專利名稱：磁共振成像裝置以及rf線圈的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁共振成像(imaging)裝置以及RF (Radio Frequency,射頻)線圏，特別涉及可以抑制在RF線圏的周邊產生的 熱的磁共振成像裝置以及RF線圏。
背景技術：
磁共振成像裝置是對設置于靜磁場中的被檢體施加高頻磁場，并 檢測由于該高頻磁場而從被檢體發(fā)生的磁共振信號來對圖像進行重 構的裝置。這樣的磁共振成像裝置具有向被檢體施加高頻磁場，進而 檢測從被檢體發(fā)生的磁共振信號的RF線圏。該RF線圏中，有使用 單一的線閨來進行高頻磁場的施加和磁共振信號的檢測的發(fā)送接收 兼用的線閨、以及使用不同的發(fā)送用和接收用的線圏進行各自的動作 的線閨。
一般來講，RF線圏是使用銅箔等薄的導電部件形成的，在該導 電部件上，連接有用于對RF線圏的動作進行控制的規(guī)定的電路元件。 例如，在RF線圏上，連接有用于使高頻磁場的頻率與共振頻率調諧 的共振電路中包含的電容器(capacitor)、和在RF線圍為發(fā)送接收 兼用的情況下成為用于在發(fā)送/接收這兩個模式間切換動作模式 (mode)的開關(switch)的PIN ( P - Intrinsic - N ) 二極管等。
這些電路元件如果被供給電流則發(fā)熱，所以在使磁共振成像裝置 工作時，在RF線圏的周邊產生熱。該熱有可能傳遞至被檢體。因此，在磁共振成像裝置的工作中，需要恰當?shù)乩鋮sRF線圍周邊的熱。因 此，提出了如下的技術通過在磁共振成像裝置中設置冷卻裝置，并 使用該冷卻裝置向RF線團周邊等有可能發(fā)熱的位置送入冷卻空氣， 而冷卻在磁共振成像裝置內發(fā)生的熱(例如參照日本特開平8-322815號公報)。
但是，在RF線圏的周邊，由于各種電路元件的發(fā)熱而局部性地 發(fā)生熱，所以僅通過如以往那樣簡單地對RF線圍送入冷卻空氣，有 時無法高效地抑制發(fā)熱。在對體重較重的被檢體進行攝影的情況等需 要向RF線圏供給大的電流的情況下，常常發(fā)生該現(xiàn)象。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個方式的磁共振成像裝置具備向設置于靜磁場中的 被檢體施加高頻磁場的RF線圏，上述RF線圏具有多個導電部件和 與上述多個導電部件連接的電路元件，上述導電部件的至少一部分被 形成為滿足分散從上述電路元件發(fā)生的熱的厚度、分散從上述電路元 件發(fā)生的熱的形狀、和分散從上述電路元件發(fā)生的熱的材質中的任意 一個或多個條件。
另外，本發(fā)明的其它方式的RF線圏具備于磁共振成像裝置，該 RF線圏向設置于靜磁場中的被檢體施加高頻磁場，具有多個導電部 件和與上述多個導電部件連接的電路元件，上述導電部件的至少一部 分被形成為滿足分散從上述電路元件發(fā)生的熱的厚度、分散從上述電 路元件發(fā)生的熱的形狀、和分散從上述電路元件發(fā)生的熱的材質中的 任意一個或多個條件。


圖l是用于說明本實施例的MRI裝置的整體結構的圖。 圖2是示出本實施例的RF線團的結構的圖。 圖3是示出梯級(rung)部與電路元件的連接位置的圖。 圖4是示出環(huán)狀(ring)部與電路元件的連接位置的圖。圖5是示出由導流(guide)部形成的流路以及冷卻空氣流的圖m 。
圖6是示出由引導部形成的流路以及冷卻空氣流的圖(2)。 圖7是示出RF線圏中的銅箔的厚度、有無送風以及電路元件周 邊的溫度變化的關系的曲線圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，對本發(fā)明的磁共振成像裝置以及RF線團的優(yōu)選 的實施例進行詳細說明。另外，以下，將磁共振成像裝置稱為"MRI (Magnetic Resonance Imaging )裝置'，。
首先，對本實施例的MRI裝置的整體結構進行說明。圖l是用 于說明本實施例的MRI裝置的整體結構的圖。如圖1所示，該MRI 裝置100具有靜磁場磁鐵110、傾斜磁場線圏120、 RF線圏130、傾 斜磁場電源141、發(fā)送部142、接收部143、時序(sequence)控制裝 置150、床裝置160和計算機(computer) 170。
靜磁場磁鐵110是形成為筒狀的磁鐵，利用從靜磁場電源(未圖 示)供給的電流，在配置有被檢體P的筒內部的空間發(fā)生靜磁場。
傾斜磁場線圏120是配設在靜磁場磁鐵110的內側的線圏，利用 從傾斜磁場電源141供給的電流，在靜磁場磁鐵110的內側發(fā)生沿著 相互正交的x、 y、 z這3個方向強度變化的傾斜磁場。
RF線圏130是在靜磁場磁鐵110的開口部內被配設成與被檢體 P對向的發(fā)送接收兼用的線圏，從發(fā)送部142接收高頻脈沖的供給而 對被檢體P施加高頻磁場，并且接收由于勵磁而從被檢體P的氫原子 核釋放的磁共振信號。將在后面詳細說明這樣的RF線團130的結構。
另外，上述靜磁場磁鐵110、傾斜磁場線圏120以及RF線圏130 分別搭栽于未圖示的架臺裝置上。
傾斜磁場電源141是根據(jù)來自時序控制裝置150的指示，向傾斜 磁場線圏120供給電流的電源。
發(fā)送部142是根據(jù)來自時序控制裝置150的指示，向RF線圏130發(fā)送RF脈沖(pulse)的裝置。
接收部143對時序控制裝置150發(fā)送通過檢測由RF線團130接 收到的磁共振信號并對所檢測出的磁共振信號進行數(shù)字(digital)化 而得到的原始數(shù)據(jù)(data)。
時序控制裝置150是通過在計算機170的控制下對傾斜磁場電源 141、發(fā)送部142以及接收部143分別進行驅動而進行被檢體P的掃 描(scan)的裝置，如果進行了掃描的結果，從接收部143發(fā)送了原 始數(shù)據(jù)，則向計算機170發(fā)送該原始數(shù)據(jù)。
床裝置160具備載置有被檢體P的頂板161，將頂板161與被檢 體P—起向處于設置在架臺裝置上的開口部內的攝像區(qū)域移動。
計算機170是控制MRI裝置IOO整體的裝置，具有輸入部， 從操作者接收各種輸入；時序控制部，根據(jù)從操作者輸入的攝像條件 使時序控制裝置150執(zhí)行掃描；圖像重構部，根據(jù)從時序控制裝置150 發(fā)送的原始數(shù)據(jù)重構圖像；存儲部，存儲所重構的圖像等；顯示部， 顯示所重構的圖像等各種信息；以及根據(jù)來自操作者的指示對各功能 部的動作進行控制的主控制部等。
另外，雖然在圖1中省略了圖示，但MRI裝置100具有管道 (duct)以及風扇(fan)，作為用于使冷卻空氣在RF線圏130所具 有的電路元件的表面流通的冷卻部。將在后面詳細說明這樣的冷卻 部。
接下來，對本實施例的RF線圏130的結構進行說明。另外。此 處，對將圓拱(birdcage)型的線團用作RF線圏130的情況進行說 明。圖2是示出本實施例的RF線圏130的結構的圖。如圖2所示， 該RF線圏130具有線圏支撐部131、兩個環(huán)狀部132、多個橫檔部 133以及二個引導部134。
線圏支撐部131是形成為圓筒狀的支撐部件(繞線筒(bobbin ))， 支撐后述的環(huán)狀部132、橫檔部133、引導部134等，以使它們分別 保持于規(guī)定的位置。
二個環(huán)狀部132分別是使用銅箔132a形成為環(huán)狀的導電部件。各環(huán)狀部132被分別被設置成環(huán)的中心軸一致、并且其間離開規(guī)定的 距離。
多個橫檔部133分別是使用銅箔133a形成為矩形形狀的導電部 件。各橫檔部133分別隔開規(guī)定的間隔而設置，以連接二個環(huán)狀部132 之間。
在這些環(huán)狀部132以及橫檔部133上，分別連接有用于對RF線 圏130的動作進行控制的規(guī)定的電路元件。作為該電路元件，例如有 PIN二極管和電容器等，向環(huán)狀部132連接電容器、向橫檔部133連 接PIN 二極管，或者與此相反地，向環(huán)狀部132連接PIN 二極管、 向橫檔部133連接電容器。以下，將這些PIN二極管和電容器總稱為 "電路元件"而進行說明。
圖3是示出橫檔部133與電路元件的連接位置的圖。如圖3所示， 例如在橫檔部133上形成有裂縫狀的間隙(gap)，以在長度方向的 大致中心處分離銅箔133a，以跨過各間隙的方式連接有多個電路元件 133b。
此處，如圖3右側的放大圖所示，橫檔部133的銅箔133a被形 成為電路元件133b的周邊部厚。具體而言，銅箔133a被形成為具有 比根據(jù)與對RF線圏130供給的高頻電流的頻率對應的表皮深度而決 定厚度大的厚度。在實用上，導電部件的厚度一般被設為大于等于表 皮深度的5倍。因此，例如，以厚度再為其3倍左右(表皮深度的15 倍左右)的方式，形成銅箔133a。
人們知道， 一般來講如果使用了銅箔等金屬的導電部件的厚度變 大，則在導電部件內積蓄的熱容量變大。因此，通過如上述說明的那 樣增大銅箔133a的厚度，從電路元件發(fā)生的熱更多地向導電部件內 分散，由此可以抑制RF線圏130的局部性地發(fā)生的熱。
另外，此處所稱的"表皮深度"是指，在導電部件內流過高頻電流 時高頻電流所流過的深度。人們知道，在高頻電流流過導體的情況下， 所流過的電流集中于導體的表面。該現(xiàn)象被稱為"表皮效應(skin effect)",在高頻電流由于表皮效果而集中于表面的情況下，該電流所流過的深度被稱為"表皮深度(skin depth)，，。該表皮深度是根據(jù) 導體的材質和高頻的頻率等而決定的，頻率越高，該表皮深度越淺。 因此，RF線圏中的導電部件的厚度是根據(jù)表皮深度決定的(例如， 大于等于表皮深度的5倍)，
圖4是示出環(huán)狀部132與電路元件的連接位置的圖。如圖4所示， 例如，在環(huán)狀部132上以規(guī)定的間隔形成有多個間隙，以跨過各間隙 的方式連接有多個電路元件132b。
因此，如圖4右側的放大圖所示，環(huán)狀部132的銅箔132a被形 成為與電路元件132b連接的連接位置的周圍部分與其它部分相比局 部地變厚。具體而言，銅箔132a被形成為與電路元件132b連接的連 接位置的周圍部分并非一樣，而局部地具有比根據(jù)與對RF線圏130 供給的高頻電流的頻率對應的表皮深度決定的厚度更大的厚度。
一般來講，在RF線圏中，如果增大導電部件的厚度，則由于傾 斜磁場而在RF線圏中產生的渦流(Eddy - Current)的影響變大。 因此，優(yōu)選盡可能減小導電部件的厚度。因此，如圖4右側的放大圖 所示，通過與其它部分相比局部性地增大與電路元件連接的連接位置 的周圍部分的厚度，可以抑制渦流的影響，并且可以高效地抑制從電
路元件發(fā)散的熱。
另外，近年來，在臨床應用中使用3特斯拉(tesla) MRI裝置， 而在其它用途中使用發(fā)生更高的靜磁場的MRI裝置。在這些MRI裝 置中，伴隨靜磁場強度的增加，還需要提高對被檢體施加的高頻磁場 的頻率、即對RF線圏供給的高頻電流的頻率。如上所述，如果頻率 變高，則高頻電流所流過的表皮深度變淺，所以可以減小導電部件的 厚度。
但是，另一方面，如果高頻電流的頻率變高，則一般來講電流元 件的發(fā)熱量變大，所以為了分散熱而需要增大導電部件的厚度。因此， 在靜磁場強度高的MRI裝置中，RF線圏使用被形成為與電路元件連 接的連接部分的厚度與除此以外的部分的厚度之差變大的導電部件 而構成。另外，無需一定要使橫檔部133的銅箔133a的厚度與環(huán)狀部132 的銅箔132a的厚度一致。通常，由電路元件發(fā)生的熱量根據(jù)電路元 件的種類和結構等而不同，所以也可以根據(jù)所連接的電路元件的種類 來改變各自的銅箔的厚度。
由此，如果針對電路元件的每個種類調整導電部件中的電路元件 周邊部的厚度，則可以大致均勻地使RF線圏130所具備的多個電路 元件的溫度上升的速度一致。因此，例如，在為了檢測RF線圏130 的溫度上升而需要測量各電路元件的溫度上升的情況下，可以僅通過
測量一部分電路元件的溫度上升而還推測出其它電路元件的溫度上 升，可以高效地測量各電路元件的溫度。
另外，此處，對在橫檔部133的銅箔133a和環(huán)狀部132的銅箔 132a等中，局部性地增大連接有電路元件的位置的周邊部的厚度的情 況進行了說明，但還可以根據(jù)電路元件的種類改變增大了厚度的部分 的材質、形狀、表面積的大小。在改變材質的情況下，例如，使用其 它金屬膜覆蓋銅箔表面。另外，在改變形狀的情況下，例如將增大了 厚度的部分的表面形成為波型，或者在表面形成槽。這樣，通過改變 導電部件的材質、形狀、表面積的大小，可以與改變厚度的情況同樣 地，調整電路元件的溫度上升等。
這樣，通過將導電部件的至少一部分形成為滿足分散從上述電路 元件發(fā)生的熱的厚度、分散從上述電路元件發(fā)生的熱的形狀、分散從 上述電路元件發(fā)生的熱的材質、和分散從上述電路元件發(fā)生的熱的表 面積的大小中的任意一個或多個條件，可以抑制由于各種電路元件的 發(fā)熱而在RF線圏130的周邊局部地發(fā)生的熱。
另外，上述厚度、形狀、材質、表面積的大小可以根據(jù)電路元件 的種類而決定。
返回到圖2，引導部134是在RF線圏130的表面上形成冷卻空 氣的流路的環(huán)狀的部件。具體而言，如圖2所示，在一個環(huán)狀部132 與橫檔部133的中央部之間、以及另一個環(huán)狀部132與橫檔部133的 中央部之間，分別沿著RF線圍130的圓周方向設置該引導部l34。另外，在這些引導部134的一部分中，分別設置有規(guī)定寬度的切口部 134a。
另外，雖然在此處省略了圖示，但在RF線團130的外側，以覆 蓋RF線圏130的方式形成有圓筒狀的孔管(bore tube)。因此，通 過設置引導部134,在RF線圍130的表面上形成由線團支撐部131 和孔管夾住、并且由引導部134隔開的空間。該空間成為冷卻空氣在 RF線圏130的表面流過時的流路。通過這樣形成流路，在RF線圏 130的表面上，沿著各電路元件流過冷卻空氣。
圖5以及圖6是示出由引導部134形成的流路以及冷卻空氣流的 圖。具體而言，如圖5所示，由各引導部134分別形成沿著一個環(huán)狀 部132所具有的多個電路元件132b流過的第一流路(參照圖5所示 的(1))、沿著另一個環(huán)狀部132所具有的多個電路元件132b流過 的第二流路(參照圖5所示的(2))、以及沿著多個電路元件133b 流過的第三流路(參照圖5所示的(3))。
另外，在圖5中，管道181以及風扇182是用于使冷卻空氣在 RF線圏130中具備的電路元件的表面流通的冷卻部。管道181是在 RF線圏130的附近設置的排氣口 183與風扇182之間安裝的排氣管。 例如，在RF線圏130內的下方設置的頂板軌道部(將頂板161支撐 成可以沿著水平方向移動的支撐部)的下側，沿著該頂板軌道部安裝 該管道181。
另外，風扇182是經由管道181吸引空氣的吸引裝置。在放置了 MRI裝置100的屏蔽室之外設置有該風扇182。這樣，通過在屏蔽室 外設置風扇182，可以防止由于風扇182的電氣系統(tǒng)的影響而在RF 線圏130所接收的信號中混入噪聲(noise)的現(xiàn)象。
此處，當例如如圖5所示，在第三流路的附近設置有排氣口 183 的情況下，如果驅動風扇182，則經由管道181吸出RF線圏130表 面的空氣，而發(fā)生流過第三流路的冷卻空氣的風。由此，冷卻空氣沿 著各橫檔部133所具有的電路元件133b流過。進而，經由設置于各 引導部134的切口部134a，空氣從第一以及第二流路流向第三流路。由此，冷卻空氣沿著各環(huán)狀部132所具有的電路元件132b流過。
這樣，利用引導部134在RF線閨130的表面上形成冷卻空氣的 流路，以使通過管道181以及風扇182流通的冷卻空氣沿著電路元件 的表面流過，所以可以高效地冷卻由各電路元件發(fā)生的熱。
另外， 一般來講，在RF線圏130中，在環(huán)狀部132中設置有多 個電容器，在橫檔部133中設置有多個PIN二極管?；蛘?，與此相反 地，在環(huán)狀部132中設置有多個PIN二極管，在橫檔部133中設置有 多個電容器?；蛘?，在環(huán)狀部132、橫檔部133的任意一方或兩方中， 設置有電容器以及PIN 二極管。
由于這樣的結構，例如在設置于環(huán)狀部132的電路元件132b與 設置于橫檔部133的電路元件133b之間存在發(fā)熱量之差。在該情況 下，上述的冷卻空氣以冷卻了發(fā)熱量大的電路之后冷卻發(fā)熱量小的電 路的表面的方式流過，從而作為RF線圏130整體，冷卻效率進一步 變高。
因此，例如，在設置于環(huán)狀部132的電路元件132b的發(fā)熱量大 于設置于橫檔部133的電路元件133b的發(fā)熱量的情況下，如圖5所 示使冷卻空氣流通。即，冷卻空氣在沿著設置于環(huán)狀部132的電路元 件132b流過之后(參照圖5所示的(1)以及(2))，沿著設置于 橫檔部133的電路元件133b流過(參照圖5所示的(3))。
另一方面，在設置于橫檔部133的電路元件133b的發(fā)熱量大于 設置于環(huán)狀部132的電路元件132b的發(fā)熱量的情況下，如圖6所示， 在環(huán)狀部132的附近分別設置排氣口 283。由此，冷卻空氣在沿著設 置于橫檔部133的電路元件133b流過之后(參照圖6所示的(1))， 沿著設置于環(huán)狀部132的電路元件132b流過(參照圖6所示的(2) 以及(3))。
這樣，在RF線圍130具備第一電路元件和發(fā)熱性高于第一電路 元件的第二電路元件的情況下，冷卻部以在通過了第二電路元件的表
面之后通過第一電路元件的表面的方式使冷卻空氣流通，從而可以高 效地冷卻RF線團130整體。另外，此處，對在設置于環(huán)狀部132的電路元件132b與設置于 橫檔部133的電路元件133b之間存在發(fā)熱量之差的情況進行了說明， 但即使在兩個電路元件之間存在所容許的發(fā)熱溫度的上限值之差的 情況下，也可以通過與上迷同樣地改變冷卻空氣的流路，而高效地冷 卻RF線團130整體。
另外，此處，作為用于使冷卻空氣流通的方法，對使用吸引裝置 (風扇182)吸引空氣的情況進行了說明，但也可以相反地通過送入 空氣而使冷卻空氣流通。在該情況下，使用經由管道181送入空氣的 送氣裝置。作為用于使冷卻空氣流通的裝置，也可以使用吸引裝置和 送氣裝置中的任意一個，但在考慮到空氣的流通效率的情況下，優(yōu)選 使用吸引裝置。
如上所述，在本實施例中，RF線圏130具備多個導電部件和與 各個這些多個導電部件連接的電路元件，各導電部件將其至少一部分 形成為分散從電路元件發(fā)生的熱的厚度，所以可以向導電部件內分散 從電路元件發(fā)生的熱，可以抑制由于各種電路元件的發(fā)熱而在RF線 圏130的周邊局部性地發(fā)生的熱。
另外，在本實施例中，MRI裝置100構成為具備使冷卻空氣在 RF線圏130中具備的電路元件的表面流通的冷卻部，所以無需如以 往那樣將冷卻空氣吹到RF線圏130整體，而可以直接冷卻發(fā)熱的電 路元件，可以抑制由于各種電路元件的發(fā)熱而在RF線圏130的周邊 局部性地發(fā)生的熱。
以上，以本實施例的MRI裝置100的結構為中心進行了說明， 最后，根據(jù)實驗結果示出該MRI裝置100的有效性。圖7是示出RF 線圏中的銅箔的厚度、有無送風以及電路元件周邊的溫度變化的關系 的曲線圖。
在該圖中，示出了在WB (整體(wholebody))線團的表面上 設置了引導部的MRI裝置中，在將銅箔的厚度減小的情況/增大的情 況下，在有送風/無送風的條件下測量的電路元件周邊的溫度變化，具 體而言，示出分別測量將銅箔的厚度設為0.03mm時的PIN二極管周邊的銅箔的溫度變化、將銅箔的厚度設為0.3mm時的PIN 二極管周 邊的銅箔的溫度變化、以及放置了 MRI裝置的屏蔽室(shield room) 內的溫度變化而得到的結果。
如該圖所示，通過將銅箔的厚度從0.03mm變更成0.3mm， PIN 二極管周邊的溫度降低了 8.2度。另外，在驅動風扇而進行了空氣的 吸引的情況下，PIN 二極管周邊的溫度進一步降低11.1度。從該結果 也可知，本實施例的MRI裝置實際上可以抑制由于電路元件的發(fā)熱 而在RF線圍的周邊局部性地發(fā)生的熱。
另外，在本實施例中，對MRI裝置具備增大了厚度的導電部件 (銅箔)和冷卻部這2方的情況進行了說明，但本發(fā)明不限于此，也 可以僅具備其中的任一方。在僅具備任一方的情況下，根據(jù)上述的實 驗結果可知，也可以得到作為目的的效果。
另外，在本實施例中，對圓拱型的RF線圏進行了說明，但本發(fā) 明不限于此，同樣也可以應用于鞍型、螺旋(solenoid )型、槽型諧 振器(slot resonator )型等其它形狀的RF線圏。
另外，在本實施例中，對RF線圏所具有的導電部件為銅箔的情 況進行了說明，但本發(fā)明不限于此，還可以同樣地應用于導電部件為 金、銀等其它金屬的情況。
如上所述，本發(fā)明的磁共振成像裝置以及RF線圏當抑制在RF 線圏的周邊發(fā)生的熱的情況下是有用的，特別適用于抑制由于RF線 圏所具有的電路元件而局部性地發(fā)生的熱的情況。
權利要求
1. 一種磁共振成像裝置，具備向設置于靜磁場中的被檢體施加高頻磁場的RF線圈，上述RF線圈具有多個導電部件和與上述多個導電部件連接的電路元件，上述導電部件的至少一部分被形成為滿足分散從上述電路元件發(fā)生的熱的厚度、分散從上述電路元件發(fā)生的熱的形狀、和分散從上述電路元件發(fā)生的熱的材質中的任意一個或多個條件。
2. 根據(jù)權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件被形成為與上述電路元件連接的連接位置的周邊部與其它 部分相比局部地具有更厚的厚度。
3. 根據(jù)權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的上述厚度是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
4. 根據(jù)權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的上述材質是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
5. 根據(jù)權利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的材質是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
6. 根據(jù)權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的上述形狀是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
7. 根據(jù)權利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的上述形狀是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
8. 根據(jù)權利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的被形成為滿足上述條件的部分被形成為分散從上述電路 元件發(fā)生的熱的表面積的大小。
9. 根據(jù)權利要求8所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上述 導電部件的上述表面積的大小是根據(jù)上述電路元件的種類而決定的。
10. 根據(jù)權利要求l所述的磁共振成像裝置，其特征在于，還具 有使冷卻空氣在上述電路元件的表面上流通的冷卻部。
11. 根據(jù)權利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于，還具 有使冷卻空氣在上述電路元件的表面上流通的冷卻部。
12. 根據(jù)權利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征在于，還具 有使冷卻空氣在上述電路元件的表面上流通的冷卻部。
13. 根據(jù)權利要求10所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圏具備第一電路元件和發(fā)熱量大于上述第一電路元件的第二 電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第 一 電路元件的表面的方式使上述冷卻空氣流通。
14. 根據(jù)權利要求11所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圏具備第一電路元件和發(fā)熱量大于上述第一電路元件的第二 電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第一電路元件的表面的方式使上述冷卻空氣流通。
15. 根據(jù)權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圏具備第一電路元件和發(fā)熱量大于上述第一電路元件的第二 電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第 一 電路元件的表面的方式使上述冷卻空氣流通。
16. 根據(jù)權利要求IO所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圏具備第一電路元件和所容許的發(fā)熱溫度的上限值高于上述 第一電路元件的第二電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第一電路元件的表面的方式使上述冷卻空氣流通。
17. 根據(jù)權利要求11所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圍具備第一電路元件和所容許的發(fā)熱溫度的上限值高于上述 第一電路元件的第二電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第 一 電路元件的表面的方式使上迷冷卻空氣流通。
18. 根據(jù)權利要求12所述的磁共振成像裝置，其特征在于，上 述RF線圏具備第一電路元件和所容許的發(fā)熱溫度的上限值高于上述 第一電路元件的第二電路元件而作為上述電路元件，上述冷卻部以在通過了上述第二電路元件的表面之后通過上述 第 一 電路元件的表面的方式使上述冷卻空氣流通。
19. 一種RF線圖，在磁共振成像裝置中具備該RF線圏，并且 該RF線圏向設置于靜磁場中的被檢體施加高頻磁場，該RF線圏具有多個導電部件和與上述多個導電部件連接的電路元件，上述導電部件的至少一部分被形成為滿足分散從上述電路元件 發(fā)生的熱的厚度、分散從上述電路元件發(fā)生的熱的形狀、和分散從上 述電路元件發(fā)生的熱的材質中的任意一個或多個條件。
20. 根據(jù)權利要求19所述的RF線團，其特征在于，上述導電 部件被形成為具有比根據(jù)與發(fā)生上述高頻磁場的高頻電流的頻率對 應的表皮深度決定的厚度更厚的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁共振成像裝置以及RF線圈。在磁共振成像裝置中，在RF線圈具備多個導電部件和與這些多個導電部件連接的電路元件的情況下，將各導電部件的至少一部分形成為分散從電路元件發(fā)生的熱的厚度。另外，在磁共振成像裝置中，構成為具備使冷卻空氣在RF線圈中具備的電路元件的表面上流通的冷卻單元。
文檔編號G01R33/31GK101438959SQ20081017617
公開日2009年5月27日 申請日期2008年11月14日 優(yōu)先權日2007年11月22日
發(fā)明者光井信二, 富羽貞范, 石原隆尋, 勝沼步, 高森博光 申請人:株式會社東芝;東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社