專利名稱：溫度傳感器的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及形成在半導體裝置上的溫度傳感器，且涉及測定半導體裝置周邊的溫
度的溫度傳感器。
背景技術(shù)：
—直以來，為了測定周圍的溫度變化或測定體溫，使用采用了半導體裝置的溫度 計。 例如有根據(jù)溫度變化控制振蕩頻率，并調(diào)整電路動作(例如參照專利文獻1 :日 本特開2006-101489號公報)或由頻率本身來顯示溫度的溫度傳感器(非專利文獻1 : http://japan. maxim_ic. con/quick—view2. cfm/qv_pk/3625 (參照2008年ll月11日))。
在專利文獻1中，如圖ll所示，使用雙極型晶體管Ql Q4，生成溫度依賴電流 IPTAT，通過由MOS晶體管Ml及M2構(gòu)成的反射鏡(mirror)電路，從該溫度依賴電流IPTAT 生成電流I IPTAT 。 然后，通過該電流IIPTAT來對電容器C1進行充電，比較器比較該充電電壓與基準 電壓Vref，若比基準電壓高，則從"與"電路U10A輸出脈沖，通過該脈沖使電容器CI的充電 電壓放電，并重新開始對電容器C1的充電。 S卩，對應于電流IIPTAT的電流量，電容器C1充電至比基準電壓Vref高的電壓的 時間會發(fā)生變化，且脈沖的寬度具有溫度信息。 但是，通過測定該脈寬可以測定溫度，但是因電容器CI的制造偏差而所測定的溫 度精度較差。 因此，在非專利文獻l中，作為對電容器Cl進行充電的電流，獨立地生成不依賴溫 度的電流值Iref，并通過電流值IIPTAT和電流值Iref來交互地對電容器CI進行充電，并 且通過電流值IIPTAT和電流值Iref來交互地生成上述脈沖，且通過該脈沖之比來測定溫 度，抑制因電容器CI的偏差而產(chǎn)生的測定溫度的誤差。 但是，由于雙極型晶體管或MOS晶體管等的制造偏差，電流IIPTAT會偏離理論值， 對電容器C1的充電產(chǎn)生偏差，且無法正確地生成依賴于溫度的脈寬，且僅通過與電流值 Iref的比無法改善精度。 特別是，電流IIPTAT是利用雙極型晶體管的帶隙而生成的，其電位差小成數(shù)十mV。
因而，在利用該微少的電位差來生成電流IIPTAT的電路中，若構(gòu)成電路的半導體 元件存在制造偏差，則最終測定的溫度誤差會成為非常大的值，無法進行高精度的溫度測 定。 特別是，在通過CMOS工藝生成的、生成電流IIPTAT的帶隙(bandg即)標準電路 中，構(gòu)成運算放大器或電流源電路的MOS晶體管的相對偏差成為誤差的要因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題構(gòu)思而成，其目的在于提供一種溫度傳感器，即使在構(gòu)成生成電流IIPTAT的電路的半導體元件上存在制造偏差，也能比以往更高精度進行溫度測定。
本發(fā)明的溫度傳感器，其特征在于包括生成依賴于溫度的溫度依賴電位的溫度 依賴電壓生成電路(例如，在實施方式中由MOS晶體管M1、M2、雙極型晶體管BT1、BT2和運 算放大器AP1構(gòu)成的電路)；根據(jù)溫度依賴電位使溫度依賴電流流過的電流生成晶體管；生 成不依賴于溫度的基準電流的基準電流生成電路；通過利用所述溫度依賴電流的第一充電 周期和利用所述基準電流的第二充電周期來被交互充電的電容器；比較所述電容器的充電 電壓與基準電壓而生成脈沖的脈沖生成電路(例如，在實施方式中由基準電壓電路BT和比 較器CMP1構(gòu)成)；以及對所述電容器交互地供給所述溫度依賴電流和所述基準電流的控制 電路(例如，在實施方式中利用觸發(fā)器FF2及FF3、或者利用觸發(fā)器FF2、FF3及FF5形成)， 在第一充電周期中輸出依賴于溫度的寬度的溫度依賴脈沖，在第二充電周期中輸出不依賴 于溫度的寬度的基準脈沖，所述溫度依賴電壓生成電路由以下部分構(gòu)成利用第一MOS晶 體管及第二MOS晶體管構(gòu)成的電流源電路；以所述第一或所述第二晶體管中的任意一個為 負載輸出第一電位的第一雙極型晶體管；經(jīng)由電阻將所述第一或所述第二晶體管中的任意 另一個為負載，且用作溫度傳感器的第二雙極型晶體管，該溫度傳感器使用輸出第二電位 的雙極型晶體管的帶隙；對所述第一MOS晶體管或第二MOS晶體管中的任意一個與所述第 一雙極型晶體管的連接進行切換的第一切換開關(guān)；對所述第一MOS晶體管或第二MOS晶體 管中的任意另一個與所述第二雙極型晶體管的連接進行切換的第二切換開關(guān)；以及放大所 述第一電位與所述第二電位之電位差，并將放大電壓輸出至所述第一及第二MOS晶體管的 柵極的運算放大器。 本發(fā)明的溫度傳感器還有這樣的特征所述控制電路將所述第一充電周期和第二
充電周期的各個周期分割成第一周期和第二周期，在第一周期和第二周期中，對所述第一
切換開關(guān)及第二切換開關(guān)進行切換，并對第一MOS晶體管或者第二MOS晶體管與第一雙極
型晶體管或者第二雙極型晶體管的連接進行切換，合并第一周期和第二周期，作為第一充
電周期的所述溫度依賴脈沖及第二充電周期的時間幅度的基準電壓脈沖。
本發(fā)明的溫度傳感器還有這樣的特征還包括第三切換開關(guān)，對所述運算放大
器的反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的哪一個進行切換；第四切換開
關(guān)，是否對所述運算放大器的非反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的另一
個進行切換；以及第五切換開關(guān)，對于將所述運算放大器的輸出是反相輸出還是非反相輸
出進行切換，控制電路使所述第一切換開關(guān)與第二切換開關(guān)的切換定時同步，從而對所述
第三切換開關(guān)、所述第四切換開關(guān)及所述第五切換開關(guān)進行切換。 本發(fā)明的溫度傳感器還有這樣的特征還包括第三切換開關(guān)，對所述運算放大 器的反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的哪一個進行切換；第四切換開 關(guān)，是否對所述運算放大器的非反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的另一 個進行切換；以及第五切換開關(guān)，對于將所述運算放大器的輸出是反相輸出還是非反相輸 出進行切換，將所述第一充電周期分為第一子充電周期和第二子充電周期，在所述第一子 充電周期中，若輸出第一脈沖及第二脈沖，則控制電路對所述第三切換開關(guān)、所述第四切換 開關(guān)及所述第五切換開關(guān)進行切換，在所述第二子充電周期中，若輸出所述第一脈沖及所 述第二脈沖，則將所述第一子充電周期的第一脈沖及所述第二脈沖和所述第二子充電周期 的第一脈沖及第二脈沖的分頻作為所述溫度依賴脈沖。
本發(fā)明的溫度傳感器還有這樣的特征作為所述電容器，設置第一電容器和第二 電容器，按電容器的每個充電周期切換使用。
本發(fā)明的溫度傳感器還有這樣的特征所述電阻使用具有如果溫度增加則電阻值
降低的溫度特性的電阻。(發(fā)明效果) 依據(jù)本發(fā)明，即使存在制造偏差，也對電流源電路的各MOS晶體管與雙極型晶體 管的連接進行切換，且對包含上述MOS晶體管間的制造偏差造成偏移(offset)的電流值的 偏差進行平均化，其結(jié)果通過對電容器的充電時間進行平均化，可以削除上述偏移，且能夠 抑制制造偏差的偏移對溫度依賴脈沖寬度的影響，可進行比以往更高精度的溫度測定。


圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 圖2是表示圖1的基準電流生成電路100的構(gòu)成例的方框圖。 圖3是用所輸出的P麗波形中的第一充電周期T2和第二充電周期T1的關(guān)系來表
示溫度測定結(jié)果的波形的概念圖。 圖4是表示第一充電周期T2和第二充電周期Tl的隨溫度特性的變化的曲線圖。 圖5是說明圖1的溫度傳感器的動作的時序圖。 圖6是表示本發(fā)明第二實施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 圖7是說明圖6的溫度傳感器的動作的時序圖。 圖8是表示本發(fā)明第三實施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 圖9是表示雙極型晶體管BT2的電壓Vbe對溫度的變化的曲線圖。 圖10(a)是表示針對因雙極型晶體管受溫度影響而產(chǎn)生的溫度傳感器的輸出與
真值的誤差Terr的溫度特性溫度的曲線圖。 圖10(b)是表示針對基于隨著溫度的電阻Rl的電阻值變化的溫度傳感器的輸出 與真值的誤差Terr的溫度特性溫度的曲線圖。 圖11是表示傳統(tǒng)的根據(jù)溫度變化而控制發(fā)送頻率并調(diào)整電路動作的構(gòu)成的方框 圖。(符號說明) 100、100A、100B...基準電流生成電路 200...基準電壓發(fā)生電路 201...電壓-電流變換電路 AP1、AP3...運算放大器 BF1.緩沖器 BT...恒壓源 BT1、BT2...雙極型晶體管 C1、C1A、C1B.電容器 CMP1...比較器 FF2 、 FF3 、 FF5...觸發(fā)器 M1、M2、M3、M3A、M3B、M4、M5、M6. MOS晶體管
R1、R2、R3...電阻 SW1、 SW2、 SW3、 SW4、 SW4A、 SW4B、 SW5、 SW5A、 SW5B、 SW6...切換開關(guān)
具體實施例方式〈第一實施方式> 以下，參照附圖，就本發(fā)明第一實施方式的溫度傳感器進行說明。圖1是表示該實 施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 在圖1中，p溝道型的M0S晶體管Ml、 M2形成電流源電路。M0S晶體管Ml、 M2的
源極上被施加電源電壓。此外，在后面描述的P溝道型的M0S晶體管M3被施加與上述電流
源電路的M0S晶體管M1及M2的柵極同樣的偏置電壓，構(gòu)成電流源連接。雙極型晶體管BT1是成為上述M0S晶體管M1、M2中任意一個的負載的pnp型的雙
極型晶體管。 雙極型晶體管BT2是經(jīng)由電阻Rl成為M0S晶體管Ml、 M2中任意另一個的負載的 pnp型的雙極型晶體管。電阻Rl的一端與雙極型晶體管BT2的發(fā)射極連接，另一端與切換 開關(guān)SW1的端子連接。在此，雙極型晶體管BT2的發(fā)射極的面積形成為較大，Vbe(基極-發(fā) 射極間電壓)隨著溫度而發(fā)生變化，從而用作利用了輸出該電位Vbe的帶隙(band g即)的 溫度傳感器。此外，上述雙極型晶體管BT1與雙極型晶體管BT2的種類相同，但各晶體管尺 寸不同，因此各晶體管的溫度特性也不同。即，雙極型晶體管BT2具有電壓Vbe對溫度變化 的下降斜率比雙極型晶體管BT1大的角度。根據(jù)隨著該溫度變化的雙方的電位Vbe的差分 AVbe進行溫度測定。在此，基于上述的理由，差分AVbe相對于溫度的上升是單調(diào)遞增的。
此外，雙極型晶體管BT1、BT2的基極及集電極接地。 切換開關(guān)SW1根據(jù)控制信號Sl，將M0S晶體管M1的漏極的連接目的地切換到雙極 型晶體管BT1的發(fā)射極與電阻R1的另一端中的任意一個上。 此外，切換開關(guān)SW1根據(jù)上述控制信號Sl，將M0S晶體管M2的漏極的連接目的地
切換到雙極型晶體管BT1的發(fā)射極與電阻R1的另一端中的任意另一個上。 例如，當控制信號Sl為"H(高)"電平時，切換開關(guān)SW1使M0S晶體管Ml的漏極
與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與電阻R1的另一端連接。 另一方面，當控制信號Sl為"L (低)"電平時，切換開關(guān)SW1使M0S晶體管Ml的
漏極與電阻R1的另一端連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。 運算放大器API的非反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極和電阻Rl的另 一端中的任意一個連接，反相輸入子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極和電阻R1的另一端中的 任意另一個連接。運算放大器API經(jīng)控制使雙極型晶體管BT1的電壓Vbe(第一電位)與 雙極型晶體管BT2的電壓Vbe(第二電位)的差分AVbe體現(xiàn)在電阻Rl的兩端，即電阻R1 兩端的電位成為AVbe。 此外，運算放大器AP1對輸入至非反相輸入端子和反相輸入端子的電壓的差動電
壓進行放大，以放大差動電壓后的電壓為輸出電壓，從非反相輸出端子輸出，以對放大差動
電壓后的電壓的極性進行反相后的電壓為輸出電壓，從反相輸出端子輸出。 切換開關(guān)SW2根據(jù)控制信號Sl，將非反相輸入端子的連接目的地切換到雙極型晶
7體管BT1的發(fā)射極與電阻R1的另一端中的任意一個上。 此外，切換開關(guān)SW2根據(jù)上述控制信號Sl，將反相輸入端子的連接目的地切換到 雙極型晶體管BT1的發(fā)射極與電阻R1的另一端中的任意另一個上。 例如，當控制信號Sl為"H"電平時，切換開關(guān)SW2使非反相輸入端子與雙極型晶
體管BT1的發(fā)射極連接，并且使反相輸入端子與電阻R1的另一端連接。 另一方面，當控制信號Sl為"L"電平時，切換開關(guān)SW2使非反相輸入端子與電阻
Rl的另一端連接，并且使反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。 切換開關(guān)SW3根據(jù)控制信號S1，進行是否將從運算放大器AP1的反相輸出端子與
非反相輸出端子輸出的電壓中的任意電壓，作為供給M0S晶體管M1、M2等的柵極的偏置電
壓VB加以輸出的切換。 例如，當控制信號Sl為"H"電平時，切換開關(guān)SW3將非反相輸出端子的輸出電壓 作為偏置電壓VB加以輸出，另一方面，當控制信號Sl為"L"電平時，將反相輸出端子的輸 出電壓作為偏置電壓VB加以輸出。 S卩，在運算放大器AP1的非反相輸入端子與反相輸入端子的連接目的地因切換開
關(guān)SW2而被切換時，為了使輸出電壓的極性與非反相輸入端子和反相輸入端子的差動電壓
的極性對應，該切換開關(guān)SW3同步進行非反相輸出端子與反相輸出端子的切換。 M0S晶體管M3為p溝道型的M0S晶體管，源極被施加電源電壓，柵極上被施加偏置
電壓VB，作為與該偏置電壓VB對應的電流，從漏極輸出溫度依賴電流IPTAT。 基準電流生成電路100從輸出端子輸出不依賴溫度的標準電流Iref。 電容器Cl的一端與切換開關(guān)SW4的端子連接，另一端接地。 切換開關(guān)SW4根據(jù)控制信號S2，進行對電容器的上述一端連接M0S晶體管M3的漏 極或基準電流生成電路100的輸出端子中哪一個的切換。 例如，切換開關(guān)SW4在控制信號S2為"L"電平的場合，將M0S晶體管M3的漏極與 電容器C1的一端連接，另一方面，在控制信號S2為"H"電平的場合，將基準電流生成電路 100的輸出端子與電容器Cl的一端連接。 切換開關(guān)SW5根據(jù)控制信號S3，進行是否將電容器Cl的一端接地的控制。例如， 切換開關(guān)SW5在控制信號S3為"H"電平的場合，將電容器Cl的一端接地。
比較器CMPl對恒壓源BT輸出的標準電壓Vref和充電至電容器C1的充電電壓進 行比較，當充電電壓超過標準電壓Vref時，輸出"H"電平的控制信號S3，當充電電壓為標準 電壓Vref以下時，輸出"L"電平的控制信號S3。 在此，當控制信號S3成為"H"電平時，電容器Cl通過切換開關(guān)SW5使充電的電荷 放電。因此，如果電容器Cl的充電電壓被放電，則充電電壓成為標準電壓Vref以下，因此比 較器CMP1將輸出即控制信號S3從"H"電平變更為"L"電平。因而，控制信號S3是以"H" 電平的單觸發(fā)脈沖(one shot pulse)的方式加以輸出。 下面，在各觸發(fā)器FF中，輸出端子Q在時鐘的上升沿對輸入至數(shù)據(jù)端子D的數(shù)據(jù) 進行閂鎖，并將該數(shù)據(jù)輸出。此外，輸出端子QB輸出從輸出端子Q輸出的數(shù)據(jù)的反相數(shù)據(jù)， 例如輸出端子Q為"L"電平時，輸出"H"電平。在本實施方式中，在開始動作時，各觸發(fā)器 的輸出端子Q輸出"L"電平，輸出端子QB輸出"H"電平。 觸發(fā)器FF2中數(shù)據(jù)端子D與輸出端子QB連接，構(gòu)成為反轉(zhuǎn)觸發(fā)器(toggle flipflop)，時鐘端子CK與比較器CMP1的輸出端子連接，時鐘端子CK上被輸入控制信號S3，輸 出端子Q與下一級的觸發(fā)器FF3的時鐘端子連接，作為輸出信號輸出控制信號Sl。
觸發(fā)器FF3中數(shù)據(jù)端子D與輸出端子QB連接，構(gòu)成為反轉(zhuǎn)觸發(fā)器，時鐘端子CK與 觸發(fā)器FF2的輸出端子Q連接，作為時鐘信號，向時鐘端子CK輸入觸發(fā)器FF2的輸出端子 Q的輸出信號，從輸出端子Q輸出控制信號S2。 緩沖器BF1的輸入端子與觸發(fā)器FF3的輸出端子Q連接，輸出端子與輸出作為溫 度測定結(jié)果的P麗波形的P麗波形輸出端子連接。 接著，借助圖2，對圖1中的基準電流生成電路100的構(gòu)成進行說明。圖2是表示 圖1中的基準電流生成電路100的構(gòu)成例的方框圖。 基準電流生成電路100由基準電壓發(fā)生電路200、電壓-電流變換電路201和p溝 道型的MOS晶體管M4構(gòu)成。 MOS晶體管M4的源極上被施加電源電壓，柵極與上述電壓_電流變換電路201的 輸出端子連接，且被施加偏置電壓VBB，從漏極輸出與偏置電壓VBB對應的基準電流Iref 。
上述基準電壓發(fā)生電路200由p溝道型的MOS晶體管M5、電阻R2和pnp型的雙極 型晶體管BT2構(gòu)成。 MOS晶體管M4的源極上被施加電源電壓，柵極上被施加偏置電壓VB，在連接點A 上漏極與上述電阻R2的一端連接。 雙極型晶體管BT2的發(fā)射極與電阻R2的另一端連接，基極及集電極接地。
即，雙極型晶體管BT2經(jīng)由電阻R2連接MOS晶體管M5作為負載。
在此，圖2的電阻R2由與圖1的電阻R1相同種類的電阻元件構(gòu)成。在電阻R2的 兩端發(fā)生將在電阻R1上發(fā)生的具有正的溫度特性的電壓，用電阻R1與電阻R2的電阻值比 倍的電壓。即，流過電阻R2的電流具有正的溫度特性，在電阻R2間發(fā)生正的溫度特性的電 壓，另一方面，雙極型晶體管BT2在溫度上升時使電壓Vbe下降，因此相互抵消對于溫度的 變化，連接點A的電壓成為不依賴溫度的一定的電壓Vcnt。 上述電壓-電流變換電路201由運算放大器AP3、 p溝道型的M0S晶體管M6和電 阻R3構(gòu)成。 電阻R3的一端在連接點B上與上述M0S晶體管M6的漏極連接，另一端接地。在 此，電阻R3利用具有溫度的非依賴性的特性的材料形成。 運算放大器AP3的非反相輸入端子與連接點A連接，且被施加電壓Vcnt，反相輸入 端子與上述連接點B連接，從輸出端子輸出偏置電壓VBB。 M0S晶體管M6的源極上被施加電源電壓，柵極與上述運算放大器AP3的輸出端子 連接，且被施加偏置電壓VBB，漏極經(jīng)由電阻R3接地。 通過上述的構(gòu)成，基準電流生成電路100輸出不依賴溫度的基準電流Iref。
通過上述的構(gòu)成，本實施方式中的溫度傳感器的測定結(jié)果按圖3所示的P麗波形 輸出。 在此，時間幅度Tl是不依賴溫度的基準時間幅度，時間幅度T2如圖4的曲線圖所 示，是依賴溫度的溫度依賴時間幅度。圖3的縱軸表示脈沖的電平，橫軸為時間。該時間幅 度T2如圖4所示，隨著溫度的上升而減少。圖4的橫軸為溫度，縱軸為脈寬(時間幅度)。
S卩，時間幅度Tl是電容器Cl利用基準電流Iref充電至標準電壓Vref的時間，另一方面，時間幅度T2是電容器Cl利用溫度依賴電流IPTAT充電至標準電壓Vref的時間。 在此，測定結(jié)果的溫度T由下式求出。 T = (Tl/T2) X a - 0 在上述式中，a及P為系數(shù)。 接著，采用圖5，對圖1所示的溫度傳感器的動作進行說明。圖5是說明圖1的溫 度傳感器的動作例的時序圖。 在時刻tl，通過基準電流Iref被充電的充電電壓超過標準電壓Vref，比較器CMP1 使控制信號S3成為"H"電平。 切換開關(guān)SW5成為導通狀態(tài)，使蓄積在電容器Cl中的充電電壓放電。 由此，比較器CMP1使輸出的控制信號S3成為"L"電平。(以下，將上述的動作記
載為比較器CMP1輸出控制信號S3的脈沖)。 此外，通過上述控制信號S3向"H"電平的上升沿，觸發(fā)器FF2將輸出信號Sl從 "L"電平變更為"H"電平。 同樣地，通過上述控制信號S3向"H"電平的上升沿，觸發(fā)器FF2將來自輸出端子 的輸出從"L"電平變更為"H"電平。 通過來自觸發(fā)器FF2的輸出端子的輸出向"H"電平的上升沿，觸發(fā)器FF3將從輸 出端子輸出的控制信號S2從"H"電平變更為"L"電平。 控制信號Sl成為"H"電平，從而切換開關(guān)SW1使M0S晶體管Ml的漏極與雙極型 晶體管BT1的發(fā)射極連接，并且使M0S晶體管M2的漏極與電阻Rl的另一端連接。
同樣地，控制信號S1成為"H"電平，從而切換開關(guān)SW2使運算放大器AP1的非反相 輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接，并使反相輸入端子與電阻R1的另一端連接。
此外，控制信號Sl成為"H"電平，從而切換開關(guān)SW3將運算放大器API的非反相 輸出端子的輸出電壓作為偏置電壓VB加以輸出。 控制信號S2成為"L"電平，從而切換開關(guān)SW4將M0S晶體管M3的漏極連接至電 容器的一端。 由此，通過溫度依賴電流IPTAT進行對電容器Cl的充電。 接著，在時刻t2，如果對于電容器Cl的充電電壓超過標準電壓Vref，則比較器 CMP1輸出控制信號S3的脈沖。 從而，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從"H" 電平變更為"L"電平。 同樣地，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從 "H"電平變更為"L"電平。 這時，觸發(fā)器FF3以"L"電平的狀態(tài)輸出控制信號S2。 控制信號Sl成為"L"電平，從而切換開關(guān)SW1使M0S晶體管M1的漏極與電阻R1
的另一端連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。 同樣地，控制信號Sl成為"L"電平，從而切換開關(guān)SW2使運算放大器API的非反
相輸入端子與電阻R1的另一端連接，并且使反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。 此外，控制信號S1成為"L"電平，從而作為偏置電壓VB，切換開關(guān)SW3輸出運算放大器AP1的反相輸出端子的輸出電壓。 由于控制信號S2處于"L"電平，切換開關(guān)SW4持續(xù)將M0S晶體管M3的漏極連接 于電容器的一端的狀態(tài)。 從而，通過溫度依賴電流IPTAT進行對電容器Cl的充電。 接著，在時刻t3，如果對于電容器Cl的充電電壓超過標準電壓Vref，比較器CMPl 就輸出控制信號S3的脈沖。 從而，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從"L" 電平變更為"H"電平。 同樣地，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從 "L"電平變更為"H"電平。 此外，通過觸發(fā)器FF2的輸出端子Q的輸出成為"H"電平的上升沿，觸發(fā)器FF3使 控制信號S2從"L"電平變更為"H"電平。 控制信號Sl成為"H"電平，從而切換開關(guān)SW1使M0S晶體管Ml的漏極與雙極型 晶體管BT1的發(fā)射極連接，并且使M0S晶體管M2的漏極與電阻Rl的另一端連接。
同樣地，控制信號Sl成為"H"電平，從而切換開關(guān)SW2將連接運算放大器AP1的 非反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接，并且使反相輸入端子與電阻R1的另一 端連接。 此夕卜，控制信號S1成為"H"電平，從而作為偏置電壓VB，切換開關(guān)SW3輸出運算放 大器AP1的非反相輸出端子的輸出電壓。 由于控制信號S2成為"H"電平，切換開關(guān)SW4將基準電流生成電路100的輸出端 子連接至電容器的一端。 從而，通過基準電流Iref進行對電容器Cl的充電。 接著，在時刻t4，如果對于電容器Cl的充電電壓超過標準電壓Vref，則比較器 CMP1輸出控制信號S3的脈沖。 從而，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從"H" 電平變更為"L"電平。 同樣地，通過控制信號S3的脈沖的上升沿，觸發(fā)器FF2使輸出的控制信號Sl從 "H"電平變更為"L"電平。 此外，觸發(fā)器FF3使控制信號S2處于"H"電平。 控制信號Sl成為"L"電平，從而切換開關(guān)SW1使M0S晶體管Ml的漏極與電阻Rl 的另一端連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。
同樣地，控制信號S1成為"L"電平，從而切換開關(guān)SW2將運算放大器AP1的非反相 輸入端子與電阻R1的另一端連接，并使反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。
此夕卜，控制信號S1成為"L"電平，從而作為偏置電壓VB，切換開關(guān)SW3輸出運算放 大器AP1的反相輸出端子的輸出電壓。 由于控制信號S2處于"H"電平，切換開關(guān)SW4繼續(xù)將基準電流生成電路100的輸 出端子連接到電容器的一端的狀態(tài)。 從而，通過基準電流Iref進行對電容器Cl的充電。 在時刻t5以后，重復進行從上述的時刻tl到時刻t4為止的處理。
如上所述，在本實施方式中，將利用溫度依賴電流IPTAT進行對電容器CI的充電 的第一充電周期T2，分割成兩個周期T2A(例如，從時刻tl到時刻t2之間)和T2B(例如， 從時刻t2至時刻t3之間)，在該兩個周期T2A， T2B中利用切換開關(guān)SW1來切換M0S晶體 管Ml及M2與雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合，從而消除MOS晶體管M1、M0S晶體 管M2之間的制造偏差導致的偏移。 同樣地，在上述兩個周期T2A、T2B中，利用切換開關(guān)SW2及SW3來切換運算放大器 API的非反相輸入端子及反相輸入端子和雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合(也包 括反相輸出端子及非反相輸出端子的切換)，從而消除運算放大器AP1的非反相輸入端子 及反相輸入端子間的偏移。 然后，作為對電容器C1充電所需要的時間，合并兩個周期T2A和T2B，即，通過比較 器CMP1輸出的控制信號S3的脈沖，觸發(fā)器FF3進行分頻，生成相加兩個周期T2A和T2B后 的時間幅度的第一充電周期T2，作為該充電周期T2的寬度的溫度依賴性脈沖，經(jīng)由緩沖器 BF1輸出P麗波形("H"電平)。 S卩，通過上述的MOS晶體管M1及M2間的偏移、運算放大器AP1的非反相輸入端子 及反相輸入端子間的偏移，依制品而溫度依賴電流IPTAT的電流值上發(fā)生偏差。即，圖5中， 從時刻tl到時刻t3之間記載的虛線表示理想電容器Cl的充電電壓的變化，但實際上是按 照具有上述誤差AT的實線來變化的。 因此，在本實施方式中，如上所述，切換MOS晶體管M1及M2和雙極型晶體管BT1 及BT2之間的連接組合，并且切換運算放大器API的非反相輸入端子及反相輸入端子和雙 極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合，消除溫度依賴電流IPTAT的偏差導致的充電時間 T2A與充電時間T2B之間的誤差AT。 結(jié)果，依據(jù)本實施方式，抑制每個制品的偏差導致的作為溫度測定結(jié)果而產(chǎn)生的 誤差，并可進行制品間誤差少的高精度的溫度測定。 此外，在本實施方式中，對于電容器Cl進行利用基準電流Iref的充電的第二充電 周期Tl也同樣分割成為周期T1A和T1B，進行充電處理，通過比較器CMP1輸出的控制信號 S3的脈沖，觸發(fā)器FF3進行分頻，生成相加兩個周期T1A和T1B的時間幅度的第二充電周期 Tl，作為該充電周期Tl的寬度的溫度依賴性脈沖，經(jīng)由緩沖器BF1輸出P麗波形("L"電 平)。 此外，不設置切換開關(guān)SW2及切換開關(guān)SW3，而這樣構(gòu)成也可，即，在運算放大器 API的非反相輸入端子上連接雙極型晶體管BT1的發(fā)射極，在反相輸入端子上連接電阻R1 的另一端，并連接成從非反相輸出端子輸出偏置電壓VB，只進行M0S晶體管M1及M2和雙極 型晶體管BT1及BT2之間的連接組合，只消除MOS晶體管Ml及M2間的偏移。
〈第二實施方式〉 接著，參照附圖，就本發(fā)明第二實施方式的溫度傳感器進行說明。圖6是表示該實 施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 對于與圖1的第一實施方式同樣的構(gòu)成，采用同一符號，并省略其說明。以下，僅
對不同于第一實施方式的、第二實施方式的構(gòu)成及動作進行說明。 新附加的構(gòu)成是觸發(fā)器FF5。 觸發(fā)器FF5是作為觸發(fā)器FF3的下一級而設置的，構(gòu)成連接了數(shù)據(jù)端子與輸出端
12子QB的反轉(zhuǎn)觸發(fā)器，時鐘端子CK與觸發(fā)器FF3的輸出端子Q連接，且被輸入觸發(fā)器FF3的 輸出端子Q的輸出信號即控制信號S4，從輸出端子Q輸出控制信號S5。
與第一實施方式同樣地，切換開關(guān)SW1根據(jù)控制信號SI進行對M0S晶體管M1及 M2和雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合進行切換的動作。 另一方面，切換開關(guān)SW2及SW3根據(jù)控制信號S4進行對運算放大器API的非反相 輸入端子及反相輸入端子和雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合進行切換的處理。
例如，當控制信號S4為"H"電平時，切換開關(guān)SW2連接非反相輸入端子與雙極型 晶體管BT1的發(fā)射極，并且連接反相輸入端子與電阻R1的另一端。 另一方面，當控制信號S4為"L"電平時，切換開關(guān)SW2連接非反相輸入端子與電
阻R1的另一端，并且連接反相輸入端子與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極。 此外，切換開關(guān)SW3根據(jù)控制信號S4，對將從運算放大器AP1的非反相輸出端子與
反相輸出端子輸出的電壓的哪一個，作為供給M0S晶體管M1、M2等的偏置電壓VB加以輸出
進行切換。 例如，當控制信號S4為"H"電平時，切換開關(guān)SW3輸出非反相輸出端子的輸出電 壓作為偏置電壓VB，另一方面，當控制信號S4為"L"電平時，輸出反相輸出端子的輸出電壓 作為偏置電壓VB。 S卩，在用切換開關(guān)SW2來切換運算放大器AP1的非反相輸入端子與反相輸入端子 的連接目的地時，為了使輸出電壓的極性與非反相輸入端子和反相輸入端子的差動電壓的 極性對應，該切換開關(guān)SW3同步進行非反相輸出端子與反相輸出端子的切換。
如上所述，如圖7的時序圖所示，在第二實施方式中，將P麗波形的"L"電平的第 一充電周期T2分割成為子周期T21和T22，進而將子周期T21分割成為周期T21A和周期 T21B，且將子周期T22分割成為周期T22A和T22B。 同樣地，將第二充電周期Tl分割成為子周期Tl 1和T12，進而將子周期Tl 1分割成
為周期T11A和周期T11B，且將子周期T12分割成為周期T12A和T12B。 通過控制信號Sl，在時刻tl、t3、t5、t7中的切換MOS晶體管Ml及M2和雙極型晶
體管BT1及BT2之間的連接組合的動作，與在第一實施方式中時刻tl、t3、t5、t7的動作相同。 此外，通過控制信號Sl，在時刻t2、 t4、 t6、 t8中的切換MOS晶體管Ml及M2和雙 極型晶體管BTl及BT2之間的連接組合的動作，與在第一實施方式中時刻t2、t4、t6、t8相 同。 此外，通過控制信號S4，在時刻tl、 t5中用切換開關(guān)SW2及SW3來切換運算放大 器API的非反相輸入端子及反相輸入端子和雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合的動 作(也包括反相輸出端子及非反相輸出端子的切換)，與第一實施方式中的時刻t2、t4、t6、 t8相同。 同樣地，通過控制信號S4，在時刻t3、 t7中用切換開關(guān)SW2及SW3來切換運算放 大器API的非反相輸入端子及反相輸入端子和雙極型晶體管BT1及BT2之間的連接組合的 動作(也包括反相輸出端子及非反相輸出端子的切換)，與第一實施方式中的時刻tl、 t3、 t5、t7相同。 此外，通過控制信號S5，在時刻tl中用切換開關(guān)SW4來切換電容器C1的另一端與M0S晶體管M3的漏極或基準電流生成電路100的輸出端子的連接組合的動作，與第一實施 方式中的時刻tl、t5相同。 同樣地，通過控制信號S5，在時刻t5中用切換開關(guān)SW4來切換電容器Cl的另一端 與M0S晶體管M3的漏極或基準電流生成電路100的輸出端子的連接組合的動作，與第一實 施方式中的時刻t3、t7相同。 如上所述，將第一充電周期T2及第二充電周期Tl的各個周期4分割，在各4分割 的周期中，每2周期進行運算放大器API的非反相輸入端子及反相輸入端子和雙極型晶體 管BT1及BT2之間的連接組合，且每1周期進行M0S晶體管Ml及M2和雙極型晶體管BT1 及BT2之間的連接組合的切換，與第一實施方式相比，進一步變更各元件間的組合，并提高 各偏移的消除比例，可進行更加高精度的測定。在各個與電容器C1的充電時間對應的周期(周期T21A、T21B、T22A、T22B、T11A、 T11B、 T12A、 T12B)中，將比較器CMP1輸出的控制信號S3分頻為4個，由第一充電周期T2 和第二充電周期1構(gòu)成的P麗波形經(jīng)由緩沖器BF1而輸出。
〈第三實施方式〉 接著，參照附圖，就本發(fā)明第三實施方式的溫度傳感器進行說明。圖8是表示該實 施方式的溫度傳感器的構(gòu)成例的方框圖。 對于與圖6的第二實施方式相同的構(gòu)成，采用相同的符號，并省略其說明。以下，
僅對不同于第二實施方式的第三實施方式的構(gòu)成及動作進行說明。 在第三實施方式中，新附加的構(gòu)成為切換開關(guān)SW6。 此外，在第三實施方式中，設置電容器C1A和電容器C1B來取代第二實施方式中的 電容器C1。同樣地，設置切換開關(guān)SW4A及SW4B來取代第二實施方式中的切換開關(guān)SW4。設 置切換開關(guān)SW5A及SW5B來取代第二實施方式中的切換開關(guān)SW5。設置MOS晶體管M3A及 M3B來取代第二實施方式中的MOS晶體管M3。各切換開關(guān)SW5A、 SW5B通過控制信號Sl來 進行各電容器C1A、 C1B的放電處理。利用控制信號Sl來使切換開關(guān)SW5A及SW5B導通/ 截止，從而電容器C1A、 C1B中任意一個被充電的場合，另一個處于放電狀態(tài)。S卩，當控制信 號Sl為"L"電平時，切換開關(guān)SW5A成為導通狀態(tài)，而切換開關(guān)SW5B成為截止狀態(tài)，另一方 面，當控制信號Sl為"H"電平時，切換開關(guān)SW5A成為截止狀態(tài)，而切換開關(guān)SW5B成為導通 狀態(tài)。 此外，設置基準電流生成電路100A、100B來取代第二實施方式中的基準電流生成 電路100。 此外，與切換開關(guān)SW2及切換開關(guān)SW3同樣地，切換開關(guān)SW1通過控制信號S4來 進行切換控制。 例如，當控制信號S4為"H"電平時，切換開關(guān)SW1使MOS晶體管Ml的漏極與雙極 型晶體管BT1的發(fā)射極連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與電阻R1的另一端連接。
另一方面，當控制信號S4為"L"電平時，切換開關(guān)SW1使MOS晶體管Ml的漏極與 電阻R1的另一端連接，并且使MOS晶體管M2的漏極與雙極型晶體管BT1的發(fā)射極連接。
MOS晶體管M3A及M3B為p溝道型的MOS晶體管，其源極上被施加電源電壓，柵極 上被施加偏置電壓VB。 基準電流生成電路100A、100B的結(jié)構(gòu)與基準電流生成電路100相同，分別輸出基準電流Iref。 電容器CIA的一端與切換開關(guān)SW4A的端子連接，另一端接地。 電容器C1B的一端與切換開關(guān)SW4B的端子連接，另一端接地。通過控制信號S5，切換開關(guān)SW4A切換M0S晶體管M3A的漏極或基準電流生成電路
100A中的任意一個與電容器C1A的一端之間的連接。 例如，當控制信號S5為"L"電平時，切換開關(guān)SW4A將M0S晶體管M3A的漏極連接 至電容器C1A的一端，另一方面，當控制信號S5為"H"電平時，將基準電流生成電路100A 連接至電容器C1A的一端。 通過控制信號S5，切換開關(guān)SW4B切換M0S晶體管M3B的漏極或基準電流生成電路 100B中的任意一個與電容器C1B的一端之間的連接。 例如，當控制信號S5為"L"電平時，切換開關(guān)SW4A將M0S晶體管M3A的漏極連接 至電容器C1A的一端，另一方面，當控制信號S5為"H"電平時，將基準電流生成電路100B 的漏極連接至電容器C1B的一端。 通過控制信號Sl，切換開關(guān)S怖切換電容器C1A的一端與電容器C1B的一端中的 任意一個與比較器CMP1的非反相輸入端子的連接。 例如，當控制信號Sl為"L"電平時，切換開關(guān)S怖將電容器C1A的一端連接至比 較器CMP1的非反相輸入端子，另一方面，當控制信號Sl為"H"電平時，將電容器C1B的一 端連接至比較器CMP1的非反相輸入端子。 通過上述的構(gòu)成，在本實施方式中，將與比較器CMP1中的標準電壓Vref作比較的 充電電壓，與電容器C1A、C1B的任意一個交互地進行。例如，在圖7的時序圖中，在時刻t2， 比較器CMP1中與標準電壓Vref作比較的是充電至電容器C1A的充電電壓，另一方面，在時 刻t3，比較器CMPl中與標準電壓Vref作比較的是充電至電容器C1B的充電電壓。S卩，通 過切換開關(guān)SW6，按每個與充電時間對應的周期(周期T21A、T21B、T22A、T22B、T11A、T11B、 T12A、 T12B)，將充電電壓與標準電壓Vref作比較的對象電容器，交互切換成電容器C1A、 C1B的任意一個上。 從而，在本實施方式中，使電容器Cl放電的時間會延長充電周期Tl及T2的時間
幅度，防止成為測定誤差的情況，因此通過電容器C1A及C1B這兩個電容器，在其中一個開
始放電的時刻另一個會開始充電，因此能夠抑制放電時間導致的測定誤差。 此外，在第一實施方式中，也能采用使用了上述的電容器C1A及C1B的構(gòu)成。在第
一實施方式中采用的場合，用于控制切換開關(guān)SW4A和切換開關(guān)SW4B的控制信號采用控制
信號S2。〈第四實施方式〉 第四實施方式是將從第一實施方式到第三實施方式中的電阻Rl用具有溫度依賴 性的材料來形成的結(jié)構(gòu)。 圖9所示的曲線圖表示雙極型晶體管BT1和雙極型晶體管BT2的電壓Vbe的溫度 變化。 P表示雙極型晶體管BT1的電壓Vbe的溫度變化，Q表示雙極型晶體管BT2的溫度 變化。 各線Pl與線Ql表示理想的變化直線，但是實際上，如線P3及線Q3所示，成為具有2次函數(shù)分量的曲線。 S卩，在以下所示的表示雙極型晶體管的電壓Vbe的溫度依賴性的式(1)中的G項， 如式(2)所示具有溫度差ATr( S卩，T-Tr)與基準溫度Tr(在本實施方式中25°C )之溫度 比的平方分量，因此使線性變形，如線P3或線Q3那樣，在基準溫度Tr兩側(cè)具有與理想的線 Pl、 Ql不同的特性。運算放大器API以使差分A Vbe正確發(fā)生在電阻Rl兩端的方式進行 動作，起到使雙極型晶體管BT1的電壓Vbe與電阻R1的另一端的電壓一致的作用。
在此，差分AVbe理想的情況是相對于溫度直線增加，但是實際上因上述的理由 而不是直線增加，而發(fā)生誤差。
(數(shù)學式1)
<formula>formula see original document page 16</formula>
因此，通過電阻采用電阻值相對于溫度降低的材料，相對于溫度變化增加流過雙 極型晶體管的電流，因此如圖10(b)那樣改變針對溫度傳感器的輸出與真值的誤差Terr的 溫度特性。 另一方面，由于雙極型晶體管的上述式(1)的G項的影響，針對溫度傳感器的輸出 與真值的誤差Terr的溫度特性如圖10(a)那樣變化。 使上述的圖10(a)和圖10(b)的變化相抵消，從而能夠使圖9中的電壓Vbe的溫 度特性從線P3到線P2、并且從線Q3到線Q2接近理想特性的線Pl、 Ql，能夠使差分A Vbe 接近于相對溫度直線增加的特性，并能提高溫度測定的精度。
<formula>formula see original document page 16</formula>
為使實際的特性線近似于該理想的線P1和線Q1，利用電阻的式(3)所示的特性。 (數(shù)學式3)
<formula>formula see original document page 16</formula>
在該式(3)中，TC1是1次的溫度系數(shù)，TC2是2次的溫度系數(shù)。
艮P，可從式(2)的(1+AT2*TC2)項判斷出電阻具有溫度差的平方特性。在此，AT
權(quán)利要求
一種溫度傳感器，其特征在于包括生成依賴于溫度的溫度依賴電位的溫度依賴電壓生成電路；根據(jù)溫度依賴電位使溫度依賴電流流過的電流生成晶體管；生成不依賴于溫度的基準電流的基準電流生成電路；通過利用所述溫度依賴電流的第一充電周期和利用所述基準電流的第二充電周期來被交互充電的電容器；比較所述電容器的充電電壓與基準電壓而生成脈沖的脈沖生成電路；以及對所述電容器交互地供給所述溫度依賴電流和所述基準電流的控制電路，在第一充電周期中輸出依賴于溫度的寬度的溫度依賴脈沖，在第二充電周期中輸出不依賴于溫度的寬度的基準脈沖，所述溫度依賴電壓生成電路由以下部分構(gòu)成利用第一MOS晶體管及第二MOS晶體管構(gòu)成的電流源電路；以所述第一或所述第二晶體管中的任意一個為負載輸出第一電位的第一雙極型晶體管；經(jīng)由電阻將所述第一或所述第二晶體管中的任意另一個為負載，且用作溫度傳感器的第二雙極型晶體管，該溫度傳感器使用輸出第二電位的雙極型晶體管的帶隙；對所述第一MOS晶體管或第二MOS晶體管中的任意一個與所述第一雙極型晶體管的連接進行切換的第一切換開關(guān)；對所述第一MOS晶體管或第二MOS晶體管中的任意另一個與所述第二雙極型晶體管的連接進行切換的第二切換開關(guān)；以及放大所述第一電位與所述第二電位之電位差，并將放大電壓輸出至所述第一及第二MOS晶體管的柵極的運算放大器。
2. 如權(quán)利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于所述控制電路將所述第一充電周期 和第二充電周期的各個周期分割成第一周期和第二周期，在第一周期和第二周期中，對所 述第一切換開關(guān)及第二切換開關(guān)進行切換，并對第一 MOS晶體管或者第二 MOS晶體管與第 一雙極型晶體管或者第二雙極型晶體管的連接進行切換，合并第一周期和第二周期，作為 第一充電周期的所述溫度依賴脈沖及第二充電周期的時間幅度的基準電壓脈沖。
3. 如權(quán)利要求2所述的溫度傳感器，其特征在于還包括第三切換開關(guān)，對所述運算放大器的反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位 中的哪一個進行切換；第四切換開關(guān)，是否對所述運算放大器的非反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的另一個進行切換；以及第五切換開關(guān)，對于將所述運算放大器的輸出是反相輸出還是非反相輸出進行切換， 控制電路使所述第一切換開關(guān)與第二切換開關(guān)的切換定時同步，從而對所述第三切換開關(guān)、所述第四切換開關(guān)及所述第五切換開關(guān)進行切換。
4. 如權(quán)利要求2所述的溫度傳感器，其特征在于還包括第三切換開關(guān)，對所述運算放大器的反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位 中的哪一個進行切換；第四切換開關(guān)，是否對所述運算放大器的非反相輸入端子輸入所述第一電位或所述第二電位中的另一個進行切換；以及第五切換開關(guān)，對于將所述運算放大器的輸出是反相輸出還是非反相輸出進行切換， 將所述第一充電周期分為第一子充電周期和第二子充電周期，在所述第一子充電周期中，若輸出第一脈沖及第二脈沖，則控制電路對所述第三切換 開關(guān)、所述第四切換開關(guān)及所述第五切換開關(guān)進行切換，在所述第二子充電周期中，若輸出所述第一脈沖及所述第二脈沖，則將所述第一子充電周期的第一脈沖及所述第二脈沖和所述第二子充電周期的第一 脈沖及第二脈沖的分頻作為所述溫度依賴脈沖。
5. 如權(quán)利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于作為所述電容器，設置第一電容器和 第二電容器，按電容器的每個充電周期切換使用。
6. 如權(quán)利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于所述電阻使用具有如果溫度增加則 電阻值降低的溫度特性的電阻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種溫度傳感器，即使在構(gòu)成生成溫度依賴電流的電路的半導體元件上存在制造偏差，也能比以往更高精度進行溫度測定。本發(fā)明的溫度傳感器，其中包括生成依賴于溫度的溫度依賴電位的溫度依賴電壓生成電路；根據(jù)溫度依賴電位使溫度依賴電流流過的電流生成晶體管；生成不依賴于溫度的基準電流的基準電流生成電路；通過利用溫度依賴電流的第一充電周期和利用基準電流的第二充電周期來被交互充電的電容器；比較電容器的充電電壓與基準電壓而生成脈沖的脈沖生成電路；以及對電容器交互地供給溫度依賴電流和基準電流的控制電路，溫度依賴電壓生成電路具有開關(guān)，該開關(guān)對形成構(gòu)成內(nèi)部的電流源電路的MOS晶體管，及成為所述電流源電路的負載的雙極型晶體管的連接關(guān)系進行切換。
文檔編號G01K7/01GK101738262SQ200910225290
公開日2010年6月16日 申請日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者吉川清至 申請人:精工電子有限公司