專利名稱：一種新型的直流換流閥試驗(yàn)單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型的直流換流閥試驗(yàn)單元。
背景技術(shù)：
直流換流閥試驗(yàn)單元既可以在換流閥例行試驗(yàn)時(shí)對(duì)晶閘管極接線正確性、GU(門 極單元)功能與晶閘管、阻尼電阻、阻尼電容和直流均壓電阻進(jìn)行全面的檢查。又可以在換 流站現(xiàn)場(chǎng)大、小修時(shí)完成對(duì)換流閥晶閘管級(jí)設(shè)備進(jìn)行全面的試驗(yàn)和檢查，確保換流閥安全 運(yùn)行。 傳統(tǒng)的直流換流閥試驗(yàn)單元有些缺點(diǎn)，無(wú)法顯示試品晶閘管的電壓電流波形，當(dāng) 試驗(yàn)失敗時(shí)不利于分析和查找故障原因，試驗(yàn)結(jié)果不夠直觀。試驗(yàn)項(xiàng)目不夠全面。
本發(fā)明提出的一種新型的直流換流閥試驗(yàn)裝置及其試驗(yàn)方法工控機(jī)處理后，顯 示單元可以顯示各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的情況，便于分析和查找問(wèn)題。工 控機(jī)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果處理后在顯示單元上顯示。試驗(yàn)項(xiàng)目更加全面。 直流換流閥試驗(yàn)單元是很重要的例行試驗(yàn)設(shè)備之一。換流閥組裝完畢后，必須首 先進(jìn)行如下試驗(yàn)晶閘管級(jí)接線正確性、GU(門極單元)功能與晶閘管、阻尼電阻、阻尼電容 和直流均壓電阻等元件性能。否則在進(jìn)行其它例行試驗(yàn)時(shí)可能導(dǎo)致?lián)Q流閥元部件或者例行 試驗(yàn)設(shè)備損壞。 例行試驗(yàn)完畢后，防止換流閥元部件在試驗(yàn)中損壞，必須重新測(cè)量阻尼電阻值、阻 尼電容值和直流均壓電阻值，檢查這些阻值是否在誤差允許范圍之內(nèi)。重新測(cè)試GU(門極 單元)基本功能和晶閘管性能。 直流換流閥試驗(yàn)單元能夠很好地保證換流閥例行試驗(yàn)設(shè)備和和換流閥元部件安 全，同時(shí)確保換流閥可靠出廠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是對(duì)換流閥的功能性驗(yàn)證，既可以在換流閥例行試驗(yàn)時(shí)對(duì)晶閘管極 接線正確性、晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM功能與晶閘管、阻尼電阻、阻尼電容和直流均壓電 阻進(jìn)行全面的檢查。又可以在換流站現(xiàn)場(chǎng)大、小修時(shí)完成對(duì)換流閥晶閘管級(jí)設(shè)備進(jìn)行全面 的試驗(yàn)和檢查，確保換流閥安全運(yùn)行。 本發(fā)明提出了一種直流換流閥試驗(yàn)裝置，包括工控機(jī)、沖擊電壓?jiǎn)卧?、低電壓觸發(fā) 試驗(yàn)單元、阻抗測(cè)試儀LCR、24V電源、閥電壓電流波形采集系統(tǒng)、鍵盤鼠標(biāo)、顯示單元和過(guò) 壓過(guò)流保護(hù)單元， 所述工控機(jī)通過(guò)控制PLC的邏輯，控制沖擊單元的的充放電過(guò)程； 所述阻抗測(cè)試儀LCR單元與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需要對(duì)試品閥阻抗
進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)LCR測(cè)試儀發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單元表示出
來(lái)； 所述低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)，該低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元的電路通過(guò)絕緣柵雙極型功率管IGBT與所述工 控機(jī)相連，利用工控機(jī)觸發(fā)絕緣柵雙極型功率管IGBT，使其間隔導(dǎo)通，從而改變施加于試品 閥上的電壓波形；所述工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸 發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控 機(jī)； 所述的過(guò)壓過(guò)流保護(hù)單元是對(duì)輸入電源信號(hào)的過(guò)壓保護(hù)，以及對(duì)整個(gè)裝置的總輸 出信號(hào)的過(guò)電壓和過(guò)電流的保護(hù)； 工控機(jī)和晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM通過(guò)光纖進(jìn)行通信連接，發(fā)出觸發(fā)脈沖和接 收回報(bào)脈沖； 其中，所述工控機(jī)為閥試驗(yàn)單元的控制核心，控制各個(gè)子單元相互配合完成所有 的試驗(yàn)項(xiàng)目，各個(gè)子單元包括阻抗測(cè)試儀LCR單元、低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和沖擊電壓?jiǎn)卧?通過(guò)電阻分壓器和分流器測(cè)量試品晶閘管電壓和電流，工控機(jī)處理后，顯示單元可以顯示 各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的情況，便于分析和查找問(wèn)題，工控機(jī)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果 處理后在顯示單元上顯示。 其中，所述各個(gè)子單元完成的功能分別為 阻抗測(cè)試儀LCR單元完成阻尼電阻值、阻尼電容值和直流均壓電阻值的測(cè)量，測(cè) 試頻率為0 1MHz ; 低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成門極單元GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)；
沖擊電壓?jiǎn)卧瓿删чl管正極性dv/dt耐受試驗(yàn)、晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保 護(hù)試驗(yàn)、負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn)； 低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和沖擊電壓?jiǎn)卧浜贤瓿删чl管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)、晶閘 管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)。 其中，所述工控機(jī)控制低壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和門極單元GU，使試品晶閘管導(dǎo)通，在晶 閘管反向恢復(fù)期內(nèi)和反向恢復(fù)期結(jié)束后施加沖擊電壓，電容分壓器監(jiān)測(cè)晶閘管電壓，施加 沖擊電壓的時(shí)刻由檢測(cè)延時(shí)電路控制，可以調(diào)節(jié)延時(shí)整定值。 本發(fā)明還提出了一種使用上述的裝置進(jìn)行直流換流閥性能試驗(yàn)的方法，其特征在
于試驗(yàn)的項(xiàng)目包括 1)換流閥阻抗測(cè)試 阻抗測(cè)試儀LCR單元完成阻尼電阻值、阻尼電容值和直流均壓電阻值測(cè)量，測(cè)試 頻率為0 1MHz ;該部分使用一個(gè)LCR阻抗測(cè)試儀，其與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連， 當(dāng)需要對(duì)試品閥阻抗進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)阻抗測(cè)試儀LCR單元發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試 結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單元表示出來(lái)；
2)GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試 工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元 TTM收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控機(jī)；
3)晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn) 工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較，
從而判斷試驗(yàn)是否通過(guò)； 4)晶閘管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)；
在對(duì)試品閥施加低電壓的同時(shí)，向試品閥施加沖擊電壓，通過(guò)嚴(yán)格控制時(shí)序，在晶 閘管的反向恢復(fù)期階段，觸發(fā)沖擊電壓?jiǎn)卧?，使其產(chǎn)生沖擊電壓；
5)晶閘管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn) 在對(duì)試品閥施加低電壓的同時(shí)，向試品閥施加沖擊電壓，通過(guò)嚴(yán)格控制時(shí)序，在晶 閘管的反向恢復(fù)期結(jié)束后，觸發(fā)沖擊電壓?jiǎn)卧?，使其產(chǎn)生沖擊電壓；
6)晶閘管正極性dv/dt耐受試驗(yàn) 工控機(jī)向沖擊電壓?jiǎn)卧l(fā)送觸發(fā)時(shí)序，改變施加于試品閥上的電壓波形，并且根 據(jù)阻尼電容值，通過(guò)調(diào)節(jié)沖擊電壓?jiǎn)卧骰芈穮?shù)，可得到不同波頭的沖擊電壓；
7)晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保護(hù)試驗(yàn) 工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元 TTM收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控機(jī)；
8)負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn) 工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較，
從而判斷試驗(yàn)是否通過(guò)； 9)試驗(yàn)后低壓觸發(fā)試驗(yàn) 工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較， 從而判斷試驗(yàn)是否通過(guò)；
10)試驗(yàn)后阻抗測(cè)試 使用一個(gè)阻抗測(cè)試儀LCR，其與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需要對(duì)試品閥 阻抗進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)阻抗測(cè)試儀LCR發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單 元表示出來(lái)。 本發(fā)明的有益效果是 (1)能夠測(cè)量0 1腿Z下阻尼回路元件阻值； (2)可調(diào)節(jié)在晶閘管反向恢復(fù)期內(nèi)施加沖擊電壓的時(shí)刻，所以晶閘管反向恢復(fù)期 保護(hù)試驗(yàn)、晶閘管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)電路可采用同一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)；
(3)工控機(jī)處理后，顯示單元可以顯示各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的 情況，便于分析和查找問(wèn)題。工控機(jī)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果處理后在顯示單元上表示出來(lái)。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明的裝置的閥試驗(yàn)裝置的原理示意框圖； 圖2是本發(fā)明的裝置的正極性dv/dt耐受試驗(yàn)電壓波形示意圖； 圖3是本發(fā)明的裝置的晶閘管反向恢復(fù)期試驗(yàn)原理示意圖； 圖4是本發(fā)明的裝置的晶閘管反向恢復(fù)保護(hù)觸發(fā)試驗(yàn)波形示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)直流換流閥試驗(yàn)單元主要完成以下試驗(yàn)
1)換流閥阻抗測(cè)試；
2)GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試；
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3)晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)；
4)晶閘管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)；
5)晶閘管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)；
6)晶閘管正極性dv/dt耐受試驗(yàn)；
7)晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保護(hù)試驗(yàn)；
8)負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn)；
9)試驗(yàn)后低壓觸發(fā)試驗(yàn)；
10)試驗(yàn)后阻抗測(cè)試。 閥試驗(yàn)單元原理框圖如附圖1所示，直流換流閥試驗(yàn)裝置，包括工控機(jī)、沖擊電壓 單元、低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元、阻抗測(cè)試儀LCR、24V電源、閥電壓電流波形采集系統(tǒng)、鍵盤鼠 標(biāo)、顯示單元和過(guò)壓過(guò)流保護(hù)單元，所述工控機(jī)通過(guò)控制PLC的邏輯，控制沖擊單元的的充 放電過(guò)程；所述阻抗測(cè)試儀LCR單元與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需要對(duì)試品閥阻 抗進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)LCR測(cè)試儀發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單元表示 出來(lái)；所述低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低 電壓觸發(fā)試驗(yàn)，該低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元的電路通過(guò)絕緣柵雙極型功率管IGBT與所述工控 機(jī)相連，利用工控機(jī)觸發(fā)絕緣柵雙極型功率管IGBT，使其間隔導(dǎo)通，從而改變施加于試品 閥上的電壓波形；所述工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸 發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控 機(jī)； 工控機(jī)和晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM通過(guò)光纖進(jìn)行通信連接，發(fā)送觸發(fā)脈沖和接 收回報(bào)脈沖。 工控機(jī)為閥試驗(yàn)單元的控制核心，控制各個(gè)子單元相互配合完成所有的試驗(yàn)項(xiàng) 目。各個(gè)子單元分別為L(zhǎng)CR(阻抗測(cè)試儀)、低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元、沖擊電壓?jiǎn)卧８鱾€(gè)子單 元完成的功能分別為 LCR完成阻尼電阻值、阻尼電容值和直流均壓電阻值測(cè)量，測(cè)試頻率為0 1MHz ;
低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)；
沖擊電壓?jiǎn)卧瓿删чl管正極性dv/dt耐受試驗(yàn)、晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保 護(hù)試驗(yàn)、負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn)； 低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和沖擊電壓?jiǎn)卧浜贤瓿删чl管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)、晶閘 管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)。 正極性dv/dt耐受試驗(yàn)電壓如附圖2的通道B波形所示，藍(lán)色的是加在晶閘管上 的電壓波形，紅色的波是給晶閘管的觸發(fā)脈沖。根據(jù)阻尼電容值，通過(guò)調(diào)節(jié)沖擊電壓?jiǎn)卧?回路參數(shù)，可得到不同波頭的沖擊電壓。 晶閘管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)、晶閘管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)電路如附圖3所 示。工控機(jī)控制低壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和GU，使試品晶閘管導(dǎo)通，在晶閘管反向恢復(fù)期內(nèi)和反 向恢復(fù)期結(jié)束后施加沖擊電壓。電容分壓器監(jiān)測(cè)晶閘管電壓，施加沖擊電壓的時(shí)刻由檢測(cè) 延時(shí)電路控制，可以調(diào)節(jié)延時(shí)整定值。試驗(yàn)電壓波形如附圖4所示，其中曲線①表示晶閘管 的電壓波形；曲線②表示晶閘管的電流波形；曲線③表示GU發(fā)送給虛擬儀器主機(jī)的回報(bào)脈 沖；曲線④表示虛擬儀器主機(jī)發(fā)送給TCU的觸發(fā)脈沖。
通過(guò)電阻分壓器和分流器測(cè)量試品晶閘管電壓和電流，工控機(jī)處理后，顯示單元 可以顯示各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的情況，便于分析和查找問(wèn)題。工控機(jī)對(duì) 試驗(yàn)結(jié)果處理后在顯示單元上顯示。 此處已經(jīng)根據(jù)特定的示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái) 說(shuō)在不脫離本發(fā)明的范圍下進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶鎿Q或修改將是顯而易見(jiàn)的。示例性的實(shí)施例僅僅 是例證性的，而不是對(duì)本發(fā)明的范圍的限制，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求定義。
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權(quán)利要求
一種直流換流閥試驗(yàn)裝置，包括工控機(jī)、沖擊電壓?jiǎn)卧?、低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元、阻抗測(cè)試儀LCR、24V電源、閥電壓電流波形采集系統(tǒng)、鍵盤鼠標(biāo)、顯示單元和過(guò)壓過(guò)流保護(hù)單元，其特征在于所述工控機(jī)通過(guò)控制PLC的邏輯，控制沖擊單元的的充放電過(guò)程；所述阻抗測(cè)試儀LCR單元與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需要對(duì)試品閥阻抗進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)LCR測(cè)試儀發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單元表示出來(lái)；所述低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)，該低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元的電路通過(guò)絕緣柵雙極型功率管IGBT與所述工控機(jī)相連，利用工控機(jī)觸發(fā)絕緣柵雙極型功率管IGBT，使其間隔導(dǎo)通，從而改變施加于試品閥上的電壓波形；所述工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控機(jī)；所述的過(guò)壓過(guò)流保護(hù)單元是對(duì)輸入電源信號(hào)的過(guò)壓保護(hù)，以及對(duì)整個(gè)裝置的總輸出信號(hào)的過(guò)電壓和過(guò)電流的保護(hù)；工控機(jī)和晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM通過(guò)光纖進(jìn)行通信連接，發(fā)出觸發(fā)脈沖和接收回報(bào)脈沖；
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述工控機(jī)為閥試驗(yàn)單元的控制核心，控制 各個(gè)子單元相互配合完成所有的試驗(yàn)項(xiàng)目，各個(gè)子單元包括阻抗測(cè)試儀LCR單元、低電壓 觸發(fā)試驗(yàn)單元和沖擊電壓?jiǎn)卧ㄟ^(guò)電阻分壓器和分流器測(cè)量試品晶閘管電壓和電流，工 控機(jī)處理后，顯示單元可以顯示各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的情況，便于分析 和查找問(wèn)題，工控機(jī)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果處理后在顯示單元上顯示。
3. 如權(quán)利要求l-2所述的裝置，其特征在于所述各個(gè)子單元完成的功能分別為 阻抗測(cè)試儀LCR單元完成阻尼電阻值、阻尼電容值和直流均壓電阻值的測(cè)量，測(cè)試頻率為0 lMHz ;低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元完成門極單元GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試、晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)； 沖擊電壓?jiǎn)卧瓿删чl管正極性dv/dt耐受試驗(yàn)、晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保護(hù)試驗(yàn)、負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn)；低電壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和沖擊電壓?jiǎn)卧浜贤瓿删чl管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)、晶閘管反 向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)。
4. 如權(quán)利要求l-3所述的裝置，其特征在于所述工控機(jī)控制低壓觸發(fā)試驗(yàn)單元和門極 單元GU，使試品晶閘管導(dǎo)通，在晶閘管反向恢復(fù)期內(nèi)和反向恢復(fù)期結(jié)束后施加沖擊電壓，電 容分壓器監(jiān)測(cè)晶閘管電壓，施加沖擊電壓的時(shí)刻由檢測(cè)延時(shí)電路控制，可以調(diào)節(jié)延時(shí)整定值。
5. —種使用權(quán)利要求l-4所述的裝置進(jìn)行直流換流閥性能試驗(yàn)的方法，其特征在于試驗(yàn)的項(xiàng)目包括1)換流閥阻抗測(cè)試阻抗測(cè)試儀LCR單元完成阻尼電阻值、阻尼電容值和直流均壓電阻值測(cè)量，測(cè)試頻率 為0 lMHz ;該部分使用一個(gè)LCR阻抗測(cè)試儀，其與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需 要對(duì)試品閥阻抗進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)阻抗測(cè)試儀LCR單元發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果 讀取，通過(guò)顯示單元表示出來(lái)；2) GU儲(chǔ)能時(shí)間測(cè)試工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM 收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控機(jī)；3) 晶閘管低電壓觸發(fā)試驗(yàn)工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較，從而 判斷試驗(yàn)是否通過(guò)；4) 晶閘管反向恢復(fù)期保護(hù)試驗(yàn)；在對(duì)試品閥施加低電壓的同時(shí)，向試品閥施加沖擊電壓，通過(guò)嚴(yán)格控制時(shí)序，在晶閘管 的反向恢復(fù)期階段，觸發(fā)沖擊電壓?jiǎn)卧?，使其產(chǎn)生沖擊電壓；5) 晶閘管反向恢復(fù)期結(jié)束后耐受試驗(yàn)在對(duì)試品閥施加低電壓的同時(shí)，向試品閥施加沖擊電壓，通過(guò)嚴(yán)格控制時(shí)序，在晶閘管 的反向恢復(fù)期結(jié)束后，觸發(fā)沖擊電壓?jiǎn)卧蛊洚a(chǎn)生沖擊電壓；6) 晶閘管正極性dv/dt耐受試驗(yàn)工控機(jī)向沖擊電壓?jiǎn)卧l(fā)送觸發(fā)時(shí)序，改變施加于試品閥上的電壓波形，并且根據(jù)阻 尼電容值，通過(guò)調(diào)節(jié)沖擊電壓?jiǎn)卧骰芈穮?shù)，可得到不同波頭的沖擊電壓；7) 晶閘管正向過(guò)電壓和dv/dt保護(hù)試驗(yàn)工控機(jī)通過(guò)光纖向晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM發(fā)送脈沖，晶閘管觸發(fā)與監(jiān)測(cè)單元TTM 收到脈沖后向晶閘管發(fā)送觸發(fā)脈沖，并將晶閘管的狀態(tài)信息返送回工控機(jī)；8) 負(fù)極性dv/dt耐受試驗(yàn)工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較，從而 判斷試驗(yàn)是否通過(guò)；9) 試驗(yàn)后低壓觸發(fā)試驗(yàn)工控機(jī)向閥電壓電流采集系統(tǒng)發(fā)送測(cè)試指令，并讀取測(cè)試值，與預(yù)定值進(jìn)行比較，從而 判斷試驗(yàn)是否通過(guò)；10) 試驗(yàn)后阻抗測(cè)試使用一個(gè)阻抗測(cè)試儀LCR，其與工控機(jī)之間通過(guò)GPIB總線相連，當(dāng)需要對(duì)試品閥阻抗 進(jìn)行測(cè)試時(shí)，工控機(jī)對(duì)阻抗測(cè)試儀LCR發(fā)出測(cè)試指令，并將測(cè)試結(jié)果讀取，通過(guò)顯示單元表 示出來(lái)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新型的直流換流閥試驗(yàn)裝置及其試驗(yàn)方法，包括工控機(jī)、沖擊電壓?jiǎn)卧⒌碗妷河|發(fā)試驗(yàn)單元、阻抗測(cè)試儀LCR、24V電源、閥電壓電流波形采集系統(tǒng)、鍵盤鼠標(biāo)、顯示單元和過(guò)壓過(guò)流保護(hù)單元。進(jìn)行測(cè)試后，顯示單元可以顯示各個(gè)試驗(yàn)電壓電流波形，若發(fā)生試驗(yàn)失敗的情況，便于分析和查找問(wèn)題。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101710159SQ20091024174
公開日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者溫家良, 王華鋒, 魏曉光 申請(qǐng)人:中國(guó)電力科學(xué)研究院