專利名稱：搬送臂的移動位置的調(diào)整方法和位置檢測用夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向載置基板的載置部搬送基板的搬送臂的移動位置的 調(diào)整方法和位置檢測用夾具。
背景技術(shù)：
例如半導(dǎo)體設(shè)備的制造工藝中的光刻工序，在搭載有抗蝕劑涂敷 裝置、顯影處理裝置、熱處理裝置等多個裝置的涂敷顯影處理系統(tǒng)中 進(jìn)行。在該涂敷顯影處理系統(tǒng)中設(shè)有向各裝置搬送晶片的搬送裝置。
上述搬送裝置具有保持晶片的搬送臂，例如該搬送臂在前后方向、 左右方向和上下方向進(jìn)行三維移動，將晶片搬送到各裝置。
可是，例如晶片沒有被搬送到各裝置的規(guī)定的載置部，例如沒有 適當(dāng)進(jìn)行晶片的交接，此外沒有適當(dāng)進(jìn)行晶片的處理。因此，例如當(dāng) 涂敷顯影處理系統(tǒng)的立起作業(yè)時，確認(rèn)搬送臂是否將晶片搬送到規(guī)定 的位置，當(dāng)偏離晶片的搬送位置時，對搬送臂的搬送目的地的位置進(jìn) 行調(diào)整。
作為該位置調(diào)整的方法，提案有例如使搭載有CCD照相機(jī)的軌跡 檢測用晶片保持在搬送臂上，利用搬送臂搬送軌跡檢測用晶片，利用 CCD照相機(jī)檢測搬送臂的搬送目的地的停止位置(參照專利文獻(xiàn)1 )。
但是，上述CCD照相機(jī)等光學(xué)系機(jī)器，由于受到焦點距離和聚焦 的調(diào)整機(jī)構(gòu)等的制約，所以在上下方向需要厚度。因此，對于搬送口 的間隙隨著近年來薄型化的發(fā)展而變窄的裝置，存在例如不能搬入上 述軌跡檢測用晶片，不能適當(dāng)進(jìn)行位置調(diào)整作業(yè)的情況。此外， 一般 的CCD照相機(jī)，位置檢測的精度不十分的高，此外高精度的CCD照 相機(jī)價格高。因此，在使用具備CCD照相機(jī)的位置檢測用夾具的位置 調(diào)整中，花費成本。
專利文獻(xiàn)1日本特開2003-243479號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供一種使用能夠 搬入到薄型的裝置中的高精度的廉價的位置檢測用夾具，進(jìn)行搬送臂 的移動位置的調(diào)整。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其 是向載置基板的載置部搬送基板的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其 特征在于，包括使具有能夠檢測與目標(biāo)物之間的靜電電容從而能夠 檢測出相對于該目標(biāo)物的相對位置的靜電電容傳感器的基板形狀的位 置檢測用夾具支撐在搬送臂上的工序；利用上述搬送臂搬送上述位置 檢測用夾具，并載置在上述載置部上的工序；利用上述位置檢測用夾 具的靜電電容傳感器，檢測相對于載置部上所形成的目標(biāo)物的上述位 置檢測用夾具的位置，從而檢測出上述載置部中的位置檢測用夾具的 載置位置的工序；和基于上述位置檢測用夾具的載置位置，調(diào)整上述 位置檢測用夾具的搬送時的上述搬送臂的移動位置的工序。
根據(jù)本發(fā)明，通過使用靜電電容傳感器，能夠使位置檢測用夾具 大幅度薄型化。因此，也能夠?qū)⑽恢脵z測用夾具搬入到薄型的裝置內(nèi)， 能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行搬送臂的移動位置的調(diào)整。此外，靜電電容傳感器與 光學(xué)系的傳感器相比，精度高且廉價，因此能夠以更高的精度廉價地 進(jìn)行搬送臂的移動位置的調(diào)整。
此外，上述搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于在利用 搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后利用上述搬送臂 使位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有在使位置
檢測用夾具下降之前，利用位置檢測用夾具的靜電電容傳感器，檢測 相對于載置部上所形成的目標(biāo)物的上述位置檢測用夾具的位置，從而 檢測出上述載置部的上方的位置檢測用夾具的水平方向的位置的工 序。
此外，在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然 后將上述位置檢測用夾具交接到載置部的升降部件上，然后利用升降
部件使位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，也可以具有: 在使位置檢測用夾具下降之前，利用位置檢測用夾具的靜電電容傳感 器，檢測相對于作為目標(biāo)物的升降部件的位置檢測用夾具的位置，從 而檢測出上述載置部上方的位置檢測用夾具的水平方向的位置的工 序。
此外，在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然 后利用上述搬送臂使位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況 下，也可以具有對設(shè)置于搬送臂的基板的支撐部和設(shè)置在與該支撐 部對應(yīng)的位置的位置檢測用夾具的靜電電容的電極的距離的變動檢 測，從而檢測出在搬送臂和載置部之間授受位置檢測用夾具時的上下 方向的位置的工序；以及基于該位置檢測用夾具的授受時的上下方向 的位置，調(diào)整搬送臂的移動位置的工序。
在上述搬送臂的移動位置的調(diào)整方法中，也可以對位置檢測用夾 具被從搬送臂交接到載置部上時，和位置檢測用夾具被從載置部交接 到搬送臂時的上下方向的位置進(jìn)行檢測。
在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后將上 述位置檢測用夾具交接到載置部的升降部件上、然后利用升降部件使 上述位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，也可以具有 對搬送臂的位置檢測用夾具的支撐部和設(shè)置在與該支撐部對應(yīng)的位置 的位置檢測用夾具的靜電電容的電極的距離的變動進(jìn)行檢測，從而檢 測出在搬送臂和升降部件之間授受位置檢測用夾具時的上下方向的位 置的工序；以及基于該位置檢測用夾具的授受時的上下方向的位置， 調(diào)整搬送臂的移動位置的工序。
在上述搬送臂的移動位置的調(diào)整方法中，也可以對位置檢測用夾 具被從搬送臂交接到升降部件上時和位置檢測用晶片被從升降部件交 接到搬送臂時的上下方向的位置進(jìn)行檢測。
此外，上述搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，在利用搬送臂使位置 檢測用夾具移動至載置部的上方、然后使位置檢測用夾具下降并載置 到載置部上的情況下，也可以具有在利用搬送臂使位置檢測用夾具 移動至載置部的上方時，利用位置檢測用夾具的靜電電容傳感器，檢 測與在載置部上形成的目標(biāo)物的距離，從而檢測出上述載置部的上方 的位置檢測用夾具的上下方向的位置的工序；和基于該位置檢測用夾 具的上下方向的位置，調(diào)整搬送臂在載置部的上方移動時的上下方向 的位置的工序。
在上述載置部具有使載置的基板旋轉(zhuǎn)的功能的情況下，在上述位 置檢測用夾具的中心設(shè)有加速度傳感器，在上述載置部上載置位置檢 測用夾具，利用該載置部使位置檢測用夾具旋轉(zhuǎn)，代替上述靜電電容 傳感器利用加速度傳感器檢測位置檢測用夾具的旋轉(zhuǎn)的加速度，從而 檢測出上述載置部中的位置檢測用夾具的載置位置。
此外，上述搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，具有在利用搬送臂 使位置檢測用夾具移動到載置部的上方時，利用上述位置檢測用夾具 的靜電電容傳感器，檢測與在上述載置部上形成的多個目標(biāo)物的距離， 從而檢測出搬送臂中的位置檢測用夾具的水平性的工序。
根據(jù)另一觀點的本發(fā)明，是一種位置檢測用夾具，用于進(jìn)行向載 置基板的載置部搬送基板的搬送臂的移動位置的調(diào)整，其特征在于 具有搬送臂能夠搬送的基板形狀，具有檢測與目標(biāo)物之間的靜電電容 的靜電電容傳感器，上述靜電電容傳感器，具有在與目標(biāo)物之間形 成靜電電容的靜電電容檢測電極，和與上述靜電電容檢測電極連接并 控制靜電電容的檢測動作的控制電路，上述靜電電容檢測電極，具有 設(shè)置于基板形狀的中心部并且能夠檢測載置部中心的與目標(biāo)物的相對 位置的第一靜電電容檢測電極、和設(shè)置在與搬送臂的支撐部對應(yīng)的位 置的第二靜電電容檢測電極。
上述靜電電容檢測電極也可以具有能夠檢測與在載置部上升降基 板的升降部件的相對位置的第三靜電電容檢測電極。
上述靜電電容檢測電極也可以具有在與載置部的上面的多個目標(biāo) 物對應(yīng)的位置設(shè)置的其它的靜電電容檢測電極。
根據(jù)本發(fā)明，即使相對于薄型的裝置也能夠搬入位置檢測用夾具， 能夠高精度地廉價地進(jìn)行搬送臂的移動位置的調(diào)整。


圖1是表示涂敷顯影系統(tǒng)的概略的俯視圖。
圖2是表示搬送臂的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖3是表示其它的搬送臂的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖4是表示涂敷顯影系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖5是表示涂敷顯影系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖6 (a)是表示自轉(zhuǎn)型液處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖6 (b) 是自轉(zhuǎn)型液處理裝置的內(nèi)部的俯視圖。
圖7 (a)是表示熱處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖7 (b)是熱 處理裝置的內(nèi)部的俯視圖。
圖8是表示周邊曝光裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖9 (a)是表示交接裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖9 (b)是交接 裝置的內(nèi)部的俯視圖。
圖IO是表示涂敷顯影系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖11是表示其它的搬送臂的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖12是位置檢測用晶片的立體圖。
圖13是表示位置檢測用晶片的背面的靜電電容檢測電極的配置的 說明圖。
圖14是表示位置檢測用晶片的第一靜電電容檢測電極和載置部的 表面之間的距離的說明圖。
圖15 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到交接裝置內(nèi)的載置板的上方的樣子 的說明圖，圖15 (b)是表示位置檢測用晶片被交接到升降銷的樣子的 說明圖，圖15 (c)是表示位置檢測用晶片被載置到載置板上的樣子的 說明圖。
圖16是表示位置檢測用晶片內(nèi)的載置板的中心孔的位置的說明圖。
圖17 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到自轉(zhuǎn)型液處理裝置的自轉(zhuǎn)卡盤的上 方的樣子的說明圖，圖17 (b)是表示位置檢測用晶片被交接到升降銷 的樣子的說明圖，圖17 (c)是表示位置檢測用晶片被載置到自轉(zhuǎn)卡盤 上的樣子的說明圖。
圖18 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到熱處理裝置內(nèi)的冷卻板的上方的樣 子的說明圖，圖18 (b)是表示位置檢測用晶片被載置到冷卻板上的樣 子的說明圖。
圖19 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到周邊曝光裝置內(nèi)的卡盤的上方的樣 子的說明圖，圖19 (b)是表示位置檢測用晶片被載置到卡盤上的樣子 的說明圖。
圖20 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到交接裝置內(nèi)的載置板的上方的樣子
的說明圖，圖20 (b)是表示位置檢測用晶片被交接到升降銷的樣子的 說明圖，圖20 (C)是表示位置檢測用晶片被載置到載置板上的樣子的 說明圖。
圖21 (a)是表示搬送臂進(jìn)入到交接裝置內(nèi)的載置銷的上方的樣子 的說明圖，圖21 (b)是表示位置檢測用晶片被載置到載置銷上的樣子 的說明圖。
圖22是具備加速度傳感器的位置檢測用晶片的立體圖。 符號說明
12、 21、 101、 121、 132搬送臂
40自轉(zhuǎn)卡盤 61冷卻板 70卡盤 90載置板
150靜電電容傳感器
152 155靜電電容檢測電極
A載置部
S位置檢測用晶片
W晶片
具體實施例方式
以下，對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行說明。圖1是應(yīng)用本發(fā)明涉 及的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法的涂敷顯影處理系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的概 略的俯視圖。
涂敷顯影處理系統(tǒng)l，如圖1所示，具有將盒站2、處理站3以及 接口站5—體連接的結(jié)構(gòu)，其中，盒站2用于例如將多個晶片W以 盒為單位從外部相對于涂敷顯影處理系統(tǒng)1搬入搬出，處理站3具 備在光刻處理中以單片的方式實施規(guī)定處理的多個各種處理裝置， 接口站5在與鄰接處理站3的曝光裝置4之間進(jìn)行晶片W的交接。 在盒站2中設(shè)置有盒載置臺10，在該盒載置臺10上能夠在X方 向(圖1中的上下方向) 一列載置多個盒C。在盒站2中設(shè)置有例如 晶片搬送裝置11。晶片搬送裝置11例如具有在左右的X方向、前后
的Y方向、圍繞鉛垂軸的e方向和上下方向移動自由的搬送臂i2。搬
送臂12，例如如圖12所示，具有兩個直線的臂，能夠?qū)⒕琖水平
地支撐在該臂的支撐部13上。搬送臂12能夠?qū)⒕琖搬送到盒載置 臺10上的盒C、或后述處理站3的第三載物塊G3的交接裝置80。
如圖1所示，在處理站3的中央部形成有配置有晶片搬送裝置20 的晶片搬送區(qū)域R。在處理站3中以包圍晶片搬送區(qū)域R的四周的方 式設(shè)置有具備各種多個裝置的例如4個載物塊G1、 G2、 G3、 G4。例 如在處理站3的正面?zhèn)?圖1的X方向的負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第一載物 塊G1，在處理站3的背面?zhèn)?圖1的X方向的正方向側(cè))設(shè)置有第二 載物塊G2。此外，在處理站3的盒站2頂U(kuò) (圖1的Y方向的負(fù)方向側(cè)) 設(shè)置有第三載物塊G3，在處理站3的接口站5側(cè)(圖1的Y方向的正 方向側(cè))設(shè)置有第四載物塊G4。
晶片搬送裝置20具有例如在左右的Y方向、前后方向、e方向和 上下方向移動自由的搬送臂21。搬送臂21，例如如圖3所示，具有比 晶片W稍大直徑的大致C字型的臂。在大致C字型的臂的內(nèi)側(cè)，在多 個部位設(shè)有向內(nèi)側(cè)突出、并且支撐晶片W的外周部的支撐部22。搬送 臂21能夠?qū)⒕琖水平地支撐在該支撐部22上。搬送臂21能夠在 晶片搬送區(qū)域R內(nèi)移動，將晶片W搬送到周圍的第一載物塊G1、第 二載物塊G2、第三載物塊G3和第四載物塊G4內(nèi)的規(guī)定位置。
晶片搬送裝置20例如如圖4所示在上下配置有多臺，能夠?qū)⒕?W搬送到例如各載物塊G1 G4的相同程度的高度的裝置上。
如圖1和圖5所示，例如在第一載物塊G1內(nèi)在上下方向和水平方 向排列設(shè)置有多個自轉(zhuǎn)型液處理裝置30，例如對晶片W進(jìn)行顯影處理 的顯影裝置、在晶片W的抗蝕劑膜的下層形成反射防止膜(以下稱"下 部反射防止膜")的下部反射防止膜形成裝置、在晶片W上涂敷抗蝕 劑液而形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷裝置、在晶片W的抗蝕劑膜的上層 形成反射防止膜(以下稱"上部反射防止膜")的上部反射防止膜形成 裝置等。
例如如圖6 (a)、圖6 (b)所示，例如自轉(zhuǎn)型液處理裝置30具備 吸附保持晶片W并使其旋轉(zhuǎn)的作為載置部的自轉(zhuǎn)卡盤40，和支撐晶片 W升降的作為多個升降部件的升降銷41。例如自轉(zhuǎn)卡盤40形成比晶
片W小的直徑，以包圍自轉(zhuǎn)卡盤40的周圍的方式配置有多個升降銷
41。該升降銷41能夠從搬送臂21接收晶片W并載置在自轉(zhuǎn)卡盤40上。
此外，在自轉(zhuǎn)卡盤40的上面的中心形成有圖6 (b)所示的有底的 中心孔42。該中心孔42用作通過例如后述位置檢測用晶片S進(jìn)行的晶 片W的載置位置的檢測用的目標(biāo)物。
如圖1和圖4所示，例如在第二載物塊G2內(nèi)，在上下方向和水平 方向排列設(shè)置有進(jìn)行晶片W的熱處理的熱處理裝置50和對晶片W的 外周部進(jìn)行曝光的周邊曝光裝置51。
如圖1所示，例如熱處理裝置50在水平方向的X方向排列具有載 置并加熱晶片W的熱板60、和載置并冷卻晶片W的作為載置部的冷 卻板61 。冷卻板61面對晶片搬送區(qū)域R而配置，熱板60被配置在晶 片搬送區(qū)域R的夾著冷卻板61的相對側(cè)。
如圖7 (a)、 (b)所示，冷卻板61形成為具有與晶片W相同程度 的直徑的大致圓板狀。在冷卻板61的外周部形成有用于使搬送臂21 的支撐部22沿上下方向通過的切口槽61a。由此，搬送臂21從水平方 向進(jìn)入冷卻板61的上方之后下降至比冷卻板61的上表面低的位置， 由此能夠?qū)⒕琖直接載置在冷卻板61上。
此外，如圖7 (b)所示，在冷卻板61的上表面中心形成有有底的 中心孔62。該中心孔62用作通過后述位置檢測用晶片S進(jìn)行的晶片 W的載置位置的檢測用的目標(biāo)物。另外，上述冷卻板61能夠移動至熱 板60上，能夠進(jìn)行與熱板60之間的晶片W的交接。
如圖1所示，周邊曝光裝置51具備作為吸附保持晶片W的載置 部的卡盤70。如圖8所示，卡盤70具有比晶片W小的直徑，使其不 與搬送臂21的支撐部22發(fā)生干擾。由此，搬送臂21從水平方向進(jìn)入 卡盤70的上方之后下降至比卡盤70的上表面低的位置，由此能夠?qū)?晶片W直接載置在卡盤70上。
此外，在卡盤70的上表面中心形成有有底的中心孔71。該中心孔 71用作通過后述位置檢測用晶片S進(jìn)行的晶片W的載置位置的檢測用 的目標(biāo)物。
如圖4所示，例如在第三載物塊G3內(nèi)層疊設(shè)置有多臺交接裝置
80。例如如圖9 (a)、 (b)所示，例如交接裝置80具備載置晶片W的 作為載置部的載置板90，和支撐晶片W升降的多個作為升降部件的升 降銷91 。在載置板90上形成有多個貫通孔92，升降銷91能夠在該貫 通孔92內(nèi)升降。該升降銷91能夠從搬送臂12、21或后述的搬送臂101、 121接收晶片W，并載置到載置板90上。另外，載置板90也可以具 有冷卻功能或溫度調(diào)節(jié)功能，在這種情況下，交接裝置80也可以作為 冷卻裝置或溫度調(diào)整裝置起作用。
此外，如圖9 (b)所示，在載置板90的上面中心形成有有底的中 心孔93。該中心孔93用作通過后述位置檢測用晶片S進(jìn)行的晶片W 的載置位置的檢測用的目標(biāo)物。
如圖1所示，在第三載物塊G3的X方向正方向側(cè)設(shè)有晶片搬送 裝置100。晶片搬送裝置IOO具有例如在前后方向、6方向和上下方向 移動自由的搬送臂101。搬送臂101例如具有與上述搬送臂21相同的 結(jié)構(gòu)，例如如圖3所示，具有比晶片W稍大直徑的大致C字型的臂。 在大致C字型的臂的內(nèi)側(cè)，在多個部位設(shè)有向內(nèi)側(cè)突出的支撐部22。 搬送臂101能夠沿上下移動，將晶片W搬送到第三載物塊G3內(nèi)的各 交接裝置80。
如圖4所示，例如在第四載物塊G4內(nèi)層疊設(shè)置有多臺交接裝置 110。例如交接裝置110具有與上述交接裝置80相同的結(jié)構(gòu)，例如如 圖9 (a)、 (b)所示，具有載置板90和多個升降銷91。該升降銷91 能夠從搬送會21或后述的搬送臂132接收晶片W并載置到載置板90 上。
如圖4和圖10所示，在晶片搬送區(qū)域R內(nèi)設(shè)置有在第三載物塊 G3和第四載物塊G4之間直線地搬送晶片W地梭動搬送裝置120。
梭動搬送裝置120具有例如在左右的Y方向直線地移動自由的搬 送臂121。例如如圖11所示，搬送臂121具有2個直線的臂，能夠?qū)?晶片W水平地支撐在該臂的支撐部122上。搬送臂121能夠在支撐晶 片W的狀態(tài)下在Y方向移動，在第三載物塊G3的交接裝置80和第 四載物塊的交接裝置110之間搬送晶片W。
如圖1所示，在接口站5上設(shè)置有晶片搬送裝置130和交接裝置 131。晶片搬送裝置130例如具有與上述晶片搬送裝置IOO相同的結(jié)構(gòu)，
具有例如在前后方向、e方向和上下方向移動自由的圖3所示的搬送 臂132。搬送臂132例如能夠?qū)⒕琖支撐在支撐部22上，將晶片W 搬送到第四載物塊G4內(nèi)的各交接裝置IIO和交接裝置131。
交接裝置131例如具有與上述交接裝置80相同的結(jié)構(gòu)，例如如圖 9 (a)、 (b)所示，具有載置板90和多個升降銷91。該升降銷91能夠 從搬送臂132或曝光裝置4的未圖示的搬送臂接收晶片W并載置到載 置板90上。
此外，利用以上的搬送臂12、 21、 101、 121、 132的晶片W的搬 送位置通過控制各搬送臂的動作的圖1所示的控制部140來進(jìn)行控制。
另夕卜，以下所記載的載置部A，表示上述自轉(zhuǎn)卡盤40、冷卻板61、 卡盤70或載置板90的任一個。
在如以上那樣構(gòu)成的涂敷顯影處理系統(tǒng)1中，例如進(jìn)行如下那樣 的晶片處理。
例如首先將圖1所示的盒C內(nèi)的未處理的晶片W通過搬送臂12 搬送到處理站3的第三載物塊G3的交接裝置80上。之后，通過搬送 臂21將晶片W搬送到例如第二載物塊G2的熱處理裝置50內(nèi)，并進(jìn) 行溫度調(diào)整。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到第一載物塊G1的 自轉(zhuǎn)型液處理裝置30內(nèi)，在晶片W上形成下部反射防止膜。之后， 再次通過搬送臂21將晶片W搬送到熱處理裝置50內(nèi)，對其進(jìn)行加熱， 然后返回到交接裝置80內(nèi)。
接著，通過搬送臂101將晶片W搬送到第二載物塊G2的另一高 度的交接裝置80內(nèi)。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到熱處理裝 置50內(nèi)，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，之后搬送到自轉(zhuǎn)型液處理裝置30內(nèi)，在晶 片W上形成抗蝕劑膜。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到熱處理 裝置50內(nèi)，對其進(jìn)行加熱(預(yù)烘培處理)，然后返回到交接裝置80內(nèi)。
接著，通過搬送臂101將晶片W搬送到再一高度的交接裝置80 內(nèi)。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到自轉(zhuǎn)型液處理裝置30內(nèi)， 在晶片W上形成上部反射防止膜。之后，通過搬送臂21將晶片W搬 送到熱處理裝置50內(nèi)，對其進(jìn)行加熱，然后返回到交接裝置80內(nèi)。
接著，通過搬送臂101將晶片W搬送到另一高度的交接裝置80 內(nèi)。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到例如周邊曝光裝置51，對
晶片W的外周部的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光。之后，通過搬送臂21將晶片 W返回到交接裝置80內(nèi)。
之后，通過搬送臂101將晶片W搬送到另一高度的交接裝置80 內(nèi)，通過搬送臂121將晶片W搬送到第四載物塊G4的交接裝置110 內(nèi)。之后，通過接口站5的搬送臂132將晶片W搬送到交接裝置131 內(nèi)，接著通過曝光裝置4的圖中未示的搬送臂搬送到曝光裝置4內(nèi)， 進(jìn)行曝光處理。
接著，通過曝光裝置4的搬送臂將晶片W搬送到交接裝置131， 通過搬送臂132搬送到第四載物塊G4的交接裝置110。之后，通過搬 送臂21將晶片W搬送到熱處理裝置50內(nèi)，對其進(jìn)行加熱(曝光之后 烘培處理)。之后，通過搬送臂21將晶片W搬送到自轉(zhuǎn)型液處理裝置 30內(nèi)，進(jìn)行顯影。在顯影結(jié)束后，通過搬送臂21將晶片W搬送到熱 處理裝置50內(nèi)，對其進(jìn)行加熱(后烘培處理)。之后，通過搬送臂21 將晶片W搬送到第三載物塊G3的交接裝置80內(nèi)，之后通過盒站2的 搬送臂12返回到盒載置臺IO上的盒C內(nèi)。這樣作為一系列的光刻處 理的晶片處理結(jié)束。
接著，對作為位置檢測用夾具的位置檢測用晶片S的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說 明。圖12是位置檢測用晶片S的立體圖。位置檢測用晶片S例如形成 為與產(chǎn)品晶片W相同的形狀，相同的大小，通過上述各搬送臂能夠與 晶片W同樣地搬送。位置檢測用晶片S例如由能夠進(jìn)行配線圖案的形 成和孔加工的陶瓷、硅或樹脂等形成。
在位置檢測用晶片S上設(shè)置有對與目標(biāo)物之間的靜電電容進(jìn)行檢 測的靜電電容傳感器150。靜電電容傳感器150在表面?zhèn)染哂锌刂齐娐?151，如圖13所示，在背面?zhèn)染哂卸鄠€靜電電容檢測電極152、 153、 154、 155。
例如第一靜電電容檢測電極152設(shè)置在例如位置檢測用晶片S的 背面的中央部。即，第一靜電電容檢測電極152設(shè)置在與將位置檢測 用晶片S載置在各載置部A (自轉(zhuǎn)卡盤40、冷卻板61、卡盤70和載 置板卯)時的中心孔42、 62、 71、 93對應(yīng)的位置上。第一靜電電容檢 測電極152例如具有中央的圓形部152a和以同心圓狀包圍該圓形部 152a的周圍的4個圓弧部152b。由此，第一靜電電容檢測電極152，
能夠檢測出與包括中心孔42、 62、 71、 93的各載置部A的上表面之間 的靜電電容，并且基于此能夠檢測出相對于載置部A的中心孔42、62、 71、 93的位置檢測用晶片S的相對的位置關(guān)系。 例如如圖14所示，當(dāng)?shù)谝混o電電容檢測電極 152的圓形部152a和圓弧部152b，與中心孔42、 62、 71、 93的 位置關(guān)系不同時，各個電極152a、 152b，與包括中心孔42、 62、 71、 93的載置部A上面的2極之間的距離d發(fā)生變動，使靜電電容發(fā)生變 動(靜電電容C= e B/d ( e為2極間的介電常數(shù)(e = e oX e s， eo為真空介電常數(shù)，es為相對介電常數(shù))，B為靜電電容檢測電極的 面積)。
利用這個能夠預(yù)先掌握通過第一靜電電容檢測電極152的圓形部 152a和圓弧部152b所檢測出的靜電電容的值，和此時與載置部A的 中心孔42、 62、 71、 93的位置的關(guān)系，基于通過第一靜電電容檢測電 極152的靜電電容的檢測結(jié)果，能夠檢測出從平面觀察時的位置檢測 用晶片S面內(nèi)的中心孔42、 62、 71、 93的位置。由此，能夠檢測出載 置部A中的位置檢測用晶片S的載置位置、進(jìn)入到載置部A的上方時 的位置檢測用晶片S的水平方向的位置。此外，例如根據(jù)圓形部152a 和中心孔42、 62、 71、 93之間的靜電電容能夠檢測出它們之間的距離， 也能夠檢測出進(jìn)入到載置部A的上方時的位置檢測用晶片S的上下方 向的位置。
圖13所示的第二靜電電容量檢測電極153例如設(shè)置在與上述各搬 送臂的支撐部13、 22、 122對應(yīng)的位置上。根據(jù)位置檢測用晶片S是 否支撐在支撐部13、 22、 122上，支撐部13、 22、 122與第二靜電電 容檢測電極153之間的靜電電容變動。因此，利用第二靜電電容檢測 電極153，能夠檢測出位置檢測用晶片S被轉(zhuǎn)移到載置部A或載置部 A的升降銷41、 91上時的上下方向的位置。另外，在本實施方式中， 第二靜電電容檢測電極153a是與搬送臂12的支撐部13對應(yīng)的電極， 第二靜電電容檢測電極153b是與搬送臂121的支撐部122對應(yīng)的電極， 第二靜電電容檢測電極153c是與搬送臂21、 101、 132的支撐部22對 應(yīng)的電極。
第三靜電電容檢測電極154例如設(shè)置在與自轉(zhuǎn)卡盤40的升降銷41
和載置板90的升降銷91對應(yīng)的位置上。第三靜電電容檢測電極154，
例如設(shè)置在與3個之中任一個升降銷41、 91對應(yīng)的位置上。第三靜電 電容檢測電極154例如與上述第一靜電電容檢測電極152相同，具有 中央的圓形部154a和以同心圓狀包圍該圓形部154a的周圍的4個圓 弧部154b。由此，例如在利用各搬送臂將位置檢測用晶片S移動至自 轉(zhuǎn)卡盤40或載置板90的上方時，能夠檢測出第三靜電電容檢測電極 154和升降銷41、 91之間的靜電電容。由此，例如能夠檢測出從平面 看時的位置檢測用晶片S面內(nèi)的升降銷41、 91的位置，結(jié)果，能夠檢 測出進(jìn)入到載置部A的上方時的位置檢測用晶片S的水平方向的位置。 另外，本發(fā)明的實施方式中的第三靜電電容檢測電極154以與1個升 降銷對應(yīng)的方式設(shè)置在一個部位，但也可以與3個升降銷對應(yīng)的方式 設(shè)置在三個部位。
第四靜電電容檢測電極155例如設(shè)置在載置部A的多個部位，例 如與4個部位的目標(biāo)物對應(yīng)的位置上。例如第四靜電電容檢測電極155 設(shè)置在與冷卻板61等的載置部A的周邊部附近的平坦面對應(yīng)的位置 上。此外，第四靜電電容檢測電極155以90度間隔設(shè)置在位置檢測用 晶片S的周邊部。由此，例如能夠在利用搬送臂21將位置檢測用晶片 S移動到載置部A的上方時檢測出第四靜電電容檢測電極155和載置 部A的平坦面之間的靜電電容，能夠檢測出它們之間的距離。由此， 能夠檢測出進(jìn)入到載置部A的上方時的位置檢測用晶片S的上下方向 的位置。此外，通過檢測出載置部A的平坦面和第四靜電電容檢測電 極155之間的4個部位的距離，并對它們進(jìn)行比較，能夠檢測出搬送 臂21上的位置檢測用晶片S的水平性。
上述各靜電電容檢測電極152 155，例如利用通過位置檢測用晶 片S內(nèi)的配線，與位置檢測用晶片S的表面中央的控制電路151電連 接。例如如圖12所示，控制電路151形成在設(shè)置于位置檢測用晶片S 的表面的中央部的電路基板T上?？刂齐娐?51，對將由各靜電電容檢 測電極152 155檢測出的靜電電容變換成電壓而得到的信號進(jìn)行接收 和發(fā)送，能夠得到各靜電電容檢測電極152 155和目標(biāo)物之間的靜電 電容值。在電路基板T上設(shè)有在控制電路151和外部的控制部140之 間進(jìn)行無線通信的無線電路160。另夕卜，各靜電電容檢測電極152 155、
控制電路151和無線電路160等的電源，例如設(shè)置在位置檢測用晶片S 的電路基板T上。
例如控制部140從位置檢測用晶片S接收由靜電電容傳感器150 的靜電電容的檢測結(jié)果，根據(jù)該檢測結(jié)果，能夠算出載置部A上的位 置檢測用晶片S的載置位置、載置部A的上方的上下方向和水平方向 的位置等。而且，控制部140根據(jù)該算出結(jié)果，能夠算出到位置檢測 用晶片S到適當(dāng)位置的校正量，能夠進(jìn)行晶片搬送時的各搬送臂的移 動位置的調(diào)整。
接著，對使用如以上那樣構(gòu)成的位置檢測用晶片S的各搬送臂的 移動位置的調(diào)整工藝進(jìn)行說明。
首先，對將晶片W搬送到交接裝置80時的搬送臂12的移動位置 的調(diào)整進(jìn)行說明。
首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂12的支撐部13上。另 外，也可以使用此時與支撐部13對應(yīng)的位置的第二靜電電容檢測電極 153a，檢測是否將位置檢測用晶片S適當(dāng)?shù)刂卧谥尾?3上。艮P， 檢測出第二靜電電容檢測電極153a和支撐部13之間的靜電電容，在 沒有成為預(yù)先設(shè)定的適當(dāng)?shù)撵o電電容的情況下，可以判斷出沒有將位 置檢測用晶片S適當(dāng)?shù)刂卧谥尾?3上。
接著，按照控制部140的現(xiàn)狀的晶片搬送時的移動位置的設(shè)定， 如圖15 (a)所示，搬送臂12從搬送口 80a進(jìn)入到第三載物塊G3的交 接裝置80內(nèi)，并在作為搬送目的地的載置板90的上方停止。另外， 在該時刻，為了回避搬送臂12和升降銷91的沖突，升降銷91下降。 其后例如在載置板90的上方的位置，利用第四靜電電容檢測電極155， 檢測出與載置板90的距離。由此，能夠檢測出搬送臂12按照設(shè)計值 進(jìn)入到載置板90的上方時的上下方向的位置(高度)。例如在該搬送 臂12的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下，利用控制部140，可以調(diào)整搬 送臂12的進(jìn)入高度。
接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四 靜電電容檢測電極155和載置板90的距離。通過比較這些第四靜電電 容檢測電極155和載置板90的4個部位的距離，能夠檢測出載置板90 的水平度。例如在載置板90不水平的情況下，進(jìn)行載置板90的安裝
部分的高度調(diào)整。
然后，例如如圖15 (b)所示，升降銷91上升至規(guī)定的高度，然 后搬送臂12下降規(guī)定距離，將位置檢測用晶片S交接到升降銷91上。
此時，禾U用第二靜電電容檢測電極153a，檢測出位置檢測用晶片S從 搬送臂12的支撐部13離開的瞬間的位置(OFF點)。此外，然后，搬 送臂12上升，將位置檢測用晶片S從升降銷91交接到搬送臂12上(圖 15的(a)的狀態(tài))。此時利用第二靜電電容檢測電極153a，檢測出將 位置檢測用晶片S支撐到搬送臂12的支撐部13的瞬間的位置(ON 點)。根據(jù)該OFF點和ON點的檢測，檢測出搬送臂12的位置檢測用 晶片S和升降銷91之間的上下方向的交接位置。例如在該交接位置不 適當(dāng)?shù)那闆r下，在控制部140中，對向搬送臂12的載置板卯上的進(jìn) 入高度和向升降銷91的交接時的下降距離等進(jìn)行校正。
接著，如圖15 (a)所示，在使位置檢測用晶片S在升降銷91的 上方待機(jī)的狀態(tài)下，利用位置檢測用晶片S的第三靜電電容檢測電極 154,檢測出位置檢測用晶片S面內(nèi)的升降銷91的位置。例如檢測出 升降銷91是否位于與第三靜電電容檢測電極154對應(yīng)的位置，或者是 其相對位置。由此，能夠確認(rèn)載置板90的上方的位置檢測用晶片S的 水平方向的大致位置。當(dāng)確認(rèn)位置檢測用晶片S在載置板90的上方位 于大致適當(dāng)?shù)奈恢脮r，搬送臂12下降，將位置檢測用晶片S交接到升 降銷91上，該升降銷91下降，如圖15 (c)所示，將其載置在載置板 90上。在位置檢測用晶片S在載置板90的上方?jīng)]有位于大致適當(dāng)?shù)奈?置的情況下，在該時刻，對搬送臂12的水平方向的位置進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在載置板90上時，檢測出第一靜電電 容檢測電極152與包括中心孔92的載置板90的上表面之間的靜電電 容。由此，如圖16所示，檢測出從平面看時的位置檢測用晶片S面內(nèi) 的載置板90的中心孔92的相對的位置關(guān)系，檢測出載置板90上的位 置檢測用晶片S的載置位置。在位置檢測用晶片S的載置位置偏離載 置板90的中心的情況下，算出該偏離量，對搬送時的搬送臂12的移 動位置進(jìn)行調(diào)整。
如此，進(jìn)行利用搬送臂12將晶片W交接到載置板90上時的搬送 臂12的位置調(diào)整。
接著，對搬送臂21的移動位置的調(diào)整進(jìn)行說明。首先，對將晶片
W搬送到自轉(zhuǎn)型液處理裝置30的自轉(zhuǎn)卡盤40上時的搬送臂21的移動
位置的調(diào)整進(jìn)行說明。
首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂21的支撐部22上。另 外，也可以使用此時與支撐部22對應(yīng)的位置的第二靜電電容檢測電極 153c，檢測是否將位置檢測用晶片S適當(dāng)?shù)刂卧谥尾?2上。
接著，按照控制部140的現(xiàn)狀的晶片搬送時的移動位置的設(shè)定， 如圖17 (a)所示，搬送臂21從搬送口 30a進(jìn)入到第一載物塊Gl的自 轉(zhuǎn)型液處理裝置30內(nèi)，并在作為搬送目的地的自轉(zhuǎn)卡盤40的上方停 止。其后例如在自轉(zhuǎn)卡盤40的上方的位置，利用第四靜電電容檢測電 極155，檢測與自轉(zhuǎn)卡盤40的表面的距離。由此，能夠檢測出搬送臂 21按照設(shè)計值進(jìn)入到自轉(zhuǎn)卡盤40的上方時的高度。例如在該搬送臂 21的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下，利用控制部140，調(diào)整搬送臂21 的進(jìn)入高度。
接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四 靜電電容檢測電極155和自轉(zhuǎn)卡盤40的表面的距離。通過比較這些第 四靜電電容檢測電極155和自轉(zhuǎn)卡盤40的表面的四個部位的距離，能 夠檢測出自轉(zhuǎn)卡盤40的水平度。例如在自轉(zhuǎn)卡盤40不水平的情況下， 進(jìn)行自轉(zhuǎn)卡盤40的安裝部分的高度調(diào)整。
然后，例如如圖17 (b)所示，升降銷41上升至規(guī)定的高度，然 后搬送臂21下降規(guī)定距離，將位置檢測用晶片S交接到升降銷41上。 此時，利用第二靜電電容檢測電極153c，檢測出位置檢測用晶片S從 搬送臂21的支撐部22離開的瞬間的位置(OFF點)。此外，然后，搬 送臂21上升，將位置檢測用晶片S從升降銷41交接到搬送臂21上(圖 17的(a)的狀態(tài))。此時利用第二靜電電容檢測電極153c，檢測出將 位置檢測用晶片S支撐到搬送臂21的支撐部22的瞬間的位置(ON 點)。根據(jù)該OFF點和ON點的檢測，檢測出利用搬送臂21的位置檢 測用晶片S和升降銷41之間的上下方向的交接位置。例如在該交接位 置不適當(dāng)?shù)那闆r下，在控制部140中，使向搬送臂21的自轉(zhuǎn)卡盤40 上的進(jìn)入高度和向升降銷41的交接時的下降距離等適當(dāng)化。
接著，如圖17 (a)所示，在使位置檢測用晶片S在升降銷41的
上方待機(jī)的狀態(tài)下，利用位置檢測用晶片S的第三靜電電容檢測電極 154，檢測出位置檢測用晶片S面內(nèi)的升降銷41的位置。由此，能夠
確認(rèn)自轉(zhuǎn)卡盤40的上方的位置檢測用晶片S的水平方向的大致位置。 當(dāng)確認(rèn)位置檢測用晶片S在自轉(zhuǎn)卡盤40的上方位于大致適當(dāng)?shù)奈恢?時，搬送臂21下降，將位置檢測用晶片S交接到升降銷41上，該升 降銷41下降，如圖17 (c)所示，將位置檢測用晶片S載置在自轉(zhuǎn)卡 盤40上。另外，在位置檢測用晶片S在自轉(zhuǎn)卡盤40的上方?jīng)]有位于 大致適當(dāng)?shù)奈恢玫那闆r下，在該時刻，對搬送臂21的水平方向的位置 進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在自轉(zhuǎn)卡盤40上時，通過第一靜電電 容檢測電極152、檢測出位置檢測用晶片S與包括中心孔42的自轉(zhuǎn)卡 盤40的上面之間的靜電電容。由此，檢測出位置檢測用晶片S和中心 孔42的相對的位置關(guān)系，而檢測出自轉(zhuǎn)卡盤40上的位置檢測用晶片S 的載置位置。在該位置檢測用晶片S的載置位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，對 搬送時的搬送臂21的移動位置進(jìn)行調(diào)整。該位置調(diào)整例如是通過利用 控制部140算出位置檢測用晶片S的中心與自轉(zhuǎn)卡盤40的中心孔42 的偏離量，并將該偏離量作為校正量而進(jìn)行的。
如此，進(jìn)行將晶片W交接到自轉(zhuǎn)卡盤40上時的搬送臂21的位置 調(diào)整。
接著，對將晶片W搬送到熱處理裝置50的冷卻板61上時的搬送 臂21的位置調(diào)整進(jìn)行說明。
首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂21的支撐部22上。接 著，按照控制部140的現(xiàn)狀的搬送目的地的位置設(shè)定，如圖18 (a)所 示，搬送臂21從搬送口 50a進(jìn)入到第二載物塊G2的熱處理裝置50內(nèi)， 并在作為搬送目的地的冷卻板61的上方停止。在冷卻板61的上方的 位置，利用第四靜電電容檢測電極155，檢測與圖7所示的冷卻板61 的距離。由此，例如能夠檢測出搬送臂21按照設(shè)計值進(jìn)入到冷卻板61 的上方時的高度。例如在該搬送臂21的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下， 利用控制部140，調(diào)整搬送臂21的進(jìn)入高度。
接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四 靜電電容檢測電極155和冷卻板61的表面的距離。通過比較這些第四
靜電電容檢測電極155和冷卻板61的表面的4個部位的距離，能夠檢
測出冷卻板61的水平度。例如在冷卻板61不水平的情況下，進(jìn)行冷 卻板61的安裝部分的高度調(diào)整。
接著，如圖18 (a)所示，在搬送臂21在冷卻板61的上方待機(jī)的 狀態(tài)下，例如利用第一靜電電容檢測電極152，檢測出位置檢測用晶片 S面內(nèi)的冷卻板61的中心孔62的位置。由此，能夠確認(rèn)冷卻板61的 上方的位置檢測用晶片S的水平方向的大致位置。而且，當(dāng)確認(rèn)位置 檢測用晶片S在冷卻板61的上方位于大致適當(dāng)?shù)奈恢脮r，如圖18 (b) 所示，搬送臂21下降，將位置檢測用晶片S載置在冷卻板61上。另 外，在位置檢測用晶片S在冷卻板61的上方?jīng)]有位于大致適當(dāng)?shù)奈恢?的情況下，在該時刻，對搬送臂21的水平方向的位置進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在冷卻板61上時，通過第一靜電電容 檢測電極152、檢測出與包括中心孔62的冷卻板61的上面之間的靜電 電容。由此，檢測出位置檢測用晶片S和冷卻板61的中心孔62的相 對的位置關(guān)系，而檢測出冷卻板61中的位置檢測用晶片S的載置位置。 在該位置檢測用晶片S的載置位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，對搬送時的搬送 臂21的移動位置進(jìn)行調(diào)整。該位置調(diào)整例如是通過利用控制部140算 出位置檢測用晶片S的中心與中心孔62的偏離量，并將該偏離量作為 校正量而進(jìn)行的。
如此，進(jìn)行將晶片W交接到冷卻板61上時的搬送臂21的位置調(diào)整。
接著，對將晶片W搬送到周邊曝光裝置51的卡盤70上時的搬送 臂21的位置調(diào)整進(jìn)行說明。
首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂21的支撐部22上。接 著，按照控制部140的現(xiàn)狀的搬送目的地的位置設(shè)定，如圖19 (a)所 示，搬送臂21從搬送口 51a進(jìn)入到第二載物塊G2的周邊曝光裝置51 內(nèi)，并在作為搬送目的地的卡盤70的上方停止。其后例如，在該卡盤 70的上方的位置，禾U用第四靜電電容檢測電極155，檢測與卡盤70的 表面的距離。由此，能夠檢測出搬送臂21按照設(shè)計值進(jìn)入到卡盤70 的上方時的高度。例如在該搬送臂21的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下， 利用控制部140，調(diào)整搬送臂21的進(jìn)入高度。 接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四
靜電電容檢測電極155和卡盤70的表面的距離。通過比較這些第四靜 電電容檢測電極155和卡盤70的表面的4個部位的距離，能夠檢測出 卡盤70的水平度。例如在卡盤70不水平的情況下，進(jìn)行卡盤70的安 裝部分的高度調(diào)整。
然后，例如如圖19 (b)所示，搬送臂21下降，將位置檢測用晶 片S載置到卡盤70上。此時，利用第二靜電電容檢測電極153c，檢測 出位置檢測用晶片S從搬送臂21的支撐部22離開的瞬間的位置(OFF 點)。此外，然后，搬送臂21上升，將位置檢測用晶片S從卡盤70再 次交接到搬送臂21上(圖19 (a)的狀態(tài))。此時利用第二靜電電容檢 測電極153c，檢測出將位置檢測用晶片S支撐到搬送臂21的支撐部 22的瞬間的位置(ON點)。根據(jù)該OFF點和ON點的檢測，檢測出通 過搬送臂21的位置檢測用晶片S和卡盤70之間的上下方向的交接位 置。例如在該交接位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，在控制部140中，對搬送臂 21的向卡盤70的上方的進(jìn)入高度等進(jìn)行校正。
接著，再次如圖19 (b)所示，當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在卡盤 70上時，通過第一靜電電容檢測電極152、檢測出與包括中心孔71的 卡盤70的上面之間的靜電電容。由此，檢測出位置檢測用晶片S和卡 盤70的中心孔71的相對的位置關(guān)系，而檢測出卡盤70中的位置檢測 用晶片S的載置位置。在該位置檢測用晶片S的載置位置不適當(dāng)?shù)那?況下，對搬送時的搬送臂21的移動位置進(jìn)行調(diào)整。該位置調(diào)整例如是 通過利用控制部140算出位置檢測用晶片S的中心與卡盤70的中心孔 71的偏離量，并將該偏離量作為校正量而進(jìn)行的。
如此，進(jìn)行將晶片W交接到卡盤70上時的搬送臂21的位置調(diào)整。
接著，對將晶片W搬送到交接裝置80、 110的載置板90上時的 搬送臂21的位置調(diào)整進(jìn)行說明。
首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂21的支撐部22上。接 著，按照控制部140的現(xiàn)狀的晶片搬送時的移動位置的設(shè)定，如圖20 (a)所示，搬送臂21從搬送口 170進(jìn)入到第三載物塊G3的交接裝置 80或第四載物塊G4的交接裝置110內(nèi)，并在作為搬送目的地的載置 板90的上方停止。其后例如在載置板90的上方的位置，利用第四靜
電電容檢測電極155，檢測出與載置板90的距離。由此，能夠檢測出
搬送臂21進(jìn)入到載置板90的上方時的上下方向的位置。例如在該搬 送臂21的進(jìn)入時的上下方向的位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，利用控制部140， 調(diào)整搬送臂21的進(jìn)入高度。
接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四 靜電電容檢測電極155和載置板90的表面的距離。通過比較這些第四 靜電電容檢測電極155和載置板90的表面的4個部位的距離，能夠檢 測出載置板90的水平度。例如在載置板90不水平的情況下，進(jìn)行載 置板90的安裝部分的高度調(diào)整。
然后，例如如圖20 (b)所示，使升降銷91上升至規(guī)定的高度， 然后搬送臂21下降規(guī)定距離，將位置檢測用晶片S交接到升降銷91 上。此時，利用第二靜電電容檢測電極153c，檢測出位置檢測用晶片 S從搬送臂21的支撐部22離開的瞬間的位置(OFF點)。此外，然后， 使搬送臂21上升，將位置檢測用晶片S從升降銷91再次交接到搬送 臂21上(圖20 (a)的狀態(tài))。此時利用第二靜電電容檢測電極153c， 檢測出將位置檢測用晶片S支撐到搬送臂21的支撐部22的瞬間的位 置(ON點)。根據(jù)該OFF點和ON點的檢測，檢測出利用搬送臂21 的位置檢測用晶片S和升降銷91之間的上下方向的交接位置。例如在 該交接位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，在控制部140中，對向搬送臂21的載置 板90上的進(jìn)入高度和向升降銷91的交接時的下降距離等進(jìn)行校正。
接著，如圖20 (a)所示，在位置檢測用晶片S在升降銷91的上 方待機(jī)的狀態(tài)下，利用位置檢測用晶片S的第三靜電電容檢測電極 154，檢測出升降銷91的位置。由此，能夠確認(rèn)載置板90的上方中的 位置檢測用晶片S的水平方向的大致位置。而且，當(dāng)確認(rèn)位置檢測用 晶片S在載置板90的上方位于大致適當(dāng)?shù)奈恢脮r，使搬送臂21下降， 將位置檢測用晶片S交接到升降銷91上，并使該升降銷91下降，如 圖20 (c)所示，將位置檢測用晶片S載置在載置板90上。另外，在 位置檢測用晶片S在載置板90的上方?jīng)]有位于大致適當(dāng)?shù)奈恢玫那闆r 下，在該時刻，對搬送臂21的水平方向的位置進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在載置板90上時，通過第一靜電電容 檢測電極152，檢測出與包括中心孔92的載置板90的上表面之間的靜
電電容。由此，檢測出位置檢測用晶片S和中心孔92的相對的位置關(guān) 系，檢測出載置板90上的位置檢測用晶片S的載置位置。在該位置檢
測用晶片S的載置位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，對搬送臂21的搬送目的地的 位置進(jìn)行調(diào)整。該位置調(diào)整例如是通過利用控制部140算出位置檢測 用晶片S的中心與載置板90的中心孔92的偏離量，并將該偏離量作 為校正量而進(jìn)行的。
如此，進(jìn)行將晶片W交接到載置板90上時的搬送臂21的位置調(diào)整。
接著，對將晶片W搬送到第三載物塊G4的載置板90上時的搬送 臂101的位置調(diào)整進(jìn)行說明。該搬送臂101的位置調(diào)整，與相對于載 置板90的搬送臂12、 21的位置調(diào)整相同。
艮口，首先，將位置檢測用晶片S支撐在搬送臂101的支撐部22上。 接著，搬送臂101進(jìn)入到第三載物塊G3的交接裝置80內(nèi)，并在作為 搬送目的地的載置板90的上方停止。其后例如在載置板90的上方的 位置，利用第四靜電電容檢測電極155，檢測出與載置板90的距離， 由此，能夠檢測出進(jìn)入到載置板90上時的搬送臂101的上下方向的位 置。在該搬送臂101的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下，利用控制部140， 調(diào)整搬送臂101的進(jìn)入高度。
接著，使用4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出各第四 靜電電容檢測電極155和載置板90的表面的距離。通過比較這些第四 靜電電容檢測電極155和載置板90的表面的4個部位的距離，能夠檢 測出載置板90的水平度。例如在載置板90不水平的情況下，進(jìn)行載 置板90的安裝部分的高度調(diào)整。
然后，使升降銷91上升至規(guī)定的高度，然后使搬送臂101下降規(guī) 定距離，將位置檢測用晶片S交接到該升降銷91上。此時，利用第二 靜電電容檢測電極153c，檢測出位置檢測用晶片S從搬送臂21的支撐 部22離開的瞬間的位置(OFF點)。此外，然后，使搬送臂101上升， 將位置檢測用晶片S從升降銷91再次交接到搬送臂101上。此時利用 第二靜電電容檢測電極153c，檢測出將位置檢測用晶片S支撐到搬送 臂101的支撐部22的瞬間的位置(ON點)。根據(jù)該OFF點和ON點 的檢測，檢測出利用搬送臂21的位置檢測用晶片S和升降銷91之間
的上下方向的交接位置。例如在該交接位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，在控制 部140中，對向搬送臂101的載置板90的上方的進(jìn)入高度和向升降銷
91的交接時的下降距離、和升降銷91的上下方向的位置等進(jìn)行校正。 接著，在位置檢測用晶片S在升降銷91的上方待機(jī)的狀態(tài)下，利 用位置檢測用晶片S的第三靜電電容檢測電極154，檢測出升降銷91 的位置。由此，能夠確認(rèn)載置板90的上方中的位置檢測用晶片S的水 平方向的大致位置。而且，當(dāng)確認(rèn)位置檢測用晶片S在載置板90的上 方位于大致適當(dāng)?shù)奈恢脮r，使搬送臂101下降，將位置檢測用晶片S 交接到升降銷91上，并使該升降銷91下降，將位置檢測用晶片S載 置在載置板90上。另外，在位置檢測用晶片S在載置板90的上方?jīng)] 有位于大致適當(dāng)?shù)奈恢玫那闆r下，在該時刻，對搬送臂21的水平方向 的位置進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)將位置檢測用晶片S載置在載置板90上時，通過第一靜電電容 檢測電極152，檢測出與包括中心孔92的載置板90的上面之間的靜電 電容。由此，檢測出位置檢測用晶片S和中心孔92的相對的位置關(guān)系， 檢測出載置板90中的位置檢測用晶片S的載置位置。在該位置檢測用 晶片S的載置位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，對搬送時的搬送臂101的移動位 置進(jìn)行調(diào)整。該位置調(diào)整例如是通過利用控制部140算出位置檢測用 晶片S的中心與載置板90的中心孔92的偏離量，并將該偏離量作為 校正量而進(jìn)行的。
如此，進(jìn)行將晶片W交接到載置板90上時的搬送臂101的位置 調(diào)整。
另外，關(guān)于將晶片W搬送到交接裝置80、 110的載置板90上時 的搬送臂121的位置調(diào)整，只有臂形狀不同，但與上述搬送臂12、 21、 101相同，因此省略說明。此外，由于將晶片W搬送到交接裝置80、 131的載置板90上時的搬送臂132的位置調(diào)整也與上述搬送臂12、21、 101相同，所以省略說明。
根據(jù)以上的實施方式，使具有靜電電容傳感器150的位置檢測用 晶片S支撐在搬送臂(12、 21、 101、 121、 132)上，利用該搬送臂將 位置檢測用晶片S搬送到各裝置的載置部A，利用靜電電容傳感器150 檢測出位置檢測用晶片S的載置位置。然后，基于該載置位置進(jìn)行搬送臂的位置調(diào)整。靜電電容傳感器150與現(xiàn)有的光學(xué)系的傳感器相比 能夠極薄地形成，因此能夠使位置檢測用晶片S變薄。因而，即使對 于具有窄的搬送口那樣的薄型裝置，也能夠搬送位置檢測用晶片S，能 夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行搬送臂的移動位置的調(diào)整。此外，通過使用具有靜電電 容傳感器150的位置檢測用晶片S，能夠高精度地廉價地進(jìn)行搬送臂的 位置調(diào)整。
此外，在以上的實施方式中，例如如冷卻板61那樣，在將位置檢 測用晶片S從搬送臂直接載置到載置部A上的情況下，在使位置檢測 用晶片S下降之前，利用第一靜電電容檢測電極152檢測出載置部A 的中心孔的位置，檢測出載置部A的上方的位置檢測用晶片S的水平 方向的位置。由此，能夠檢測出將位置檢測用晶片S載置到載置部A 上之前的大致位置，例如在位置檢測用晶片S的水平方向的位置發(fā)生 較大偏離的情況下，在該時刻能夠進(jìn)行搬送臂的位置調(diào)整。因此，能 夠防止在發(fā)生較大偏離的狀態(tài)下使位置檢測用晶片S下降，例如使搬 送臂與載置部A接觸。
此外，同樣地例如載置板90和自轉(zhuǎn)卡盤40那樣，在將位置檢測 用晶片S從搬送臂通過升降銷載置到載置部A的情況下，在使位置檢 測用晶片S下降之前，利用第三靜電電容檢測電極154檢測出載置部 A的升降銷的位置，檢測出載置部A的上方的位置檢測用晶片S的水 平方向的位置。由此，能夠檢測出將位置檢測用晶片S載置到載置部 A上之前的大致位置，例如在位置檢測用晶片S的水平方向的位置發(fā) 生較大偏離的情況下，在該時刻能夠進(jìn)行搬送臂的位置調(diào)整。因此， 能夠防止在發(fā)生較大偏離的狀態(tài)下使位置檢測用晶片S下降，例如搬 送臂與載置部A接觸。
在以上的實施方式中，例如如冷卻板61和卡盤70那樣，在將位 置檢測用晶片S直接載置到載置部A的情況下，利用位置檢測用晶片 S的第二靜電電容檢測電極153，檢測出與搬送臂的支撐部之間的距離 的變動，檢測出搬送臂和載置部A之間的位置檢測用晶片S的授受的 上下方向的位置。由此，能夠進(jìn)行搬送臂的交接時的下降位置和下降 距離的調(diào)整。在例如相對于位置檢測用晶片S的實際的交接位置，搬 送臂21從必要以上高的位置開始下降，或者下降至必要以上低的位置
的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)搬送臂的移動位置的適當(dāng)化。
特別是，在上述實施方式中，在對搬送臂和載置部A之間的授受 的位置進(jìn)行檢測之際，對將位置檢測用晶片S從搬送臂交接到載置部 A時和將位置檢測用晶片S從載置部A交接到搬送臂時的雙方的上下
方向的位置進(jìn)行檢測。在搬送臂一載置部A的情況和載置部A—搬送
臂的情況下，存在上下方向的交接位置不同的情況，因此通過對雙方 進(jìn)行檢測，能夠更精確地實現(xiàn)搬送臂的移動位置的適當(dāng)化。
同樣地例如如載置板90那樣，在將位置檢測用晶片S從搬送臂通 過升降銷載置到載置部A的情況下，利用位置檢測用晶片S的第二靜 電電容檢測電極153，檢測出與搬送臂的支撐部之間的距離的變動，檢 測出搬送臂和升降部之間的位置檢測用晶片S的授受的上下方向的位 置。由此，能夠進(jìn)行搬送臂的交接時的下降位置和下降距離等的調(diào)整。 在例如相對于位置檢測用晶片S的實際的交接位置，搬送臂從必要以 上高的位置開始下降，下降至必要以上低的位置的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn) 搬送臂的移動位置的適當(dāng)化。
此外，在上述實施方式中，在對搬送臂和升降銷之間的授受的位 置進(jìn)行檢測之際，對將位置檢測用晶片S從搬送臂交接到升降銷時和 將位置檢測用晶片S從升降銷交接到搬送臂時的雙方的上下方向的位 置進(jìn)行檢測。在搬送臂一升降銷的情況和升降銷一搬送臂的情況下， 存在上下方向的交接位置不同的情況，因此通過對雙方進(jìn)行檢測，能 夠更精確地實現(xiàn)搬送臂的移動位置的適當(dāng)化。
在以上的實施方式中，當(dāng)搬送臂進(jìn)入到載置部A的上方時，對載 置部A的上方的位置檢測用晶片S的上下方向的位置進(jìn)行檢測，因此 根據(jù)這個能夠調(diào)整搬送臂的進(jìn)入時的高度。由此，例如能夠調(diào)整相對 于裝置的搬送口的搬送臂的進(jìn)入高度等，能夠防止搬送臂與裝置的部 件的接觸。
在以上的實施方式中，當(dāng)搬送臂進(jìn)入到載置部A的上方時，也可 以利用位置檢測用晶片S的靜電電容傳感器150，檢測與形成于載置部 A的多個目標(biāo)物的距離，檢測搬送臂中的位置檢測用晶片S的水平性。 例如如圖18 (a)所示，當(dāng)搬送臂21進(jìn)入到冷卻板61的上方時，利用 位置檢測用晶片S的4個部位的第四靜電電容檢測電極155，檢測出與
冷卻板61的表面之間的距離。然后，通過對這些第四靜電電容檢測電 極155和冷卻板61的表面的4點的距離進(jìn)行比較，能夠檢測出搬送臂
21上的位置檢測用晶片S的水平性。例如在第四靜電電容檢測電極155 和冷卻板61的表面的4點的距離不同的情況下，檢測出位置檢測用晶 片S的傾斜，校正例如搬送臂21的傾斜度。由此，能夠確保搬送臂21 中的位置檢測用晶片S的水平性。
在以上的實施方式中，交接裝置80、 110、 131是在載置板90上 載置晶片W的裝置，但也可以是在基臺上立起的3個載置銷上載置晶 片W的裝置。以下，說明相對于這種情況的交接裝置80的搬送臂21 的位置調(diào)整。另夕卜，位置檢測用晶片S的第三靜電檢測用電極154設(shè) 置在與3個載置銷對應(yīng)的位置上。
首先，如圖21 (a)所示，搬送臂21進(jìn)入到距離交接裝置80內(nèi)的 載置銷180的前端數(shù)mm (例如3mm左右)的高度位置。其后利用第 三靜電電容檢測電極154，檢測出與載置銷180的距離。由此，能夠檢 測出搬送臂21按照設(shè)計值進(jìn)入到載置銷180的上方時的高度。例如在 該搬送臂21的進(jìn)入時的高度不適當(dāng)?shù)那闆r下，利用控制部140，調(diào)整 搬送臂21的進(jìn)入高度。
然后，例如如圖21 (b)所示，使該搬送臂21下降規(guī)定距離，將 位置檢測用晶片S交接到載置銷180上。此時，利用第二靜電電容檢 測電極153a，檢測出位置檢測用晶片S從搬送臂21的支撐部22離開 的瞬間的位置(OFF點)。此外，然后，搬送臂21上升，將位置檢測 用晶片S從載置銷180交接到搬送臂21上(圖21的(a)的狀態(tài))。 此時利用第二靜電電容檢測電極153a，檢測出將位置檢測用晶片S支 撐到搬送臂21的支撐部22的瞬間的位置(ON點)。根據(jù)該OFF點和 ON點的檢測，檢測出利用搬送臂21的位置檢測用晶片S和載置銷180 之間的上下方向的交接位置。例如在該交接位置不適當(dāng)?shù)那闆r下，在 控制部140中，對向搬送臂21的載置銷180上的進(jìn)入高度和向載置銷 180的交接時的下降距離等進(jìn)行校正。
接著，例如使搬送臂21下降，將位置檢測用晶片S載置在載置銷 180上。然后，檢測出第三靜電電容檢測電極154與載置銷180之間的 靜電電容，檢測出位置檢測用晶片S和載置銷180的相對的位置關(guān)系。
由此，檢測出載置銷180中的位置檢測用晶片S的載置位置。在位置 檢測用晶片S中心與載置銷180的中心偏離的情況下，算出該偏離量，
對搬送時的搬送臂21的移動位置進(jìn)行調(diào)整。
另外，在上述例子中，也可以使用3個部位的第三靜電電容檢測 電極154，檢測各第三靜電電容檢測電極154和載置銷180的距離。通 過比較各第三靜電電容檢測電極154和載置銷180的各自的距離，能 夠檢測晶片W的載置時的水平性。例如在載置時晶片W不水平的情 況下，進(jìn)行載置銷180的安裝部分的高度調(diào)整。
在以上的實施方式中，也可以如圖22所示，在位置檢測用晶片S 的表面的中心設(shè)有加速度傳感器190，在具有如自轉(zhuǎn)卡盤40那樣的旋 轉(zhuǎn)功能的載置部A中，使用該加速度傳感器190，對載置部A中的位 置檢測用晶片S的載置位置進(jìn)行檢測。在這種情況下，例如在利用搬 送臂21將位置檢測用晶片S載置到自轉(zhuǎn)卡盤40上之后，使自轉(zhuǎn)卡盤 40旋轉(zhuǎn)。然后，利用位置檢測用晶片S的加速度傳感器190，檢測出 該旋轉(zhuǎn)加速度，檢測出從該加速度的方向成分的位置檢測用晶片S的 中心和自轉(zhuǎn)卡盤40的中心的偏離。由此，能夠檢測自轉(zhuǎn)卡盤40中的 位置檢測用晶片S的載置位置。例如在位置檢測用晶片S的位置發(fā)生 偏離的情況下，例如根據(jù)加速度傳感器190的檢測結(jié)果，算出位置檢 測用晶片S的中心和自轉(zhuǎn)卡盤40的中心的偏離量，以該偏離量作為校 正量，進(jìn)行搬送臂21的位置調(diào)整。
以上，參照附圖對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明 并不限定于這樣的例子。如果是本技術(shù)領(lǐng)域的人員，則可以清楚地明 白在專利要求的范圍內(nèi)記載的思想的范疇內(nèi)，能夠得到各種的變更例 或校正例，就這些而言當(dāng)然都屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如在以上的 實施方式中記載的位置檢測用夾具為圓狀的晶片型，但也可以為其它 形狀，在產(chǎn)品基板為方形的情況下為方形。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明在相對于薄型的裝置高精度地廉價地進(jìn)行搬送臂的位置調(diào) 整時有用。
權(quán)利要求
1.一種搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其是向載置基板的載置部搬送基板的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于，包括使基板形狀的位置檢測用夾具支撐在搬送臂上的工序，該位置檢測用夾具具有檢測與目標(biāo)物之間的靜電電容從而能夠檢測出相對于該目標(biāo)物的相對位置的靜電電容傳感器；利用所述搬送臂搬送所述位置檢測用夾具，并將所述位置檢測用夾具載置在所述載置部上的工序；利用所述位置檢測用夾具的靜電電容傳感器，檢測所述位置檢測用夾具相對于載置部上所形成的目標(biāo)物的位置，從而檢測所述載置部上的位置檢測用夾具的載置位置的工序；和基于所述位置檢測用夾具的載置位置，調(diào)整所述位置檢測用夾具的搬送時的所述搬送臂的移動位置的工序。
2. 如權(quán)利要求l所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后利用 所述搬送臂使位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有在使位置檢測用夾具下降之前，利用位置檢測用夾具的靜 電電容傳感器，檢測位置檢測用夾具相對于載置部上所形成的目標(biāo)物 的位置，從而檢測所述載置部的上方的位置檢測用夾具的水平方向的 位置的工序。
3. 如權(quán)利要求1所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方，然后將所 述位置檢測用夾具交接到載置部的升降部件上、然后利用升降部件使 位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有在使位置檢測用夾具下降之前，利用位置檢測用夾具的靜電 電容傳感器，檢測位置檢測用夾具相對于作為目標(biāo)物的升降部件的位 置，檢測所述載置部的上方的位置檢測用夾具的水平方向的位置的工 序。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特 征在于在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后利用 所述搬送臂使位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有對設(shè)置于搬送臂上的基板的支撐部和設(shè)置在與該支撐部對 應(yīng)的位置的位置檢測用夾具的靜電電容的電極的距離的變動進(jìn)行檢 測，從而檢測出在搬送臂和載置部之間授受位置檢測用夾具時的上下 方向的位置的工序；和基于該位置檢測用夾具的授受時的上下方向的位置，調(diào)整搬送臂 的移動位置的工序。
5. 如權(quán)利要求4所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于對位置檢測用夾具被從搬送臂交接到載置部上時、和位置檢測用 夾具被從載置部交接到搬送臂時的上下方向的位置進(jìn)行檢測。
6. 如權(quán)利要求1或3所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后將所 述位置檢測用夾具交接到載置部的升降部件上、然后利用升降部件使 所述位置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有對搬送臂的位置檢測用夾具的支撐部和設(shè)置在與該支撐部 對應(yīng)的位置的位置檢測用夾具的靜電電容的電極的距離的變動進(jìn)行檢 測，從而檢測出在搬送臂和升降部件之間授受位置檢測用夾具時的上 下方向的位置的工序；和基于該位置檢測用夾具的授受時的上下方向的位置，調(diào)整搬送臂 的移動位置的工序。
7. 如權(quán)利要求6所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于對位置檢測用夾具被從搬送臂交接到升降部件上時、和位置檢測 用夾具被從升降部件交接到搬送臂時的上下方向的位置進(jìn)行檢測。
8. 如權(quán)利要求1 7中任一項所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方 法，其特征在于在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方、然后使位 置檢測用夾具下降并載置到載置部上的情況下，具有在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動至載置部的上方時， 利用位置檢測用夾具的靜電電容傳感器，檢測與在載置部上形成的目 標(biāo)物的距離，從而檢測出所述載置部的上方的位置檢測用夾具的上下 方向的位置的工序；和基于該位置檢測用夾具的上下方向的位置，調(diào)整搬送臂在載置部 的上方移動時的上下方向的位置的工序。
9. 如權(quán)利要求1 8中任一項所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于在所述載置部具有使載置的基板旋轉(zhuǎn)的功能的情況下， 在所述位置檢測用夾具的中心設(shè)有加速度傳感器， 在所述載置部上載置位置檢測用夾具，利用該載置部使位置檢測用夾具旋轉(zhuǎn)，代替所述靜電電容傳感器利用加速度傳感器檢測位置檢測用夾具的旋轉(zhuǎn)的加速度，從而檢測出所述載置部上的位置檢測用夾具的載置位置。
10. 如權(quán)利要求1 9中任一項所述的搬送臂的移動位置的調(diào)整方法，其特征在于具有在利用搬送臂使位置檢測用夾具移動到載置部的上方時， 利用所述位置檢測用夾具的靜電電容傳感器，檢測與在所述載置部上 形成的多個目標(biāo)物的距離，從而檢測搬送臂上的位置檢測用夾具的水 平性的工序。
11. 一種位置檢測用夾具，其用于進(jìn)行向載置基板的載置部搬送 基板的搬送臂的移動位置的調(diào)整，其特征在于具有搬送臂能夠搬送的基板形狀，具有檢測與目標(biāo)物之間的靜電電容的靜電電容傳感器，所述靜電電容傳感器具有在與目標(biāo)物之間形成靜電電容的靜電電容檢測電極、和與所述靜電電容檢測電極連接并控制靜電電容的檢測動作的控制電路，所述靜電電容檢測電極具有設(shè)置于基板形狀的中心部并且能夠檢測與載置部中心的目標(biāo)物的相對位置的第一靜電電容檢測電極、和設(shè)置在與搬送臂的支撐部對應(yīng)的位置的第二靜電電容檢測電極。
12. 如權(quán)利要求ll所述的位置檢測用夾具，其特征在于 所述靜電電容檢測電極具有能夠檢測與在載置部上升降基板的升降部件的相對位置的第三靜電電容檢測電極。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的位置檢測用夾具，其特征在于 所述靜電電容檢測電極具有在與載置部的上面的多個目標(biāo)物對應(yīng)的位置設(shè)置的其它的靜電電容檢測電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種搬送臂的移動位置的調(diào)整方法和位置檢測用夾具，使用能夠搬入到薄型裝置的位置檢測用夾具，高精度地廉價地進(jìn)行搬送臂的位置調(diào)整。使具有靜電電容傳感器(150)的位置檢測用晶片(S)支撐在搬送臂上，利用該搬送臂搬送位置檢測用晶片(S)，并載置到載置部(A)上。然后，利用位置檢測用晶片(S)的靜電電容傳感器(150)，檢測載置部(A)的中心孔的位置，檢測出載置部(A)上的位置檢測用晶片(S)的載置位置。然后，基于位置檢測用晶片(S)的載置位置，調(diào)整晶片搬送時的搬送臂的移動位置。
文檔編號G01B7/00GK101373728SQ20081012802
公開日2009年2月25日 申請日期2008年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月24日
發(fā)明者林德太郎, 道木裕一, 馬原康爾 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社