專利名稱：供電檢測(cè)裝置與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種供電檢測(cè)裝置，且特別涉及一種具有溫度豁免(temperature immunity)的供電檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
在許多電子裝置和電路上，通常會(huì)加裝供電檢測(cè)裝置，其目的為了要檢測(cè)外接電 源是否真正供電，例如當(dāng)供電電源上升到門限值1伏特(V)時(shí)，供電檢測(cè)裝置應(yīng)判斷為 開機(jī)。然而在消費(fèi)性電子裝置針對(duì)節(jié)能與制程的設(shè)計(jì)要求下，門限值伏特?cái)?shù)越來越小， 制程的尺寸也越來越小，此時(shí)供電檢測(cè)裝置的電路會(huì)受到溫度的影響，在判斷是否開機(jī) 時(shí)會(huì)誤判斷。已知的供電檢測(cè)裝置有能隙型(bandgap type)與P/N元件加電阻(P/N device+resistance)兩種。圖1為已知的能隙型供電檢測(cè)裝置，當(dāng)輸入電壓V。。k開始提供 電壓時(shí)，能隙型供電檢測(cè)裝置100為依據(jù)正端電壓Vpos2與負(fù)端電壓Vneg2的差值判斷是 否開機(jī)。雖然其差值受溫度影響較小，惟其差值亦很小，例如13. 99毫伏特(mV)，于是在65 奈米制程下產(chǎn)生的元件變異(device variation)特性，會(huì)造成供電檢測(cè)裝置100的誤判 斷。圖2為已知的P/N元件加電阻供電檢測(cè)裝置，當(dāng)輸入電壓V。。k開始提供電壓給P/ N元件加電阻供電檢測(cè)裝置200時(shí)，供電檢測(cè)裝置200為依據(jù)正端電壓Vpos3與負(fù)端電壓 Vneg3的差值判斷是否開機(jī)。正端電壓Vpos3與負(fù)端電壓Vneg3的差值會(huì)隨著溫度而改變， 例如在_40°C時(shí)其差值為142. 8毫伏特(mV)，而在125°C時(shí)其差值為21. 08毫伏特(mV)，于 是會(huì)造成供電檢測(cè)裝置200在不同溫度下有很大差異的判斷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種供電檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)輸入電壓并據(jù)以判斷是否開機(jī)，其開機(jī) 與否的判斷受溫度影響很低，且有良好的抗噪聲功能，可以在不同溫度之下具有穩(wěn)定的表 現(xiàn)，具有溫度豁免的效果。
承接上述，本發(fā)明提供一種供電檢測(cè)裝置，包括電壓檢測(cè)單元，電壓檢測(cè)單元用以 接收輸入電壓，并檢測(cè)輸入電壓藉以輸出第一輸出電壓。電壓檢測(cè)單元包括第一晶體管、第 二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、以及比較器。其中第一 晶體管耦接于輸入電壓，第二晶體管耦接于輸入電壓，第三晶體管耦接于接地端，第四晶體 管耦接于接地端，第一電阻耦接于第一晶體管與第三晶體管之間，第二電阻耦接于第二晶 體管與第四晶體管之間。第三電阻一端耦接輸入電壓，而另一端耦接于第一晶體管與第二 晶體管。此外，比較器的輸出端輸出第一輸出電壓，比較器的負(fù)輸入端耦接于第三晶體管與 第一電阻的共同接點(diǎn)，比較器的正輸入端耦接于第二晶體管與第二電阻的共同接點(diǎn)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一晶體管與第二晶體管為PMOS晶體管 (p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor)，第一晶體管白勺源極 耦接于輸入電壓，第一晶體管的漏極耦接于第一晶體管的柵極與第一電阻，第二晶體管的源極耦接于輸入電壓，而第二晶體管的漏極耦接于第二晶體管的柵極與第二電阻。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第三晶體管與第四晶體管為NMOS晶體管 (n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor)，第三晶體管白勺源極 耦接于接地端，第三晶體管的漏極耦接于第三晶體管的柵極與第一電阻，第四晶體管的源 極耦接于接地端，而第四晶體管的漏極耦接于第四晶體管的柵極與第二電阻。本發(fā)明提供另一種供電檢測(cè)裝置，包括電壓檢測(cè)單元、濾波器與觸發(fā)器。電壓檢測(cè) 單元用以接收輸入電壓，并檢測(cè)輸入電壓藉以輸出第一輸出電壓，且當(dāng)輸入電壓的電壓值 等于指定電壓時(shí)，根據(jù)電壓檢測(cè)單元內(nèi)的第一晶體管的第一過載電壓、電壓檢測(cè)單元內(nèi)的 第二晶體管的第二過載電壓、第一晶體管的第一熱電壓及第二晶體管的第二熱電壓決定指 定電壓。濾波器耦接于電壓檢測(cè)單元，用以接收第一輸出電壓以產(chǎn)生第二輸出電壓，且當(dāng)?shù)?一輸出電壓上升至邏輯高電位時(shí)，關(guān)閉濾波器內(nèi)的第三晶體管以使第二輸出電壓上升至邏 輯高電位。觸發(fā)器耦接于濾波器，用以接收第二輸出電壓并進(jìn)行抗噪聲處理，藉以輸出第三 輸出電壓。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述當(dāng)通過第一晶體管的第一電流和通過第二晶體管的 第二電流實(shí)質(zhì)上相等時(shí)，指定電壓根據(jù)第一過載電壓、第二過載電壓、第一熱電壓、第二熱 電壓和正溫度系數(shù)參數(shù)而得。正溫度系數(shù)參數(shù)根據(jù)次臨界斜率因數(shù)、臨界電壓及比值而得。 比值根據(jù)電壓檢測(cè)單元內(nèi)的第一電阻與電壓檢測(cè)單元內(nèi)的第二電阻的比例而得。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一過載電壓和第二過載電壓具有正溫度系數(shù)，第 一熱電壓及第二熱電壓具有負(fù)溫度系數(shù)，通過控制第一過載電壓、第二過載電壓、正溫度系 數(shù)參數(shù)、第一熱電壓及第二熱電壓以在溫度變化時(shí)，降低指定電壓的變化。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述供電檢測(cè)裝置還包括比較器，比較器的第一輸入端 耦接于第二晶體管，比較器的第二輸入端耦接于第一晶體管，且當(dāng)?shù)谝惠斎攵说慕邮针妷?與第二輸入端的接收電壓相等時(shí)，輸入電壓的電壓值等于指定電壓。本發(fā)明提供一種供電檢測(cè)方法，包括接收輸入電壓，并檢測(cè)輸入電壓藉以輸出第 一輸出電壓，且當(dāng)?shù)谝惠斎攵说慕邮针妷号c第二輸入端的接收電壓相等時(shí)，輸入電壓的電 壓值等于指定電壓，根據(jù)第一過載電壓、第二過載電壓、第一熱電壓及第二熱電壓決定指定 電壓。接收第一輸出電壓以產(chǎn)生第二輸出電壓，且當(dāng)?shù)谝惠敵鲭妷荷仙吝壿嫺唠娢粫r(shí)，使 第二輸出電壓上升至邏輯高電位。接收第二輸出電壓并進(jìn)行抗噪聲處理，藉以輸出第三輸 出電壓。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述供電檢測(cè)方法當(dāng)通過第一晶體管的第一電流和通過 第二晶體管的第二電流實(shí)質(zhì)上相等時(shí)，由第一過載電壓、第二過載電壓、第一熱電壓、第二 熱電壓和正溫度系數(shù)參數(shù)決定指定電壓。正溫度系數(shù)參數(shù)根據(jù)次臨界斜率因數(shù)、臨界電壓 及比值而得在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一過載電壓和第二過載電壓具有正溫度系數(shù)，第 一熱電壓及第二熱電壓具有負(fù)溫度系數(shù)，通過控制第一過載電壓、第二過載電壓、正溫度系 數(shù)參數(shù)、第一熱電壓及第二熱電壓以在溫度變化時(shí)，降低指定電壓的變化。 綜合上述，本發(fā)明所提出的供電檢測(cè)裝置，其開機(jī)與否的判斷受溫度影響很低，且 有良好的抗噪聲功能，可以在不同溫度之下具有穩(wěn)定的表現(xiàn)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1是已知的能隙型供電檢測(cè)裝置。圖2是已知的P/N元件加電阻供電檢測(cè)裝置。圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)裝置。圖4A與圖4B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)裝置與已知技術(shù)的比較。圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)方法。主要元件符號(hào)說明300:供電檢測(cè)裝置302:電壓檢測(cè)單元304:濾波器SCH:史密茲觸發(fā)器INV:反相器COMP 比較器RpRyR3:電阻C:電容V。。k:輸入電壓GND:接地端Idi、Id2 電流VA:比較器正輸入端電壓Vb 比較器負(fù)輸入端電壓
MPl、MP2、MP3 =PMOS 晶體管MNl、MN2、MN3 匪OS 晶體管Voutl、Vout2、Vout3、Vout4 輸出電壓100 能隙型供電檢測(cè)裝置200 :P/N元件加電阻供電檢測(cè)裝置Vpos2、Vpos3 正端電壓VnegLVneg3 負(fù)端電壓S500 S506 供電檢測(cè)步驟
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)裝置300，供電檢測(cè)裝置300包括電壓檢測(cè)單元302、濾波器304、觸發(fā)器SCH與反相器INV。其中電壓檢測(cè)單元302 接收輸入電壓v。。k，并檢測(cè)輸入電壓V。。k藉以傳送輸出電壓Vout 1。本實(shí)施例中，觸發(fā)器SCH 可采用史密茲觸發(fā)器(Schmitt trigger)。更進(jìn)一步而言，電壓檢測(cè)單元302包括兩PMOS 晶體管MPl與MP2、兩NMOS晶體管麗1與麗2、三電阻R^R2與R3,以及比較器C0MP，其中電 流Idi為流經(jīng)電阻R1的電流，而電流Id2為流經(jīng)電阻R2的電流。電阻R3的一端耦接于輸入電壓V。。k，而另一端則耦接于PMOS晶體管MPl的源極與 PMOS晶體管MP2的源極。此外PMOS晶體管MPl的漏極耦接于PMOS晶體管MPl的柵極與電 阻R1, PMOS晶體管MP2的漏極耦接于PMOS晶體管MP2的柵極、電阻R2與比較器COMP的正 輸入端，且PMOS晶體管MP2的漏極的電壓即為比較器正輸入端電壓VA。匪OS晶體管麗1的源極與匪OS晶體管麗2的源極耦接于接地端GND。此外匪OS 晶體管麗2的漏極耦接于NMOS晶體管麗2的柵極與電阻R2, NMOS晶體管麗1的漏極耦接于NMOS晶體管麗1的柵極、電阻R1與比較器COMP的負(fù)輸入端，且NMOS晶體管麗1的漏極的電壓即為比較器負(fù)輸入端電壓Vb。此外，電壓檢測(cè)單元302在晶體管的部分做更進(jìn)一步設(shè)計(jì)，PMOS晶體管MPl的尺寸 是PMOS晶體管MP2的尺寸的m倍，且NMOS晶體管麗2的尺寸同樣是NMOS晶體管麗1的尺 寸的m倍，其中m是預(yù)設(shè)常數(shù)，且MP1、MP2、麗1、以及麗2都操作于次臨界區(qū)(sub-threshold region)。比較器COMP接收比較器正輸入端電壓Va與比較器負(fù)輸入端電壓VB，并傳送輸出 電壓Voutl至濾波器304。當(dāng)輸入電壓V。。k開始提供電壓給電壓檢測(cè)單元302時(shí)，如果比較 器正輸入端電壓\大于或等于比較器負(fù)輸入端電壓\，則輸出電壓Voutl會(huì)從邏輯低電位 上升至邏輯高電位。在濾波器304的設(shè)計(jì)部分，濾波器304用以接收輸出電壓Voutl并進(jìn)行濾波處理， 藉以傳送輸出電壓Vout2。濾波器304包括PMOS晶體管MP3、NMOS晶體管MN3與電容C。 PMOS晶體管MP3的柵極耦接于接地端GND，PMOS晶體管MP3的源極耦接于輸入電壓V。。k， PMOS晶體管MP3的漏極耦接于電容C與NMOS晶體管麗3的漏極，而電容C的另一端耦接于 接地端GND。輸出電壓Vout2由電容C提供。濾波器304中的NMOS晶體管麗3的柵極接收輸出電壓Voutl，且NMOS晶體管麗3 的源極耦接于接地端GND。據(jù)此，當(dāng)輸出電壓Voutl上升至邏輯高電位時(shí)，則NMOS晶體管 麗3關(guān)閉，輸出電壓Vout2會(huì)因?yàn)殡娙軨充電而上升至邏輯高電位。為了使供電檢測(cè)裝置 300具有抗噪聲的功能，因此輸出電壓Vout2經(jīng)由史密茲觸發(fā)器SCH處理并傳送輸出電壓 Vout3至反相器INV。輸出電壓Vout3經(jīng)由反相器INV反相藉以傳送輸出電壓Vout4。為了更清楚了解供電檢測(cè)裝置300受溫度的影響，以下定義參數(shù)藉以解釋電路特 性Vgsni =NMOS晶體管麗1的柵極與源極的電壓差；Vgsn2 =NMOS晶體管麗2的柵極與源極的電壓差；Vdsni =NMOS晶體管麗1的漏極與源極的電壓差；Vdsn2 =NMOS晶體管麗2的漏極與源極的電壓差；Vdspi =PMOS晶體管MPl的漏極與源極的電壓差；
Vdsp2 =PMOS晶體管MP2的漏極與源極的電壓差；Vthp :PM0S 晶體管的熱電壓(thermal voltage)；Vthn =NMOS晶體管的熱電壓；VT:臨界電壓(threshold voltage)；A 晶體管尺寸比例(aspect ratio)，亦即晶體管的寬度除以其長(zhǎng)度；μ n =NMOS 晶體管的遷移率(mobility)；ζ 次臨界斜率因數(shù)(sub-threshold slope factor)；Vovni 匪OS 晶體管 MNl 的過載電壓(overdrive voltage)；Vovn2 =NMOS晶體管麗2的過載電壓；Vovpi =PMOS晶體管MPl的過載電壓； Δ Vovn 匪OS晶體管麗1和麗2的過載電壓差額； Vrr 指定電壓，也就是輸出電壓Voutl從邏輯低電位轉(zhuǎn)變?yōu)檫壿嫺唠娢粫r(shí)的輸入
電壓v。。k。
跟據(jù)以上的定義，因此可以推導(dǎo)出以下公式Vovm = Vcsm -Vthn =ζνΓ(]η{ οι)-\η{Αμηντ2))·,Vovn2 = Vgsn2-Vthn = ζντ^{ 01)-\ν{ηιΑμην^)\AVovn = Vovni-Vovn2 = ζ V1In (mID1/ID2)；Vcck = VdspAIdiRAVdsni+ (ID1+ID2) R3= VDSP2+ID2R2+VDSN2+ (ID1+ID2) R3。當(dāng)比較器正輸入端電壓Va與比較器負(fù)輸入端電壓Vb實(shí)質(zhì)上相等時(shí)，輸入電壓V。。k 電壓值等于指定電壓V ，因此Id2R2 = Vdsni-Vdsn2 = ζ Vt ln(mID1/ID2) = AVovn。同理，IdiR1 = Δ VQVP，于是當(dāng)供電檢測(cè)裝置300設(shè)計(jì)在Idi ^ Id2時(shí)，指定電壓Vct為 相關(guān)參數(shù)的加總Vrr = Vdsp^IdiR1+Vdsni+ (ID1+ID2) R3= VovpAVthi^IdiRAVovnJVthn+ Δ Vovn+ (ID1+ID2) R3= V0VP1+VTHP+V0VN2+VTHN+2 ζ Vt [lnm] +2R3 ( ζ VT[lnm]) /R2。其中Vovn2, Vovpi、ζ Vt[lnm]與 R3( ζ Vt[lnm])/R2 具有正溫度系數(shù)(positive temperature coefficient),而 Vthp 與 Vthn 具有負(fù)溫度系數(shù)(negative temperature coefficient)。換句話說，Vqvn2、Vqvpi、ζ Vt [lnm]與 R3 ( ζ Vt [lnm])/R2 為正溫度系數(shù)參數(shù)， 而Vthp與Vthn具為負(fù)溫度系數(shù)參數(shù)。更進(jìn)一步而言，當(dāng)溫度上升時(shí)，VWN2、VWP1、ζντ[1ηπι]與 R3 ( ζ Vt [lnm]) /R2會(huì)隨之增加，而Vthp與Vthn會(huì)隨之遞減。因此在設(shè)計(jì)供電檢測(cè)裝置300時(shí)， 可設(shè)計(jì)Vqvn2、Vwpi、ζ Vt[lnm]、R3 ( ζ Vt [lnm]) /R2、Vthp與VTHN，藉以降低溫度變化對(duì)指定電壓 Vrr的影響，也就是說，降低溫度變化對(duì)于供電檢測(cè)裝置300判斷開機(jī)與否的影響。請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，圖4A與圖4B為依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)裝置與已 知技術(shù)的比較，其中本實(shí)施例代表供電檢測(cè)裝置300的表現(xiàn)，已知1代表已知的能隙型供電 檢測(cè)裝置100的表現(xiàn)，而已知2代表已知的P/N元件加電阻供電檢測(cè)裝置200的表現(xiàn)。更 進(jìn)一步解釋，圖4A中的Vrr代表著各種供電檢測(cè)裝置在判斷為開機(jī)時(shí)，其輸入電壓V。。k的 電壓值，顯然供電檢測(cè)裝置300在各種溫度變化之下，其判斷為開機(jī)時(shí)的輸入電壓V。。k，相 較于其他供電檢測(cè)裝置更不受溫度影響。在圖4B中，Δ V代表著各種供電檢測(cè)裝置據(jù)以判斷是否開機(jī)的電壓差，在本實(shí)施 例部分代表供電檢測(cè)裝置300中比較器正輸入端電壓Va與比較器負(fù)輸入端電壓Vb的電壓 差，在已知1部分代表能隙型供電檢測(cè)裝置100中Vpos2與Vneg2的電壓差，而在已知2部 分代表P/N元件加電阻供電檢測(cè)裝置200中Vpos3與Vneg3的電壓差。由圖4B的比較可 知，顯然供電檢測(cè)裝置300在各種溫度變化之下，其開機(jī)與否的判斷比其他供電檢測(cè)裝置 更不受溫度影響。根據(jù)上述供電檢測(cè)裝置的說明，本發(fā)明提出一種供電檢測(cè)方法。請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5 繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的供電檢測(cè)方法。首先電壓檢測(cè)單元302檢測(cè)輸入電壓V。。k，藉 以傳送輸出電壓Voutl (步驟S500)。決定指定電壓Vrr (步驟S502)，其中
Vrr = V0VP1+VTHP+V0VN2+VTHN+2 ζ Vt [lnm] +2R3 ( ζ Vt [lnm]) /R2。接著，濾波器304接收輸出電壓Voutl以產(chǎn)生輸出電壓Vout2，且當(dāng)輸出電壓Voutl上升至邏輯高電位時(shí)，使所述輸出電壓Vout2上升至邏輯高電位(步驟S504)。最后，史密茲觸發(fā)器SCH接收輸出電壓Vout2并進(jìn)行抗噪聲處理，并輸出輸出電壓Vout3 (步 驟 S506)。綜合上述，本發(fā)明所提出的供電檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)輸入電壓并據(jù)以判斷是否開 機(jī)。其開機(jī)與否的判斷受溫度影響很低，且具有良好的抗噪聲功能，可以在不同溫度之下具 有穩(wěn)定的表現(xiàn)，具有溫度豁免的效果。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員，在 不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附 權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種供電檢測(cè)裝置，包括一電壓檢測(cè)單元，用以接收一輸入電壓，并檢測(cè)所述輸入電壓藉以輸出一第一輸出電壓，所述電壓檢測(cè)單元包括一第一晶體管，所述第一晶體管耦接于所述輸入電壓；一第二晶體管，所述第二晶體管耦接于所述輸入電壓；一第三晶體管，所述第三晶體管耦接于一接地端；一第四晶體管，所述第四晶體管耦接于所述接地端；一第一電阻，所述第一電阻耦接于所述第一晶體管與所述第三晶體管之間；一第二電阻，所述第二電阻耦接于所述第二晶體管與所述第四晶體管之間；一第三電阻，所述第三電阻的一端耦接于所述輸入電壓，所述第三電阻的另一端耦接于所述第一晶體管與所述第二晶體管；以及一比較器，所述比較器的輸出端輸出所述第一輸出電壓，所述比較器的負(fù)輸入端耦接于所述第三晶體管與所述第一電阻的共同接點(diǎn)，所述比較器的正輸入端耦接于所述第二晶體管與所述第二電阻的共同接點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的供電檢測(cè)裝置，其中所述第一晶體管與所述第二晶體管為PMOS 晶體管，所述第一晶體管的源極耦接于所述輸入電壓，所述第一晶體管的漏極耦接于所述 第一晶體管的柵極與所述第一電阻，所述第二晶體管的源極耦接于所述輸入電壓，而所述 第二晶體管的漏極耦接于所述第二晶體管的柵極與所述第二電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的供電檢測(cè)裝置，其中所述第三晶體管與所述第四晶體管為NMOS 晶體管，所述第三晶體管的源極耦接于所述接地端，所述第三晶體管的漏極耦接于所述第 三晶體管的柵極與所述第一電阻，所述第四晶體管的源極耦接于所述接地端，而所述第四 晶體管的漏極耦接于所述第四晶體管的柵極與所述第二電阻。
4.一種供電檢測(cè)裝置，包括一電壓檢測(cè)單元，用以接收一輸入電壓，并檢測(cè)所述輸入電壓藉以輸出一第一輸出電 壓，且當(dāng)所述輸入電壓的電壓值等于一指定電壓時(shí)，根據(jù)所述電壓檢測(cè)單元內(nèi)的一第一晶 體管的一第一過載電壓、所述電壓檢測(cè)單元內(nèi)的一第二晶體管的一第二過載電壓、所述第 一晶體管的一第一熱電壓及所述第二晶體管的一第二熱電壓決定所述指定電壓；一濾波器，耦接于所述電壓檢測(cè)單元，用以接收所述第一輸出電壓以產(chǎn)生一第二輸出 電壓，且當(dāng)所述第一輸出電壓上升至邏輯高電位時(shí)，關(guān)閉所述濾波器內(nèi)的一第三晶體管以 使所述第二輸出電壓上升至邏輯高電位；以及一觸發(fā)器，耦接于所述濾波器，用以接收所述第二輸出電壓并進(jìn)行抗噪聲處理，藉以輸 出一第三輸出電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的供電檢測(cè)裝置，其中當(dāng)通過所述第一晶體管的一第一電流和通 過所述第二晶體管的一第二電流相等時(shí)，所述指定電壓根據(jù)所述第一過載電壓、所述第二 過載電壓、所述第一熱電壓、所述第二熱電壓和一正溫度系數(shù)參數(shù)而得，而所述正溫度系數(shù) 參數(shù)根據(jù)一次臨界斜率因數(shù)、一臨界電壓及一比值而得，而所述比值根據(jù)所述電壓檢測(cè)單 元內(nèi)的一第一電阻與所述電壓檢測(cè)單元內(nèi)的一第二電阻的比例而得。
6.如權(quán)利要求5所述的供電檢測(cè)裝置，其中所述第一過載電壓和所述第二過載電壓具 有正溫度系數(shù)，所述第一熱電壓及所述第二熱電壓具有負(fù)溫度系數(shù)，通過控制所述第一過載電壓、所述第二過載電壓、所述正溫度系數(shù)參數(shù)、所述第一熱電壓及所述第二熱電壓以在 溫度變化時(shí)，降低所述指定電壓的變化。
7.如權(quán)利要求4所述的供電檢測(cè)裝置，其中所述電壓檢測(cè)單元還包括一比較器，所述 比較器的一第一輸入端耦接于所述第二晶體管，所述比較器的一第二輸入端耦接于所述第 一晶體管，且當(dāng)所述第一輸入端的接收電壓與所述第二輸入端的接收電壓相等時(shí)，所述輸 入電壓的電壓值等于所述指定電壓。
8.一種供電檢測(cè)方法，包括接收一輸入電壓，并檢測(cè)所述輸入電壓藉以輸出一第一輸出電壓，且當(dāng)一第一輸入端 的接收電壓與一第二輸入端的接收電壓相等時(shí)，所述輸入電壓的電壓值等于一指定電壓， 根據(jù)一第一過載電壓、一第二過載電壓、一第一熱電壓及一第二熱電壓決定所述指定電 壓；接收所述第一輸出電壓以產(chǎn)生一第二輸出電壓，且當(dāng)所述第一輸出電壓上升至邏輯高 電位時(shí)，使所述第二輸出電壓上升至邏輯高電位；以及接收所述第二輸出電壓并進(jìn)行抗噪聲處理，藉以輸出一第三輸出電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的供電檢測(cè)方法，其中當(dāng)通過一第一晶體管的一第一電流和通過 一第二晶體管的一第二電流相等時(shí)，由所述第一過載電壓、所述第二過載電壓、所述第一熱 電壓、所述第二熱電壓和一正溫度系數(shù)參數(shù)決定所述指定電壓，而所述正溫度系數(shù)參數(shù)根 據(jù)一次臨界斜率因數(shù)、一臨界電壓及一比值而得。
10.如權(quán)利要求9所述的供電檢測(cè)方法，其中所述第一過載電壓和所述第二過載電壓 具有正溫度系數(shù)，所述第一熱電壓及所述第二熱電壓具有負(fù)溫度系數(shù)，通過控制所述第一 過載電壓、所述第二過載電壓、所述正溫度系數(shù)參數(shù)、所述第一熱電壓及所述第二熱電壓以 在溫度變化時(shí)，降低所述指定電壓的變化。
全文摘要
一種供電檢測(cè)裝置與方法。供電檢測(cè)裝置包括四個(gè)晶體管、兩個(gè)電阻與比較器，用以檢測(cè)輸入電壓并據(jù)以判斷是否開機(jī)，其開機(jī)與否的判斷受溫度影響很低，且有良好的抗噪聲功能，可以在不同溫度之下具有穩(wěn)定的表現(xiàn)。
文檔編號(hào)G01R19/00GK101839937SQ20091012821
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者連南鈞, 高永信 申請(qǐng)人:智原科技股份有限公司