專利名稱：具有雙加熱區(qū)的多層氣體傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及傳感器，更具體地涉及一種具有雙加熱區(qū)的多層氣體傳感器。
背景技術(shù)：
通過燃燒碳?xì)淙剂袭a(chǎn)生的排氣組成是氧化物氣體(NOx，SOx, CO2, CO, H2O)、未燃的 碳?xì)浠衔餁怏w和氧的復(fù)雜混合物。這些單獨(dú)的排氣成分的實(shí)時(shí)濃度測(cè)量可改進(jìn)燃燒效率 并降低污染性氣體的排放。在某些情況下，一種氣體的濃度可能影響或控制第二氣體的濃 度。在這種情況下，需要知道第一氣體的濃度以準(zhǔn)確地測(cè)量第二、甚至第三氣體的濃度。已 提出多種裝置作為排氣傳感器，該排氣傳感器能夠測(cè)量在排氣流中的兩種或兩種以上氣體 的氣體濃度。本領(lǐng)域中已知的一種氣體傳感器設(shè)計(jì)成平板式多層陶瓷封裝件，該封裝件設(shè)計(jì)包 括兩個(gè)或兩個(gè)以上的腔室。第一腔室的電極連接到一氧離子傳導(dǎo)的電解質(zhì)膜以形成一用于 從進(jìn)入傳感器的氣體流中移出氧的氧泵。第一腔室還催化NO2向NO和半O2的分解。第一 腔室中的氧泵還將在該過程中形成的氧移出。因此，理論上，進(jìn)入第二腔室的唯一含氧氣體 是NO。第二腔室包括一 NO分解單元，其使用第二氧泵從NO中移出氧。從在第二腔室中的 NO分解傳遞氧而產(chǎn)生的電流與排氣流中的NO濃度相關(guān)。一定數(shù)量的考慮影響到了這種已知的氣體傳感器的商業(yè)化應(yīng)用。例如，當(dāng)排氣流 中的NOx濃度較低時(shí)，殘余氧可能產(chǎn)生明顯的干擾。除此之外，傳感器產(chǎn)生的信號(hào)電流非常 小，使其易于受到機(jī)動(dòng)車中通常存在的電噪聲的干擾。另外，由這種傳感器監(jiān)測(cè)的排氣流通 常具有至少部分由發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸點(diǎn)火引起的流率脈動(dòng)。這種脈動(dòng)削弱了氧泵有效地移出所有 游離氧的能力并可能引起測(cè)量錯(cuò)誤。氣體傳感器也可包括一小擴(kuò)散孔用于限制通往測(cè)量腔 室的氣體通路。已經(jīng)證明這種小擴(kuò)散孔在使用中會(huì)堵塞。另一種已知的氣體傳感器利用相似的平板多層陶瓷封裝件的設(shè)計(jì)，但其更接近一 種混合電位式傳感器，而非電流式傳感器，第一腔室用于將NO轉(zhuǎn)化為NO2或反之。已得到良 好地證明，在混合電位式NOx傳感器中，由氣體種類NO和NO2產(chǎn)生的電壓信號(hào)具有相反的符 號(hào)。結(jié)果，當(dāng)存在兩種氣體時(shí)很難區(qū)分出一有意義的電壓信號(hào)，其原因是會(huì)出現(xiàn)相互抵消。一些傳感器設(shè)計(jì)已試圖通過利用在傳感器中建立兩個(gè)獨(dú)立的腔室的平板多層封 裝件設(shè)計(jì)來解決該問題。已試圖使用電化學(xué)氧泵將所有NOx氣體種類轉(zhuǎn)化為一個(gè)種類，該 電化學(xué)氧泵將氧泵入第一腔室中以試圖將所有氣體轉(zhuǎn)化為N02。其它的努力相反地試圖將 氧從腔室移出并將所有NO2還原為NO。這種“被調(diào)制的”氣體然后進(jìn)入第二腔室，在該第二 腔室中通過混合電位式傳感器產(chǎn)生的電壓信號(hào)來測(cè)量NOx濃度。這種方法受到一定數(shù)量的限制，這些限制妨礙了這種構(gòu)型的商業(yè)化。一個(gè)重要的 考慮在于，轉(zhuǎn)化系統(tǒng)在變化的氣體濃度條件下將所有NOx氣體完全轉(zhuǎn)化為一個(gè)種類的可復(fù) 現(xiàn)性。另外，氧泵轉(zhuǎn)化單元傾向于隨時(shí)間推移而惡化，進(jìn)一步不利于可復(fù)現(xiàn)性問題。因?yàn)檫@ 些考慮的影響在低濃度范圍中放大，所以這種測(cè)量方法不適于檢測(cè)低濃度NOx氣體。上述這兩種傳感器機(jī)構(gòu)共有的其它缺點(diǎn)源于平板陶瓷多層系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)。因?yàn)檠b置的復(fù)雜性要求氣體首先通過一擴(kuò)散口進(jìn)入，在第一腔室中被調(diào)制，然后擴(kuò)散到第二腔 室中，所以響應(yīng)時(shí)間傾向于很慢。在這些構(gòu)型中很難實(shí)現(xiàn)能跟得上發(fā)動(dòng)機(jī)排氣的動(dòng)態(tài)環(huán)境 的迅速氣體交換。另外，氣體本身的腐蝕性以及其帶有細(xì)小顆粒的事實(shí)可能導(dǎo)致擴(kuò)散控制 口被堵塞，或至少使氣體流動(dòng)動(dòng)態(tài)隨時(shí)間改變。最后，由氣缸點(diǎn)火引起的氣體流率的脈動(dòng)以 及機(jī)動(dòng)車中常見的電噪聲使得很難控制和監(jiān)測(cè)與這些裝置相關(guān)的低電壓和電流電路。本發(fā)明的氣體傳感器旨在解決以上的一種或多種問題
發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明涉及一種氣體傳感器。該氣體傳感器可包括多個(gè)基底件、第一傳感 電極和第二傳感電極。該氣體傳感器還可包括與第一傳感電極相關(guān)并位于所述多個(gè)基底件 中的一個(gè)的第一側(cè)上的第一加熱器單元、以及與第二傳感電極相關(guān)并位于所述多個(gè)基底件 中的所述一個(gè)的相對(duì)的第二側(cè)上的第二加熱器單元。另一方面，本發(fā)明涉及另一種氣體傳感器。該氣體傳感器可包括具有第一表面和 第二表面的基底件、第一傳感電極和第二傳感電極。該氣體傳感器可還包括僅一個(gè)與第一 傳感電極相關(guān)聯(lián)并結(jié)合到第一表面上的加熱器單元，和僅一個(gè)與第二傳感電極相關(guān)聯(lián)并結(jié) 合到第二表面上的加熱器單元。又一方面，本發(fā)明涉及一種檢測(cè)排氣流中成分濃度的方法。該方法可包括產(chǎn)生第 一加熱區(qū)和在第一加熱區(qū)測(cè)量第一參數(shù)。該第一參數(shù)可表征排氣流中的第一成分的濃度。 該方法可還包括產(chǎn)生通過絕緣界面層與第一加熱區(qū)相隔離的第二加熱區(qū)，以及在第二加熱 區(qū)測(cè)量第二參數(shù)。該第二參數(shù)可表征排氣流中的第二成分的濃度。


圖1是一示例性公開的傳感組件的示意圖；圖2是圖1的傳感組件的分解視圖；圖3是另一傳感組件的分解視圖；以及圖4是用于圖1和3公開的傳感組件的示例性加熱器層的示意圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，其中示出了傳感器單元10的基本技術(shù)特征。更具體地，傳感器單元10 以示意圖示出，使得用于組成傳感器單元10的多個(gè)單獨(dú)的層30，40，50，70，和80以疊置的 方式示出，如同在完全組裝成的傳感器單元10中那樣。該視圖示出傳感器單元10的各技 術(shù)特征之間的關(guān)系。在傳感器單元10中，一氧傳感電極32可被放置成空間上接近第一加熱器單元52 并在傳感器單元10的外表面上(即在層30的外表面上，該層30可以是傳感器單元10的 兩個(gè)相對(duì)的外層的第一個(gè))。傳感器單元10還可包括一基準(zhǔn)電極34，該基準(zhǔn)電極34在與 加熱器單元52基本相同的位置中被放置在層30的內(nèi)表面上(即在傳感器單元10的寬度 和長(zhǎng)度方向上基準(zhǔn)電極34可基本上與加熱器單元52對(duì)齊)。結(jié)果，當(dāng)在圖1中觀察時(shí)，氧 傳感電極32與基準(zhǔn)電極34可在層30的第一端部處基本上重疊以形成一氧傳感器。相似地，一 NOx傳感電極82可在傳感器單元10的外表面上(即在層80的外表面上，該層80可以是傳感器單元10的所述兩個(gè)相對(duì)的外層的第二個(gè))被放置成空間上接近 第二加熱器單元54。一基準(zhǔn)電極84可在與加熱器單元54基本相同的位置中被放置在層 80的內(nèi)表面上(即在傳感器單元10的寬度和長(zhǎng)度方向上基準(zhǔn)電極84可以基本上與加熱器 單元54對(duì)齊)。結(jié)果，當(dāng)在圖1中觀察時(shí)，在一在長(zhǎng)度方向上與傳感器單元10的所述第一 端部間隔開的位置處，NOx傳感電極82與基準(zhǔn)電極84可基本上重疊以形成一 NOx傳感器。 在某些實(shí)施例中，可使用一對(duì)氧不敏感的NOx傳感器。在這種情況下，傳感器單元10可省 去基準(zhǔn)電極34。其它傳感器、如碳?xì)浠衔飩鞲衅骱?或CO傳感器可代替此處所述的傳感 器加熱器單元52可將氧傳感電極32加熱到約500°C 900°C的溫度范圍，更優(yōu)選加 熱到約650°C 750°C的溫度范圍以產(chǎn)生第一溫度區(qū)51。在某些具體實(shí)施例中，加熱器單 元52可將基本上包圍氧傳感電極32的第一溫度區(qū)51加熱到約700°C的溫度。加熱器單 元54可將NOx傳感電極82加熱到約300°C 600°C的溫度范圍，更優(yōu)選加熱到約450°C 550°C的溫度范圍以產(chǎn)生第二溫度區(qū)53。在某些具體實(shí)施例中，加熱器單元54可將基本上 包圍NOx傳感電極82的第二溫度區(qū)53加熱到約500°C的溫度。應(yīng)當(dāng)指出，加熱器單元52， 54可附加地為催化器(未示出)提供熱量，因此又改進(jìn)了整個(gè)裝置的功能。加熱器單元52的線圈長(zhǎng)度和/或橫截面積可以不同于加熱器單元54的(線圈) 長(zhǎng)度和/或橫截面積，該長(zhǎng)度和/或面積差可便于形成溫度區(qū)51與53的不同溫度范圍(即 與不同的長(zhǎng)度和/或面積相關(guān)的電阻可有助于產(chǎn)生溫度差)。在一個(gè)實(shí)施例中，與第一和 第二加熱單元之一相連的供電線的電阻與接地線的電阻的組合可比加熱器單元本身的電 阻小約25%。加熱器單元52和54可設(shè)計(jì)成適用于約9 24伏的供電范圍，更具體地，約 12 18伏的供電范圍。加熱器單元52，54可定位成使得所得到的溫度區(qū)51，53基本上彼此隔離(即使得 一個(gè)加熱區(qū)基本上不影響另一加熱區(qū)的溫度)。也就是說，除了定位在層30的相對(duì)側(cè)之外， 加熱器單元52，54還可在層30的長(zhǎng)度方向上間隔開。因此，即使加熱器單元52和54可基 本上在層30的寬度方向上對(duì)齊，(但是它們)在長(zhǎng)度方向上的分隔有助于溫度區(qū)51與溫 度區(qū)53熱隔離。層30，40，50，70，和80中的每一個(gè)都可首先由生瓷帶制成，該生瓷帶由使用與粘 合劑、溶劑和增塑劑混合以形成適于鑄造帶件的漿體的氧化鋯粉末制成。本領(lǐng)域中已知多 種不同的用于構(gòu)成傳感器單元10的傳導(dǎo)部分的離子傳導(dǎo)陶瓷材料，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員可理解這一點(diǎn)。在某些實(shí)施例中，有利地對(duì)傳感器單元10加入非傳導(dǎo)的或絕緣的區(qū)域。 本領(lǐng)域中也已知多種不同的絕緣陶瓷材料可用于構(gòu)造傳感器單元10，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員可理解這一點(diǎn)。在制造氧化鋯漿體后，可將漿體鑄造成帶并在進(jìn)一步的制造步驟之前進(jìn) 行干燥。利用本領(lǐng)域中常見的技術(shù)，可將干燥的帶件的區(qū)段切成合適的形狀。如圖2所示，層30可用于放置氧傳感電極32和基準(zhǔn)電極34。氧傳感電極32 —般 可由鉬構(gòu)成，但可在圖1的傳感器單元10已被組裝和燒結(jié)后才被印刷在層30上。盡管在 某些情況下可在燒結(jié)前將氧傳感電極32印刷到層30上，但對(duì)氧傳感電極32的燒結(jié)會(huì)降低 其孔隙率，從而降低其靈敏度和有效性。層40可被切割成包括從傳感器單元10的一個(gè)端部延伸到傳感器單元10中的通 道42。通道42可允許通常是空氣的基準(zhǔn)氣體進(jìn)入。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，通道42的長(zhǎng)度和幾何結(jié)構(gòu)可具有極大的變化。層70也可包括從傳感器單元10的與通道42相同的端部延 伸到傳感器單元10中的通道72。通道42、72可允許空氣進(jìn)入傳感器單元10以分別達(dá)到放 置在層30和層80的內(nèi)表面上的基準(zhǔn)電極34和84。如放置在層40中的通道42那樣，在本 發(fā)明的范圍內(nèi)，層70的通道72的尺寸和幾何結(jié)構(gòu)可變化。圖2還示出層50適于包括產(chǎn)生第一和第二溫度區(qū)51，53的加熱器單元52，54。加熱器單元52，54可構(gòu)造成被獨(dú)立控制，具有不同的能源；或由相同的能源控制并能夠通過 改變各加熱器單元52，54的電阻來產(chǎn)生第一和第二溫度區(qū)51，53。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 可理解，可以多種方式改變電阻，包括增加加熱器單元52，54的長(zhǎng)度。加熱器單元52，54可串聯(lián)或并聯(lián)以接收動(dòng)力。具體地，加熱器單元52，54可在一 個(gè)端部85處相互連接，而每個(gè)加熱器單元52，54的另一端部87，89可以是自由的。因此， 可對(duì)每個(gè)自由端部87，89供給動(dòng)力而端部85接地，使得各加熱器單元52，54并聯(lián)地運(yùn)行。 在該構(gòu)型中，除了調(diào)節(jié)每個(gè)加熱器單元52，54的電阻以控制相應(yīng)溫度區(qū)51，53的溫度外，還 可對(duì)每個(gè)自由端部提供不同水平的功率?；蛘?，可僅對(duì)其中一個(gè)自由端部87或89供給動(dòng) 力，而另一自由端部可接地以使各加熱器單元52，54串聯(lián)工作。在串聯(lián)構(gòu)型中，溫度區(qū)51 與53之間的溫度差可僅通過改變各加熱器單元52，54的電阻來控制。加熱器單元52，54可定位成在層50的相對(duì)表面上接近氧和NOx傳感電極32，82， 使得層50在溫度區(qū)51與53之間提供至少某種程度的隔離。在組裝傳感器單元10之前， 加熱器單元52，54可被絲網(wǎng)印刷(screen print)并在一爐中在約80°C下干燥約2小時(shí)。 在絲網(wǎng)印刷電極后，可使用一技術(shù)諸如溶劑粘合、熱層壓或其它本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已 知的技術(shù)，將生瓷層30，40，50，70和80層壓在一起。在利用熱層壓的方法中，利用層壓機(jī) 將各層壓在一起。在層壓各層30，40，50，70和80后，可利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已知的 技術(shù)將傳感器單元10切割成最終形狀，然后可以進(jìn)行燒結(jié)。然后可在約1475°C下對(duì)層壓生瓷帶式傳感器單元10進(jìn)行燒結(jié)約兩小時(shí)。在燒結(jié) 后，傳感器單元10可在對(duì)應(yīng)于層30的一側(cè)上被涂覆以用于氧傳感電極32的鉬，如圖1和2 示意性示出的。傳感器單元10的對(duì)應(yīng)于層80的相對(duì)側(cè)可被涂覆以復(fù)合物W03/&02以構(gòu)成 NOx傳感電極82。NOx傳感電極82可優(yōu)選在燒結(jié)后被放置在傳感器單元10上以防止與生 瓷帶中的氧化鋯發(fā)生高溫化學(xué)反應(yīng)。在放置電極后，傳感器單元10可在約800°C 1000°C 范圍內(nèi)的高溫下被燒制，在某些情況下在約850°C 950°C的范圍內(nèi)被燒制，以促進(jìn)氧傳感 電極32和NOx傳感電極82良好粘附到傳感器單元10的外部。在某些實(shí)施例中，氧和NOx傳感電極32、82可以是利用半導(dǎo)體氧化物材料構(gòu)造的 混合電位式傳感器。在某些具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體氧化物材料可包括以下材料中的至少一 種W03，Cr2O3，Mn2O3，F(xiàn)e2O3，TiO2，和Co304。在其它實(shí)施例中，可使用多組分氧化物材料，例 如，尖晶石或鈣鈦礦。在某些具體實(shí)施例中，多組分氧化物材料可以是以下材料中的至少一 種NiCr2O4, ZnFe2O3, CrMn2O3, LaSrMnO3, LaSrCrO3 和 LaSrFeO3。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會(huì)理解用于構(gòu)造傳感器單元10的層30，40，50，70和80的數(shù)量和構(gòu)型在本發(fā)明的范圍可變化很大。具體地，氧和NOx傳感電極32，82和/或加熱器單 元52，54可放置在多個(gè)不同的位置處，包括在單獨(dú)層的相同表面上。另外，通道42，72可由 一層模壓出(emboss)或部分地蝕刻出而不是完全切通。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員可實(shí)現(xiàn)包括各種不同的電極材料，形狀以及在某些情況下布置情況的其它變型。
圖3示出另一傳感器單元210的各個(gè)層。該實(shí)施例可以類似于上面參照?qǐng)D1-2更詳細(xì)地說明的方式組裝。傳感器單元210可包括可選的第一層230。層230可包括一個(gè)或 多個(gè)通孔232以允許接近位于第二層240上的多個(gè)加熱器單元252，254。如上所述，加熱 器單元252，254可設(shè)置在層230的相同表面上，或替代地，設(shè)置在層230的相對(duì)表面上。層 240可以通過一可選的電絕緣的層250與通道層260隔開。通道層260可包括一通道262 以允許被導(dǎo)向位于層270的內(nèi)表面上的基準(zhǔn)電極272的空氣進(jìn)入。如上文中參照?qǐng)D1-2的 實(shí)施例所述地，一氧傳感電極274和一 NOx傳感電極276可被放置在層270的外表面上。圖4示出一可選加熱器層300。在該加熱器層中，第一和第二加熱器單元302，304 可公用一公共的接地線306。也就是說，每個(gè)加熱器單元302，304可經(jīng)由分離的供電線308， 310接收動(dòng)力，但終止于接地線306。另外，如圖4可見，加熱器單元304可取向成基本上垂 直于加熱器單元302 (即加熱器單元304的線圈方向可大致垂直于加熱器單元302的線圈 方向)。該設(shè)計(jì)有利于實(shí)現(xiàn)更緊湊的傳感單元。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的傳感單元既可用作氧傳感器也可用作NOx傳感器，因?yàn)槠浒▋蓚€(gè)不同 的溫度區(qū)。具體地，所述溫度區(qū)之一可與氧傳感器相關(guān)聯(lián)，而第二溫度區(qū)可與混合電位式 NOx傳感器相關(guān)聯(lián)。本發(fā)明的傳感單元可通過使陶瓷傳感單元小型化以及包括兩個(gè)傳感電 化學(xué)單元來改進(jìn)整體系統(tǒng)性能。本發(fā)明的傳感單元還包括兩個(gè)用作“加熱器單元”的金屬 圖案(pattern)以當(dāng)電壓和電流被供應(yīng)給該圖案的接觸點(diǎn)時(shí)加熱陶瓷結(jié)構(gòu)的單獨(dú)的和隔 離的區(qū)域。通過將這些加熱器單元結(jié)合到傳感器單元的陶瓷結(jié)構(gòu)中，提高了對(duì)傳感電極的傳 熱速率。提高的傳熱速率使傳感器單元的傳感器部件具有更迅速的啟動(dòng)時(shí)間(light off time)。除了上述特征外，通過優(yōu)化加熱器設(shè)計(jì)方案以及構(gòu)造多層陶瓷封裝件，使由于溫度 迅速改變導(dǎo)致的熱應(yīng)力最小化。這些技術(shù)特征可使傳感器裝置在使用壽命內(nèi)的性能和可靠 性提高。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以顯見，可對(duì)傳感單元做出各種不同的修改和變型。通過考 慮說明書并對(duì)公開的傳感單元進(jìn)行實(shí)踐，其它實(shí)施例是本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的。說 明書和各示例都應(yīng)認(rèn)為僅是示例性的，本發(fā)明的真正范圍由以下權(quán)利要求及其等同方案給
出ο
權(quán)利要求
一種氣體傳感器(10)，包括多個(gè)基底件(30，40，70，80)；第一傳感電極(32)；第二傳感電極(82)；與所述第一傳感電極相關(guān)并定位于所述多個(gè)基底件中的一個(gè)(50)的第一側(cè)上的第一加熱器單元(52)；以及與所述第二傳感電極相關(guān)并定位于所述多個(gè)基底件中的所述一個(gè)的相對(duì)的第二側(cè)上的第二加熱器單元(54)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，第一加熱器單元的線圈方向基本 上垂直于第二加熱器單元的線圈方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，第一、第二加熱器單元共用一公共 的接地線(85)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，第一、第二加熱器單元串聯(lián)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，第一、第二加熱器單元中的至少一 個(gè)在與所述多個(gè)基底件中的所述一個(gè)相結(jié)合之前制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于， 第一加熱器單元包括第一加熱器電路(87，52，85)；第一加熱器電路是所述多個(gè)基底件中的所述一個(gè)的第一側(cè)上的唯一加熱器電路； 第二加熱器單元包括第二加熱器電路(89，54，85)，第二加熱器電路是所述多個(gè)基底件中的所述一個(gè)的第二側(cè)上的唯一加熱器電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，第一傳感電極以與第一加熱器單元匹配相對(duì)的方式位于所述多個(gè)基底件中的第二個(gè) (30)上；第二傳感電極以與第二加熱器單元匹配相對(duì)的方式位于所述多個(gè)基底件中的第三個(gè) (80)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器，其特征在于，在工作中第一加熱器單元產(chǎn)生處于第一溫度的第一加熱區(qū)(51)； 在工作中第二加熱器單元產(chǎn)生處于第二溫度的第二加熱區(qū)(53)；且在工作中第一加 熱器單元和第一加熱區(qū)基本上與第二加熱器單元和第二加熱區(qū)相隔離。
9.一種檢測(cè)排氣流中成分濃度的方法，包括 產(chǎn)生第一加熱區(qū)(51)；在第一加熱區(qū)測(cè)量第一參數(shù)，該第一參數(shù)表征排氣流中的第一成分的濃度； 產(chǎn)生通過絕緣界面層(50)與第一加熱區(qū)相隔離的第二加熱區(qū)(53)；以及 在第二加熱區(qū)測(cè)量第二參數(shù)，該第二參數(shù)表征排氣流中的第二成分的濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第一、第二加熱區(qū)還沿所述絕緣界面層 的長(zhǎng)度方向分隔開一定距離。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)NOx的氣體傳感器(10)。該氣體傳感器可具有多個(gè)基底件(30，40，50，70，80)、第一傳感電極(32)和第二傳感電極(82)。氣體傳感器還可具有與第一傳感電極相關(guān)并定位于所述多個(gè)基底件中的一個(gè)(50)的第一側(cè)上的第一加熱器單元(52)，和與第二傳感電極相關(guān)并定位于所述多個(gè)基底件中的所述一個(gè)的相對(duì)的第二側(cè)上的第二加熱器單元(54)。
文檔編號(hào)G01N33/00GK101842699SQ200880113746
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2008年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者B·G·奈爾, J·A·納克拉斯 申請(qǐng)人:卡特彼勒公司