專(zhuān)利名稱：一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種互感器，尤其涉及一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器。
背景技術(shù)：
隨著人們對(duì)電子產(chǎn)品小型化、多功能化越來(lái)越強(qiáng)烈的需求，電子產(chǎn)品的微型化和 集成化已是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)，其中電路由于集成電路技術(shù)的發(fā)展已基本不再制約電子 產(chǎn)品的微型化，而電路上的電子元件的微型化則成為電子產(chǎn)品微型化的關(guān)鍵。作為電子產(chǎn) 品中應(yīng)用非常廣泛的互感器，其也需要高度更低、占用面積更小的微型互感器以適應(yīng)社會(huì)、 技術(shù)的發(fā)展。而在微型化的同時(shí)保證其功能就的基礎(chǔ)上對(duì)其安全性、穩(wěn)定性進(jìn)一步提高，以 滿足功能絕緣安規(guī)要求、基本絕緣安規(guī)要求、乃至加強(qiáng)絕緣安規(guī)要求，對(duì)微型互感器的研發(fā) 設(shè)計(jì)提出了更高的要求。電流互感器性能的優(yōu)越，很重要一點(diǎn)是其采樣電流能力的大小，而 采樣電流與產(chǎn)品尺寸之間又是一對(duì)矛盾，往往要做到更大的采樣電流，其產(chǎn)品尺寸也隨之 增大。另外，在產(chǎn)品的應(yīng)用中，當(dāng)前大電流互感器在DC-DC模塊中一般應(yīng)用在電路同側(cè)，對(duì) 互感器的取樣端和輸出端之間基本沒(méi)有隔離要求。而一旦需要采用有基本絕緣的結(jié)構(gòu)時(shí)， 要不尺寸能小，但取樣電流也比較小，突破不了 3A，要不取樣電流大，但不符合基本絕緣，如 果既要取樣電流大，又要符合基本絕緣，那產(chǎn)品的體積會(huì)很大，且高度將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于2. 7mm。在 已公開(kāi)的技術(shù)和產(chǎn)品中，尚未發(fā)現(xiàn)滿足基本絕緣安規(guī)要求的大電流、小尺寸微型互感器。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明目的在于提供一種滿足基本絕緣的大電流 微型互感器，其安全性、穩(wěn)定性更高，且高度超矮，填補(bǔ)了目前模塊電源領(lǐng)域缺少此類(lèi)互感 器的空白。 本發(fā)明的技術(shù)方案是一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，包括骨架、環(huán)繞骨 架的E形磁芯、初級(jí)繞組銅片、次級(jí)繞組線圈以及引腳，所述骨架用于安裝磁芯的方環(huán)槽與 磁芯框內(nèi)側(cè)之間沒(méi)有擋墻，所述骨架位于次級(jí)繞組線圈下方部分的左端面設(shè)有所述引腳， 其另一端分別從該骨架部分前、后側(cè)端面引出并向下反向彎折緊貼該骨架部分下表面，該 骨架部分向右側(cè)一體延伸，初級(jí)繞組銅片內(nèi)嵌其內(nèi)，初級(jí)繞組銅片引腳從其右側(cè)端面引出 并向下反向彎折緊貼其下表面，該銅片引腳到E形磁芯和次級(jí)繞組線圈的最短距離均大于 1.4mm，所述E形磁芯的下表面為互感器的最底面。 作為優(yōu)選，所述引腳和初級(jí)繞組銅片引腳位于骨架下方部分的下表面與所述E形 磁芯的下表面平齊。 更進(jìn)一步地，所述初級(jí)繞組銅片引腳的端頭端面到E形磁芯的最短距離為1. 7mm。
作為優(yōu)選，所述初級(jí)繞組銅片引腳到次級(jí)繞組線圈的最短距離為1. 9mm。
作為優(yōu)選，所述骨架高度小于2. 5mm。 本發(fā)明的有益效果是首先，骨架用于安裝磁芯的方環(huán)槽與磁芯框內(nèi)側(cè)之間沒(méi)有 擋墻，并結(jié)合獨(dú)特的骨架、引腳、銅片的分布、結(jié)構(gòu)的總體設(shè)計(jì)，因此該產(chǎn)品才能做到2. 4mm的骨架高度，2. 7mm的成品高度這么矮的尺寸；另外，電流互感器性能的優(yōu)越，很重要一點(diǎn) 是其采樣電流能力的大小。而取樣電流的大小主要由產(chǎn)品的電阻及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的散熱能力 決定的。本發(fā)明將初級(jí)繞組銅片埋入骨架，其電阻只有1.3mQ左右，在6A的時(shí)候，初級(jí)繞 組銅片上的損耗為P = I2*R = 46. 8mW，同時(shí)，本發(fā)明的E形磁芯的下表面為互感器的最底 面，使得磁芯可以接觸焊接PCB或鋁基板，這樣產(chǎn)品的整體發(fā)熱可以通過(guò)磁芯散出一部分。 因此相比較市面上許多互感器而言，此種結(jié)構(gòu)可以在更小的體積下過(guò)更大的電流；其三，本 發(fā)明將初級(jí)繞組銅片埋入骨架，把磁芯放到次級(jí)，這樣，初級(jí)繞組銅片因?yàn)樯?、下、左、右?被覆蓋絕緣，因此磁芯到初級(jí)的爬電距離只能看磁芯到銅片裸露在外的引腳的距離，而本 發(fā)明該離為1. 7mm——大于l. 4mm，次級(jí)到初級(jí)的爬電距離也是次級(jí)繞組線圈到裸露在外銅 片引腳的據(jù)率，而本發(fā)明該離為1. 9mm——大于1. 4mm，均大于基本絕緣安規(guī)要求的1. 3 1. 4mm距離，因此該產(chǎn)品符合基本絕緣的設(shè)計(jì)。綜上所述，獨(dú)特的骨架結(jié)構(gòu)將產(chǎn)品的高度，大 電流，基本絕緣這三個(gè)要素綜合在一起，最終形成了符合基本絕緣設(shè)計(jì)的大電流、小尺寸微 型互感器。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的骨架的結(jié)構(gòu)示意圖(圖中A為主視圖，B為俯視圖，C為仰 視圖，D為右視圖，E為左視圖)； 圖2為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖(圖中A為主視圖，B為仰視圖，C為左視圖)。
具體實(shí)施例方式
作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，如圖1和圖2所示，一種滿足基本絕緣的大電流微型 互感器，包括骨架1、環(huán)繞骨架1的E形磁芯5、初級(jí)繞組銅片2、次級(jí)繞組線圈3以及引腳4， 所述骨架1用于安裝磁芯5的方環(huán)槽11與磁芯5框內(nèi)側(cè)之間沒(méi)有擋墻，所述骨架1位于次 級(jí)繞組線圈3下方部分12的左端面設(shè)有所述引腳4，其4另一端41分別從該骨架部分12 前、后側(cè)端面引出并向下反向彎折緊貼該骨架部分12下表面，該骨架部分12向右側(cè)一體延 伸，初級(jí)繞組銅片2內(nèi)嵌其12內(nèi)，初級(jí)繞組銅片2引腳21從其12右側(cè)端面引出并向下反 向彎折緊貼其12下表面，該銅片引腳21到E形磁芯5和次級(jí)繞組線圈3的最短距離均大 于1. 4mm，所述E形磁芯5的下表面為互感器的最底面。作為優(yōu)選，如本實(shí)施例所示，所述引 腳4和初級(jí)繞組銅片引腳21位于骨架1下方部分的下表面與所述E形磁芯5的下表面平 齊，所述初級(jí)繞組銅片引腳21的端頭端面到E形磁芯5的最短距離為1. 7mm，所述次級(jí)繞組 線圈3到初級(jí)繞組銅片引腳21的最短距離為1. 9mm，為水平距離的1. 6mm加上垂直距離的 0. 3mm而得，所述骨架1高度小于2. 5mm，為2. 4mm。 以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器進(jìn)行了詳盡介紹， 本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用 于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的 思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為 對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，包括骨架、環(huán)繞骨架的E形磁芯、初級(jí)繞組銅片、次級(jí)繞組線圈以及引腳，所述骨架用于安裝磁芯的方環(huán)槽與磁芯框內(nèi)側(cè)之間沒(méi)有擋墻，所述骨架位于次級(jí)繞組線圈下方部分的左端面設(shè)有所述引腳，其另一端分別從該骨架部分前、后側(cè)端面引出并向下反向彎折緊貼該骨架部分下表面，其特征在于該骨架部分向右側(cè)一體延伸，初級(jí)繞組銅片內(nèi)嵌其內(nèi)，初級(jí)繞組銅片引腳從其右側(cè)端面引出并向下反向彎折緊貼其下表面，該銅片引腳到E形磁芯和次級(jí)繞組線圈的最短距離均大于1.4mm，所述E形磁芯的下表面為互感器的最底面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，其特征在于所述 引腳和初級(jí)繞組銅片引腳位于骨架下方部分的下表面與所述E形磁芯的下表面平齊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，其特征在于 所述初級(jí)繞組銅片引腳的端頭端面到E形磁芯的最短距離為1. 7mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，其特征在于所述 初級(jí)繞組銅片引腳到次級(jí)繞組線圈的最短距離為1. 9mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，其特征在于所述 骨架高度小于2. 5mm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種滿足基本絕緣的大電流微型互感器，涉及一種互感器，包括骨架、環(huán)繞骨架的E形磁芯、初級(jí)繞組銅片、次級(jí)繞組線圈以及引腳，骨架用于安裝磁芯的方環(huán)槽與磁芯框內(nèi)側(cè)之間沒(méi)有擋墻，該骨架設(shè)有引腳的部分向遠(yuǎn)離引腳的右側(cè)一體延伸，初級(jí)繞組銅片內(nèi)嵌其內(nèi)，銅片引腳從其右側(cè)端面引出并向下反向彎折緊貼其下表面，該銅片引腳到磁芯和次級(jí)繞組線圈的最短距離均大于1.4mm，E形磁芯的下表面為互感器的最底面。本發(fā)明提供一種滿足基本絕緣，能夠取樣至少6A的大電流微型互感器，其安全性、穩(wěn)定性更高，且高度超矮，填補(bǔ)了目前模塊電源領(lǐng)域缺少此類(lèi)互感器的空白。
文檔編號(hào)G01R15/18GK101697316SQ20091021602
公開(kāi)日2010年4月21日 申請(qǐng)日期2009年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者盧本浩, 周新龍 申請(qǐng)人:成都金之川電子有限公司;