專利名稱：用于感測(cè)檢測(cè)元件電流和/或該檢測(cè)元件中的溫度的電子電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的電子電路裝置、用于電流感測(cè)的方 法、用于感測(cè)溫度的方法以及該電路裝置在機(jī)動(dòng)車中的使用。
背景技術(shù)：
在電子制動(dòng)控制器領(lǐng)域，通過半導(dǎo)體開關(guān)元件以鐘控(clocked)方式(PWM致 動(dòng))來致動(dòng)諸如氣門(valve)線圈或泵馬達(dá)之類的感性負(fù)載(inductive load)。需要建立適 宜的負(fù)載致動(dòng)電路，使得在再循環(huán)階段中產(chǎn)生的續(xù)流(freewheeling)電流基于負(fù)載電感而 流動(dòng)。為了該目的，半導(dǎo)體開關(guān)元件具有續(xù)流二極管。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有利的是，至少在再循 環(huán)階段期間如果超過了限定的續(xù)流電流，則將半導(dǎo)體開關(guān)元件切換到低阻抗，作為其結(jié) 果，PWM的電切換損失將保持相對(duì)較低。為了能夠?qū)崿F(xiàn)該類型的有源續(xù)流元件，需要確定用于實(shí)現(xiàn)續(xù)流元件的續(xù)流二極 管中或在檢測(cè)元件中的電流。此外，經(jīng)常需要感測(cè)電子電路中的檢測(cè)元件(特別地，續(xù)流二極管)中的溫度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提出一種用于感測(cè)通過檢測(cè)元件的檢測(cè)元件電流和/或所述檢 測(cè)元件中的溫度的電子電路裝置，該目的的意圖為相對(duì)廉價(jià)。本發(fā)明通過根據(jù)權(quán)利要求1的電子電路裝置和根據(jù)權(quán)利要求15和16的方法來實(shí) 現(xiàn)該目的。替代地，第一和第二晶體管元件的形式為雙極晶體管元件或FET，特別地， JFET。優(yōu)選地，感測(cè)通過所述檢測(cè)元件的檢測(cè)元件電流被理解為對(duì)所述檢測(cè)元件電流 的測(cè)量，特別是當(dāng)基本上了解所述檢測(cè)元件的溫度時(shí)，和/或當(dāng)所述檢測(cè)元件電流超過 限定的電流閾值時(shí)進(jìn)行感測(cè)。優(yōu)選地，感測(cè)檢測(cè)元件中的溫度被理解為對(duì)溫度的測(cè)量，特別是當(dāng)基本上了解 檢測(cè)元件電流時(shí)，和/或當(dāng)超過所述檢測(cè)元件中的限定的溫度閾值時(shí)進(jìn)行感測(cè)。優(yōu)選地，電流/電壓特性還被理解為示出了電流和/或電壓的溫度依賴性的特性 或多種特性，并因此包括一段溫度依賴性信息。所述電子電路裝置優(yōu)選提供電評(píng)估信號(hào)作為跨所述檢測(cè)元件的電壓的“放大” 測(cè)量電流。所述檢測(cè)元件優(yōu)選為半導(dǎo)體部件，特別地，F(xiàn)ET的體效應(yīng)二極管(bulk diode)或
體二極管。優(yōu)選地，所述檢測(cè)元件的形式為設(shè)置在具有感性負(fù)載的公共電路網(wǎng)中的續(xù)流二 極管，并且所述感應(yīng)性負(fù)載的形式特別地為氣門線圈和/或馬達(dá)，特別優(yōu)選地為泵馬達(dá)的形式。替代地，所述檢測(cè)元件的形式優(yōu)選為極性反轉(zhuǎn)保護(hù)二極管。在該情況下，特別 地，旨在通過根據(jù)本發(fā)明的電路裝置感測(cè)其溫度和/或可能的短路電流。優(yōu)選地，所述檢測(cè)元件的形式為有源續(xù)流元件，特別地，用于感性負(fù)載。優(yōu)選地，第一和第二晶體管元件每一個(gè)的發(fā)射極連接和源極連接被連接到所述 檢測(cè)元件，并且所述電評(píng)估信號(hào)特別地為評(píng)估電流，其安培值至少?gòu)耐ㄟ^所述第二晶體 管元件放大的所述檢測(cè)元件電流的一部分來獲得。在該情況下，評(píng)估電流特別優(yōu)選地為 所述第二晶體管元件的集電極電流或漏極電流。優(yōu)選地，跨所述檢測(cè)元件的電壓降通過所述第一和第二晶體管元件而鏡像映射 在鏡像電阻器上，使得所述鏡像電阻器基本上具有跨其自身的與所述檢測(cè)元件相同的電
壓量值。優(yōu)選地，所述第一和第二晶體管元件均通過用于解耦合的二極管元件被連接到 所述檢測(cè)元件，其中特別地在每一種情況下所述二極管元件沿從所述檢測(cè)元件到所述第 一和第二晶體管元件的方向處于阻斷形式或布置。特別優(yōu)選地，所述二極管元件為二極 管的形式或?yàn)榫w管元件的二極管路徑的形式，其中特別優(yōu)選地，所述二極管元件彼此 熱耦合。優(yōu)選地，所述檢測(cè)元件的形式為半導(dǎo)體開關(guān)元件或半導(dǎo)體開關(guān)元件的一部分， 特別地，所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的形式為電子脈寬調(diào)制氣門致動(dòng)電路中的再循環(huán)路徑的驅(qū) 動(dòng)器元件。優(yōu)選地，所述評(píng)估信號(hào)被提供到致動(dòng)所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的致動(dòng)電路。特別 地，所述致動(dòng)電路包括觸發(fā)器，特別優(yōu)選地，RS型觸發(fā)器。優(yōu)選地，所述致動(dòng)器基于所述評(píng)估信號(hào)和/或通過所述感性負(fù)載的負(fù)載電流來 致動(dòng)有源承載續(xù)流電流的所述半導(dǎo)體開關(guān)元件。在該情況下，特別地，當(dāng)超過限定的檢 測(cè)元件電流和/或通過所述感性負(fù)載的限定的負(fù)載電流時(shí)，開啟所述半導(dǎo)體開關(guān)元件。有利地，所述致動(dòng)電路包括保持電路和重設(shè)電路。在該情況下，特別地，當(dāng) 超過限定的檢測(cè)元件電流時(shí)，所述保持電路將所述評(píng)估信號(hào)的至少一部分直接或間接施 加到所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的控制連接或基極或柵極連接并開啟所述半導(dǎo)體開關(guān)元件。此 外，在已經(jīng)超過限定的檢測(cè)元件電流時(shí)，由電子自保持電路保持所述開啟狀態(tài)。特別優(yōu) 選地，所述重設(shè)電路的形式使其可以特別優(yōu)選地通過將所述自保持電路的至少一部分連 接到接地，和/或?qū)⒔拥仉妱?shì)和/或限定的電勢(shì)施加到所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的所述控制連 接，來結(jié)束所述狀態(tài)保持，結(jié)果，所述半導(dǎo)體開關(guān)元件被關(guān)斷。有利地，通過PWM開啟信號(hào)和/或PWM關(guān)斷信號(hào)或基于PWM調(diào)整的PWM 控制信號(hào)來致動(dòng)所述致動(dòng)電路，其中特別地，在開啟階段的開始之前不久，或在再循環(huán) 階段的結(jié)束之前不久，通過所述PWM開啟信號(hào)致動(dòng)所述重設(shè)電路，結(jié)果，所述保持電路 的保持狀態(tài)被終結(jié)。這防止了如果在之前的再循環(huán)階段中超過了限定的檢測(cè)元件電流或 續(xù)流電流時(shí)，在開啟階段開始時(shí)通過所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的短路的可能，因此為了有源 續(xù)流的目的，所述半導(dǎo)體開關(guān)元件已經(jīng)被所述致動(dòng)電路開啟。優(yōu)選地，通過電流調(diào)整器致動(dòng)所述感性負(fù)載，其中所述負(fù)載電流通過階降 (step-down)控制器被降低到低于所述負(fù)載的電源電壓的電壓電勢(shì)。
優(yōu)選地，所述階降控制器包括DC/DC轉(zhuǎn)換器，其使用鐘控級(jí)來充電能量存儲(chǔ) 器，特別地，線圈或電容器。優(yōu)選地，所述第一和第二晶體管元件彼此熱耦合。優(yōu)選地，所述電子電路裝置至少部分地為分立電路的形式或替代地，優(yōu)選至少 部分地為集成電路的形式。本發(fā)明還涉及該電子電路裝置在機(jī)動(dòng)車中的使用，特別地，在電子制動(dòng)控制器 或底盤控制器或用于主動(dòng)或被動(dòng)安全系統(tǒng)的控制器或這些控制器的組合中的使用。


通過參考附圖，可以在子權(quán)利要求和下列示例性實(shí)施例的描述中找到優(yōu)選實(shí)施 例，示意性地圖1示出了鐘控階降控制器；圖2示出了具有MOSFET的無源續(xù)流元件；圖3示出了用于感測(cè)續(xù)流電流的示例性電路裝置；圖4示出了具有致動(dòng)電路的電路裝置的示例性實(shí)施例；圖5和6示出了使用極性反轉(zhuǎn)保護(hù)二極管作為檢測(cè)元件的兩個(gè)示例性電路裝置； 以及圖7示出了對(duì)于基本上穩(wěn)定流動(dòng)的檢測(cè)元件電流，用于電流測(cè)量和/或過電流識(shí) 別的示例性電路裝置。
具體實(shí)施例方式圖1中的示例性階降控制器包括具有線圈Ll作為能量存儲(chǔ)或感性負(fù)載的鐘控 DC/DC階降轉(zhuǎn)換器。使用交替開啟和關(guān)斷的半導(dǎo)體開關(guān)Ml進(jìn)行鐘控。關(guān)斷和開啟開 關(guān)Ml和適宜地選擇切換頻率可以將線圈Ll充電到希望的電壓。當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，線圈通 過連接的負(fù)載Rl放電，作為線圈Ll放電的結(jié)果，電流通過續(xù)流二極管D3流動(dòng)。在線 圈的下游與負(fù)載并聯(lián)地設(shè)置有電容器C，用于以與二階低通濾波器相似的方式平滑周期 線圈電流。在圖2的示例性電路配置中，來自感性負(fù)載Ll的續(xù)流電流流過阻性負(fù)載Rl并通 過半導(dǎo)體開關(guān)元件FET1，F(xiàn)ETl包括從源極連接S到漏極連接D的體效應(yīng)二極管或續(xù)流 二極管D3。柵極連接G被連接到參考接地電勢(shì)(GND，“0”)。示例的電路或多或少 地自動(dòng)操作，因?yàn)榭缲?fù)載Li、Rl的電壓與參考接地電勢(shì)相比足夠高，從而可以開啟體效 應(yīng)二極管D3并由此允許續(xù)流。然而，圖2示出的電路設(shè)置具有一些缺點(diǎn)。例如，跨檢 測(cè)元件D3的電壓降仍然很高。圖3示例了電子電路裝置的示例性實(shí)施例，根據(jù)實(shí)例，其被用于感測(cè)通過檢測(cè) 元件D3的續(xù)流電流或檢測(cè)電流iD3。檢測(cè)元件D3的形式為半導(dǎo)體體開關(guān)元件FETl (其形 式為MOSFET)的體效應(yīng)二極管或續(xù)流二極管。FETl用作脈寬調(diào)制氣門致動(dòng)電路的再循 環(huán)路徑的功率驅(qū)動(dòng)器，其中感性負(fù)載Ll和阻性負(fù)載Rl示意性地示出了氣門的電響應(yīng)。 在PWM的開啟階段中，F(xiàn)ETl關(guān)斷，端子C和接地連接“0”之間具有在其間施加的用 于操作氣門Li、Rl的電源電壓。在PWM的再循環(huán)階段，電源電壓未施加到端子C，在感性負(fù)載Ll中存儲(chǔ)的能量驅(qū)動(dòng)沿續(xù)流二極管或檢測(cè)元件D3的正向方向的電流通過電路 網(wǎng)(mesh)Ll、RU FET1。根據(jù)實(shí)例，這樣實(shí)現(xiàn)有源續(xù)流元件，感測(cè)檢測(cè)元件電流iD3， 并且當(dāng)超過了限定的閾值電流時(shí)，通過連接到FETl的柵極連接的端子B上的限定的電勢(shì) 來開啟半導(dǎo)體開關(guān)元件FET1。為了感測(cè)檢測(cè)元件電流iD3，電路裝置的示例性實(shí)施例具 有第一和第二晶體管元件Ql和Q2，其形式分別為雙極晶體管并且彼此熱耦合，并且每 一個(gè)雙極晶體管均具有連接到檢測(cè)元件D3的發(fā)射極連接。這些晶體管元件Ql和Q2控 制和基極連接通過鏡像電阻器R2彼此耦合。第一晶體管元件Ql的基極連接具有通過電 阻器元件R3施加的輔助電壓Ub。第一晶體管元件Ql的基極連接和集電極連接被短路， 使得僅使用第一晶體管元件Ql的基極/發(fā)射極二極管。當(dāng)存在大于OA的檢測(cè)電流iD3， 或存在相對(duì)于連接到接地連接的半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl的源極連接S的電勢(shì)來說，由感性 負(fù)載Ll在半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl的漏極連接D上產(chǎn)生的負(fù)電勢(shì)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生例如0.6V的跨 第一和第二晶體管元件Ql、Q2的基極/發(fā)射極二極管的電壓降，其具有基本上相同的量 值或是對(duì)稱的。在該情況下，第一和第二晶體管元件Ql、Q2將跨檢測(cè)元件D3的電壓 降Ud3鏡像映射到鏡像電阻器R2上，使得在該R2上或跨R2產(chǎn)生量值相同的電壓降|Udlfl] = |UD3|?；谶@些電勢(shì)比率，在第二晶體管元件Q2的集電極連接上產(chǎn)生作為電評(píng)估信 號(hào)的評(píng)估電流io22。在該情況下，評(píng)估電流!。③為通過第二晶體管元件Q2放大的電流， 并直接依賴于檢測(cè)元件電流iD3和第二晶體管元件Q2的增益因子，并且在再循環(huán)的情況下 還依賴于跨檢測(cè)元件D3的電壓DD3。端子A通過連接到端子A和B的致動(dòng)電路(未示 出)來獲得評(píng)估電流io22。依賴于評(píng)估電流io22的值，根據(jù)該實(shí)例，該致動(dòng)電路基于限定 的電流閾值被超過或者未達(dá)到(undershoot)而在端子B上提供電勢(shì)，該電勢(shì)在閾值被超過 時(shí)開啟半導(dǎo)體開關(guān)元件或功率驅(qū)動(dòng)器FET1，否則令其關(guān)斷。二極管元件Dl和D2以示 出的形式將第一和第二晶體管元件Ql、Q2與半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl解耦合。根據(jù)該實(shí) 例，為了對(duì)稱，晶體管元件Ql和Q2具有相同的設(shè)計(jì)。評(píng)估電流iCQ2需要低于或高于一電流閾值以便可以通過致動(dòng)電路開啟半導(dǎo)體開 關(guān)元件FET1，該電流閾值基本上依賴于鏡像電阻器R2的電阻值。為了確定或測(cè)量檢測(cè) 元件電流，作為實(shí)例，需要考慮評(píng)估電流ic^的值、與第二晶體管Q2的電流/電壓特性 或增益因子有關(guān)的至少一段信息、以及與檢測(cè)元件的電流/電壓特性有關(guān)的至少一段信 肩、ο圖4示出了基于圖3示例的電路裝置的包括致動(dòng)電路1的示例性電子電路裝置。 在該情況下，致動(dòng)電路1包括保持電路2和重設(shè)電路3。第二晶體管元件Q2驅(qū)動(dòng)評(píng)估電 流iCQ2，該評(píng)估電流iCQ2依賴于檢測(cè)元件電流iD3、Q2的增益因子以及跨鏡像電阻器R2的 電壓降Ddlfr。如果評(píng)估電流^⑦或檢測(cè)元件電流“超過限定的值，致動(dòng)電路1促使通過 半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl的有源續(xù)流，這是借由評(píng)估電流ieQ2或由此在晶體管元件Q4的控 制連接上設(shè)定的電勢(shì)促使晶體管元件Q4開啟，進(jìn)而促使輔助電壓Ub或基于R5被施加到 半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl的柵極連接并使其開啟的Ub。該電勢(shì)還開啟晶體管Q5，其確保 在Q4的控制連接或基極連接上的限定的最小電勢(shì)，這保持FETl的開啟，而不管評(píng)估電 流iCQ2如何。具有晶體管元件Q4和Q5的該保持電路2可以通過重設(shè)電路3而被重設(shè)或
“釋放”或“擦除”。這通過以下方式而至少發(fā)生在再循環(huán)階段的結(jié)束或PWM的開啟 階段的開始，即，根據(jù)實(shí)例，由PWM開啟信號(hào)Uject(該信號(hào)Uject為來自PWM調(diào)整的方波信號(hào))致動(dòng)重設(shè)電路3的晶體管元件Q3，然后在開啟階段的開始之前不久或直接 在開始時(shí)，通過向半導(dǎo)體開關(guān)元件的柵極連接施加接地電勢(shì)而將該半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl 帶入關(guān)斷狀態(tài)。替代地，例如，可以為了模擬的電流估計(jì)或電流測(cè)量或純數(shù)字電流檢測(cè)的目 的，來評(píng)估評(píng)估電流ic^。圖4中的電路裝置示出了致動(dòng)電路1，其根據(jù)實(shí)例的形式為具 有晶體管元件Q3、Q4和Q5的使用RS型觸發(fā)器(其優(yōu)選為分立設(shè)計(jì))的數(shù)字電流評(píng)估 元件。圖5和6示出了電路裝置的兩個(gè)示例性實(shí)施例，其中，檢測(cè)元件D4分別為極性 反轉(zhuǎn)保護(hù)二極管的形式。該極性反轉(zhuǎn)保護(hù)二極管D4的輸入被連接到第一晶體管Ql的發(fā) 射極連接和第二晶體管Q2的發(fā)射極連接，Ql和Q2的基極通過鏡像電阻R2彼此連接， 當(dāng)存在沿其正向方向跨極性反轉(zhuǎn)保護(hù)二極管D4的電壓Ud4時(shí)，跨電阻R2存在相同量值 的電壓降Ddlfr。在圖5中，第二晶體管元件Q2驅(qū)動(dòng)作為評(píng)估電流的集電極電流，該電流 被提供于端子Sig。在圖6中，第一晶體管元件Ql的集電極驅(qū)動(dòng)該評(píng)估電流。為了確 定流過檢測(cè)元件的檢測(cè)元件電流或?yàn)榱舜_定檢測(cè)元件中的溫度，根據(jù)實(shí)例，在評(píng)估電路 (未示出)中考慮通過端子Sig獲取的評(píng)估電流。在該情況下，還應(yīng)考慮極性反轉(zhuǎn)保護(hù)二 極管D4和驅(qū)動(dòng)評(píng)估電流的晶體管元件Ql或Q2的部件特性。例如，為了確定溫度，應(yīng) 該有與電流有關(guān)的至少一段信息，反之亦然。圖7示出了示例性電路裝置，其中半導(dǎo)體開關(guān)元件FETl和檢測(cè)元件D3形成了 極性反轉(zhuǎn)保護(hù)元件，并且檢測(cè)元件電流iD3或通過FETl的電流的形式為基本上恒定的補(bǔ) 償電流。根據(jù)該實(shí)例的電路設(shè)置(其是根據(jù)圖3示出的電路裝置而附帶設(shè)計(jì)的)被用于 測(cè)量通過檢測(cè)元件D3的電流，和/或進(jìn)行過電流識(shí)別或短路電流識(shí)別。
權(quán)利要求
1.一種用于感測(cè)通過檢測(cè)元件(D3、D4)的檢測(cè)元件電流(iD3)和/或所述檢測(cè)元件 (D3、D4)中的溫度的電子電路裝置，其中所述檢測(cè)元件(D3、D4)的第一連接被連接 到第一晶體管元件(Ql)，所述檢測(cè)元件(D3、D4)的第二連接被連接到第二晶體管元件 (Q2),其特征在于，所述第一和第二晶體管元件(Ql、Q2)的基極連接直接或間接地彼 此連接，以及所述第二晶體管元件(Q2)提供和/或調(diào)制電評(píng)估信號(hào)(ieQ2)，所述電評(píng)估 信號(hào)的信號(hào)值直接或間接至少依賴于所述檢測(cè)元件電流(iD3)和/或所述檢測(cè)元件(D3、 D4)中的所述溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路裝置，其特征在于，所述檢測(cè)元件(D3、D4)為半導(dǎo)體部 件，特別地，F(xiàn)ET(FETl)的體效應(yīng)二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的電路裝置，其特征在于，所述檢測(cè)元件(D3)的形式為設(shè)置在具 有感性負(fù)載(Li)的公共電路網(wǎng)中的續(xù)流二極管，所述感性負(fù)載(Li)的形式特別地為氣門 線圈和/或馬達(dá)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，所述第一和第二晶 體管元件(Ql、Q2)每一個(gè)的發(fā)射極連接被連接到所述檢測(cè)元件(D3、D4)，以及所述電 評(píng)估信號(hào)Go22)特別地為評(píng)估電流，該評(píng)估電流的安培值至少?gòu)耐ㄟ^所述第二晶體管元件 (Q2)放大的所述檢測(cè)元件電流(iD3)的一部分來獲得。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，跨所述檢測(cè)元件 (D3、D4)的電壓降(UD3、UD4)通過所述第一和第二晶體管元件(Ql、Q2)而被鏡像映射 在鏡像電阻器(R2)上，使得所述鏡像電阻器(R2)具有跨其自身的與所述檢測(cè)元件(D3、 D4)相同的電壓量值(Udlfl)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，所述第一和第二晶 體管元件(Ql、Q2)均通過用于解耦合的二極管元件(Dl、D2)被連接到所述檢測(cè)元件 (D3、D4)，其中特別地在每一種情況下所述二極管元件(Dl、D2)沿從所述檢測(cè)元件 (D3、D4)到所述第一和第二晶體管元件(Ql、Q2)的方向處于阻斷形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路裝置，其特征在于，所述二極管元件(Dl、D2)每一個(gè)為二 極管的形式或?yàn)榫w管元件的二極管路徑的形式，其中所述二極管元件(Dl、D2)彼此耦 合，特別為熱耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，所述檢測(cè)元件(D3) 的形式為半導(dǎo)體開關(guān)元件或半導(dǎo)體開關(guān)元件(FETl)的一部分，所述半導(dǎo)體開關(guān)元件的形 式為電子脈寬調(diào)制氣門致動(dòng)電路中的再循環(huán)路徑的驅(qū)動(dòng)器元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電路裝置，其特征在于，所述評(píng)估信號(hào)(ieQ2)被提供到致動(dòng)所述 半導(dǎo)體開關(guān)元件(FETl)的致動(dòng)電路(1)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的電路裝置，其特征在于，所述致動(dòng)電路(1)包括觸發(fā)器，特別 地，RS型觸發(fā)器。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10的電路裝置，其特征在于，所述致動(dòng)電路(1)包括保持電路 ⑵和重設(shè)電路(3)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9到11中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，所述致動(dòng)電路(1) 基于PWM調(diào)整的PWM開啟信號(hào)(U_rect)和/或PWM關(guān)斷信號(hào)來致動(dòng)，其中所述重設(shè) 電路(3)特別地通過所述PWM開啟信號(hào)(U_reCt)致動(dòng)，該致動(dòng)結(jié)束所述保持電路的保持狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求3到12中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，通過電流調(diào)整器致 動(dòng)所述感性負(fù)載(Li)，其中所述負(fù)載電流通過階降控制器被降低到低于電源電壓的電壓 電勢(shì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到13中的至少一項(xiàng)的電路裝置，其特征在于，所述第一和第二晶 體管元件(Ql、Q2)彼此熱耦合。
15.一種用于在根據(jù)權(quán)利要求1到14中的至少一項(xiàng)的電子電路裝置中進(jìn)行電流感測(cè)的 方法，其特征在于，在電子控制單元和/或所述電路裝置中可獲得與所述檢測(cè)元件(D3、 D4)中的溫度有關(guān)的第一信息段和與所述檢測(cè)元件的電流/電壓特性有關(guān)的至少一個(gè)第二 信息段，以及其特征在于，使用所述評(píng)估信號(hào)(ieQ2)的信號(hào)值和至少所述第一和第二信息 段來直接或間接確定所述檢測(cè)元件電流(iD3)。
16.一種用于在根據(jù)權(quán)利要求1到14中的至少一項(xiàng)的電子電路裝置中進(jìn)行溫度感測(cè)的 方法，其特征在于，在電子控制單元和/或所述電路裝置中可獲得與通過所述檢測(cè)元件 (D3、D4)的所述檢測(cè)元件電流(iD3)有關(guān)的第一信息段和與所述檢測(cè)元件的電流/電壓 特性有關(guān)的至少一個(gè)第二信息段，以及其特征在于，使用所述評(píng)估信號(hào)(ieQ2)的信號(hào)值和 至少所述第一和第二信息段來直接或間接確定所述檢測(cè)元件(D3、D4)中的所述溫度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1到14中的至少一項(xiàng)的電子電路裝置在機(jī)動(dòng)車中的使用，特別地， 在電子制動(dòng)控制器或底盤控制器或用于主動(dòng)或被動(dòng)安全系統(tǒng)的控制器或這些控制器的組 合中的使用。
全文摘要
一種用于感測(cè)通過檢測(cè)元件(D3、D4)的檢測(cè)元件流(iD3)和/或所述檢測(cè)元件(D3、D4)中的溫度的電子開關(guān)裝置，其中所述檢測(cè)元件(D3、D4)的第一連接被連接到第一晶體管元件(Q1)，所述檢測(cè)元件(D3、D4)的第二連接被連接到第二晶體管元件(Q2)，其中，所述第一和第二晶體管元件(Q1、Q2)的基極連接直接或間接地彼此連接，所述第二晶體管元件(Q2)提供和/或調(diào)制電評(píng)估信號(hào)(iCQ2)，所述電評(píng)估信號(hào)的信號(hào)值直接或間接至少依賴于所述檢測(cè)元件流(iD3)和/或所述檢測(cè)元件(D3、D4)中的所述溫度。
文檔編號(hào)G01D3/028GK102016510SQ200980103134
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月25日
發(fā)明者M·庫(kù)茨納, T·翁格爾 申請(qǐng)人:大陸-特韋斯貿(mào)易合伙股份公司及兩合公司