專利名稱:Cis電路測試探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種探針卡,特別是涉及一種CIS電路測試探針卡。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)CIS (CMOS Image Sensor)測試探針卡存在一些缺點(diǎn),特別是當(dāng)晶片尺寸逐漸 減小及/或所需要的測試環(huán)境漸趨嚴(yán)格時(shí)。圖IA是顯示一傳統(tǒng)CIS晶片的示意圖。圖IB是顯示一傳統(tǒng)CIS測試探針卡的示 意圖。其分別顯示了一傳統(tǒng)CIS晶片以及一傳統(tǒng)CIS測試探針卡的應(yīng)用。如圖IA所示,每 一個(gè)CIS晶片10具有一感光區(qū)域11與位于該感光區(qū)域11周圍的至少一焊墊12。如圖IB 所示,光線165由光源16 (例如一燈泡)射出,然后通過具有孔洞175的測試設(shè)備17,接著 通過傳統(tǒng)CIS測試探針卡18,投射至具有多個(gè)CIS晶片195的晶圓19。傳統(tǒng)CIS測試探針 卡18具有多個(gè)探針185,這些探針185可接觸CIS晶片195,使得信號可以通過CIS測試探 針卡18,由CIS晶片195傳送至可分析這些信號的測試設(shè)備17。另外,如有需要,一準(zhǔn)直器 (collimator)可臨近設(shè)置于該光源16,藉以準(zhǔn)直該光線165。傳統(tǒng)CIS測試探針卡的第一個(gè)缺點(diǎn)是光線165投射至CIS晶片195的均勻性不足 (光線發(fā)散)。為提供更好的測試狀況,所有的CIS晶片195應(yīng)照射到相同的光線165,使得 由CIS晶片195輸出信號的差異都是受到CIS晶片195之間的差異而產(chǎn)生。然而,真實(shí)世 界的光線165并非完美的平行光,使得光線165投射至晶圓的不同位置具有不同的入射角, 而不同的入射角會導(dǎo)致不同的CIS晶片195產(chǎn)生不同的信號。既使不同的CIS晶片195大 致相似,不同的入射角仍會導(dǎo)致不同的CIS晶片195產(chǎn)生不同的信號。當(dāng)然,可以使用更佳 的光源16,例如一高品質(zhì)激光光源,作為解決方案。然而,其成本將會顯著提高,或者激光也 可能沒有完美地被準(zhǔn)直。其第二個(gè)缺點(diǎn)是探針185所產(chǎn)生的陰影。對于傳統(tǒng)的商業(yè)化CIS測試探針卡而言, CIS測試探針卡18具有一大孔188,該大孔188涵蓋所有位于晶圓19的CIS晶片195,探 針185是設(shè)置于該大孔188的邊緣。因此投射至晶圓19的中央位置的CIS晶片195的光 線通常也會投射至連接位于晶圓19的中央位置的CIS晶片195的探針185,造成探針185 在這些CIS晶片195所產(chǎn)生的陰影幾乎是不可避免地。另外,既使能避免上述陰影的產(chǎn)生, 也無法避免探針185所產(chǎn)生的光線發(fā)散。由此可見,上述現(xiàn)有的傳統(tǒng)CIS測試探針卡在結(jié)構(gòu)與使用上,顯然仍存在有不便 與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道,但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能 夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的簡 單且低成本的CIS電路測試探針卡,實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改 進(jìn)的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有的傳統(tǒng)CIS測試探針卡存在的缺陷,而提供一種新 型結(jié)構(gòu)的CIS電路測試探針卡,所要解決的技術(shù)問題是使其通過將一光學(xué)組件設(shè)置于一 CIS電路測試探針卡的一基版的鄰近區(qū)域,用以在一光線投射至該CIS電路測試探針卡的 基板前,準(zhǔn)直該光線,以有效地減少被準(zhǔn)直的光線的光源與晶圓之間的距離,進(jìn)而使得光線 散射降低,來有效地改善由光線投射至晶圓的均勻性不足(光線發(fā)散),非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于,提供一種新型結(jié)構(gòu)的CIS電路測試探針卡,所要解決的 技術(shù)問題是使其通過改變CIS電路測試探針卡的孔洞以及探針的幾何配置,使CIS電路測 試探針卡具有小孔洞,并以一對一的方式對應(yīng)于被測試的晶圓上的CIS晶片,使得每一小 孔洞設(shè)置于一相對應(yīng)的CIS晶片上方,而每一 CIS晶片的探針可設(shè)置于相對應(yīng)的小孔洞的 邊緣,使得對應(yīng)特定CIS晶片的探針不會跨越其他CIS晶片,并通過適當(dāng)調(diào)整探針,可使得 對應(yīng)特定CIS晶片的探針不會跨越此CIS晶片的感光區(qū)域,使探針在CIS晶片的感光區(qū)域 產(chǎn)生陰影的風(fēng)險(xiǎn)可以有效降低,從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種CIS電路測試探針卡,其包含一基板,該基板具有至少一孔洞以及至少一探針,每 一該探針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞附近;以及一光學(xué)組件,該光學(xué)組件設(shè)置于該基板的鄰近 區(qū)域,該光學(xué)組件可在一光線投射至該基板前,準(zhǔn)直該光線。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的CIS電路測試探針卡,其中所述的光學(xué)組件具有一朝向該光線的光源的第 一凸面以及一朝向該基板的第二凸面。前述的CIS電路測試探針卡,其中所述的光線投射至該基板的截面積大于該至少 一孔洞的截面積。前述的CIS電路測試探針卡,其中所述的光學(xué)組件直接接觸該基板,使得被準(zhǔn)直 的該光線藉由該光學(xué)組件而傳導(dǎo),且該光線立刻進(jìn)入該至少一孔洞。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種CIS電路測試探針卡,其包含一基板,該基板具有多個(gè)孔洞以及多個(gè)探針,每一該探 針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞附近,其中,該些孔洞與該些探針的幾何配置是根據(jù)一待測晶圓 的幾何配置而設(shè)置,該晶圓具有多個(gè)CIS晶片,每一該CIS晶片具有一感光區(qū)域與圍繞該感 光區(qū)域設(shè)置的至少一焊墊,每一該孔洞位于相對應(yīng)的該CIS晶片上方,并且每一該探針皆 不跨越該感光區(qū)域。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的CIS電路測試探針卡,其中每一該孔洞完全涵蓋相對應(yīng)的該CIS晶片的該 感光區(qū)域。前述的CIS電路測試探針卡,其中對應(yīng)不同的該CIS晶片的不同的該探針位于該 基板的不同部分,每一該部分與其他該部分不重疊。前述的CIS電路測試探針卡,其中每一該探針為眼鏡蛇式(cobra)探針。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種CIS電路測試探針卡,其包含一基板,該基板具有至少一孔洞以及至少一探針, 每一該探針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞附近;以及一光學(xué)組件,該光學(xué)組件具有一復(fù)眼,其中,該復(fù)眼具有多個(gè)突出區(qū)域,該突出區(qū)域的幾何配置是根據(jù)一待測晶圓的幾何配置而設(shè)置。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的CIS電路測試探針卡,其中所述的基板具有多個(gè)該孔洞以及多個(gè)該探針, 該些孔洞與該些探針的幾何配置是根據(jù)該待測晶圓的幾何配置而設(shè)置。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明 CIS電路測試探針卡至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本發(fā)明的CIS電路測試探針卡是將一光學(xué)組件設(shè)置于一 CIS電路測試探針卡的一 基版的鄰近區(qū)域,用以在一光線投射至該CIS電路測試探針卡的基板前,準(zhǔn)直該光線。光 學(xué)組件可以是單一準(zhǔn)直器(collimator)或至少二鏡片(例如凸透鏡、凹透鏡以及夫涅爾 (Fresnel)透鏡)的結(jié)合物。明顯地,因?yàn)楸还鈱W(xué)組件準(zhǔn)直的光線直接通過該CIS電路測試 探針卡的基板被傳導(dǎo)至晶圓,被準(zhǔn)直的光線的光源與晶圓之間的距離被有效地減少,進(jìn)而 使得光線散射降低。因此,由光線投射至晶圓的均勻性不足(光線發(fā)散)所產(chǎn)生的缺點(diǎn)可 以被有效改善。本發(fā)明的CIS電路測試探針卡通過改變CIS電路測試探針卡的孔洞以及探針的幾 何配置,使CIS電路測試探針卡具有小孔洞,并以一對一的方式對應(yīng)于被測試的晶圓上的CIS 晶片,使得每一小孔洞設(shè)置于一相對應(yīng)的CIS晶片上方。每一 CIS晶片的探針可設(shè)置于相對 應(yīng)的小孔洞的邊緣,使得對應(yīng)特定CIS晶片的探針不會跨越其他CIS晶片(至少不會跨越其 它CIS晶片的感光區(qū)域)。另外,藉由適當(dāng)調(diào)整探針,可使得對應(yīng)特定CIS晶片的探針不會跨 越此CIS晶片的感光區(qū)域。因此,探針在CIS晶片的感光區(qū)域產(chǎn)生陰影的風(fēng)險(xiǎn)可有效降低。綜上所述,本發(fā)明是有關(guān)于一種CIS電路測試探針卡,本發(fā)明的至少一實(shí)施例是 關(guān)于將一光學(xué)組件設(shè)置于此CIS電路測試探針卡的基板鄰近,用以在一光線投射至此CIS 電路測試探針卡的基板之前,準(zhǔn)直該光線。本發(fā)明的至少一另實(shí)施例是關(guān)于改變CIS電路 測試探針卡的孔洞以及探針的幾何配置,使CIS電路測試探針卡具有小孔洞,并以一對一 的方式對應(yīng)于CIS晶片,使得每一小孔洞設(shè)置于一相對應(yīng)的CIS晶片上方。本發(fā)明在技術(shù) 上有顯著的進(jìn)步,并具有明顯的積極效果,誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段, 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖IA是顯示一傳統(tǒng)CIS晶片的示意圖。圖IB是顯示一傳統(tǒng)CIS測試探針卡的示意圖。圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2C至圖2E是顯示根據(jù)本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的 示意圖。10:CIS晶片 11:感光區(qū)域12 焊墊16 光源17 測試設(shè)備 18 傳統(tǒng)CIS測試探針卡
19 晶圓20 CIS電路測試探針卡21 光學(xué)組件22 基板23 光源101第一固定環(huán)102鏡筒103凸透鏡104凹透鏡105凸透鏡106復(fù)眼107第二固定環(huán)109電路板110結(jié)合環(huán)111上導(dǎo)引板112 間隔板114下導(dǎo)引板165 光線175孔洞185 探針188大孔洞195 =CIS 晶片200= CIS電路測試探針卡 210 光學(xué)組件220剛性結(jié)構(gòu)230 基板231探針223 孔洞226探針235 光線
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的CIS電路測試探針卡其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征 及其功效,詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的一些實(shí)施例將詳細(xì)描述如下。然而,除了以下描述外,本發(fā)明還可以廣泛 地在其他實(shí)施例施行,并且本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受實(shí)施例的限定,其以權(quán)利要求的保護(hù) 范圍為準(zhǔn)。再者,為提供更清楚的描述及更容易理解本發(fā)明,圖式內(nèi)各部分并沒有依照其相 對尺寸繪圖,某些尺寸與其他相關(guān)尺度相比已經(jīng)被夸張;不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分也未完全繪示 出,以求圖式的簡潔。本發(fā)明的一實(shí)施例是關(guān)于一種CIS電路測試探針卡。請參閱圖2A所示,是顯示根 據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的示意圖,本發(fā)明較佳實(shí)施例的CIS 電路測試探針卡20具有一光學(xué)組件21以及一基板22?;?2具有至少一孔洞223以及 至少一探針226,每一探針2 設(shè)置于相對應(yīng)的孔洞223附近。在此,基板22的結(jié)構(gòu)可以等 同或相當(dāng)于傳統(tǒng)CIS電路測試探針卡的基板的結(jié)構(gòu)。光學(xué)組件21設(shè)置于基板22 (或者說 基板22的孔洞22 的鄰近區(qū)域,且光學(xué)組件21可在由光源23發(fā)出的一光線235投射至 基板22前,準(zhǔn)直該光線235。明顯地,相比較于將準(zhǔn)直器設(shè)置于光源鄰近的傳統(tǒng)技術(shù),將光學(xué)組件21設(shè)置于具 有孔洞223以及探針226的基板22的鄰近區(qū)域,可以大幅改善投射至基板22的光線235 的光線發(fā)散。明顯地,當(dāng)光線被高度準(zhǔn)直后,可以減少不同的CIS晶片的入射角。光學(xué)組件21的細(xì)部結(jié)構(gòu)并不被限定為任何特定結(jié)構(gòu),例如,光學(xué)組件21可以 是一準(zhǔn)直器(collimator)或至少二鏡片的結(jié)合物。簡而言之,上述鏡片可以選自下列 族群的一者或其任意組合凸透鏡(convex lens)、凹透鏡(concave lens)、凸凹透鏡 (convex-concave lens)、[Η]凸透鏡(concave-convex lens)、凸平透鏡(convex-flatlens)、凹平透鏡(concave-flat lens)與夫涅爾(Fresnel)透鏡。例如,為了適當(dāng)準(zhǔn)直該光 線,不論細(xì)部結(jié)構(gòu),該光學(xué)組件可具有一朝向光源的第一凸面以及一朝向基板的第二凸面。另外,為確保得到被準(zhǔn)直的光線及/或避免散射光線所造成的損害,可以讓光線 235投射至該基板22的截面積(例如,光線235的光斑的截面積)大于孔洞223的截面積。 換言之,使得所有孔洞223均涵蓋于被準(zhǔn)直的光線235的區(qū)域內(nèi)。另外,為確保得到被準(zhǔn)直 的光線,特別是避免光線長距離行進(jìn)所產(chǎn)生的光線發(fā)散,光學(xué)組件21可直接接觸基板22, 使得被準(zhǔn)直的光線經(jīng)由該光學(xué)組件21傳導(dǎo)后便立刻進(jìn)入孔洞223。本發(fā)明的另一實(shí)施例是關(guān)于一種CIS電路測試探針卡。請參閱圖2B所示,是顯示 根據(jù)本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的示意圖,本發(fā)明較佳實(shí)施例的 CIS電路測試探針卡20具有一基板22,該基板22具有多個(gè)孔洞223以及多個(gè)探針226,其 中,每一探針2 設(shè)置于相對應(yīng)的孔洞223附近。明顯地,本實(shí)施例與先前技術(shù)的主要差異 在于傳統(tǒng)的大孔(例如顯示于圖IB的大孔洞188)被本實(shí)施例的多個(gè)小孔洞223取代,使得 用于每一 CIS晶片195的探針2 可設(shè)置于相對應(yīng)的孔洞223的附近。在此,在不跨越其 他CIS晶片195的狀況下,每一探針226皆可由基板22延伸至相對應(yīng)的CIS晶片195的焊 墊。使得探針2 在CIS晶片195(特別是其感光區(qū)域)產(chǎn)生陰影的風(fēng)險(xiǎn)可有效降低。當(dāng) 然,對于不同待測晶圓19,基板22的幾何配置(孔洞223與探針226的幾何配置)應(yīng)根據(jù) 待測晶圓的幾何配置而設(shè)計(jì)。明顯地,當(dāng)CIS晶片195的位置/形狀不同時(shí),及/或當(dāng)CIS 晶片195在晶圓上的分布不同時(shí),孔洞223與探針226的位置/形狀也會不同。在此,為確保光線被適當(dāng)投射,可以讓每一孔洞223完全涵蓋相對應(yīng)的CIS晶片 195(至少相對應(yīng)的CIS晶片195的感光區(qū)域)。也可以當(dāng)一特定孔洞223對應(yīng)一特定CIS 晶片195時(shí),讓可連接該特定CIS晶片的焊墊的所有探針226皆設(shè)置于該特定孔洞223的 周圍。換言之,對應(yīng)不同的CIS晶片195的不同的探針2 位于基板22的不同部分,每一 部分與其他部分不重疊。然而,雖然成本上升且制作復(fù)雜,但本實(shí)施例的概念并不需要如 此。例如,一個(gè)可能的狀況是如果探針226的形狀/位置經(jīng)過適當(dāng)調(diào)整,使得探針2 不會 跨越第一 CIS晶片195 (特別是其感光區(qū)域)以外的其他CIS晶片195,連接至第一 CIS晶 片195的焊墊的探針2 可以設(shè)置于對應(yīng)第二 CIS晶片195的第二孔洞223的鄰近。為達(dá)成上述實(shí)施例,探針2 可以使用眼鏡蛇式探針(cobra pin),取代普遍使用 于傳統(tǒng)CIS測試探針卡的環(huán)氧探針(epoxy probe)。圖2C至圖2E是顯示根據(jù)本發(fā)明又一較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡的結(jié)構(gòu)的 示意圖。本發(fā)明較佳實(shí)施例的CIS電路測試探針卡200包含一光學(xué)組件210、一剛性結(jié)構(gòu) 220以及一基板230。光學(xué)組件210包含一第一固定環(huán)101、一鏡筒102、一凸透鏡103、一凹透鏡104、一 凸透鏡105、一復(fù)眼(ommateum) 106以及一第二固定環(huán)107。凸透鏡103、凹透鏡104、凸透 鏡105以及復(fù)眼106藉由第一固定環(huán)101與第二固定環(huán)107固定于鏡筒102內(nèi)。復(fù)眼106具有多個(gè)突出區(qū)域,突出區(qū)域的幾何配置是根據(jù)一待測晶圓的幾何配置 而設(shè)置。突出區(qū)域是用以增加投射至待測晶圓的每一 CIS晶片195的光線強(qiáng)度。光學(xué)組件210可在由光源發(fā)出的一光線投射至基板230前,準(zhǔn)直該光線。相比較 于將準(zhǔn)直器設(shè)置于光源鄰近的傳統(tǒng)技術(shù),藉由使用光學(xué)組件210可以明顯改善投射至基板 230的光線的發(fā)散。明顯地,當(dāng)光線被高度準(zhǔn)直后,可以減少不同的CIS晶片的入射角的不同。剛性結(jié)構(gòu)220設(shè)置于光學(xué)組件210與基板230間,藉以增強(qiáng)CIS電路測試探針卡 200的剛性,使得CIS電路測試探針卡200可應(yīng)用于低溫環(huán)境、室溫環(huán)境或高溫環(huán)境。基板230包含一電路板109、一結(jié)合環(huán)110、一上導(dǎo)引板111、一間隔板112、一下導(dǎo) 引板114以及多個(gè)探針231。間隔板112設(shè)置于上導(dǎo)引板111與下導(dǎo)引板114之間,藉以 使上導(dǎo)引板111與下導(dǎo)引板114之間保持一適當(dāng)距離。探針231組合于上導(dǎo)引板111與下 導(dǎo)引板114。上導(dǎo)引板111與下導(dǎo)引板114分別具有多個(gè)小孔洞,這些孔洞的幾何配置是 根據(jù)待測晶圓的幾何配置而設(shè)置。每一探針231設(shè)置于相對應(yīng)的小孔洞附近。結(jié)合環(huán)110 是用以將電路板109、上導(dǎo)引板111、間隔板112、下導(dǎo)引板114以及多個(gè)探針231等固定在 一起。在不跨越其他CIS晶片195的狀況下,每一探針2 可由基板230延伸至CIS晶片 195的焊墊。探針在CIS晶片上產(chǎn)生陰影的風(fēng)險(xiǎn)可有效降低。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對 以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種CIS電路測試探針卡,其特征在于其包含一基板,該基板具有至少一孔洞以及至少一探針,每一該探針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞 附近;以及一光學(xué)組件,該光學(xué)組件設(shè)置于該基板的鄰近區(qū)域,該光學(xué)組件在一光線投射至該基 板前,準(zhǔn)直該光線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中所述的光學(xué)組件具有 一朝向該光線的光源的第一凸面以及一朝向該基板的第二凸面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中所述的光線投射至該 基板的截面積大于該至少一孔洞的截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中所述的光學(xué)組件直接 接觸該基板,使得被準(zhǔn)直的該光線藉由該光學(xué)組件而傳導(dǎo),且該光線立刻進(jìn)入該至少一孔 洞。
5.一種CIS電路測試探針卡,其特征在于其包含一基板,該基板具有多個(gè)孔洞以及多個(gè)探針,每一該探針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞附近, 其中,該些孔洞與該些探針的幾何配置是根據(jù)一待測晶圓的幾何配置而設(shè)置,該晶圓具有 多個(gè)CIS晶片,每一該CIS晶片具有一感光區(qū)域與圍繞該感光區(qū)域設(shè)置的至少一焊墊,每一 該孔洞位于相對應(yīng)的該CIS晶片上方,并且每一該探針皆不跨越該感光區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中每一該孔洞完全涵蓋 相對應(yīng)的該CIS晶片的該感光區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中對應(yīng)不同的該CIS晶 片的不同的該探針位于該基板的不同部分,每一該部分與其他該部分不重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中每一該探針為眼鏡蛇 式探針。
9.一種CIS電路測試探針卡,其特征在于其包含一基板,該基板具有至少一孔洞以及至少一探針,每一該探針設(shè)置于相對應(yīng)的該孔洞 附近;以及一光學(xué)組件,該光學(xué)組件具有一復(fù)眼,其中,該復(fù)眼具有多個(gè)突出區(qū)域,該突出區(qū)域的 幾何配置是根據(jù)一待測晶圓的幾何配置而設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的CIS電路測試探針卡,其特征在于其中所述的基板具有多個(gè) 該孔洞以及多個(gè)該探針,該些孔洞與該些探針的幾何配置是根據(jù)該待測晶圓的幾何配置而設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種CIS電路測試探針卡。本發(fā)明的CIS電路測試探針卡的一方面是通過將一光學(xué)組件設(shè)置于此CIS電路測試探針卡的基板鄰近區(qū)域,用以在一光線投射至此CIS電路測試探針卡的基板之前,準(zhǔn)直該光線,來有效地改善由光線投射至晶圓的均勻性不足(光線發(fā)散)。本發(fā)明的CIS電路測試探針卡的另一方面是通過改變CIS電路測試探針卡的孔洞以及探針的幾何配置,使CIS電路測試探針卡具有小孔洞,并以一對一的方式對應(yīng)于CIS晶片,使得每一小孔洞設(shè)置于一相對應(yīng)的CIS晶片上方,從而使探針在CIS晶片的感光區(qū)域產(chǎn)生陰影的風(fēng)險(xiǎn)可以有效降低。
文檔編號G01R1/067GK102043072SQ20091024626
公開日2011年5月4日 申請日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月14日
發(fā)明者洪乾耀 申請人:漢民測試系統(tǒng)股份有限公司