，然后蓋好培養(yǎng)器皿的 器皿蓋，防止己滅菌的培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基染菌。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法，其特征在于將已 加入試樣的培養(yǎng)皿放入恒溫培養(yǎng)箱中在指定溫度下腐蝕， 一般為20-4(TC為宜，按實(shí)驗(yàn)的設(shè) 計(jì)要求取樣，然后采用掃描電鏡觀察腐蝕形貌，采用XRD和XPS進(jìn)行腐蝕產(chǎn)物的測(cè)定，取下 的試樣也可以做成電極，完成電化學(xué)測(cè)試。
全文摘要
本發(fā)明涉及對(duì)鎂合金的硫酸鹽還原菌微生物腐蝕方法。其目的主要是針對(duì)鎂合金的微生物腐蝕問題，通過將固體培養(yǎng)基的微生物培養(yǎng)技術(shù)與微生物腐蝕技術(shù)相結(jié)合而提供一種新的基于固體培養(yǎng)基的鎂合金微生物腐蝕方法。具體工藝步驟是(1)試樣的加工及滅菌；(2)固體培養(yǎng)基的配置及滅菌；(3)細(xì)菌的培養(yǎng)及活化；(4)貼片腐蝕。經(jīng)過電解質(zhì)成分的優(yōu)化，本方法可以突顯細(xì)菌在鎂合金腐蝕過程中的行為。通過有菌與無菌腐蝕情況下電極表面腐蝕形貌的信息的對(duì)比，為鎂合金微生物腐蝕的機(jī)理的探討提供相關(guān)證據(jù)。因此，本研究方法完全適合鎂合金微生物腐蝕的研究。
文檔編號(hào)G01N17/00GK101226136SQ20081005034
公開日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2008年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月30日
發(fā)明者劉耀輝, 宋雨來, 強(qiáng) 王 申請(qǐng)人:吉林大學(xué)