專利名稱：摻鎵cz硅棒及配料中硼、磷的分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法。
背景技術(shù)：
目前在生產(chǎn)摻鎵CZ硅棒時，尤其在太陽能領(lǐng)域，常出現(xiàn)配料過程中既存在含硼硅 料，又存在含磷硅料的情況，生產(chǎn)出硅棒后，如不進(jìn)行元素分析測試，就無法知道原料中的 硼磷含量，而做元素分析，成本一般在2000-3000元，周期約1周，這給對于硅材料的質(zhì)量鑒 定增加了成本，拖延了分析時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能快速分析出摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷含量的分 析方法。本方法的方案如下1、根據(jù)CZ硅棒測量的頭部和一定長度上電阻率、極性，求出對應(yīng)的施主、受主濃 度；2、根據(jù)晶體生長的分凝理論，得出摻一定量的鎵在晶體一定長度上的溶質(zhì)濃度分 布；3、根據(jù)晶體補(bǔ)償原理，以及1、2中已知的信息，求出硅棒頭部和一定長度上硼磷 混合后的濃度；4、根據(jù)1、2、3中已知信息，求解出硅棒各點(diǎn)的硼磷含量、電阻率以及配料中的硼 磷濃度；應(yīng)用本方法分析出的數(shù)據(jù)，簡單、快速、可靠，可以減少硅材料的質(zhì)量鑒定成本，提 高工藝水平。


圖1深色部分為可變數(shù)據(jù)。投料量為此爐晶體的配料重量，摻鎵重量為此爐吊肩 測電阻率后，投入鎵的重量等等。圖2為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計算出的硅棒各點(diǎn)的電阻率和極性情況。圖3為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻硼和摻磷情況下的電阻率和 極性。圖4為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻磷時的磷的等效電阻率。圖5為根據(jù)圖1的數(shù)據(jù)，計算出的硅棒各點(diǎn)只考慮摻硼時的硼的等效電阻率。
具體實(shí)施例方式本方法如下一、根據(jù)測量的硅棒的頭部和一定長度上的極性和電阻率，然后根據(jù)GB/T13389-1992摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程中的公式計算出對應(yīng)的頭部和 一定長度上等效摻雜劑濃度N頭總和NL總，如公式(1)和公式O)；計算P型摻雜劑濃度的公式
權(quán)利要求
1. 一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法，其特征由以下步驟組成一、根據(jù)測量的硅棒的頭部和一定長度上的極性和電阻率，然后根據(jù)GB/T13389-1992 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程中的公式計算出對應(yīng)的頭部和一定長度上 等效摻雜劑濃度N頭總和Nl總；二、根據(jù)晶體生長理論，結(jié)合已知的一定量的鎵以及阿伏加德羅常數(shù)、硅棒生長參數(shù)，得出關(guān)于晶棒投料量W、目標(biāo)長度L、平均直徑D的濃度分凝公式
全文摘要
一種摻鎵CZ硅棒及配料中硼、磷的分析方法。該方法首先計算出鎵在硅棒的頭部摻雜濃度和一定長度上的摻雜濃度，以及只考慮硼磷時CZ硅棒的頭部摻雜濃度和一定長度上的摻雜濃度，根據(jù)公式(5)、(6)，推導(dǎo)出此摻鎵CZ硅棒配料中的硼、磷含量，轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的電阻率，并用EXCEL制成表格。本發(fā)明是摻鎵太陽能級CZ硅單晶中必不可少的質(zhì)量控制方法，通過本發(fā)明將使太陽能硅片的生產(chǎn)處于可控狀況下，提高產(chǎn)品質(zhì)量和企業(yè)競爭力。
文檔編號G01N27/04GK102087239SQ200910155179
公開日2011年6月8日 申請日期2009年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月3日
發(fā)明者石堅 申請人:王正園