專(zhuān)利名稱：靜電放電檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)裝置，尤其涉及一種靜電放電檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
早期的電子電路中大多包含真空管電路，其內(nèi)部本身具有對(duì)靜電放電
(Electrostatic Discharge, ESD)較高的耐受程度，但隨著集成電路工藝進(jìn)入次微米時(shí)代，現(xiàn)今的半導(dǎo)體集成電路因朝向小面積、高靈敏度和低工作電壓電平發(fā)展，因此被要求更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)撵o電放電耐受程度。
就定義上而言，靜電(Static Electricity)為物體表面上的不平衡電子產(chǎn)生的電荷，這些不平衡的電子會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)而影響在一定距離外的其他物體，而靜電放電現(xiàn)象即是起源于不平衡的靜電荷的分離。如有電荷放電流入敏感的電路中，影響的范圍從資料錯(cuò)誤到物理性的永久損害都有可能發(fā)生， 一般瞬間的靜電放電現(xiàn)象在彼此握手、接觸一支湯匙、或印刷電路板上的焊點(diǎn)或零件的接腳都有可能發(fā)生，因而導(dǎo)致精密的微電子電路存在質(zhì)量劣化或失效的問(wèn)題。如果電子儀器失效發(fā)生在一般的商業(yè)性裝備，尚可花費(fèi)相當(dāng)?shù)拇鷥r(jià)加以修理；但是如果發(fā)生在太空梭、飛彈發(fā)射系統(tǒng)、飛機(jī)、輪船上的話，其嚴(yán)重后果便不堪設(shè)想了。
所以，電子產(chǎn)品在研發(fā)初期，針對(duì)靜電放電的確認(rèn)與防護(hù)設(shè)計(jì)是非常重要的，因而在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)，會(huì)對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行一系列靜電測(cè)試，以明確了解靜電的傳輸路徑與能量分布，期望從中找出較完善的靜電放電防治對(duì)策，以減少日后產(chǎn)品因靜電問(wèn)題所產(chǎn)生的失效情況。
請(qǐng)參考圖1，該圖為公知的靜電放電檢測(cè)裝置的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，靜電放電檢測(cè)裝置11用以測(cè)試待測(cè)物13，其中待測(cè)物13可為電子裝置、該電子裝置中的電路路徑或半導(dǎo)體元件。所述的靜電放電檢測(cè)裝置11包括有靜電產(chǎn)生器111、衰減棒113以及示波器115。靜電產(chǎn)生器111耦接于待測(cè)物13，用以提供靜電來(lái)對(duì)待測(cè)物
4來(lái)說(shuō)，靜電產(chǎn)生器
111可為靜電槍。
而靜電信號(hào)會(huì)連接到衰減棒113，用以將靜電信號(hào)衰減到示波器115可承受的電壓，再由耦接于衰減棒113的示波器115測(cè)量靜電槍對(duì)待測(cè)物13放電時(shí)的波形。
目前市面上的靜電放電檢測(cè)裝置雖可對(duì)待測(cè)物13進(jìn)行靜電放電檢測(cè)，然而該檢測(cè)裝置存在成本昂貴、體積龐大，且不易操作使用等問(wèn)題，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)產(chǎn)品檢測(cè)靜電測(cè)試的不便及限制。
發(fā)明內(nèi)容
由于靜電放電測(cè)試主要需要將靜電信號(hào)進(jìn)行衰減和延遲的動(dòng)作，使能有較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)判斷靜電信號(hào)的波形，借此可以了解靜電在研發(fā)機(jī)型中產(chǎn)生了多少能量。有鑒于此，本發(fā)明提出利用晶體管開(kāi)關(guān)以及RC延遲電路來(lái)將靜電信號(hào)進(jìn)行隔離與延遲，并轉(zhuǎn)為能表示靜電大小的信息，期望能有效地判定靜電信號(hào)的能量。
本發(fā)明的目的在于提供一種靜電放電檢測(cè)裝置，能夠減少檢測(cè)靜電放電的操作復(fù)雜度。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種靜電放電檢測(cè)裝置，能夠降低檢測(cè)靜電放電設(shè)備的成本。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種靜電放電檢測(cè)裝置，能夠簡(jiǎn)化檢測(cè)靜電放電所需的電路。
本發(fā)明揭示一種靜電放電檢測(cè)裝置，其用以測(cè)試待測(cè)物。所述的靜電放電檢測(cè)裝置包括有靜電產(chǎn)生模塊、靜電放電檢測(cè)模塊以及顯示模塊。靜電產(chǎn)生模塊耦接于待測(cè)物，用以提供靜電來(lái)對(duì)待測(cè)物進(jìn)行放電，進(jìn)而使待測(cè)物輸出靜電信號(hào);靜電放電檢測(cè)模塊耦接于待測(cè)物，用以接收靜電信號(hào)，并將靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲總延遲時(shí)間后輸出；顯示模塊耦接于靜電放電檢測(cè)模塊，用來(lái)接收靜電放電檢測(cè)模塊傳來(lái)的靜電信號(hào)，以產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并依據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的強(qiáng)弱來(lái)表示靜電信號(hào)的大小。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述的靜電放電檢測(cè)模塊包括有靜電接收電路以及多個(gè)延遲電路。靜電接收電路用以接收靜電信號(hào)；而延遲電路耦接于靜電接收電路，用以衰減并延遲靜電信號(hào)。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該靜電接收電路包括第一開(kāi)關(guān)元件，該第一開(kāi)關(guān)元件的集電極耦接于電壓源，該第一開(kāi)關(guān)元件的基極耦接于該靜電信號(hào)。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述的延遲電路包括第一級(jí)延遲電
路、第二級(jí)延遲電路........第N級(jí)延遲電路，其中第一級(jí)延遲電路耦
接于靜電接收電路，第二級(jí)延遲電路耦接于第一級(jí)延遲電路，以此類(lèi)推，每一級(jí)延遲電路依序兩兩耦接，每一級(jí)延遲電路會(huì)延遲靜電信號(hào)特定時(shí)間，其中每一級(jí)延遲電路所延遲的特定時(shí)間隨著延遲電路的級(jí)數(shù)增加而等比增加。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，每一延遲電路中包括晶體管以及電容，每一晶體管的集電極耦接于該電壓源，該第一級(jí)延遲電路的該晶體管的基極
耦接于該第一開(kāi)關(guān)元件的發(fā)射極，當(dāng)該第一開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該第一級(jí)延遲電路的該電容進(jìn)行充電；當(dāng)該第一開(kāi)關(guān)元件關(guān)閉時(shí)，該第一級(jí)延遲電路的該電容對(duì)該第一級(jí)延遲電路的該晶體管進(jìn)行放電。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，在所述多個(gè)延遲電路中，該第i級(jí)延遲電路的該晶體管的基極耦接于該第i-l級(jí)延遲電路的該晶體管的發(fā)射極，當(dāng)該第i-l級(jí)延遲電路的該晶體管導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該第i級(jí)延遲電路的該電容進(jìn)行充電；當(dāng)該第i-l級(jí)延遲電路的該晶體管關(guān)閉時(shí)，該第i級(jí)延遲電路的該電容對(duì)該第i級(jí)延遲電路的該晶體管進(jìn)行放電，其中2Si^N。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該顯示模塊包括第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件以及至少一個(gè)顯示元件，該第二開(kāi)關(guān)元件接收該第N級(jí)延遲電路傳來(lái)的該靜電信號(hào)后導(dǎo)通，以產(chǎn)生該觸發(fā)信號(hào)來(lái)導(dǎo)通該第三開(kāi)關(guān)元件，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)該顯示元件。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該顯示元件為發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)高分子發(fā)光二極管(PLED)或示波器的群組組合之一。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該第一開(kāi)關(guān)元件、該第二開(kāi)關(guān)元件、該第三開(kāi)關(guān)元件以及所述晶體管為NPN雙極型晶體管。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該NPN雙極型晶體管可由PNP雙極型晶體管、N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)、 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管(PMOS)、 C型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)、 N型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管(NMOS)、 H型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(HMOS)、 D型金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管(DMOS)或V型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(VMOS)取代。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該待測(cè)物為電子裝置、該電子裝置中的 電路路徑或半導(dǎo)體元件。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，每一延遲電路所延遲的該特定時(shí)間隨著 該延遲電路的級(jí)數(shù)增加而等比增加。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，每一延遲電路所延遲的該特定時(shí)間加總 后即為該總延遲時(shí)間。
在所述的靜電放電檢測(cè)裝置中，該顯示模塊于該總延遲時(shí)間內(nèi)表示該靜 電信號(hào)的大小。
借由前述技術(shù)方案，本發(fā)明可利用各級(jí)的電路將靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及 延遲后，再轉(zhuǎn)為可判定靜電能量的信息，進(jìn)而讓使用者能精確、快速且低成 本的檢測(cè)靜電放電的能量分布情形。
以上的概述與接下來(lái)的詳細(xì)說(shuō)明及附圖，均是為了能進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明
為達(dá)成預(yù)定目的所采取的方式、手段及功效。而有關(guān)本發(fā)明的其他目的及優(yōu)
點(diǎn)，將在后續(xù)的說(shuō)明及附圖中加以闡述。然所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用， 并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
圖1為公知的靜電放電檢測(cè)裝置的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)裝置的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示
意圖3為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)模塊的一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示
意圖4為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)模塊以及顯示模塊的一個(gè)具體實(shí)施 例的電路圖5A為本發(fā)明所揭示的靜電信號(hào)的一個(gè)具體實(shí)施例的延遲時(shí)間示意 圖；以及
7圖5B為本發(fā)明所揭示的靜電信號(hào)的一個(gè)具體實(shí)施例的電壓變化示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 公知
11-靜電放電檢測(cè)裝置
13:待測(cè)物
111:靜電產(chǎn)生器
113:衰減棒
115:示波器
本發(fā)明
21:靜電放電檢測(cè)裝置 23:待測(cè)物 211:靜電產(chǎn)生模塊 213:靜電放電檢測(cè)模塊 215:顯示模塊 2131:靜電接收電路 2133:延遲電路 DC1:第一級(jí)延遲電路 DC2:第二級(jí)延遲電路 DC3:第三級(jí)延遲電路 DC4:第四級(jí)延遲電路 DC5:第五級(jí)延遲電路 DCi:第i級(jí)延遲電路 DCn:第N級(jí)延遲電路 ES:靜電信號(hào) Q:第一開(kāi)關(guān)元件 VCC:電壓源 R:電阻
Cl、 C2、 C3、 C4、 C5:電容Ql、 Q2、 Q3、 Q4、 Q5、 Qi:晶體管
Q6:第二開(kāi)關(guān)元件 Q7:第三開(kāi)關(guān)元件 Dl:顯示元件 Sl:觸發(fā)信號(hào)
具體實(shí)施例方式
流經(jīng)電子儀器的靜電信號(hào)必須進(jìn)行衰減和延遲的動(dòng)作后，才能判斷靜電 在電子儀器中的能量分布，是以，本發(fā)明利用晶體管開(kāi)關(guān)來(lái)將靜電信號(hào)隔離
以達(dá)到衰減的目的，并通過(guò)RC延遲電路來(lái)將靜電信號(hào)延遲人類(lèi)可觀察的時(shí) 間，進(jìn)而讓使用者能精確、快速且低成本的檢測(cè)靜電放電的能量分布情形。
本發(fā)明主要技術(shù)特征在于對(duì)待測(cè)物進(jìn)行靜電放電的靜電放電檢測(cè)裝 置，以下就僅提出必要的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作，然而，熟悉該技術(shù)的技術(shù)人員 得知，除了以下所提及的構(gòu)件，待測(cè)物當(dāng)然包括各種形態(tài)，因此，不應(yīng)以本 實(shí)施例揭示的為限。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2，該圖為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)裝置的具體 實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，靜電放電檢測(cè)裝置21用以測(cè)試待 測(cè)物23，其中待測(cè)物23為電子裝置、該電子裝置中的電路路徑或半導(dǎo) 體元件。所述的靜電放電檢測(cè)裝置21包括有靜電產(chǎn)生模塊211、靜電放 電檢測(cè)模塊213以及顯示模塊215。靜電產(chǎn)生模塊211耦接于待測(cè)物23， 用以提供靜電來(lái)對(duì)待測(cè)物23進(jìn)行放電，進(jìn)而使待測(cè)物23輸出靜電信號(hào)。 具體來(lái)說(shuō)，靜電產(chǎn)生模塊211可為靜電槍。
靜電放電檢測(cè)模塊213耦接于待測(cè)物23，用以接收靜電信號(hào)，并將 靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲總延遲時(shí)間后輸出。請(qǐng)一并參考圖3，該圖 為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)模塊213的具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖3所示，靜電放電檢測(cè)模塊213包括有靜電接收電路2131以及多 個(gè)延遲電路2133。靜電接收電路2313用以接收靜電信號(hào)；而延遲電路 2133耦接于靜電接收電路2313，用以衰減并延遲靜電信號(hào)。其中，延
遲電路包括第一級(jí)延遲電路DC1、第二級(jí)延遲電路DC2.......、第N
級(jí)延遲電路DCn，第一級(jí)延遲電路DC1耦接于靜電接收電路2131，第二級(jí)延遲電路DC2耦接于第一級(jí)延遲電路DC1，以此類(lèi)推，每一級(jí)延 遲電路2133依序兩兩耦接，致使靜電信號(hào)每經(jīng)過(guò)一級(jí)的延遲電路2133， 就延遲特定時(shí)間。
接著，為能更了解本發(fā)明對(duì)靜電信號(hào)的處理方式，請(qǐng)參考圖4，該 圖為本發(fā)明所揭示的靜電放電檢測(cè)模塊213以及顯示模塊215的具體實(shí) 施例的電路圖。其中相關(guān)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)請(qǐng)同時(shí)參考圖2以及圖3。如圖4 所示，靜電接收電路2131包括第一開(kāi)關(guān)元件Q，第一開(kāi)關(guān)元件Q的集 電極耦接于電壓源Vcc，而基極接收靜電信號(hào)ES，以控制該第一開(kāi)關(guān)元 件Q開(kāi)關(guān)的狀態(tài)。
而延遲電路2133為多個(gè)串聯(lián)的RC延遲電路，為求方便說(shuō)明，這 邊以設(shè)計(jì)五級(jí)延遲電路DC1 DC5來(lái)舉例。每一級(jí)延遲電路中均包括晶 體管以及電容，且每一晶體管的集電極均耦接于電壓源Vcc。第一級(jí)延 遲電路DC1的晶體管Q1的基極耦接于第一開(kāi)關(guān)元件Q的發(fā)射極；而第 二級(jí)延遲電路DC2的晶體管Q2的基極耦接于第一級(jí)延遲電路DC1的 晶體管Q1的發(fā)射極，依序以此類(lèi)推，第i級(jí)延遲電路DCi的晶體管Qi 的基極耦接于第i-l級(jí)延遲電路DC(i-l)的晶體管Q(i-l)的發(fā)射極，其中
當(dāng)靜電接收電路2131接收靜電信號(hào)ES時(shí)，瞬間的靜電信號(hào)ES會(huì) 立即導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)元件Q，電壓源Vcc因此對(duì)第一級(jí)延遲電路DC1的 電容Cl進(jìn)行充電，并依序?qū)ňw管Ql 晶體管Q5。直到靜電信號(hào) ES截止時(shí)，使第一開(kāi)關(guān)元件Q關(guān)閉，即由第一級(jí)延遲電路DC1的電容 Cl對(duì)晶體管Ql進(jìn)行放電，使得之后的晶體管Qi持續(xù)收到電流而導(dǎo)通。 在對(duì)電容Cl充電以及放電的同時(shí)，次一級(jí)的電容C2則一直處于充電 狀態(tài)，而當(dāng)電容C1放電殆盡時(shí)，使晶體管Q1關(guān)閉，即由第二級(jí)延遲 電路DC2的電容C2對(duì)晶體管Q2進(jìn)行放電，同樣使得之后的晶體管Qi 持續(xù)收到電流而導(dǎo)通，如此以此類(lèi)推，級(jí)數(shù)愈高的晶體管Qi的導(dǎo)通時(shí) 間愈長(zhǎng)，進(jìn)而拉長(zhǎng)靜電信號(hào)ES的延遲時(shí)間。
上述動(dòng)作中，靜電信號(hào)ES會(huì)于流經(jīng)第一開(kāi)關(guān)元件Q時(shí)被隔離而達(dá) 到衰減的效果，之后每經(jīng)過(guò)一個(gè)晶體管，也進(jìn)行一定程度的衰減動(dòng)作； 又，延遲電路2133中，每一級(jí)延遲電路會(huì)依據(jù)每一晶體管的導(dǎo)通時(shí)間
10來(lái)延遲靜電信號(hào)ES特定時(shí)間，而每一級(jí)延遲電路中的晶體管的導(dǎo)通時(shí)
間又取決于上一級(jí)延遲電路中的電容量，若靜電信號(hào)ES愈大，則上一
級(jí)延遲電路充電時(shí)間愈長(zhǎng)，使得下一級(jí)延遲電路的晶體管的導(dǎo)通時(shí)間愈 長(zhǎng)，反之亦然。其中每一級(jí)延遲電路所延遲的特定時(shí)間加總后即為總延
遲時(shí)間，具體來(lái)說(shuō)，以圖4為例，假設(shè)晶體管Q1導(dǎo)通的時(shí)間是T1，其 為電容C1充電時(shí)間以及電容C1放電時(shí)間的總和；而晶體管Q2導(dǎo)通的 時(shí)間是T2，其為電容C2充電時(shí)間以及電容C2放電時(shí)間的總和，其中 電容C2的充電時(shí)間即為晶體管Ql導(dǎo)通的時(shí)間Tl，故晶體管Q2導(dǎo)通 的時(shí)間是T2為晶體管Ql導(dǎo)通的時(shí)間Tl與電容C2放電時(shí)間的總和； 以此類(lèi)推遞增延遲，總延遲時(shí)間即為第五級(jí)延遲電路的晶體管Q5導(dǎo)通 的時(shí)間T5，也就是晶體管Q4導(dǎo)通的時(shí)間T4與電容C5放電時(shí)間的總 和。因此，靜電信號(hào)ES在通過(guò)上述電路處理后，會(huì)達(dá)到衰減以及延遲 的效果。
而顯示模塊215包括第二開(kāi)關(guān)元件Q6、第三開(kāi)關(guān)元件Q7以及至少 一個(gè)顯示元件Dl。第二開(kāi)關(guān)元件Q6的基極耦接于第五級(jí)延遲電路DC5 的晶體管Q5的發(fā)射極，用以接收延遲電路2133處理后的靜電信號(hào)ES 后導(dǎo)通，進(jìn)而使電壓源Vcc提供電流產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)Sl來(lái)導(dǎo)通第三開(kāi)關(guān) 元件Q7。顯示元件D1的一端耦接于電壓源Vcc，另一端耦接于第三開(kāi) 關(guān)元件Q7的集電極，具體實(shí)施例中，顯示元件D1為發(fā)光二極管(LED)， 當(dāng)?shù)谌_(kāi)關(guān)元件Q7導(dǎo)通時(shí)，電壓源Vcc提供驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)顯示元件Dl 發(fā)光。其中，顯示元件Dl發(fā)光總延遲時(shí)間的長(zhǎng)短來(lái)表示靜電信號(hào)ES 的大小，該靜電信號(hào)ES愈強(qiáng)，其觸發(fā)信號(hào)Sl持續(xù)時(shí)間也愈長(zhǎng)，進(jìn)而使 顯示元件D1發(fā)光越久，反之亦然。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，顯示元件也可選自有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)、有機(jī)高分子發(fā)光二極管(PLED)或示波器的群組組合之一，借由示 波器來(lái)觀察靜電信號(hào)ES的波形來(lái)判斷其強(qiáng)弱；而上述的第一開(kāi)關(guān)元件Q、 第二開(kāi)關(guān)元件Q6、第三開(kāi)關(guān)元件Q7以及晶體管Q1 Q5為NPN雙極型 晶體管，其中該NPN雙極型晶體管可通過(guò)簡(jiǎn)易的電路替換設(shè)計(jì)由PNP雙極 型晶體管、N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)、 P型金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管(PMOS)、 C型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)、 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)、 H型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(HMOS)、 D型 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(DMOS)或V型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 (VMOS)取代，不應(yīng)以本實(shí)施例揭示的為限。
最后，請(qǐng)參考圖5A、圖5B，這些圖為本發(fā)明所揭示的靜電信號(hào)的 一個(gè)具體實(shí)施例的延遲時(shí)間以及電壓變化示意圖。如圖5A中所示，每 一級(jí)延遲電路所延遲的特定時(shí)間隨著延遲電路的級(jí)數(shù)增加而等比增加， 因此使靜電信號(hào)ES的波形隨著各級(jí)延遲電路，而慢慢延遲到人類(lèi)肉眼 可以辨識(shí)的信號(hào)。又如圖5B所示，靜電信號(hào)ES的電壓大小也因靜電放 電檢測(cè)模塊213中各級(jí)電路的開(kāi)關(guān)元件以及晶體管而逐步衰減到人類(lèi)可 運(yùn)用的電壓，以避免過(guò)大的瞬間靜電將顯示元件D1燒壞。
借由以上實(shí)例詳述，當(dāng)可知道本發(fā)明的靜電放電檢測(cè)裝置，利用簡(jiǎn)易 晶體管開(kāi)關(guān)以及RC延遲電路，將瞬間的靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲的效果， 再借由顯示元件顯示出處理后的靜電信號(hào)的能量強(qiáng)弱，通過(guò)上述的技術(shù)手 段，本發(fā)明的設(shè)計(jì)取代傳統(tǒng)昂貴的檢測(cè)儀器，也降低了檢測(cè)靜電放電的操作 手續(xù)，進(jìn)而讓使用者能精確、快速且低成本的檢測(cè)靜電放電的能量分布情形， 以能根據(jù)檢測(cè)的資料正確掌握新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的靜電防范對(duì)策。
但是，以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，并非用 以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有范圍應(yīng)以所述的權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)，任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易想到的變化或修改均可涵蓋在 所附本發(fā)明所界定的專(zhuān)利范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
1.一種靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于用以測(cè)試待測(cè)物，該靜電放電檢測(cè)裝置包括有靜電產(chǎn)生模塊，耦接于該待測(cè)物，用以提供靜電來(lái)對(duì)該待測(cè)物進(jìn)行放電，進(jìn)而使該待測(cè)物輸出靜電信號(hào)；靜電放電檢測(cè)模塊，耦接于該待測(cè)物，用以接收該靜電信號(hào)，并將該靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲總延遲時(shí)間后輸出；以及顯示模塊，耦接于該靜電放電檢測(cè)模塊，用來(lái)接收該靜電放電檢測(cè)模塊傳來(lái)的該靜電信號(hào)，以產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并依據(jù)該驅(qū)動(dòng)信號(hào)的強(qiáng)弱來(lái)表示該靜電信號(hào)的大小。
2. 如權(quán)利要求1所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該靜電放電檢測(cè) 模塊包括有靜電接收電路，用以接收該靜電信號(hào)；以及多個(gè)延遲電路，耦接于該靜電接收電路，用以衰減并延遲該靜電信號(hào)。
3. 如權(quán)利要求2所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該靜電接收電路 包括第一開(kāi)關(guān)元件，該第一開(kāi)關(guān)元件的集電極耦接于電壓源，該第一開(kāi)關(guān)元 件的基極耦接于該靜電信號(hào)。
4. 如權(quán)利要求3所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于所述多個(gè)延遲電 路中的第一級(jí)延遲電路耦接于該靜電接收電路，第二級(jí)延遲電路耦接于該第 一級(jí)延遲電路，且之后的每一級(jí)延遲電路依序兩兩耦接，每一延遲電路會(huì)延 遲該靜電信號(hào)特定時(shí)間。
5. 如權(quán)利要求4所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于每一延遲電路中 包括晶體管以及電容，每一晶體管的集電極耦接于該電壓源，該第一級(jí)延遲 電路的該晶體管的基極耦接于該第一開(kāi)關(guān)元件的發(fā)射極，當(dāng)該第一開(kāi)關(guān)元件 導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該第一級(jí)延遲電路的該電容進(jìn)行充電；當(dāng)該第一開(kāi)關(guān)元 件關(guān)閉時(shí)，該第一級(jí)延遲電路的該電容對(duì)該第一級(jí)延遲電路的該晶體管進(jìn)行 放電。
6. 如權(quán)利要求5所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于所述多個(gè)延遲電 路中，該第i級(jí)延遲電路的該晶體管的基極耦接于該第i-l級(jí)延遲電路的該晶 體管的發(fā)射極，當(dāng)該第i-l級(jí)延遲電路的該晶體管導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該第i級(jí)延遲電路的該電容進(jìn)行充電；當(dāng)該第i-l級(jí)延遲電路的該晶體管關(guān)閉時(shí)， 該第i級(jí)延遲電路的該電容對(duì)該第i級(jí)延遲電路的該晶體管進(jìn)行放電，其中2
7. 如權(quán)利要求6所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該顯示模塊包括 第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件以及至少一個(gè)顯示元件，該第二開(kāi)關(guān)元件接收 該第N級(jí)延遲電路傳來(lái)的該靜電信號(hào)后導(dǎo)通，以產(chǎn)生該觸發(fā)信號(hào)來(lái)導(dǎo)通該第 三開(kāi)關(guān)元件，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)該顯示元件。
8. 如權(quán)利要求7所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該顯示元件為發(fā) 光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)高分子發(fā)光二極管或示波器的群組組合之
9. 如權(quán)利要求7所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該第一開(kāi)關(guān)元 件、該第二開(kāi)關(guān)元件、該第三開(kāi)關(guān)元件以及所述晶體管為NPN雙極型晶體 管。
10. 如權(quán)利要求9所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該NPN雙極型 晶體管可由PNP雙極型晶體管、N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、P型金屬氧 化物半導(dǎo)體晶體管、C型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、N型金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管、H型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管、D型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或V 型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管取代。
11. 如權(quán)利要求1所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該待測(cè)物為電 子裝置、該電子裝置中的電路路徑或半導(dǎo)體元件。
12. 如權(quán)利要求4所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于每一延遲電路 所延遲的該特定時(shí)間隨著該延遲電路的級(jí)數(shù)增加而等比增加。
13. 如權(quán)利要求12所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于每一延遲電路 所延遲的該特定時(shí)間加總后即為該總延遲時(shí)間。
14. 如權(quán)利要求1所述的靜電放電檢測(cè)裝置，其特征在于該顯示模塊在 該總延遲時(shí)間內(nèi)表示該靜電信號(hào)的大小。
全文摘要
一種靜電放電檢測(cè)裝置，用以測(cè)試待測(cè)物。所述的靜電放電檢測(cè)裝置包括有靜電產(chǎn)生模塊、靜電放電檢測(cè)模塊以及顯示模塊。靜電產(chǎn)生模塊耦接于該待測(cè)物，用以提供靜電來(lái)對(duì)待測(cè)物進(jìn)行放電，進(jìn)而使待測(cè)物輸出靜電信號(hào)；靜電放電檢測(cè)模塊耦接于待測(cè)物，用以接收靜電信號(hào)，并將靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲后輸出；顯示模塊用來(lái)表示該靜電信號(hào)的強(qiáng)弱。本發(fā)明可利用各級(jí)的電路將靜電信號(hào)進(jìn)行衰減以及延遲后，再轉(zhuǎn)為可判定靜電能量的信息，進(jìn)而讓使用者能精確、快速且低成本的檢測(cè)靜電放電的能量分布情形。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101650394SQ20081021092
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者張全汪 申請(qǐng)人:金寶電子工業(yè)股份有限公司