專利名稱：絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及根據(jù)權利要求1的絕對高分辨率分段(segment)或轉數(shù)(revolution) 計數(shù)器，其可以在兩個方向計數(shù)并包括至少一個活動勵磁磁體。
背景技術：
絕對線性分段或轉數(shù)計數(shù)器在不需要外部電能的情況下獲取其永久存儲的計數(shù)信息。該計數(shù)器從處于任何條件(即，也是在接近零的速度)下的驅動器的動能中產生計 數(shù)和存儲所需的電能。這里，被檢測并存儲的轉數(shù)在物理學上講是無限制的。該計數(shù)器以 絕對的方式執(zhí)行其高分辨率功能，即其當前位置在中斷電源并再次接通電源后可未延遲地 為該計數(shù)器可用。一般來說，在一轉(one revolution)內的高分辨率計數(shù)器稱為單圈 (singleturn)，一轉的高分辨率與對幾轉的計數(shù)的組合稱為多圈。因此，本發(fā)明涉及多圈 (multi turn)。用于檢測平移和/或旋轉運動的磁性元件稱為脈沖金屬絲運動檢測器(如US 4,364,013 公開的)或韋根(Wiegand)傳感器(如 DE 4 107 847 Cl 或 DE 2 817 169 C2 公開的)，其中鐵磁材料的預處理金屬絲被傳感器線圈所纏繞。起初在鐵磁材料中方向隨意 的磁區(qū)(稱為磁疇或Weiii區(qū))在外部機械力和/或磁力的影響下將其自身定向在一個單 域。在施加了某個方向和大小的外磁場后，該域“突然翻轉(flap over)”，其產生可以作為 輸出信號的電壓脈沖。在鐵磁材料中，具有不同磁化方向的相鄰原子的磁矩的相互作用是非常強的，其 導致磁矩在小的空間區(qū)域對準。上述磁域、Wei β區(qū)或區(qū)域被稱為布洛赫壁的過渡層彼此分 開。由于外力的影響，如上所述，有可能實現(xiàn)上述單域、鐵磁元件的自我形成。如果該域被 引入了某大小和方向的外磁場，則起始位置的基礎磁體(優(yōu)選為金屬絲端點)像多米諾骨 牌一樣翻到外磁場的方向，這會導致在鐵磁元件中出現(xiàn)具有有限速度的翻轉事件的波浪， 而且該速度比勵磁磁體的速度大，由此可以說是該域的“瞬時翻轉”。根據(jù)DE 102 59 233，可使用作用于鐵磁元件之間的上述布洛赫壁效應來估計勵 磁磁體的極性和位置，其在于通過附加傳感器元件，可以確定從兩個前端開始的鐵磁元件 的反磁化部署方向，即鐵磁元件的反磁化方向。在具有勵磁磁體和半轉分辨率的特性的一般情況中，轉數(shù)計數(shù)器系統(tǒng)完全由與最 后存儲的已知勵磁磁體的位置相關的四個已知勵磁磁體的狀態(tài)來描述。但是，通過測量，可以實現(xiàn)具有可想到的簡單機械結構的位置檢測器，該位置檢測 器可在速度接近零時無故障工作，且一旦出現(xiàn)常規(guī)能量供應故障，僅一個鐵磁元件位于勵 磁磁體的兩個運動方向中，其中，應當注意的是，有關鐵磁元件反磁化部署方向的信息可以 從勵磁磁體的勵磁極及其在同一個時間點Ts處的極性中得到。該位置檢測器的最優(yōu)簡化 布置使得該位置檢測器還可能從傳感器線圈的輸出信號同時獲得用于包括計數(shù)器設備的 估計電子設備的能量。
不管基本可能且可想到的該檢測器的簡單機械結構，經驗表明，未來的應用需要極其小型化的系統(tǒng)的結構元件，由此該系統(tǒng)大幅度降低成本，同時不能放棄壽命長以及獨 立于外部能量的布置的優(yōu)點。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是進一步將作為高分辨率線性分段或旋轉計數(shù)器的多圈傳感 器發(fā)展成單芯片方案(one-chip-solution)。該目的通過權利要求1的特征來實現(xiàn)。從屬權利要求體現(xiàn)本發(fā)明的進一步的特征。在這方面，考慮目前使用的技術是很重要的。在以下中存在多圈1.具有光/機械傳動裝置的光學單圈，2.具有磁/機械傳動裝置的光學單圈，3.具有光/機械傳動裝置的磁單圈，4.具有磁/機械傳動裝置的磁單圈。此外，與相應傳動裝置方案相結合的電容性單圈是已知的。盡管傳動裝置不能保證絕對旋轉速度的檢測(這是因為只有嚴格限定的旋轉圈 數(shù)可以被檢測，且由于可能的尺寸和可預計的成本，他們僅能夠經受嚴格限定的速度和加 速度)，但無論如何均以比較評價的方式提及該傳動裝置，以闡述本發(fā)明的概念。電動(battery-operated)的多圈不是絕對的多圈，因為它們具有外部電能源，而 且從技術上講，在許多方面都不安全。本發(fā)明專利申請公開的絕對多圈不受限于應用技術而受限于物理學。這里，幾個105rpm是可能的。轉數(shù)的數(shù)量被檢測并存儲，該轉數(shù)實際上是無限制 的。磁單圈目前達到的分辨率與光單圈相同。盡管技術優(yōu)點顯著，但新技術發(fā)現(xiàn)很難占領分散的市場。占領分散的市場只能從 成本的角度來實現(xiàn)。使用單芯片方案作為絕對多圈的最終目標可以成功建立起市場。但是，已有的在技術和經濟上有優(yōu)勢的中間方案滯礙了市場。這里必須強調的是， 如果被集成的元件具有相同的基礎(優(yōu)選是磁性元件)，則單芯片方案可以以更簡單低成 本的方式來實現(xiàn)。關于上述修改，該單芯片方案僅可在只存在機械或能量原因以外的困難 的情況下(如果存在困難的話)實現(xiàn))。本發(fā)明的基礎和目的是單個元件的連續(xù)集成，該單個元件已經部分是IC，且部分 在遵循重要的整個條件時(如從屬權利要求所示)，仍然直接通過有利的中間方案來實現(xiàn) 單芯片方案的最終目標。因此，示例和附圖公開了通過中間方案到作為磁性多圈的最終芯片的最優(yōu)實現(xiàn)。絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器包括一個單鐵磁元件，具有至少一個圍繞該 元件的作為韋根元件的線圈；至少一個附加傳感器元件，用于在兩個方向檢測對段數(shù) (segments)或轉數(shù)進行計數(shù)的信息；附加磁傳感器，用于段數(shù)或轉數(shù)的細分辨率；至少一 個公共勵磁磁體，用于分段/轉數(shù)計數(shù)器和附加傳感器；控制邏輯和功率控制器，用于分段 /旋轉計數(shù)器；用于多圈應用的邏輯或用于細分辨率的μ控制器；以及非易失性計數(shù)器和存儲器單元，用于永久存儲計數(shù)信息。由于韋根元件直接位于兩個勵磁磁體之間的主磁場中的創(chuàng)造性排列，磁體的磁性 背部連接(該連接由公共鐵磁背部連接體形成)優(yōu)選地形成為封閉環(huán)，轉數(shù)計數(shù)器被提供， 其被形成為幾何形狀以及磁特性是對稱的，旋轉計數(shù)器達到最小尺寸，而且由于很大程度 上屏蔽了外部影響，還能夠檢測最大的旋轉速度。在附加傳感器元件的反應時間大于來自通過鐵磁元件的線圈的電壓脈沖的持續(xù) 時間的情況下，能量存儲裝置是必須的。這種情況例如是具有目前的霍爾傳感器但是沒有 在場板中使用的情況。 優(yōu)選地，能量存儲裝置被形成為電容器。在目前看來，從經濟角度上，鐵磁元件通 常是脈沖或韋根金屬絲。以有利的方式，通過線圈，勵磁磁體的極性適于被檢測，且用于計數(shù)器和存儲器單 元、附加傳感器元件以及具有功率控制的控制單元的能量供應得到保證。為了確定鐵磁元件的狀態(tài)，一旦接通與附加傳感器同步的外部電壓，則以有利的 方式方便地向線圈提供斜坡形電流。優(yōu)選地，附加傳感器元件和/或附加傳感器被形成為場板和/或霍爾傳感器。以有利的方式，附加傳感器接管附加傳感器元件的工作，即檢測勵磁磁體的位置。優(yōu)選地，附加傳感器包括內部電壓源和外部電壓源。優(yōu)選地，附加傳感器在出現(xiàn)內部電壓(即，在低電流操作)時，執(zhí)行至少半個分段 或半轉的粗分辨率，并檢測勵磁磁體的極性。優(yōu)選地，在應用外部電壓的情況下，由時鐘來操作附加傳感器。由此，保證電流消 耗在4mA臨界界限以下，從而高分辨率分段或旋轉計數(shù)器還分別適用于自身安全系統(tǒng)。為了高精確的分辨率，以有利的方式，附加傳感器的模擬信號通過傅里葉分析而 在分別用于細分辨率的μ控制器或邏輯中被校正。優(yōu)選地，具有環(huán)繞線圈的鐵磁元件和附加傳感器位于兩個磁體之間的磁場中，該 兩個磁體具有通過鐵磁環(huán)或傳感器頂蓋(cover)的公共磁性背部連接。優(yōu)選地，這里至少兩個勵磁磁體是通過塑料束縛的硬磁性材料。優(yōu)選地，非易失性存儲器被形成為鐵電隨機存取存儲器(FRAM)，其適用于由感應 線圈而被提供內部電壓，且至少在一部分時間被提供外部電壓用于讀取計數(shù)信息。優(yōu)選地，利用FRAM技術來形成電容器。優(yōu)選地，絕對多圈被形成為絕對磁性多圈。 多圈被稱為磁性多圈，其有源元件(韋根元件、附加傳感器元件、附加傳感器)對磁場產生 反應，而電子設備的其它元件分別對電信號或能量產生反應。根據(jù)一個實施方式，在第一個 集成步驟中，附加傳感器元件、控制邏輯和功率控制器IC以及附加傳感器被組合成作為目 標ICl的總ICo根據(jù)進一步的實施方式，具有非易失性存儲器和(如果可應用)具有存儲電容器的計數(shù)器單元在IC級與目標ICl結合成目標IC2。在進一步的實施方式中，目標IC2在IC級與μ控制器集成為目標IC3。在最終的實施方式中，作為單芯片方案的終端IC、鐵磁元件以及線圈被集成。目標 IC還可以被形成為僅一個外殼的多個IC。必然的是，IC和組件在各個集成階段中的結合以及到單芯片方案的階段的順序是任意的。這里提出的集成階段以及集成階段的步驟的順序只顯示了一種實施方式中的最優(yōu)方案。


下面參考在附圖中差不多示意性示出的實施方式來描述本發(fā)明。圖1示出了在第一個集成階段之前的本發(fā)明的絕對磁高分辨率分段或旋轉計數(shù) 器的示意性排列的俯視圖，該計數(shù)器具有環(huán)形背部連接體；圖2示出了根據(jù)圖1的分段或旋轉計數(shù)器的剖視圖；圖3示出了最后集成階段的本發(fā)明的絕對磁高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器的實施 方式的示意性排列的俯視圖，該計數(shù)器具有環(huán)形背部連接體；圖4示出了根據(jù)圖3的分段或轉數(shù)計數(shù)器的剖視圖；圖5示出了在第一個集成階段之前的開放實施中的本發(fā)明的絕對磁高分辨率分 段或轉數(shù)計數(shù)器的實施方式的示意性排列；圖6示出了根據(jù)圖5的實施方式的示意性排列的剖視圖；圖7示出了在最后集成階段之后的根據(jù)圖5的實施方式的示意性排列；圖8示出了根據(jù)圖7的實施方式的示意性排列的剖視圖；圖9示出了在第一個集成階段之前的具有從圖1到圖8的絕對磁性多圈的鐵磁元 件和線圈的整個電子設備的框圖；圖10示出了在第一個集成階段之后具有目標ICl以及絕對磁性多圈的鐵磁元件 和線圈的整個電子設備的框圖；圖11示出了在第二個集成階段之后具有目標IC2以及絕對磁性多圈的鐵磁元件 和線圈的整個電子設備的框圖；圖12示出了在第三個集成階段之后具有目標IC3以及絕對磁性多圈的鐵磁元件 和線圈的整個電子設備的框圖；圖13示出了絕對磁性多圈的框圖，包括鐵磁元件和線圈的整個電子設備在最后 集成階段被結合成IC。
具體實施例方式在圖1和圖2示出的絕對磁體高分辨率轉數(shù)計數(shù)器的第一個集成階段之前的實施 方式的示例中，活動體是軸10，其適用于沿箭頭Rl和R2 (即順時針或逆時針方向)旋轉。為 了能夠對軸10的轉數(shù)進行計數(shù)，軸10連接到磁體載體12，該磁體載體12與兩個相對排列 的勵磁磁體EMl和EM2聯(lián)合，該勵磁磁體EMl和EM2被形成圓弧形截面(circular section) 形狀且包括北極N和南極S。勵磁磁體被一個環(huán)圍繞，該環(huán)形成為鐵磁背部連接體14，該環(huán) 的半徑對應于以圓形弧形截面形狀形成的勵磁磁體的半徑。在勵磁磁體的相對的輸出面之 間，設置有韋根元件，其包括被傳感器線圈SP圍繞的鐵磁元件FE。韋根元件TO由勵磁磁體 EMl和EM2的輸出面之間的電路板15支撐，由此韋根元件TO的鐵磁元件FE面向這些輸出 面，從而可以被勵磁磁場軸向穿過。為了確定在經過鐵磁元件FE時勵磁磁體的極性，提供霍爾傳感器作為附加傳感 器元件SE，其也由電路板15支撐，且在該傳感器的輸出25處，根據(jù)勵磁磁體的極性是N或S以及其位置，可以輸出正、負或零信號。另外，提供了附加傳感器ZS，其可以提供針對一轉的細分辨率。該附加傳感器也被 設置在兩個勵磁磁體EMl和EM2之間的主磁場中，由此該附加傳感器也被電磁屏蔽。出于 這個目的，該附加傳感器“尋求”幾乎均勻的磁場，其可以大幅降低磁激勵造成的干擾。因 此，測量信號能夠實現(xiàn)最高的精確性和分辨率。韋根元件和附加傳感器ZS面向共同的背部 連接體14，即以這種方式，韋根元件對附加傳感器的反應效應被大幅削減。由于附加傳感 器ZS也位于兩個勵磁磁體之間的主磁場中，因此其也被電磁屏蔽。附加傳感器元件SE為 安置在雜散磁場(stray field)中。該旋轉計數(shù)器包括例如10-15mm的直徑，且可以在大于105rpm時工作。在圖3和圖4中，示出了在最后集成階段的參考圖1和2所述的絕對磁性多圈。這里，終端IC位于在兩個勵磁磁體EMl和EM2之間的磁場中的鐵磁背部連接體14的轉軸的 中間。圖5和圖6示出的在第一個集成階段之前的本發(fā)明的絕對磁性多圈的實施方式到 目前為止是展開式排列，因為磁性背部連接體14在鐵磁元件FE中省略了，附加傳感器元件 SE和附加傳感器ZS位于只有一個共同勵磁磁體的雜散磁場中，該共同勵磁磁體被放置作 為直接位于驅動軸10上的沿直徑磁化的圓形磁體。在有足夠的空間用于多圈傳感器且給定轉速較低的情況下，可以總是選擇該實施 方式。具有大直徑的軟鐵鐵磁頂蓋可以屏蔽外部影響。圖7和圖8示出了在最后集成階段之后的參考圖5和圖6所述的多圈。圖9以框圖的形式示出了在開始階段(即在第一個集成階段之前)的參考圖1-圖 8所述的多圈。公開了包括鐵磁元件和線圈的整個電子設備。在分散的實施方式中，提供了 韋根元件和電容器，其余元件作為IC。在圖9以及下面的框圖中，點線/箭頭表示外部能量流向，虛線/箭頭表示內部能 量流向以及實線/箭頭表示信號流向。為了減小結構尺寸和成本，根據(jù)框10提供的實施方式是可以預見的。附加傳 感器、附加傳感器元件以及用于控制和功率控制的電子設備在第一個集成步驟被組合成目 標IC1。該目標ICl包括霍爾傳感器，其在低電流自支持操作中以低分辨率工作，其用于檢 測勵磁磁體的磁極。該目標ICl在提供外部能量時可以實現(xiàn)全分辨率，其中，出于能量原 因，以有利的方式，該ICl受時鐘控制。圖11通過第二個集成步驟示出了參考圖10描述如上所述的在方向上的進一步步 驟。根據(jù)該實施方式，具有非易失性存儲器的計數(shù)器單元和至少一個電容器(如果被提供) 在IC級被結合到目標ICl再到目標IC2。該步驟是有意義的，因為在此體現(xiàn)了將被集成的 新技術FRAM。由于需要nF級的電容器，因此在FRAM技術中，只有一個IC電容器是符合成 本效益的。在根據(jù)圖12的實施方式中，目標IC2例如與μ控制器結合成目標IC3。通過該第 三個集成步驟，不僅能實現(xiàn)對功能很重要的電子設備的最佳化成本結合，而且能獲得功能 和屏蔽的改善。同時，可以達到目前易于制造的界限。通過根據(jù)圖13的框圖中所示的最后集成步驟，絕對多圈的單芯片方案被提供作 為最終目標。理想的步驟從物理學觀點是可能的，其基本取決于從哪個時間點開始，具有更低限度的屏蔽電壓(其應當?shù)陀?V)的FRAM存儲器在市場上是可獲得的。即，線圈繞組數(shù)量減少，由此芯片線圈是符合成本效益的。附圖標記列表10 軸12磁體載體14背部連接體15電路板21線圈輸出連接點22線圈輸出連接點25霍爾傳感器輸出連接點EMl勵磁磁體EM2勵磁磁體WE韋根元件FE鐵磁元件SP韋根線圈SE附加傳感器元件SV控制邏輯和功率控制器ZD具有非易失性數(shù)據(jù)存儲器的計數(shù)器單元ZS附加傳感器MC分別用于多圈排列的μ控制器或邏輯EL具有負載電路的能量存儲裝置EC單芯片方案=終端ICN 北極S 南極Rl 箭頭R2 箭頭
權利要求
一種絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，包括以下元件至少一個活動勵磁磁體(EM1)；韋根元件(WE)，包括鐵磁元件(FE)，該鐵磁元件(FE)被感應線圈(SP)沿軸向環(huán)繞；至少一個附加傳感器元件(SE)；分別用于分段或旋轉計數(shù)器的控制邏輯和功率控制器(SV)；至少一個具有非易失性數(shù)據(jù)存儲器的計數(shù)器單元(ZD)；這些元件用于確定針對計數(shù)器值的完整信息，并用于所述附加傳感器元件(SE)、控制邏輯和能量控制器(SV)以及非易失性數(shù)據(jù)存儲器(ZD)的內部供應；以及用于段數(shù)或轉數(shù)的細分辨率的附加傳感器(ZS)；和分別用于多圈應用的μ控制器或邏輯(MC)；其特征在于，韋根元件(WE)、附加傳感器元件(SE)、控制邏輯和能量控制器(SV)、具有非易失性數(shù)據(jù)存儲器的計數(shù)器單元(ZD)、附加傳感器(ZS)以及μ控制器(MC)中的元件分別被集成到目標IC，該目標IC通過在IC級通過一些集成步驟包括一個或一些元件而被組合成單芯片方案，從而由集成步驟產生的目標IC在技術和經濟上是自支持方案。
2.根據(jù)權利要求1所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于下列元件附 加傳感器元件(SE)、控制邏輯和能量控制器(SV)以及附加傳感器(ZS)被集成到目標IC1。
3.根據(jù)權利要求1和2所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于至少一個 具有電路的能量存儲裝置(EL)與所述計數(shù)器聯(lián)接，其中該能量存儲裝置優(yōu)選包括至少一 個電容器。
4.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征 在于所述目標ICl與具有充電電路的能量存儲裝置(EL)元件和/或具有非易失性數(shù)據(jù)存 儲器的計數(shù)器單元(ZD)元件被集成到目標IC2。
5.根據(jù)權利要求4所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于所述目標IC2 與μ控制器(MC)元件集成到目標IC3。
6.根據(jù)權利要求5所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于所述目標IC3 與韋根元件(WE)被集成到終端IC4，作為單芯片方案。
7.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征 在于所述鐵磁元件(FE)是脈沖或韋根金屬絲。
8.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征 在于所述附加傳感器元件(SE)是霍爾傳感器、場板或電容性傳感器。
9.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征 在于所述附加傳感器(ZS)優(yōu)選為場板和/或霍爾傳感器，或被形成為電容性傳感器。
10.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于一旦接通與所述附加傳感器(ZS)同步的外部電壓，則所述線圈(SP)被提供斜坡形 電流，以確定所述鐵磁元件(FE)的狀態(tài)。
11.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于所述附加傳感器(ZS)接管所述附加傳感器元件(SE)的任務，即確定所述勵磁磁體 (EM)的位置。
12.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于所述附加傳感器(ZS)具有內部電壓源，且通過所述線圈(SP)還具有外部電壓源。
13.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于一旦出現(xiàn)內部電壓，即在低電流操作下，所述附加傳感器(ZS)執(zhí)行至少半個分段或 半轉的粗分辨率，并確定所述勵磁磁體(EM)的極性。
14.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于由外部供應電壓給所述附加傳感器(ZS)提供時鐘。
15.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于所述附加傳感器(ZS)的模擬信號分別在用于細分辨率的μ控制器或邏輯中通過用 于插入高精度的傅里葉分析而被進行誤差校正。
16.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于具有軸向環(huán)繞線圈(SP)的鐵磁元件和附加傳感器(ZS)在每轉至少一次位于兩個磁 體之間的主磁場中，該兩個磁體具有通過鐵磁環(huán)或軟鐵傳感器頂蓋的公共磁性背部連接。
17.根據(jù)權利要求16所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特征在于至少兩個勵 磁磁體(EM)包括由塑料聯(lián)結的硬磁性材料。
18.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于所述非易失性存儲器被形成為鐵電隨機存取存儲器(FRAM)，該鐵電隨機存取存儲器 適用于由感應線圈(SP)來提供內部電壓，且至少有時被提供外部電壓以用于讀取計數(shù)信 肩、ο
19.根據(jù)上述權利要求中任一權利要求所述的絕對高分辨率分段或轉數(shù)計數(shù)器，其特 征在于用于估計至少勵磁磁體(EMl)的極性和運動方向的完整信息，即用于計數(shù)的完整信 息，包括所述非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)、來自所述感應線圈(SP)的信號的數(shù)據(jù)以及來自所 述附加傳感器元件(SE)的數(shù)據(jù)。
全文摘要
絕對高分辨率線性分段或轉數(shù)計數(shù)器作為具有獨立可行的中間方案的單芯片方案，優(yōu)選地，作為具有韋根元件的絕對磁性多圈，用于對轉數(shù)或段數(shù)進行計數(shù)，以及用作計數(shù)器、存儲器和處理電路的單獨電源，其中用于細分辨率的附加傳感器和μ控制器是總IC的組件。
文檔編號G01D5/245GK101821591SQ200880103160
公開日2010年9月1日 申請日期2008年8月7日 優(yōu)先權日2007年8月17日
發(fā)明者T·泰爾, W·梅納特 申請人:W·梅納特;T·泰爾