專利名稱：用于線圈陣列的特殊吸收率優(yōu)化控制的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于磁共振設(shè)備的發(fā)送陣列的線圈和梯度磁系統(tǒng)的控制
方法，其中
磁共振設(shè)備的控制裝置分別相應(yīng)于 一個(gè)激勵(lì)脈沖來控制發(fā)送陣列的線圈和梯度石茲系統(tǒng)；
基于該分別相應(yīng)于一個(gè)激勵(lì)脈沖對(duì)發(fā)送陣列的線圈和梯度磁系統(tǒng)的控制，在^f茲共振設(shè)備的激勵(lì)空間中產(chǎn)生具有第 一 實(shí)際非均勻性的磁化。
此外本發(fā)明還涉及一種計(jì)算機(jī)程序，其具有機(jī)器代碼，該機(jī)器代碼可以由磁共振設(shè)備的控制裝置直接處理，并且通過控制裝置執(zhí)行該機(jī)器代碼，使得控制裝置實(shí)施這樣的控制方法。本發(fā)明還涉及一種數(shù)據(jù)載體，其具有在該數(shù)據(jù)載體上存儲(chǔ)的這樣的計(jì)算機(jī)程序。
此外本發(fā)明還涉及一種磁共振設(shè)備的控制裝置，其中該控制裝置具有存儲(chǔ)器，在該存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了這樣的計(jì)算機(jī)程序，其中在該控制裝置的運(yùn)行中可以從存儲(chǔ)器調(diào)用該計(jì)算機(jī)程序并且由控制裝置來執(zhí)行。
最后本發(fā)明涉及一種磁共振設(shè)備，其中
該磁共振設(shè)備具有基本磁鐵、梯度磁系統(tǒng)、帶有多個(gè)發(fā)送線圈的發(fā)送陣列和控制裝置；
這些發(fā)送線圈可以由控制裝置控制，從而借助這些發(fā)送線圈可以在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間中產(chǎn)生磁化；
該控制裝置如上所述被構(gòu)造。
背景技術(shù)：
這樣的內(nèi)容是普遍公知的。
在具有大于約3T的基本磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁共振設(shè)備中在患者身體內(nèi)感應(yīng)出極大的渦流。由此產(chǎn)生的后果是全身線圈的本來均勻的^f茲場(chǎng)分布僅在患者內(nèi)部或多或少變得不均勻。個(gè)別情況下該不均勻性導(dǎo)致在特定身體區(qū)域的可靠成像成
5問題。
在傳統(tǒng)的磁共振設(shè)備中可實(shí)現(xiàn)的場(chǎng)分布通過天線的控制預(yù)先固定給出。 期望的均勻磁化(=自旋的偏轉(zhuǎn))可以通過所謂的二維或三維激勵(lì)脈沖實(shí) 現(xiàn)，其中高頻波形和梯度脈沖波形被同時(shí)調(diào)制。該調(diào)制必須基于對(duì)高頻場(chǎng)分布 的認(rèn)識(shí)對(duì)每個(gè)患者重新確定。該方法在實(shí)踐中被應(yīng)用。但是該方法產(chǎn)生非常長(zhǎng)
的發(fā)送脈沖(例如大于10ms)。
通過采用多通道發(fā)送系統(tǒng)可以類似于在接收時(shí)使用多通道系統(tǒng)而在發(fā)送 時(shí)對(duì)頻率空間進(jìn)4亍欠掃描。在這種情況下缺少的信息可以從線圈的不同的場(chǎng)特
性中獲得。該過程作為概念"TX-SENSE"對(duì)專業(yè)人員是公知的。
迄今為止公知的二維或三維激勵(lì)脈沖可以被"加速"。由此激勵(lì)脈沖的持續(xù) 時(shí)間例如縮小到lms至4ms，從而使其具有對(duì)成像可用的長(zhǎng)度。但是在這樣的 激勵(lì)脈沖情況下的問題是，甚至對(duì)未加速的TX-SENSE脈沖的SAR ( =specific absorption rate,特殊吸收率)和發(fā)送功率要求都相比傳統(tǒng)的單通道發(fā)送系統(tǒng)要 高數(shù)倍(因數(shù)典型地約為20至30),并且此外對(duì)這樣的脈沖的SAR和功率要 求大約以加速的平方上升。
例如在ISMRM2007第673和第674頁公開的專業(yè)論文中，公知第一措施， 利用這些措施可以降低SAR。但是SAR還是明顯高于單通道方案的SAR。
其它相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)例如W. A. Grissom等人的出版物"An Image Domain Approach for the Design of RF Pulses in Transmit SENSE", Proceedings International Society of Magnetic Resonance in Medicine 13(2005),第19頁；Yudong Zhu的專業(yè)"i侖文"Parallel Excitation with an Array of Transmit Coils"，發(fā)表于 Magnetic Resonance in Medicince, Band 51(2004),第775至784頁；Yudong Zhu的 專業(yè)論文"Parallel Excitation: Making SENSE of High-Field Body MRT，以及 US2005/134267A1。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，提供一種用于磁共振設(shè)備的發(fā)送陣列的線圈 的控制方法，以及與此相關(guān)的主題(計(jì)算機(jī)程序、數(shù)據(jù)載體、控制裝置和磁共 振設(shè)備)，借助其可以明顯降低SAR而且還能夠?qū)崿F(xiàn)良好的圖像質(zhì)量。
根據(jù)本發(fā)明，控制裝置根據(jù)各個(gè)開始脈沖和在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間中的 最大允許的非均勻性來確定各個(gè)激勵(lì)脈沖。各個(gè)開始脈沖具有總持續(xù)時(shí)間。在
6控制裝置按照各個(gè)開始脈沖來控制發(fā)送陣列的線圏和梯度磁系統(tǒng)的情況下，在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間中產(chǎn)生磁化，該磁化具有比最大允許的非均勻性小的第二實(shí)際非均勻性。控制裝置確定各個(gè)開始脈沖的中間位置，從而使各個(gè)開始脈沖被劃分為第一脈沖分量和與此互補(bǔ)的第二脈沖分量。各個(gè)第一脈沖分量與各個(gè)開始脈沖的低能量部分相對(duì)應(yīng)，各個(gè)第二脈沖分量與各個(gè)開始脈沖的高能部分相對(duì)應(yīng)。控制裝置在時(shí)間上延伸各個(gè)第二脈沖分量并由此在振幅上壓縮各個(gè)第二脈沖分量。時(shí)間上被延伸且振幅上被壓縮的各個(gè)第二脈沖分量與各個(gè)激勵(lì)
脈沖相對(duì)應(yīng)。控制裝置這樣確定中間位置，使得第一實(shí)際非均勻性剛好小于最大允許的非均勻性。
與此相應(yīng)地，上述裝置技術(shù)的技術(shù)問題通過相應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序解決，通過控制裝置執(zhí)行該計(jì)算機(jī)程序來實(shí)現(xiàn)這樣的控制方法。這樣的計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)載體上。
在控制裝置中在其存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)了這樣的計(jì)算機(jī)程序。磁共振設(shè)備具有這樣的控制裝置。
可以在時(shí)間上統(tǒng)一地延伸并由此在振幅上統(tǒng)一地壓縮各個(gè)第二脈沖分量。但是具有優(yōu)勢(shì)的是，控制裝置在時(shí)間上非線性地延伸各個(gè)第二脈沖分量。由此
可以進(jìn)一步降低SAR。特別具有優(yōu)勢(shì)的是，各個(gè)第二脈沖分量的局部的能量越多，控制裝置局部在時(shí)間上越多地延伸各個(gè)第二脈沖分量。通過該過程可以大大降低SAR。
時(shí)間上延伸的程度可以根據(jù)需要來確定。目前具有優(yōu)勢(shì)的是，控制裝置將各個(gè)第二脈沖分量延伸到總持續(xù)時(shí)間。
整個(gè)開始脈沖例如可以在頻率空間與二維或三維螺旋軌跡對(duì)應(yīng)。在此具有優(yōu)勢(shì)的是，螺旋軌跡在頻率空間從外部向內(nèi)部延伸。
通常各個(gè)開始脈沖的各個(gè)第一脈沖分量在時(shí)間上位于各個(gè)開始脈沖的各個(gè)第二脈沖分量之前。但是作為例外也可以反過來。
可以固定預(yù)先給出最大允許非均勻性。但是優(yōu)選將其預(yù)先給出到控制裝置。
最大允許非均勻性可以大于5%。特別是可以位于5%和10%之間。優(yōu)選第二實(shí)際非均勻性小于0.5%，特別是大約為0.25%。最大允許非均勻性和第二實(shí)際非均勻性的比值可以是相對(duì)大。特別是可以大于10: 1。


本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)和細(xì)節(jié)從以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中得出。
在原理圖中
圖1示意性示出了磁共振設(shè)備的結(jié)構(gòu)，
圖2示意性示出了發(fā)送陣列的線圈，圖3示出了流程圖，
圖4示例性示出了用于發(fā)送陣列的線圈的開始脈沖的振幅變化，圖5至圖7示出了與圖4的開始脈沖共同起作用的梯度線圏的控制信號(hào)的不同圖示，
圖8示例性示出了用于如圖4中的同一線圈的第二脈沖分量的振幅變化，圖9至圖11示出了與圖8的第二脈沖分量共同起作用的梯度線圈的控制信號(hào)的不同圖示，
圖12示出了時(shí)間變換的例子。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)圖1，磁共振設(shè)備具有基本磁鐵1。借助基本磁鐵1在激勵(lì)空間2中產(chǎn)生時(shí)間上靜態(tài)的、空間上均勻的基本磁場(chǎng)。
此外磁共振設(shè)備還具有梯度^茲系統(tǒng)3。借助梯度磁系統(tǒng)3可以在激勵(lì)空間2中在笛卡爾坐標(biāo)系的三個(gè)軸方向上產(chǎn)生梯度^ 茲場(chǎng)。
此外磁共振設(shè)備還具有高頻系統(tǒng)4。借助高頻系統(tǒng)4可以將高頻的、空間上基本均勻的激勵(lì)場(chǎng)(高頻場(chǎng))施加到激勵(lì)空間2中，從而激勵(lì)置于激勵(lì)空間2中的檢查對(duì)象5 (通常是人5 )的磁共振。
高頻系統(tǒng)4可以被構(gòu)造為全身線圈。但是在本發(fā)明范圍內(nèi)高頻系統(tǒng)4根據(jù)圖2被構(gòu)造為具有多個(gè)發(fā)送線圈6的發(fā)送陣列。發(fā)送線圈6可以單個(gè)(=單獨(dú))地被控制。
此外磁共振設(shè)備還具有控制裝置7。控制裝置7控制梯度磁系統(tǒng)3和高頻系統(tǒng)4的發(fā)送線圈6。
通?？刂蒲b置被構(gòu)造為軟件可編程的控制器。由此其具有存儲(chǔ)裝置8,在其中存儲(chǔ)了計(jì)算機(jī)程序9。在此計(jì)算機(jī)程序9可以在制造控制裝置7時(shí)已經(jīng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置8中?？商鎿Q地也可以將計(jì)算機(jī)程序9經(jīng)過在圖1中未示出的計(jì)
8算機(jī)連接(例如到因特網(wǎng)的連接)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置8中。另外還可以將計(jì)算機(jī)
程序9存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)載體10上并且將數(shù)據(jù)載體10經(jīng)過相應(yīng)的接口耦合到控制裝置7上，從而可以將計(jì)算機(jī)程序9從數(shù)據(jù)載體10中讀出并且存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置8中。在此數(shù)據(jù)載體10在圖1中僅僅示例性地作為CD-ROM示出。但是數(shù)據(jù)載體10還可以接受其它實(shí)施方式，例如被構(gòu)造為USB記憶棒或存儲(chǔ)卡。
計(jì)算機(jī)程序9以電子的、僅僅機(jī)器可讀形式被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置8中以及必要時(shí)還存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)載體10上。計(jì)算機(jī)程序9具有可以由控制裝置7直接處理的機(jī)器代碼11。在控制裝置7的運(yùn)行中，計(jì)算機(jī)程序9從存儲(chǔ)裝置8中被調(diào)用并且由控制裝置7執(zhí)行。由控制裝置7執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序9,使得控制裝置7實(shí)施以下結(jié)合圖3詳細(xì)解釋的控制方法。在此事先指出，由于由控制裝置7實(shí)施控制方法，因此至少控制發(fā)送線圈6。在許多情況下另外還控制梯度磁系統(tǒng)3。
根據(jù)圖3，控制裝置7在步驟S1中首先接受期望的檢查類型T。然后控制
裝置7在步驟S2中接受最大允許的非均勻性1*。在此最大允許的非均勻性1*
例如通過下列爿^式
"—爿max- ^min ( 1 )
乂min
來定義。在此Amax和Amin是在激勵(lì)空間2內(nèi)^茲化的最大及最小振幅A,該振幅可以在將激勵(lì)脈沖P'施加到激勵(lì)空間2時(shí)在整個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間之后在任意的時(shí)刻出現(xiàn)?？商鎿Q地最大允許的非均勻性1*也可以等價(jià)的方式來定義，例如通過磁化的標(biāo)準(zhǔn)偏差除以磁化的平均值來定義。
步驟S2只是可選的并且由此在圖3中僅用虛線表示?？商鎿Q地，為了清楚地^L定最大允許的非均勾性I* ，可以將最大允許的非均勻性I*固定預(yù)先給出到控制裝置7或者由控制裝置7根據(jù)其它邊界條件(特別是在步驟Sl中預(yù)先給出的檢查類型T)自動(dòng)地確定。不管用哪種方式來確定最大允許的非均勻性1*,最大允許的非均勻性P的值通常位于5%和10%之間，特別是可以大于5%。
在步驟S3中控制裝置7為每個(gè)發(fā)送線圈6分別確定一個(gè)開始脈沖P以及用于梯度磁系統(tǒng)3的合適的控制。在此，開始脈沖P和控制的確定根據(jù)期望的檢查類型T來進(jìn)行。開始脈沖P在空間上和時(shí)間上一起定義磁化的振幅和相位。圖4至圖7示出
一個(gè)發(fā)送線圈6的開始脈沖P的振幅A與時(shí)間t的函數(shù)關(guān)系(圖4 );x和y梯度磁場(chǎng)的變化與時(shí)間t的函數(shù)關(guān)系(圖5和圖6),以及由此產(chǎn)生的在頻率空間中開始脈沖P的梯度軌跡。
高頻脈沖P的相位關(guān)系沒有一起示出。其同樣在步驟S3中被確定。相應(yīng)的過程對(duì)專業(yè)人員來說是普遍公知的。
從圖4至圖7特別可以看出，與梯度磁系統(tǒng)3的控制相關(guān)的整個(gè)開始脈沖
p在頻率空間對(duì)應(yīng)于二維或三維的螺旋軌跡。在此，根據(jù)梯度場(chǎng)在時(shí)間上的變
化螺旋軌跡在頻率空間從外部向內(nèi)部延伸。開始脈沖P的整個(gè)持續(xù)時(shí)間T'位于毫秒范圍，例如根據(jù)圖4至圖6為2.8ms。
根據(jù)開始脈沖P和控制可以直接確定用于發(fā)送線圈6和梯度磁系統(tǒng)3的對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)S、 S'，從而控制裝置7按照各個(gè)開始脈沖P來控制發(fā)送線圈6和梯度-茲系統(tǒng)3。如果采用該過程，則在激勵(lì)空間2中產(chǎn)生的磁化具有相對(duì)小的實(shí)際非均勻性Il。該小的實(shí)際非均勻性Il小于最大允許非均勻性1*。特別地在最大允許非均勻性1*和小的實(shí)際非均勻性11之間的比值通常為大于10: 1的值。例如小的實(shí)際非均勻性Il可以低于0.5%，特別地大約為0.25%。
但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)，不是根據(jù)開始脈沖P確定控制信號(hào)S、 S',而是控制裝置7在步驟S4中確定各個(gè)開始脈沖P的中間位置Z。在此，中間位置Z對(duì)所有的開始脈沖P都是統(tǒng)一的。通過該過程，控制裝置7在步驟S5中可以將各個(gè)開始脈沖p劃分為第一脈沖分量Pl和第二脈沖分量P2,即在時(shí)間上位于中間位置Z之前的第一脈沖分量Pl以及在時(shí)間上位于中間位置Z之后的第二脈沖分量P2。根據(jù)圖4至圖7，中間位置Z例如為2.5ms。但是該位置"f義一義是示例性的。類似的過程被用于梯度磁系統(tǒng)3的控制。
從圖4可以看出，第一脈沖分量Pl與各個(gè)開始脈沖P的低能部分對(duì)應(yīng)，第二脈沖分量P2與各個(gè)開始脈沖P的高能部分對(duì)應(yīng)。此外可以看出，各個(gè)開始脈沖P的第一脈沖分量Pl在時(shí)間上位于各個(gè)開始脈沖P的第二脈沖分量P2之前。
在根據(jù)本發(fā)明的過程范圍內(nèi)第一脈沖分量Pl是不重要的。在后面不再使用它。僅使用第二脈沖分量P2。由此在步驟S6中控制裝置7選擇第二脈沖分量P2。在圖8至圖11中，與整個(gè)開始脈沖P類似，在發(fā)送天線6的振幅A與時(shí)間t的函數(shù)關(guān)系中、x和y梯度與時(shí)間t的函數(shù)關(guān)系中以及在頻率空間中的梯度軌跡中示出第二脈沖分量P2。
在步驟S7中控制裝置7將第二脈沖分量P2在時(shí)間上延伸。其與此相應(yīng)地在振幅A上壓縮第二脈沖分量P2。在此，時(shí)間上的延伸和與此相應(yīng)地在振幅A上的壓縮對(duì)所有第二脈沖分量P2都關(guān)于統(tǒng)一的時(shí)基并以統(tǒng)一的方式進(jìn)行。梯
度磁系統(tǒng)3的控制在時(shí)間上類似地延伸，但是不在振幅上壓縮。
根據(jù)步驟S7,時(shí)間上的延伸進(jìn)行到整個(gè)持續(xù)時(shí)間T'。這雖然是具有優(yōu)勢(shì)的， 但不是必須的。
在步驟S8中控制裝置7按照其各個(gè)在時(shí)間上被延伸的并且在振幅A上被 壓縮的第二脈沖分量P2來控制發(fā)送陣列4的線圈6和梯度磁系統(tǒng)3。由此，在 時(shí)間上被延伸的和在振幅A上^皮壓縮的第二脈沖分量P2與各個(gè)激勵(lì)脈沖P'相 對(duì)應(yīng)。在此，通過控制裝置7對(duì)發(fā)送線圏6的控制對(duì)每個(gè)發(fā)送線圈6單獨(dú)地進(jìn) 行。
由于按照各個(gè)激勵(lì)脈沖P'來控制發(fā)送陣列4的線圈6和梯度磁系統(tǒng)3,因 此在激勵(lì)空間2中達(dá)到實(shí)際的實(shí)際非均勻性I2。該實(shí)際的實(shí)際非均勻性I2大于 上面與開始脈沖P —起提到的小的實(shí)際非均勻性II。其值取決于中間位置Z的 位置。中間位置Z由控制裝置7這樣確定，使得實(shí)際的實(shí)際非均勻性I2剛好小 于最大允許非均勻性P。
由此通過按照本發(fā)明的過程實(shí)現(xiàn)了 ，控制裝置7根據(jù)各個(gè)開始脈沖P和在 激勵(lì)空間2中的最大允許非均勻性1*來確定各個(gè)激勵(lì)脈沖P'。
在最簡(jiǎn)單的情況下，控制裝置在步驟S7的范圍內(nèi)對(duì)第二脈沖分量進(jìn)行在
時(shí)間t上的線性延伸和與此相關(guān)的對(duì)第二脈沖分量P2在振幅A上的線性壓縮。
即以延伸系數(shù)k進(jìn)行時(shí)間上的延伸和以系數(shù)k進(jìn)行壓縮，其中系數(shù)k (按照上
面的數(shù)字例子)由
^ 2.8m =1^933 ( 2 )
2.8附s-2.5附5 0.3
確定。但是優(yōu)選控制裝置7在步驟S7范圍內(nèi)對(duì)各個(gè)第二脈沖分量P2進(jìn)行時(shí)間 上的非線性延伸。在此特別是，各個(gè)第二脈沖分量P2局部能量越多，控制裝 置7就可以將各個(gè)第二脈沖分量P2局部地在時(shí)間上越多地延伸。為清楚起見， 在此指出，詞"局部"與在各個(gè)第二脈沖分量P2內(nèi)部的特定時(shí)刻相關(guān)。在這種情 況下，用于發(fā)送激勵(lì)脈沖P'的發(fā)送線圈6的振幅A'根據(jù)下列關(guān)系產(chǎn)生
4')眉 (3)
圖12示出了時(shí)間的相應(yīng)可能的非線性變換。
與傳統(tǒng)的解決方案相比，通過按照本發(fā)明的過程明顯改善了可實(shí)現(xiàn)的磁化的均勻性。而且還能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)短的激勵(lì)脈沖P'。所需的峰值發(fā)送功率和與此
相關(guān)的SAR被降低到使得在激勵(lì)空間2中同時(shí)的均勻磁化情況下的相應(yīng)值接近 傳統(tǒng)激勵(lì)情況下可實(shí)現(xiàn)的值。
上面的描述只是用于解釋本發(fā)明，并不是限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1. 一種用于磁共振設(shè)備的發(fā)送陣列(4)的線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)的控制方法，其中磁共振設(shè)備的控制裝置(7)分別相應(yīng)于一個(gè)激勵(lì)脈沖(P′)來控制發(fā)送陣列(4)的線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)；基于該分別相應(yīng)于一個(gè)激勵(lì)脈沖(P′)對(duì)發(fā)送陣列(4)的線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)的控制，在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間(2)中產(chǎn)生具有第一實(shí)際非均勻性(I2)的磁化；所述控制裝置(7)借助相應(yīng)的開始脈沖(P)和在磁共振設(shè)備激勵(lì)空間(2)中的最大允許非均勻性(I*)來確定各個(gè)激勵(lì)脈沖(P′)；各個(gè)開始脈沖(P)具有總的持續(xù)時(shí)間(T′)并且在所述控制裝置(7)相應(yīng)于各個(gè)開始脈沖(P)來控制發(fā)送陣列(4)的線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)的情況下，在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間(2)中產(chǎn)生磁化，該磁化具有比最大允許非均勻性(I*)小的第二實(shí)際非均勻性(I1)；所述控制裝置(7)確定各個(gè)開始脈沖的中間位置(Z)，從而使各個(gè)開始脈沖(P)分別被劃分為第一脈沖分量(P1)和與此互補(bǔ)的第二脈沖分量(P2)；使各個(gè)第一脈沖分量(P1)與各個(gè)開始脈沖(P)的低能量部分相對(duì)應(yīng)，將各個(gè)第二脈沖分量(P2)與各個(gè)開始脈沖(P)的高能量部分相對(duì)應(yīng)；控制裝置(7)將各個(gè)第二脈沖分量(P2)在時(shí)間上進(jìn)行延伸并由此在振幅(A)上進(jìn)行壓縮；使各個(gè)在時(shí)間上被延伸的并且振幅(A)上被壓縮的第二脈沖分量(P2)與各個(gè)激勵(lì)脈沖(P′)相對(duì)應(yīng)；控制裝置(7)這樣確定中間位置(Z)，使得第一實(shí)際非均勻性(I2)剛好小于最大允許非均勻性(I*)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于， 所述控制裝置(7)在時(shí)間上非線性地延伸各個(gè)第二脈沖分量(P2)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制方法，其特征在于，各個(gè)第二脈沖分量(P2)局部的能量越多，所述控制裝置(7)就在時(shí)間 上局部地越多地延伸各個(gè)第二脈沖分量(P2)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的控制方法，其特征在于， 所述控制裝置(7)將各個(gè)第二脈沖分量(P2)延伸到總持續(xù)時(shí)間(T')。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 整個(gè)開始脈沖(P)在頻率空間與二維或三維螺旋軌跡相對(duì)應(yīng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的控制方法，其特征在于， 所述螺旋軌跡在頻率空間從外部向內(nèi)部延伸。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 所述開始脈沖(P)的各個(gè)第一脈沖分量(Pl )在時(shí)間上位于開始脈沖(P)的各個(gè)第二脈沖分量(P2)之前。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 預(yù)先為所述控制裝置(7)給出最大允許非均勻性(1*)。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 所述最大允許非均勻性(1*)大于5%,特別是位于5%和10%之間。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 所述第二實(shí)際非均勻性(II)小于0.5%,特別是大約為0.25%。
11. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于， 最大允許非均勻性(1*)和第二實(shí)際非均勻性(II)的比值大于10: 1。
12. —種計(jì)算機(jī)程序，其具有機(jī)器代碼(ll)，該機(jī)器代碼(ll)可以由 磁共振設(shè)備的控制裝置(7)直接處理，并且通過該控制裝置(7)執(zhí)行該機(jī)器 代碼(11),使得該控制裝置(7)實(shí)施根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的控制 方法。
13. —種數(shù)據(jù)載體，其具有在該數(shù)據(jù)載體上存儲(chǔ)的根據(jù)權(quán)利要求12所述 的計(jì)算機(jī)程序(9)。
14. 一種磁共振設(shè)備的控制裝置，其中，該控制裝置具有存儲(chǔ)裝置(8)， 在該存儲(chǔ)裝置(8)中存儲(chǔ)了根據(jù)權(quán)利要求12所述的計(jì)算機(jī)程序(9)，其中該 控制裝置在運(yùn)行中可以從存儲(chǔ)裝置(8)調(diào)用該計(jì)算機(jī)程序(9)并且由該控制 裝置來執(zhí)行。
15. —種磁共振設(shè)備，其中該磁共振設(shè)備具有基本磁鐵(1 )、梯度磁系統(tǒng)(3 )、帶有多個(gè)發(fā)送線圈(6 ) 的發(fā)送陣列(4)和控制裝置(7);這些發(fā)送線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)可以由控制裝置(7)控制，從而借助發(fā)送線圈(6)和梯度磁系統(tǒng)(3)可以在磁共振設(shè)備的激勵(lì)空間(2)中產(chǎn)生》茲化；該控制裝置(7)根據(jù)權(quán)利要求14構(gòu)造。
全文摘要
磁共振設(shè)備的控制裝置按照激勵(lì)脈沖控制發(fā)送陣列的線圈和梯度磁系統(tǒng)，以在激勵(lì)空間中產(chǎn)生第一實(shí)際非均勻性的磁化?？刂蒲b置根據(jù)開始脈沖和激勵(lì)空間的最大允許非均勻性確定激勵(lì)脈沖。開始脈沖具有總持續(xù)時(shí)間。在控制裝置按照開始脈沖控制發(fā)送陣列線圈和梯度磁系統(tǒng)時(shí)在激勵(lì)空間中產(chǎn)生具有小于最大允許非均勻性的第二實(shí)際非均勻性的磁化?？刂蒲b置確定開始脈沖的中間位置，使開始脈沖分為第一脈沖分量和與此互補(bǔ)的第二脈沖分量。第一脈沖分量對(duì)應(yīng)于開始脈沖低能部分，第二脈沖分量對(duì)應(yīng)于高能部分?？刂蒲b置在時(shí)間上延伸并在振幅上壓縮第二脈沖分量。時(shí)間上延伸且振幅上壓縮的第二脈沖分量對(duì)應(yīng)于激勵(lì)脈沖。第一實(shí)際非均勻性剛好小于最大允許非均勻性。
文檔編號(hào)G01R33/38GK101487881SQ20091000187
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2009年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者于爾根·尼斯特勒, 塞巴斯蒂安·沃爾夫, 德克·迪爾, 沃爾夫?qū)惼? 馬庫斯·維斯特 申請(qǐng)人:西門子公司