專利名稱：氫氣感測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種感測(cè)技術(shù)，尤其涉及一種氫氣感測(cè)器。
背景技術(shù)：
隨著科技的不斷發(fā)展，人們對(duì)碳的認(rèn)識(shí)不斷提高，碳納米管是一種新型碳材料，由日本 石開究人員Iijima于1991年發(fā)現(xiàn)，請(qǐng)參見"Helical microtubules of graphitic carbon", S Iijima， Nature, vol. 354， p56 (1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能，因此將其應(yīng)用 到各種不同領(lǐng)域中已成為一種趨勢(shì)。近幾年來，氫氣濃度感測(cè)器在許多領(lǐng)域都有廣泛發(fā)展， 而現(xiàn)有的感測(cè)器多為薄膜感測(cè)。而薄膜感測(cè)器靈敏度低。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種靈敏度高的氫氣感測(cè)器。
一種氫氣感測(cè)器，其包括碳納米線、鍍?cè)谒鎏技{米線上鈀薄膜、基板、電流計(jì)、電源 及處理器。所述碳納米線布設(shè)于所述基板上。所述電源、感測(cè)部及電流計(jì)構(gòu)成一個(gè)閉合串聯(lián) 回路，所述氫氣感測(cè)器的處理器與所述電流計(jì)連接用于讀取氫氣環(huán)境下所述感測(cè)部的電流值 以得出氫氣濃度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述氫氣感測(cè)器通過在基板上布設(shè)碳納米線，由于碳納米線良好的電 子性質(zhì)與感測(cè)面積大，且在碳納米線上鍍鈀薄膜，提高對(duì)氫氣的吸附能力，從而提升感測(cè)靈 敏度。


圖l是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的氫氣感測(cè)器的示意圖； 圖2是圖1的氫氣感測(cè)器的部分截面圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的氫氣感測(cè)器的部分截面圖。
具體實(shí)施例方式
為了對(duì)本發(fā)明的氫氣感測(cè)器做進(jìn)一步的說明，舉以下實(shí)施方式并配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明 如下。
第一實(shí)施方式
請(qǐng)一并參閱圖1及圖2，為本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種氫氣感測(cè)器IO，其用于感測(cè)待 測(cè)環(huán)境中氫氣的濃度，該氫氣感測(cè)器10包括碳納米線100、鍍?cè)谒鎏技{米線100上的鈀薄膜110、基板200、電源300、電流計(jì)400及處理器500。
所述碳納米線100為碳納米管束，先在所述碳納米線100上面鍍上鈀薄膜110，然后將所 述碳納米線100呈蛇形彎曲狀布設(shè)于所述基板200上，所述碳納米線100兩端設(shè)有電極111 、 112，其中電極111與所述電流計(jì)400—端相連，電極112與所述電源300—端相連，所述電流 計(jì)400的另一端與所述電源300的另一端連接，從而電源300、碳納米線1 OO及電流計(jì)400形成 一個(gè)閉合串聯(lián)回路。所述處理器500與所述電流計(jì)400連接。所述處理器500與所述電流計(jì) 400連接用于讀取所述碳納米線100的電流值以得出氫氣濃度。
該氫氣感測(cè)器10在出廠前要做校正，該校正可通過實(shí)驗(yàn)將氫氣感測(cè)器10分別置于不同的 已知濃度的氫氣環(huán)境中，分別測(cè)出在不同氫氣濃度下電流計(jì)400的輸出電流值，從而可得到 氫氣感測(cè)器10的電流與氫氣濃度的特性曲線。所述處理器500包括一個(gè)存儲(chǔ)單元510和一個(gè)讀 取單元520，所述存儲(chǔ)單元510用于存儲(chǔ)所述特性曲線，所述讀取單元520用于讀取所述電流 計(jì)400的電流值并根據(jù)該電流值査找所述特性曲線以得到對(duì)應(yīng)的氫氣濃度。
第二實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖3，該第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式基本相同，不同之處在于先將所述碳納米 線100'呈蛇形彎曲狀布設(shè)于所述基板200'上，再在所述碳納米線100'上面鍍上鈀薄膜 110'。
上述氫氣感測(cè)器，通過在基板上鋪設(shè)碳納米線，由于碳納米線良好的電子性質(zhì)與感測(cè)面 積大，且在碳納米線上鍍鈀薄膜，提高對(duì)氫氣的吸附能力，從而提升感測(cè)靈敏度。
可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它 各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種氫氣感測(cè)器，其包括基板，其特征在于所述氫氣感測(cè)器還包括碳納米線、鍍?cè)谒鎏技{米線上鈀薄膜、電流計(jì)、電源及處理器，所述碳納米線布設(shè)于所述基板上，所述電源、感測(cè)部及電流計(jì)構(gòu)成一個(gè)閉合串聯(lián)回路，所述氫氣感測(cè)器的處理器與所述電流計(jì)連接用于讀取氫氣環(huán)境下所述感測(cè)部的電流值以得出氫氣濃度。
2.如權(quán)利要求l所述的氫氣感測(cè)器，其特征在于所述碳納米線在 基板上呈蛇形彎曲狀。
3.如權(quán)利要求l所述的氫氣感測(cè)器，其特征在于所述處理器包括 一個(gè)存儲(chǔ)單元、 一個(gè)讀取單元，其中，所述存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)所述氫氣感測(cè)器的特性曲線；所述讀取單元用于讀取所述電流計(jì)的電流值并根據(jù)該電流值査找該特性曲線以得到對(duì) 應(yīng)的氫氣濃度。
4.如權(quán)利要求l所述的氫氣感測(cè)器，其特征在于所述碳納米線為 碳納米管束。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種氫氣感測(cè)器，其包括碳納米線、鍍?cè)谒鎏技{米線上鈀薄膜、基板、電流計(jì)、電源及處理器。所述碳納米線布設(shè)于所述基板上。所述電源、感測(cè)部及電流計(jì)構(gòu)成一個(gè)閉合串聯(lián)回路，所述氫氣感測(cè)器的處理器與所述電流計(jì)連接用于讀取氫氣環(huán)境下所述感測(cè)部的電流值以得出氫氣濃度。通過在基板上鋪設(shè)碳納米線，且在碳納米線上鍍鈀薄膜，提高對(duì)氫氣的吸附能力，從而提升感測(cè)靈敏度。
文檔編號(hào)G01N27/407GK101587091SQ20081030172
公開日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2008年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月22日
發(fā)明者周代栩 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司