專利名稱：雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
發(fā)明屬于微傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列及其制造
方法。
背景技術(shù)：
紅外探測器陣列是在可視條件差的環(huán)境中，如黑夜、煙霧、霧霾中進(jìn)行成像的有利 工具。紅外探測器陣列被廣泛地應(yīng)用于軍事遙感、目標(biāo)識別與跟蹤、汽車夜視、防災(zāi)救 災(zāi)、醫(yī)學(xué)檢測、氣象預(yù)報(bào)、農(nóng)業(yè)、地質(zhì)勘測等諸多領(lǐng)域，其研究和生產(chǎn)都受到廣泛的關(guān) 注。實(shí)現(xiàn)紅外成像的方式有兩種，主動式和被動式。主動式通過成像設(shè)備發(fā)射并接收物 體的反射回波，對被測物體成像。被動式利用了高于絕對零度的物體都會產(chǎn)生紅外熱輻 射的特性，通過直接測量物體輻射的紅外波進(jìn)行成像。
通常，被動式紅外探測器可以分為光子探測器和熱探測器兩種類型。光子探測器是 利用半導(dǎo)體材料的光子效應(yīng)制成的探測器，光子效應(yīng)是指探測器吸收光子后，本身發(fā)生 電子狀態(tài)的改變，從而引起光伏或光電導(dǎo)等現(xiàn)象。光子探測器具有響應(yīng)時(shí)間短、噪聲等 效溫度差(NETD)低等優(yōu)點(diǎn)，NETD約為5 mK—10mK;但是由于其熱噪聲隨溫度的 升高呈指數(shù)上升，造成器件的熱噪聲對環(huán)境溫度異常敏感，因此光子探測器通常需要工 作在80K左右的低溫環(huán)境中。在實(shí)驗(yàn)室中，常采用液氮杜瓦制冷設(shè)備實(shí)現(xiàn)探測器所需的 低溫環(huán)境；在便攜式熱像儀和夜視系統(tǒng)中，常采用機(jī)械循環(huán)制冷以達(dá)到所需的低溫。這 需要復(fù)雜的制冷設(shè)備，嚴(yán)重影響了光子型探測器的可靠性、功耗、便攜性和系統(tǒng)成本， 因此應(yīng)用領(lǐng)域非常有限，通常只應(yīng)用在軍事和航空航天等不計(jì)成本的領(lǐng)域。
熱探測器及其構(gòu)成的紅外焦平面陣列的測量原理是將高于絕對零度的物體產(chǎn)生的 紅外熱輻射轉(zhuǎn)化為敏感器件的溫度變化，進(jìn)而測量由于溫度變化引起的器件物理或電學(xué) 參數(shù)的變化。這種測量方法的噪聲受溫度影響較小，因此工作時(shí)一般不需要制冷，可以 直接在常溫下工作，因而價(jià)格便宜、易于使用和維護(hù)，可靠性好。這種水平的紅外焦平 面能夠滿足絕大多數(shù)民用領(lǐng)域和部分軍事領(lǐng)域的要求。但這種熱探測器的主要缺點(diǎn)是探 測率較低，其等效噪聲溫度差通常要比光子探測器要低1_2個(gè)數(shù)量級，理想情況下可 以實(shí)現(xiàn)20mK_50mK的NETD。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種能夠提高熱隔離效率和探測 率的雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供上述紅外探測器陣列的制造方法。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列，所述陣列由多個(gè)紅 外探測單元組成，所述的探測單元為雙層結(jié)構(gòu)，包括上層的紅外熱轉(zhuǎn)換層和下層的熱敏 感器件層；所述的紅外熱轉(zhuǎn)換層由支撐薄膜和位于支撐薄膜上方的熱吸收層構(gòu)成；所述 的熱敏感器件層包括熱敏感器件、位于熱敏感器件下方的承載層、支撐承載層和熱敏感 器件并使承載層和熱敏感器件懸空在襯底上的折線支撐結(jié)構(gòu)，以及設(shè)在熱敏感器件和互 連上方的保護(hù)層；所述的紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳導(dǎo)柱支撐在熱敏感器件層上。
所述的熱傳導(dǎo)柱的材料為氮化硅或金屬材料；所述的熱傳導(dǎo)柱至少為一個(gè)。
所述的熱吸收層為垂直支撐薄膜表面排列的碳納米管陣列。
所述的支撐薄膜的材料為氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅或鋁；所述的絕熱薄膜和折 線支撐結(jié)構(gòu)的材料選自二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或聚酰亞胺中的一種；所述的熱敏 感器件選自二極管、金屬氧化物場效應(yīng)管、非晶硅或多晶硅晶體管、鋯鈦酸鉛(PZT) 或鈦酸鍶鋇(BST)熱釋電器件、熱電偶或熱敏感電阻中的一種。
所述的熱吸收層為氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅薄膜。
所述的熱吸收層由納米顆粒和高分子聚合物載體混合而成；所述的納米顆粒與高分 子聚合物載體的重量比范圍為1: 100至100: 1，納米顆粒的直徑范圍為0.1納米至10 微米。
所述的熱吸收層至少為一層，每層的納米顆粒由一種或多種納米顆粒構(gòu)成，每層的 高分子聚合物載體為相同或不同。
所述的納米顆粒選自納米二氧化硅、納米氧化鋁、納米氧化鈦、納米氧化鎂或碳納 米管中的至少一種，所述的高分子聚合物選自苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺或聚二甲苯中的一 種。
本發(fā)明采取的另一個(gè)技術(shù)方案是，提供了一種雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器的制造方 法，該方法包括以下的步驟
(1)在SOI襯底上利用微加工技術(shù)制造熱敏感器件，利用集成電路制造技術(shù)制造 互連和信號處理電路，在熱敏感器件上沉積二氧化硅或氮化硅保護(hù)層，然后刻蝕保護(hù)層 和SOI的埋層二氧化硅層，形成折線支撐結(jié)構(gòu)的圖形；(2) 在保護(hù)層上沉積犧牲層，刻蝕犧牲層形成熱傳導(dǎo)柱的支撐點(diǎn)，沉積熱傳導(dǎo)柱 材料，光刻并刻蝕去除熱傳導(dǎo)柱以外的其他部分，形成熱傳導(dǎo)柱，在熱傳導(dǎo)柱上方沉積 紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層；
(3) 在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層上方，采用氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅薄膜 材料，采用化學(xué)氣相沉積制造熱吸收層，厚度為1微米，或在支撐薄膜層上方，采用垂 直排列的碳納米管陣列，該碳納米管陣列采用化學(xué)氣相沉積的方法制造；
(4) 光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的熱吸收層及支撐薄膜層，使相鄰單元之間的 紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元；
(5) 利用各向同性刻蝕技術(shù)刻蝕犧牲層，使紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳導(dǎo)柱支撐在熱 敏感器件層上；
(6) 利用各向同性刻蝕技術(shù)，將SOI襯底位于熱敏感器件層下方的部分去除，形 成腔體，將紅外敏感器件層利用絕熱的折線形支撐結(jié)構(gòu)支撐在襯底上，形成最終的雙層 結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述制備方法的步驟(3)和步驟(4)的制備方法如下-
(3) 在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層上方，利用高分子聚合物作為載體，將納米顆 粒混合于高分子聚合物的前驅(qū)體中，沉積在支撐薄膜層上方，加熱固化并交聯(lián)高分子聚 合物，形成固態(tài)薄膜層，納米顆粒與高分子聚合物載體的重量比范圍為1: 100至100: 1 ，納米顆粒直徑范圍為0.1納米至10微米；
(4) 光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的混合有納米顆粒的高分子聚合物層和固態(tài)薄
膜層及支撐薄膜層，使相鄰單元之間的紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元。
本發(fā)明采用紅外熱轉(zhuǎn)換層和熱敏感器件層分離的雙層結(jié)構(gòu)，紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳 導(dǎo)柱支撐在熱敏感器件層上，由支撐薄膜和納米顆粒熱吸收層構(gòu)成，將紅外輻射轉(zhuǎn)換為 溫度的變化傳遞給熱敏感器件，熱敏感器件將其轉(zhuǎn)換為電信號實(shí)現(xiàn)成像。這種結(jié)構(gòu)利用
支撐在熱敏感器件層上方的紅外熱轉(zhuǎn)換層增加紅外吸收面積，提高器件填充率；利用納
米顆粒作為紅外吸收材料提高紅外吸收效率，能夠?qū)崿F(xiàn)多波段甚至全波段的紅外吸收和
探測。利用折線結(jié)構(gòu)支撐熱敏感器件層使其懸空在襯底表面，有效降低熱損失，提高熱 隔離效率和探測率。


圖1是本發(fā)明所述的雙層結(jié)構(gòu)的紅外探測器單元示意圖； 圖2是圖1的A-A視圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的在SOI襯底上制造好熱敏感器件的結(jié)構(gòu)示意圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的在圖3中的襯底上，制造熱傳導(dǎo)柱和沉積紅外熱轉(zhuǎn)換層 的支撐薄膜后的示意圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的在圖4中的襯底上，繼續(xù)沉積以高分子聚合物作為載體 的納米顆粒熱吸收層后的示意圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的對圖5中刻蝕分離不同探測器單元的紅外熱轉(zhuǎn)換層后的 示意圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的對圖6中去除犧牲層后的示意圖中IOSOI襯底，ll單晶硅層，12二氧化硅層，13空腔，14信號處理電路，20 熱敏感器件層，21熱敏感器件承載層，22互連線，23保護(hù)層，24熱敏感器件，30熱傳 到柱，31折線支撐結(jié)構(gòu)，40紅外熱轉(zhuǎn)換層，41支撐薄膜，42第一層納米熱吸收層， 43第二層納米熱吸收層。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式 作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例提供一種簡單易行的基于絕緣體上硅(silicon-on-insulator， SOI)襯底，具體說明實(shí)現(xiàn)方法。
參見圖1和圖2， SOI襯底10的二氧化硅層12和單晶硅層11支撐信號處理電路 14;紅外熱轉(zhuǎn)換層40由支撐薄膜41和位于支撐薄膜上方的兩層納米顆粒熱吸收層42、 43構(gòu)成；熱敏感器件層20包括熱敏感器件24、承載熱敏感器件24的承載層21、設(shè)在 熱敏感器件24和互連線22上方的保護(hù)層23;熱敏感器件層20通過折線支撐結(jié)構(gòu)31 支撐懸空在空腔13上，熱敏感器件層20上方通過熱傳導(dǎo)柱30支撐紅外熱轉(zhuǎn)換層40; 熱敏感器件24通過互連線22與信號處理電路14相連。
實(shí)施例1
(1) 在SOI襯底10上利用微加工技術(shù)制造熱敏感器件24，利用集成電路制造技 術(shù)制造互連線22和信號處理電路14，熱敏感器件24為二極管，在熱敏感器件24上沉 積氮化硅保護(hù)層23,然后刻蝕保護(hù)層23和SOI的埋層二氧化硅層12，形成熱敏感器件 承載層21和折線支撐結(jié)構(gòu)31的圖形，參見圖3;
(2) 在保護(hù)層23上沉積犧牲層25，刻蝕犧牲層25形成熱傳導(dǎo)柱30的支撐點(diǎn)，沉 積熱傳導(dǎo)柱材料氮化硅，光刻并刻蝕去除熱傳導(dǎo)柱30以外的其他部分，形成熱傳導(dǎo)柱 30，熱傳導(dǎo)柱30的數(shù)量為2個(gè)，在熱傳導(dǎo)柱30上方沉積紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層41,支撐薄膜層41的材料為氮氧化硅，參見圖4;
(3) 利用高分子聚合物作為載體，將納米顆?；旌嫌诟叻肿泳酆衔锏那膀?qū)體中， 在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層41上方沉積兩層混合物，分別形成第一層納米顆粒熱吸 收層42和第二層納米顆粒熱吸收層43，第一層納米顆粒熱吸收層42中納米顆粒與高分 子聚合物載體的重量比范圍為20: 1，納米顆粒為納米二氧化硅，納米顆粒的直徑為O.l 納米，高分子聚合物為聚酰亞胺；第二層納米顆粒熱吸收層43中納米顆粒與高分子聚
合物載體的重量比范圍為1: 80，納米顆粒為納米氧化鋁與納米氧化鈦的混合物，納
米顆粒的直徑均為10微米，高分子聚合物為聚二甲苯。每層沉積完成后分別加熱固化
并交聯(lián)高分子聚合物，最終形成固態(tài)薄膜層，參見圖5;
(4) 光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層40的納米顆粒吸收層42和43及支撐薄膜層41 ， 使相鄰單元之間的紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元，參見圖6;
(5) 利用各向同性刻蝕技術(shù)刻蝕犧牲層25，使紅外熱轉(zhuǎn)換層40通過熱傳導(dǎo)柱30 支撐在熱敏感器件層20上，參見圖7;
(6) 利用各向同性刻蝕技術(shù)，將SOI襯底位于熱敏感器件層下方的部分去除，形 成腔體13，將紅外敏感器件層20利用絕熱的折線形支撐結(jié)構(gòu)21支撐在襯底上，形成最 終的雙層結(jié)構(gòu)，參見圖1;
實(shí)施例2
步驟同實(shí)施例l相同，所不同的是
步驟(1)中的熱敏感器件24為金屬氧化物場效應(yīng)管；在熱敏感器件24上沉積二 氧化硅保護(hù)層23;
步驟(2)中的熱傳導(dǎo)柱30的材料為鋁；數(shù)量為1個(gè)，支撐薄膜層41的材料為二 氧化硅；
步驟(3)中，在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層41上方，沉積三層納米顆粒熱吸收層 42,第一層納米顆粒與高分子聚合物載體的重量比范圍為100: 1，納米顆粒為納米氧 化鈦，納米顆粒的直徑為l微米，高分子聚合物為聚酰亞胺；第二層納米顆粒與高分子 聚合物載體的重量比范圍為1: 50，納米顆粒為納米氧化鎂、納米氧化鈦與納米氧化 鋁的混合物，納米顆粒的直徑分別為0.5納米、5微米、l微米，高分子聚合物為苯并 環(huán)丁烯。第三層納米顆粒與高分子聚合物載體的重量比范圍為1: 10，納米顆粒為納米 二氧化硅與納米氧化鋁的混合物，高分子聚合物為苯并環(huán)丁烯。
實(shí)施例3步驟同實(shí)施例1相同，所不同的是
步驟(1)中的熱敏感器件24為熱敏電阻；
步驟(2)中的熱傳導(dǎo)柱30的材料為鉻；數(shù)量為3個(gè)，支撐薄膜層41的材料為二 氧化硅；
步驟(3)中，納米顆粒與高分子聚合物的混合物，沉積在支撐薄膜層41上方形成 納米顆粒熱吸收層，加熱固化并交聯(lián)高分子聚合物，形成固態(tài)薄膜層，納米顆粒與高分
子聚合物載體的重量比范圍為1: 100，納米顆粒為納米二氧化硅與納米氧化鋁的混合
物，納米顆粒直徑分別為0.1納米、IO微米，高分子聚合物為苯并環(huán)丁烯。 實(shí)施例4
步驟同實(shí)施例l，所不同的是
步驟(3)中的紅外熱吸收層采用氮化硅材料，采用化學(xué)氣相沉積制造，厚度為1微米。
步驟(4)中光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的氮化硅層及支撐薄膜層，使相鄰單元 之間的紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元。 實(shí)施例5
步驟同實(shí)施例1，所不同的是
步驟(3)中的紅外熱吸收層采用垂直排列的碳納米管陣列，該碳納米管陣列可以
在選擇性區(qū)域采用化學(xué)氣相沉積的方法制造。
步驟(4)中干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的氮化硅層及支撐薄膜層，使相鄰單元之間的
紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明。凡在本發(fā)明的精神和原 則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列，所述陣列由多個(gè)紅外探測單元組成，其特征在于，所述的探測單元為雙層結(jié)構(gòu)，包括上層的紅外熱轉(zhuǎn)換層和下層的熱敏感器件層；所述的紅外熱轉(zhuǎn)換層由支撐薄膜和位于支撐薄膜上方的熱吸收層構(gòu)成；所述的熱敏感器件層包括熱敏感器件、位于熱敏感器件下方的承載層、支撐承載層和熱敏感器件并使兩者懸空在襯底上的折線支撐結(jié)構(gòu)，以及設(shè)在熱敏感器件和互連線上方的保護(hù)層；所述的紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳導(dǎo)柱支撐在熱敏感器件層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的熱傳導(dǎo)柱的材料為 氮化硅或金屬材料；所述的熱傳導(dǎo)柱至少為一個(gè)。
3. 如權(quán)利要求1所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的熱吸收層為垂直支 撐薄膜表面排列的碳納米管陣列。
4. 如權(quán)利要求1所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的支撐薄膜的材料為 氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅或鋁；所述的絕熱薄膜和折線支撐結(jié)構(gòu)的材料選自二氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅或聚酰亞胺中的一種；所述的熱敏感器件選自二極管、金屬氧化 物場效應(yīng)管、非晶硅或多晶硅晶體管、鋯鈦酸鉛或鈦酸鍶鋇熱釋電器件、熱電偶或熱敏 感電阻中的一種。
5. 如權(quán)利要求l所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的熱吸收層為氮化硅、 氮氧化硅或二氧化硅薄膜。
6. 如權(quán)利要求1所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的熱吸收層由納米顆 粒和高分子聚合物載體混合而成；所述的納米顆粒與高分子聚合物載體的重量比范圍為 1: 100至100: 1，納米顆粒的直徑范圍為0.1納米至IO微米。
7. 如權(quán)利要求6所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的熱吸收層至少為一 層，每層的納米顆粒由一種或多種納米顆粒構(gòu)成，每層的高分子聚合物載體為相同或不 同。
8. 如權(quán)利要求6所述的紅外探測器陣列，其特征在于，所述的納米顆粒選自納米 二氧化硅、納米氧化鋁、納米氧化鈦、納米氧化鎂或碳納米管中的至少一種，所述的高 分子聚合物選自苯并環(huán)丁烯、聚酰亞胺或聚二甲苯中的一種。
9. 如權(quán)利要求1所述的紅外探測器陣列的制造方法，其特征在于，該方法包括以 下的步驟(1) 在SOI襯底上利用微加工技術(shù)制造熱敏感器件，利用集成電路制造技術(shù)制造 互連和信號處理電路，在熱敏感器件上沉積二氧化硅或氮化硅保護(hù)層，然后刻蝕保護(hù)層 和SOI的埋層二氧化硅層，形成折線支撐結(jié)構(gòu)的圖形；(2) 在保護(hù)層上沉積犧牲層，刻蝕犧牲層形成熱傳導(dǎo)柱的支撐點(diǎn)，沉積熱傳導(dǎo)柱 材料，光刻并刻蝕去除熱傳導(dǎo)柱以外的其他部分，形成熱傳導(dǎo)柱，在熱傳導(dǎo)柱上方沉積 紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層；(3) 在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層上方，采用氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅薄膜 材料，采用化學(xué)氣相沉積制造熱吸收層，厚度為1微米，或在支撐薄膜層上方，采用垂 直排列的碳納米管陣列，該碳納米管陣列采用化學(xué)氣相沉積的方法制造；(4) 光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的熱吸收層及支撐薄膜層，使相鄰單元之間的 紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元；(5) 利用各向同性刻蝕技術(shù)刻蝕犧牲層，使紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳導(dǎo)柱支撐在熱 敏感器件層上；(6) 利用各向同性刻蝕技術(shù)，將SOI襯底位于熱敏感器件層下方的部分去除，形 成腔體，將紅外敏感器件層利用絕熱的折線形支撐結(jié)構(gòu)支撐在襯底上，形成最終的雙層 結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的紅外探測器陣列的制造方法，其特征在于，所述的步驟(3) 和步驟(4)的制備方法如下(3) 在紅外熱轉(zhuǎn)換層的支撐薄膜層上方，利用高分子聚合物作為載體，將納米顆 ?；旌嫌诟叻肿泳酆衔锏那膀?qū)體中，沉積在支撐薄膜層上方，加熱固化并交聯(lián)高分子聚 合物，形成固態(tài)薄膜層，納米顆粒與高分子聚合物載體的重量比范圍為1: 100至100: 1 ，納米顆粒直徑范圍為0.1納米至10微米；(4) 光刻并干法刻蝕紅外熱轉(zhuǎn)換層的混合有納米顆粒的高分子聚合物層和固態(tài)薄膜層及支撐薄膜層，使相鄰單元之間的紅外熱轉(zhuǎn)換層形成分立的單元。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙層結(jié)構(gòu)的室溫紅外探測器陣列及其制備方法，所述陣列由多個(gè)紅外探測單元組成，所述探測單元為雙層結(jié)構(gòu)，包括上層的紅外熱轉(zhuǎn)換層和下層的熱敏感器件層；所述紅外熱轉(zhuǎn)換層由支撐薄膜和熱吸收層構(gòu)成；所述熱敏感器件層包括熱敏感器件、位于熱敏感器件下方的承載層、支撐承載層和熱敏感器件并使兩者懸空在襯底上的折線支撐結(jié)構(gòu)，以及設(shè)在熱敏感器件和互連線上方的保護(hù)層；所述的紅外熱轉(zhuǎn)換層通過熱傳導(dǎo)柱支撐在熱敏感器件層上。本發(fā)明通過納米顆粒能夠有效地提高紅外輻射的吸收和熱轉(zhuǎn)換效率，并利用多種納米顆粒實(shí)現(xiàn)多波段甚至全波段的紅外敏感測量，折線支撐結(jié)構(gòu)能有效地降低熱敏感器件的熱量損失，提高絕熱能力和探測率。
文檔編號G01J5/10GK101298997SQ20081010545
公開日2008年11月5日 申請日期2008年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月29日
發(fā)明者劉理天, 琪 張, 王喆垚 申請人:清華大學(xué)