專利名稱：一種用于重金屬離子現(xiàn)場檢測(cè)的無動(dòng)力微流控芯片及其制作和使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微流控芯片領(lǐng)域，特別涉及一種無需外部能量進(jìn)樣的微流控 芯片和該芯片的制作方法，以及其用于重金屬離子檢測(cè)的使用方法。
背景技術(shù)：
長期以來，重金屬污染受到人們的廣泛關(guān)注，工業(yè)活動(dòng)導(dǎo)致的汞、鉛、 鎘、鉻等重金屬污染的生物毒性非常顯著，給人類健康和環(huán)境造成極大危害。
以汞為例，全世界汞的年排放量約1.5萬噸，主要來源于汞礦、冶金、氯堿 工業(yè)、電器工業(yè)和礦物燃料的燃燒。這些無機(jī)汞進(jìn)入大氣循環(huán)和水體循環(huán)系 統(tǒng)后，在生物體內(nèi)轉(zhuǎn)化成有機(jī)汞(甲基汞、乙基汞)，毒性大大增強(qiáng)。最終在 食物鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)中累積，給人類的健康和生存帶來巨大威脅。因此，對(duì)環(huán) 境重金屬離子的監(jiān)測(cè)十分重要。常規(guī)的檢測(cè)儀器包括電感耦合等離子質(zhì)譜儀、 原子光譜法、分光光度法等，這些大型儀器需要復(fù)雜樣品前處理，儀器笨重 昂貴，不適合快速、實(shí)時(shí)、現(xiàn)場檢測(cè)，所以開發(fā)具有此功能的微型化檢測(cè)器 件勢(shì)在必行。
微流控芯片又稱芯片實(shí)驗(yàn)室，是由微通道(幾十至幾百微米)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成 的、對(duì)微量流體(1(^L至10"8L)進(jìn)行操縱的微型器件。在微流控芯片上可 以實(shí)現(xiàn)樣品的預(yù)處理、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等步驟的集成化。微流控芯片與常 規(guī)化學(xué)或生物實(shí)驗(yàn)儀器相比，具有樣品和試劑消耗少、反應(yīng)速度快、價(jià)格低 廉等優(yōu)勢(shì)。
目前，大部分的微流控芯片的進(jìn)樣都需要外部能量，如注射泵、電滲泵 等。這種外部功能儀器的使用不利于芯片的集成化和微型化，特別不利于芯 片的現(xiàn)場、實(shí)時(shí)檢測(cè)。國際上有研究組開始嘗試?yán)镁鄱谆柩跬?PDMS) 制成的芯片實(shí)現(xiàn)無動(dòng)力進(jìn)樣并用于DNA分析(參見Lab Chip, 2004, 4， 181-185)。中國專利申請(qǐng)200610054308.X提供了一種利用PDMS制作微流 控芯片的方法。但尚無研究人員嘗試將無動(dòng)力的芯片模式用于樣品體系更加 復(fù)雜(例如含有較多干擾物質(zhì)的樣品，如污染地實(shí)際采集樣品)的重金屬現(xiàn) 場實(shí)時(shí)檢測(cè)。另一方面，近年出現(xiàn)了多種針對(duì)重金屬檢測(cè)的納米探針，其中以納米金 探針的研究最為廣泛。納米金顆粒具有優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、化學(xué)活
性和生物兼容性；納米金經(jīng)生物修飾后形成納米金探針，其處于溶液狀態(tài)， 納米金溶液的顏色與納米金顆粒的間距以及納米金聚集體的大小有關(guān)，例如， 特定種類的重金屬離子(如汞離子)可以與修飾在納米金上生物物質(zhì)結(jié)合并 進(jìn)而把納米金拉近。特定重金屬離子濃度越大，被拉近的納米金就越多，聚 集現(xiàn)象就越嚴(yán)重。利用這種性質(zhì)，可以設(shè)計(jì)各種傳感器，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)多種重 金屬離子的檢測(cè)。國際上多個(gè)研究組利用核苷酸中胸腺嘧啶堿基(T)對(duì)汞 離子的特異性識(shí)別，建立了對(duì)汞離子的特異性檢測(cè)方法(參見Angew. Chem. Int. Ed.， 2007， 46, 4093-4096; Nucl. Technol.， 2007， 30, 467472)。另有研究組 利用巰基十一酸對(duì)某些重金屬離子(如鉛、隔等)的特異性螯合作用建立了 相應(yīng)的檢測(cè)方法(參見Nano Letters, 2001， Vol.1, 165-167)。但這些方法在 實(shí)際使用時(shí)或者需要變溫，或者需要其他儀器輔助，難以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場檢測(cè)應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種無動(dòng)力微流控芯片，以實(shí)現(xiàn)對(duì)重金屬離子 樣品的現(xiàn)場快速檢測(cè)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種制作上述無動(dòng)力微流控芯片的方法。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種利用上述無動(dòng)力微流控芯片對(duì)重金屬 離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)的方法，利用該方法，可實(shí)現(xiàn)對(duì)重金屬離子樣品的無動(dòng)力 現(xiàn)場檢測(cè)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，該用于重金屬離子現(xiàn)場 檢測(cè)的無動(dòng)力微流控芯片包括基片層以及與該基片層相封接的通道片層，該 通道片層包括單個(gè)或多個(gè)通道，該通道兩端分別連接有進(jìn)樣孔和出樣孔；該 基片層和該通道片層均由聚二甲基硅氧院材料制成，該通道片層的厚度為 8mm至20,。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，該制作無動(dòng)力微流控芯片的方法包括-利用聚二甲基硅氧垸，分別制作所述基片層以及所述通道片層，所述通道片 層厚度為8mm至20mm，包括單個(gè)或多個(gè)通道，該通道兩端分別連接有進(jìn)樣 孔和出樣孔；將所述基片層和所述通道片層進(jìn)行封接。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式，該使用上述無動(dòng)力微流控芯片對(duì)重金屬 離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)的方法包括將所述芯片置于一個(gè)干燥皿中，用真空進(jìn)行 抽氣；取出所述芯片，并立即用膠帶密封所述出樣口一端，放置3至5分鐘; 將納米金探針和待測(cè)溶液分別添加入所述進(jìn)樣口 ；納米金探針和待測(cè)溶液的 混合液從所述出樣口流出后，對(duì)所述芯片進(jìn)行分析。
本發(fā)明的無動(dòng)力微流控芯片及其使用方法，其低成本，操作簡單、不需 外部能量裝置，僅僅利用聚二甲基硅氧垸的存儲(chǔ)氣體的能力，經(jīng)過抽真空前 處理就可以達(dá)到現(xiàn)場使用的效果。本發(fā)明的使用該微流控芯片進(jìn)行檢測(cè)的方 法結(jié)合了不同種類的納米金探針技術(shù)，適用于現(xiàn)場不同種類的重金屬離子實(shí) 時(shí)快速檢測(cè)。
通過以下結(jié)合附圖以及舉例方式對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述后， 本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更加明顯。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的無動(dòng)力微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2A是根據(jù)圖1微流控芯片中的單通道示意圖； 圖2B是根據(jù)圖1微流控芯片中的多通道示意圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的制作上述無動(dòng)力微流控芯片的流程
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的利用上述無動(dòng)力微流控芯片進(jìn)行現(xiàn) 場檢測(cè)的流程圖5是根據(jù)圖4中流程圖的更詳細(xì)的示意圖6A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1中的利用微流控芯片對(duì)汞離子進(jìn)行特異性 檢測(cè)的目視結(jié)果；
圖6B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1中的利用微流控芯片對(duì)汞離子進(jìn)行特異性 檢測(cè)的成像結(jié)果；
圖6C是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1中的利用微流控芯片對(duì)另一不同濃度的滎 離子進(jìn)行特異性檢測(cè)的成像結(jié)果；
圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2中的利用微流控芯片對(duì)鉛離子進(jìn)行檢測(cè)的成 像結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖l所示為本發(fā)明的無動(dòng)力微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，該芯片可用于 對(duì)重金屬離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)。為使附圖更加明顯，圖1中顯示為單通道微流
控芯片，容易理解，多通道微流控芯片同樣適用于圖1中所示的原理。圖2A 及圖2B為根據(jù)圖1的更詳細(xì)的單通道及多通道示意圖，其中，圖2A為單通 道示意圖，圖2B為多通道示意圖。具體地，如圖1所示，該無動(dòng)力微流控 芯片包括基片層以及通道片層，通道片層與基片層相封接從而形成完整的芯 片(圖中所示為單通道芯片)。結(jié)合圖2A、 2B，通道片層包括單個(gè)或多個(gè)通 道，通道兩端分別連接有進(jìn)樣孔和出樣孔。
基片層和通道片層均釆用二甲基硅氧烷(PDMS)制成。利用PDMS的 儲(chǔ)氣特性，當(dāng)基片層與通道片層封接完成制成芯片后，芯片經(jīng)抽真空處理， 存儲(chǔ)在PDMS內(nèi)的氣體被抽調(diào)，使通道片層內(nèi)的微通道網(wǎng)絡(luò)形成近似真空環(huán) 境，從而可利用外部和內(nèi)部的壓力差作為進(jìn)樣動(dòng)力。
為提供足夠壓力差，所述通道片層的厚度一般不小于8mm，但通常不大 于20mm。當(dāng)使用光學(xué)顯微鏡或數(shù)碼照相機(jī)進(jìn)行成像分析時(shí)，基片層厚度通 常不超過5mm，優(yōu)選為2mm-5mm。
該微流控芯片的通道的尺寸一般為150pmx3(Vm (寬度x高度)，由于是 利用壓力差提供持續(xù)適度動(dòng)力，因此可適當(dāng)增大或縮小通道尺寸，但為保持 微通道的層流特性，不宜太寬。另外，該通道形狀優(yōu)選地為鋸齒形結(jié)構(gòu)。
當(dāng)芯片為單通道類型時(shí)，其尺寸一般不小于3mmx5mm (寬度x長度)， 當(dāng)芯片為多通道類型時(shí)尺寸一般不小于4mmx5mm (寬度x長度)。
為防止封接的不牢固性，芯片上可添加夾合裝置(圖未示)。
如圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的制作上述無動(dòng)力微流控芯片的流程圖。結(jié)合 圖1、 2A、 2B，在步驟S301,利用PDMS，分別制作基片層以及通道片層， 該通道片層厚度為8mm至20mm，可包括單個(gè)或多個(gè)通道，通道兩端分別連 接有進(jìn)樣孔和出樣孔。在步驟S302，將基片層與通道片層進(jìn)行封接。為防止 封接的不牢固性，可以采用適當(dāng)?shù)膴A合裝置。進(jìn)樣口孔徑優(yōu)選為lmm-2mm， 太小則不利于加樣；出樣孔孔徑為3mm，其大小可以根據(jù)芯片設(shè)計(jì)調(diào)整，優(yōu) 選地在3mm至5mm之間。如圖4、5所示為根據(jù)本發(fā)明的利用上述無動(dòng)力微流控芯片進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè) 的流程圖及示意圖。
結(jié)合圖4、 5，在步驟S401，將上述芯片置于干燥皿中，用真空進(jìn)行抽 氣，優(yōu)選地，在10kPa下進(jìn)行抽真空操作，抽真空的時(shí)間一般不低于1小時(shí)， 通常不超過3小時(shí)。
在步驟S402，取出所述芯片，并立即用膠帶密封芯片的出樣口一端，以 保證樣品和探針進(jìn)樣時(shí)不漏氣，并放置3至5分鐘，從而使PDMS的吸氣進(jìn) 入平穩(wěn)狀態(tài)。該步驟的關(guān)鍵是用膠帶對(duì)出樣口一端進(jìn)行密封，以產(chǎn)生進(jìn)樣所 需的氣壓差。
在步驟S403，將納米金探針和含有重金屬離子的待測(cè)溶液添加入相應(yīng)的 進(jìn)樣口，以對(duì)待測(cè)溶液中的重金屬離子進(jìn)行檢測(cè)。同時(shí)，此步驟開始時(shí)既解 除密封。納米金探針可采用常規(guī)的制備方法(參見Angew. Chem. Int. Ed.， 2007, 46, 4093-4096; Nucl. Technol.， 2007， 30, 467~472; Nano Letters, 2001, Vol.l， 165-167)。該步驟持續(xù)至所有液體全部從出樣孔流出，持續(xù)時(shí)間大約為 5至15分鐘。該步驟中，功能化的納米金探針與待測(cè)溶液混合后，在通道內(nèi) 聚集并發(fā)生沉積，進(jìn)而出現(xiàn)顏色變化。
在步驟S404，當(dāng)待測(cè)溶液從出樣口完全流出后，對(duì)芯片進(jìn)行分析。例如， 可利用光學(xué)顯微鏡根據(jù)上述顏色變化，對(duì)該芯片進(jìn)行檢測(cè)分析，從而簡單快 速地對(duì)重金屬離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)。由于納米金探針的特異性，可利用不同探 針來檢測(cè)不同的重金屬離子。除利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行檢測(cè)之外，也可利用放 大鏡、普通數(shù)碼相機(jī)或掃描儀進(jìn)行檢測(cè)分析或進(jìn)行目測(cè)分析，例如，直接在 芯片上面滴一水滴，起到放大效果后進(jìn)行目測(cè)分析。
以下結(jié)合實(shí)施例，具體說明制作該微流控芯片以及利用該芯片進(jìn)行重金 屬離子檢測(cè)的原理及方法。當(dāng)然，本發(fā)明的保護(hù)范圍不受該實(shí)施例限制。
以下兩個(gè)實(shí)施例中，陽模硅片購自中科院上海微系統(tǒng)研究所，PDMS 預(yù)塑體及單體(經(jīng)過化學(xué)交聯(lián)后形成PDMS)均購自美國DOWCORNING公 司(PDMS預(yù)塑體中單體與固化劑的比例為10:1)。
實(shí)施例1
1、以分布有光刻蝕圖形的硅片為陽模，以聚二甲基硅氧烷(PDMS)為 基材，利用本領(lǐng)域的常規(guī)方法，制作包含8條微流控通道(通道寬度100微米，深度為20微米)的PDMS通道片層。PDMS通道片層與模具剝離后， 用打孔機(jī)在微通道的末端標(biāo)識(shí)處打孔作為進(jìn)樣孔(直徑為2mm)和出樣孔(直 徑為3mm)，其具體大小可調(diào)。并以玻璃培養(yǎng)皿為模具，利用PDMS制作基 片層。
2、 將PDMS通道片層和基片層封接，放到玻璃干燥皿內(nèi)用真空泵抽氣 一小時(shí)，取出后立即用膠帶封住出樣孔一端，放置約3-5分鐘。(如備用，則 封接后置于密封袋中)
3、 將多聚T核苷酸鏈功能化的納米金探針(組裝方法參見:Angew.Chem. Int.Ed., 2007, 46， 4093-4096; Nucl. Technol.， 2007， 30， 467472)和汞離子樣 品分別添加入相應(yīng)進(jìn)樣孔，進(jìn)行檢測(cè)。
4、 5分鐘后，在芯片表面滴加純凈水滴，用目視方法觀察結(jié)果；或用顯 微鏡觀察并對(duì)檢測(cè)結(jié)果成像。如附圖6A、 6B、 6C所示，其中圖6A是目視 結(jié)果；圖6B是同一濃度汞離子的顯微鏡成像結(jié)果，通道l-8中分別為
1:去離子水；
2:0. 1 mM Hg2+;
3:0. 1 mM CcT;
4:0. 1 mM Mn2+;
5:0. 1 mM Cu2+;
6:0. 1 mM Zn2+;
7:0. 1 mM Ca2+;
8:0. 1 mM Mg2+。
圖6C是對(duì)該實(shí)施例中不同濃度汞離子的成像結(jié)果，通道1-6分別為 1:5, Hg2+; 2: 10岸Hg2+; 3: 25 , Hg2+;
4: 50 Hg2+;
5: 100 Hg2+; 6:河水。
實(shí)施例2
1、以分布有光刻蝕圖形的硅片為陽模，以聚二甲基硅氧垸(PDMS)為基材，利用本領(lǐng)域的常規(guī)方法，制作包含8條微流控通道(通道寬度100微 米，厚度為3mm)的PDMS通道片層。PDMS通道片層與模具剝離后，用打 孔機(jī)在微通道的末端標(biāo)識(shí)處打孔作為進(jìn)樣孔(直徑為2mm)和出樣孔(直徑 為3mm)，其具體大小可調(diào)。并以玻璃培養(yǎng)皿為模具，利用PDMS制作基片 層。
2、 將PDMS通道片層和基片層封接，放到玻璃干燥皿內(nèi)用真空泵抽氣 一小時(shí)，取出后立即用膠帶封住出樣孔一端，放置約3-5分鐘。(如備用，則 封接后置于密封袋中)
3、 將組裝好的巰基十一酸功能化的納米金探針(具體制備方法參見-Nano Letters, 2001, Vol.l， 165-167)和鉛離子樣品用移液槍分別加到相應(yīng)進(jìn) 樣口，進(jìn)行檢測(cè)。
4、 5分鐘后，用顯微鏡觀察并對(duì)檢測(cè)結(jié)果成像。見附圖7，其中通道l-8 所檢樣品分別為
1: 10,Pb2+;
2: 25(xMPb2+;
3: 0.05mMPb2+;
4: O.lmMPb2、
5: 0.1mMMg2+;
6: 0.1mMCa2+;
7: O.lmMNaCl;
8:去離子水。
綜上所述，利用本發(fā)明的無動(dòng)力微流控芯片及檢測(cè)方法，可實(shí)現(xiàn)對(duì)重金 屬離子的無動(dòng)力現(xiàn)場檢測(cè)，且該芯片便攜易用，成本較低，其檢測(cè)方法步驟 簡單，準(zhǔn)確性高。
權(quán)利要求
1、一種用于重金屬離子現(xiàn)場檢測(cè)的無動(dòng)力微流控芯片，包括基片層；以及與該基片層相封接的通道片層，該通道片層包括單個(gè)或多個(gè)通道，該通道兩端分別連接有進(jìn)樣孔和出樣孔；其特征在于，該基片層和該通道片層均由聚二甲基硅氧烷材料制成，該通道片層的厚度為8mm至20mm。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于，所述基片層 的厚度不大于5mm。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于，所述基片層 的厚度為2mm至5mm。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于， 所述通道的寬度與高度分別為150nm和30pm。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于， 所述通道為鋸齒形結(jié)構(gòu)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于， 所述通道片層包括單個(gè)通道，并且所述無動(dòng)力微流控芯片的長度與寬度分別 不小于3mm與5mm。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于， 所述通道片層包括多個(gè)通道，并且所述無動(dòng)力微流控芯片的長度與寬度分別 不小于4mm與5mm。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片,其特征在于， 所述微流控芯片還包括用于加強(qiáng)所述封接的夾合裝置。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的無動(dòng)力微流控芯片，其特征在于， 所述進(jìn)樣孔的孔徑為lmm至2mm。
10、 一種制作無動(dòng)力微流控芯片的方法，其特征在于，該方法包括-利用聚二甲基硅氧垸，分別制作所述基片層以及所述通道片層，所述通道片層厚度為8mm至20mm，包括單個(gè)或多個(gè)通道，該通道兩端分別連接有 進(jìn)樣孔和出樣孔；將所述基片層和所述通道片層進(jìn)行封接。
11、根據(jù)權(quán)利要求io所述的制作無動(dòng)力微流控芯片的方法，其特征在于，以玻璃培養(yǎng)皿為模具，制作所述基片層，以及以分布有光刻蝕圖案的硅片為 陽模，制作所述通道片層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制作無動(dòng)力微流控芯片的方法，其特 征在于，所述進(jìn)樣孔直徑為2mm,所述出樣孔直徑為3mm。
13、 一種使用如權(quán)利要求1所述的無動(dòng)力微流控芯片對(duì)重金屬離子進(jìn)行 現(xiàn)場檢測(cè)的方法，其特征在于，該方法包括將所述芯片置于一個(gè)干燥皿中，用真空進(jìn)行抽氣；取出所述芯片，并立即用膠帶密封所述出樣口一端，放置3至5分鐘；將納米金探針和待測(cè)溶液分別添加入所述進(jìn)樣口 ；當(dāng)納米金探針和待測(cè)溶液的混合液從所述出樣口流出后，對(duì)所述芯片進(jìn) 行分析。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的對(duì)重金屬離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)的方法，其特征 在于，所述用真空進(jìn)行抽氣時(shí)間為1-3小時(shí)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的對(duì)重金屬離子進(jìn)行現(xiàn)場檢測(cè)的方法， 其特征在于，對(duì)所述芯片進(jìn)行分析包括目測(cè)分析、放大鏡檢測(cè)分析、普通數(shù) 碼相機(jī)檢測(cè)分析、光學(xué)顯微鏡檢測(cè)分析或掃描儀檢測(cè)分析。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于重金屬離子現(xiàn)場檢測(cè)的多通道無動(dòng)力微流控芯片及其制作和使用方法。該微流控芯片包括基片層以及與該基片層相封接的通道片層，該通道片層包括單個(gè)或多個(gè)通道，該通道兩端分別連接有進(jìn)樣孔和出樣孔；該基片層和該通道片層均由聚二甲基硅氧烷材料制成，該通道片層的厚度為8mm至20mm。該芯片的進(jìn)樣方式不需外部能量，僅僅利用聚二甲基硅氧烷的存儲(chǔ)氣體的能力，經(jīng)過抽真空前處理就可以達(dá)到現(xiàn)場使用的效果。本微流控芯片與不同種類的納米金探針結(jié)合，適用于現(xiàn)場不同種類的重金屬離子實(shí)時(shí)快速檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01N33/48GK101435807SQ200810202738
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者何世江, 宋世平, 樊春海 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所