專利名稱：檢測系統(tǒng)與方法
技術領域：
本發(fā)明尤其涉及診斷學領域的檢測系統(tǒng)和方法。
背景技術：
檢測系統(tǒng)一個實例基于在試樣中產(chǎn)生熒光輻射，所述熒光輻射可檢測以分析試樣成分，使用熒光檢測的一個實例是核酸測試(NAT)。對于檢測疾病的遺傳傾向性、確定RNA 表達水平，或?qū)θ缫鸶腥镜募毦筒《镜炔≡w進行鑒別，這是分子診斷學的核心要素。 這種生物傳感方法也可用于檢測其它被分析物，如(治療或濫用)藥物，或如血液、尿液或唾液等體液內(nèi)的疾病標志物。熒光檢測可用于定性或定量地確定試樣(例如DNA、蛋白質(zhì)或藥物)中特殊靶標被分析物的存在。本發(fā)明涉及用于檢測熒光的儀器及其使用方法。使用例如固化或未固化抗體用于特定附著、捕獲以及甚至隔離這種靶標的化學或生物測定方法的許多實例通常如1998年第五版Immunology (ISBN0723^9189)手冊所已知，例如見第6章929。這方面常使用所謂競爭式與夾心式測定。在典型的分子診斷實驗中，篩選生物試樣用于檢測特定生物成分(“靶標”)，如基因或蛋白質(zhì)，后者通常提供特定疾病的標志物。這通過對靶標選擇性附著(如已知為雜交)到如抗體等捕獲探針的出現(xiàn)情況進行檢測而完成。典型地，雜交步驟之后是清洗步驟，該步驟中所有未附著靶標分子被清洗，最終執(zhí)行檢測步驟。通常地在檢測前利用復制相進行DNA或RNA檢測。在該復制相，試樣內(nèi)僅少量存在的待檢測DNA或RNA被大量復制以便于可靠檢測。由于，復制步驟耗用時間和能量，低檢測邊界是重要的。本發(fā)明儀器用于該方面。有兩種普通的檢測方法均相測試(在溶液中)和非均相測試(在表面上)。非均相測試使用較為廣泛有若干原因，其中最重要的是它們允許使用特殊的表面敏感技術， 獲得更為敏感的檢測。所述檢測基于對附連到靶標分子的熒光標簽進行熒光檢測。熒光檢測需非常靈敏，且對于均相測試，所述檢測須具有表面特異性以使得生物背景減至最小。理想地，熒光檢測需能夠單獨進行熒光標簽檢測，而保持其過程具有時效。捕獲探針采用圖案樣式允許多重檢測(即同時檢測多個不同的靶標)。這種非均相檢測的主要缺點，即表面固化捕獲免疫測定，是被分析物需要擴散并附著到表面，這通常為分析中的速度限制步驟。具有表面固化捕獲探針的磁性珠粒常用于從溶液中提取如上述被分析物等成分。 所述珠粒可由外部磁體拉向表面。在第二步驟中，通過取消磁性吸引，可將所述珠粒再分散到淡水溶液中。致動力取決于磁場強度和珠粒磁性體積。磁性珠粒也可用作標簽。靶標分子存在的靈敏度檢測可基于磁性珠粒所產(chǎn)生信號 (基于光學、電氣或磁性特性)或附連到磁性珠粒的任一其它標簽所產(chǎn)生的信號。利用光學檢測的磁性致動的目前實施方案檢測以斜角進入的激發(fā)光束的衰減。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人已認識到在目前實施的前述方案中，具有噪聲限度的較大信號的較小變化需要檢測。從檢測附著標簽所發(fā)射的發(fā)光可以獲得增強靈敏度。為進行即用型應用中必須的快速并有效的檢測，不僅靈敏檢測是重要的，緊湊構造也極為重要，因為這種設備須在混雜場合下和/或由個人進行操作。于是當涉及適用于即護型使用的設備時，對改善光學讀取與磁性致動的結合有實際構造性限制。本發(fā)明目的之一是提供至少部分消除前述問題的檢測系統(tǒng)。本發(fā)明由附屬權利要求所限定。附屬權利要求提供有利的實施例。根據(jù)本發(fā)明的裝置能夠利用已捕獲靶標向檢測表面的磁性致動位移，在檢測表面選擇性激發(fā)這些捕獲靶標并檢測激發(fā)響應以獲知靶標存在。該表面局部激發(fā)賦予增強的表面特異性，可使檢測中獲得增強靈敏度。本發(fā)明將表面檢測的優(yōu)點與將靶標帶到所述表面的簡單低成本磁性系統(tǒng)結合。磁性系統(tǒng)提供高速輸送機制。此外，激發(fā)與檢測均在檢測表面一側進行，可獲得設備的緊湊構造。相應地，通過提供固定的磁體和輻射導引系統(tǒng)，所述設備可制成為低成本緊湊布置。磁性致動可有效地吸引珠粒朝向(上方集中)以及遠離(清洗)所述表面，而珠粒尺寸確?？僧a(chǎn)生強輻射信號。在一個實施例中，激發(fā)輻射為瞬逝的，其優(yōu)點是檢測表面處具有增強的激發(fā)選擇性。磁場導引裝置優(yōu)選地被提供以用于將磁場從磁體聚焦到分析區(qū)域。這使得磁體位于遠離分析區(qū)域處，使得有足夠空間用于磁體、激發(fā)源和檢測器。磁場導引裝置可布置為馬蹄型構形(基本為線型布置)，使所采集輻射向下通過場導引器中心傳到檢測器。這提供緊湊布置。輻射耦合裝置則可提供激發(fā)輻射到馬蹄型場導引裝置的中央開口上方的分析區(qū)域，并且其具有用于將輻射聚焦到分析區(qū)域以在試樣中產(chǎn)生瞬逝輻射的輻射耦合裝置。輻射耦合裝置也可再用于將所采集輻射聚焦到檢測器，且輻射耦合裝置可包括分光器用于為所采集輻射和激發(fā)輻射提供不同輻射通路。這提供緊湊的激發(fā)與檢測組合輻射系統(tǒng)，部分地置于環(huán)形磁場導引器中心之內(nèi)。替代地，所述檢測器可安裝在磁體裝置的頂部表面。替代地，檢測器和磁體裝置可并排在載體上，其中所述載體可在磁性致動位置與檢測位置之間移動。這可增強圖像質(zhì)量。所述致動器在測定過程中將僅需掃描少量次數(shù)。通常，檢測器優(yōu)選地包括輻射聚焦裝置。在一個布置中，輻射聚焦裝置包括輻射導弓I器。所述檢測器可包括輻射帶通或高通濾波器，以將背景噪聲從所檢測的輻射信號中除去。在另一布置中，輻射耦合裝置包括與激發(fā)輻射源相聯(lián)的輻射耦合裝置，以便將激發(fā)輻射相對于檢測表面成銳角(或如果平行于基底表面，則平行于基底表面)引導到分析區(qū)域，使得檢測表面提供全內(nèi)反射。該全內(nèi)反射在試樣中提供瞬逝波。所述銳角意指接近分析區(qū)域的輻射通路不占用較大深度，使得磁體可保持接近分析區(qū)域。所述檢測有效地限于檢測表面之上的薄層。在另一布置中，輻射耦合裝置包括與試樣接觸的檢測表面處的瞬逝輻射導引器， 再次將激發(fā)限于在檢測表面近旁或其上的非常薄的試樣層。激發(fā)輻射可在距檢測表面一定距離處以及由此從磁體與輻射耦合裝備/和/或檢測器耦合到波導管中，使得它們相對于設備中可用空間不會相互干涉。使用磁性致動可使緊湊設備在所述表面具有有利的靈敏測量。在另一布置中，輻射耦合裝置產(chǎn)生非瞬逝行波，它被限于接近與試樣接觸的表面的淺體積中，這已知為“雙折射檢測”。淺體積可具有數(shù)到數(shù)十微米的深度。檢測和/或激發(fā)輻射可為光學輻射，所述光學輻射包括或排除近紅外輻射和/或 UV輻射。試樣與激發(fā)輻射的交互作用可包括反射、吸收或發(fā)光，其中發(fā)光包括磷光和/或熒光。優(yōu)選地激發(fā)輻射為光學輻射，而檢測輻射為提供增強靈敏度的發(fā)光輻射。最優(yōu)選地，檢測輻射為提供非常靈敏檢測的熒光輻射。在所述方法依賴于吸收激發(fā)輻射之后發(fā)出轉換的激發(fā)輻射(如例如產(chǎn)生發(fā)光)的情況下，試樣可可提供適用轉換的種類。檢測器可包括像素化輻射檢測器。所述系統(tǒng)優(yōu)選地包括生物成分篩選系統(tǒng)，用于篩選如例如蛋白質(zhì)、藥物、DNA、RNA或其它分子等特定被分析物。將熒光檢測與使用磁性致動結合這本身是已知的(Anal. Chim. Acta 564,2006, 40)。但是，所公開方案不是本發(fā)明意義上的緊湊結構。


本發(fā)明實例將參考附圖加以詳述，其中圖1用于說明瞬逝激發(fā)原理；圖2顯示本發(fā)明分析儀器的第一實例；圖3顯示本發(fā)明分析儀器的第二實例；圖4顯示本發(fā)明分析儀器的第三實例；圖5顯示本發(fā)明分析儀器的第四實例；圖6顯示本發(fā)明分析儀器的第五實例；且圖7A與7B顯示本發(fā)明分析儀器的第六實例。同一參考序號用于指示不同附圖中的同一部件，當各附圖包括如前述附圖的同一部件時，則不再重復其描述。權利要求中所使用的參考序號僅用于幫助理解本發(fā)明，并非用于限制權利要求范圍。
具體實施例方式本發(fā)明涉及將表面局部激發(fā)與磁性珠粒捕獲結合的光學分析儀器與方法。采用表面局部激發(fā)賦予增強的表面特異性，使得熒光檢測中實現(xiàn)選擇性增強。磁性珠粒捕獲提供低成本且緊湊方式完成表面測量，且使微粒高速運動到表面。一種獲得表面局部激發(fā)的方式為采用瞬逝激發(fā)。瞬逝激發(fā)原理首先參考圖1加以描述。待調(diào)查試樣14被限于給定容量，通過基底16形成微流體部分。光源18將激發(fā)光 10導向基底16的表面。通過使得該激發(fā)光入射角大于臨界角度，形成光的全內(nèi)反射。這消除體阻激發(fā) (bulk excitation)。瞬逝波行進至試樣中，衰減場幅度為傳播距離ζ的函數(shù)，如由曲線21 示意性說明。由于該瞬逝波快速衰減，其可用于僅探測靠近界面表面存在的分子。
在(短波長)激光的激發(fā)下，熒光分子開始在所有方向發(fā)光。熒光的波長將大于激發(fā)波長。圖2顯示本發(fā)明設備第一實例。通常，所述設備包括讀取儀以及一次性筒體。讀取儀具有用于將磁性珠粒帶到表面并將其拉離表面的磁體裝置、用于誘發(fā)熒光的光學激發(fā)系統(tǒng)、以及光學檢測器。如參考圖1所進行的解釋，待調(diào)查試樣14被限定為給定容量，通過基底16形成微流體部分。試樣包括磁性珠粒15。如激光(或LED) 18等光源所產(chǎn)生的激發(fā)光10用于激發(fā)熒光19。由附著標簽所發(fā)射的感生熒光(提供瞬逝激發(fā)光21到試樣中的結果)由采集透鏡裝置20采集，并被導向檢測器22。檢測器為光學檢測器，其可為二極管或二極管陣列、或電荷耦合器件(CCD)。通過引入光學元件，如設備一次性部分(基底)與檢測器22之間的透鏡，到達傳感器表面的光量可進一步增加。如圖2所示，一次性基底也可包括限定光學元件20的一部分的光學表面沈、28。為減小來自散射光的背景信號，在檢測器頂部提供色彩選擇性濾波器32 (帶通或高通；其中“高”是指光波長)。濾波器可為吸收式或反射式(分色)，并可與檢測器光學接觸。光學元件20也可用于對檢測器表面的附著表面成像。這樣，產(chǎn)生發(fā)射光的空間圖像，可使在附著表面不同點位同時檢測不同靶標。這代表多重檢測方案。通過使用高滲透性材料形成導引器M，用于磁性珠粒捕獲的磁場被導向光學基底 16的底部。須提供接近光學基底的附著表面的磁場，以獲得足夠大的力(磁體頂部與基底傳感器區(qū)域之間典型地小于1.5mm)。電磁源本身位于較遠距離，未示于圖2中。這在磁場導引器M之間產(chǎn)生足夠空間以安放光學檢測系統(tǒng)。在所示實例中，導引器形成馬蹄形環(huán)， 且中央開口用于安置檢測光學組件。磁性導引結構的大的光學孔徑對于增加光采集是所需的。須由成像光學元件采集的光錐開度角應較大，例如對應于數(shù)值孔徑0. 5或更大。激發(fā)光10經(jīng)由窗口沈進入基底16，所述窗口集成在所述設備的一次性部分中。 也顯示退出窗口 28，且光學檢測器30用于激發(fā)源的反饋控制，例如用于追索和質(zhì)量控制。在圖2實例中，所述激發(fā)由入射光束實現(xiàn)，所述入射光束在生物附著點處基底與被分析物溶液的界面處被全反射。這在所述表面上產(chǎn)生所需瞬逝場，其強度以指數(shù)衰減。僅接近所述表面(距離量級為IOOnm或更少)的標簽將變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。這種表面選擇性激發(fā)從上層浮面溶液產(chǎn)生非常低的背景信號，因此可以高靈敏度進行實時檢測。通過在試樣分析區(qū)域側方提供激發(fā)源和相關聯(lián)透鏡，且入射方向與基底平面之間具有較小銳角，可在磁場導引器與基底下表面之間提供較小空間。在圖2布置中，在由磁場導引器至少部分圍繞的空間內(nèi)提供檢測器與相關聯(lián)的光學元件。在圖3所示的第二實施例中，由例如光纖束等的光導引器40從分析區(qū)域傳輸發(fā)射光。檢測器22放置在磁頭之外的光導引器40的下端。這使得磁場導引器設計更為緊湊， 并可允許使用標準組件用于光學元件。在圖4所示的第三實施例中，光電檢測器22直接安放在用于致動磁性標簽的磁體 50頂部。但所述光電檢測器22仍位于讀取儀中以保持所述儀器一次性部件的成本較低。圖4顯示分析區(qū)域中基底的平直底側，但如單個折射或衍射透鏡，或一維或二維微透鏡陣列(提供成像功能)等光學組件同樣可被模塑在光學基底底部，以增強采集功效，如圖2所示。為保持光電檢測器細長，其優(yōu)選為半導體元件(例如光敏二極管、CCD、CM0Q或聚合物元件。如上述實例所述全內(nèi)反射的激發(fā)可由瞬逝光導引器激發(fā)所代替，如圖5所示。以此方式，無需組件位于分析區(qū)域以將光耦合到分析區(qū)域。這為磁頭留出更多區(qū)域。激發(fā)源18通過光柵結構62提供光到光導引器60。圖6顯示激發(fā)光被導引通過磁頭內(nèi)的光學元件的布置。以此方式，使用提供激發(fā)光到場導引裝置中心之上的分析區(qū)域(例如仍為馬蹄形構形)的光學布置。光聚焦到分析區(qū)域以在試樣中產(chǎn)生輻射。所述激發(fā)光由分色鏡或分光器70導向試樣。這可對激發(fā)光和熒光限定不同光學通路。所述激發(fā)光隨后通過激發(fā)透鏡72聚焦到試樣中。任何反射的漫射激光(具有激發(fā)波長)被分色鏡或分束器70再次反射，而熒光發(fā)光通過分色鏡/分束器70到檢測器22。帶通濾波器可提供進一步過濾以拒斥激發(fā)光，由成像透鏡74將經(jīng)濾波的光聚焦到檢測器22，所述成像透鏡將試樣成像到檢測器22上。讀取可通過在讀取通路中采集透鏡的焦點處引入針孔或使用像素化檢測器作為準針孔以抑制附著陣列之外其它部分的發(fā)光而以準共焦模式實施。但是，當瞬逝場僅在激發(fā)點存在時，無需針孔布置。上述實例具有固定的磁性和光學組件，磁性和光學功能在相同筒體位置實現(xiàn)。在圖7所示布置中，將磁性與光學元件同軸布置代之以平行布置，其優(yōu)點是具有更高成像質(zhì)量。圖7布置具有致動滑架80，所述滑架包含磁體裝置82以及相互緊鄰的成像和檢測光學元件18、22。圖7A以側視圖和頂視圖顯示所述設備。圖7B顯示滑架80的兩個位置。圖7B頂部部分顯示分析區(qū)域90在激發(fā)源通路中且在磁場之上。圖7B底部部分顯示分析區(qū)域在光學檢測器布置之上以檢測熒光。熒光激發(fā)、光檢測為同時進行(熒光弛豫時間為若干納秒)。圖7布置將磁性吸引功能與激發(fā)/檢測分開。磁性吸引為較為緩慢的過程，且一旦珠粒被附著，其保持就位足以使筒體運動。該布置使用與圖2與圖3實例相同的概念方法，因為分析區(qū)域成像通過磁體中心。圖7實例提供在兩位置之間致動過程中滑架80的運動。提供磁體準確地在筒體的分析區(qū)域下方的位置。當致動過程終止時(磁性吸引以將微粒帶到表面)，滑架移動到第二位置，使得成像/檢測光學元件的光學軸線與分析區(qū)域中心重合，并進行激發(fā)和熒光檢測。在所有上述實例中，靶標分子附連到珠粒(以與現(xiàn)有珠粒捕獲系統(tǒng)同樣的方式)， 熒光標簽附連到靶標分子(以與現(xiàn)有光學系統(tǒng)同樣的方式)，使得將珠粒磁性吸引到表面而在所述表面上提供所需熒光標簽。吸引到所述表面上但沒有附連靶標分子的珠粒將不會附著并可被通過使磁性梯度反向而被推離。一維與二維移動機械臺的技術從光學存儲中已知，這些設備能夠可靠制造、成本低且容量大。此外，一維致動滑架可快速移動(可達100Hz)并具有高精度(數(shù)十微米)。該方法的可能缺點是在磁性致動過程中缺少信號。但是，由于生物測定的動力學由研究已知，對于最終用戶產(chǎn)品這將沒有問題。致動過程因此可以進行而無需反饋或分析。本發(fā)明不同實例使得系統(tǒng)具有緊湊成像光學元件和檢測器，且具有高圖像質(zhì)量。 提供緊湊和有效的磁體裝置。例如使用微流體泵供應試樣到分析區(qū)域可以是完全常規(guī)的。多重通道可與不同固化抗體平行。所述設備的溫度控制可由集成加熱提供。可使用不同光譜的熒光珠粒。可從未附著標簽讀取背景熒光。所述背景主要由無意附著的標簽和其它粘在表面上的微粒造成，而某些內(nèi)源性熒光由光通路中基底和所有組件造成。通過吸收(FTIR)或散射測量珠粒密度是一種替代方式，其可代替熒光或除熒光之外進行測量。除濾波器外，其可使用基本相同的布置。珠粒和帶標簽的抗體與試樣預混合可在注入之前發(fā)生。優(yōu)選地，對于護理點應用， 混合與反應在一次性筒體內(nèi)進行。在上述實例中，所述系統(tǒng)用于熒光檢測。但是，通常本發(fā)明更為一般地涉及試樣激發(fā)和所致光的檢測。所述基底可為例如玻璃或聚合物等任一適用材料的平直板，并可具有表面密度在每平方微米0. 01到106元件，優(yōu)選地在每平方微米10到104元件的捕獲元件。試樣、具有與試樣接觸的捕獲元件的基底、或與試樣接觸后的基底典型地可篩選特定成分，例如生物成分，如寡聚核苷酸、DNA、RNA、基因、蛋白質(zhì)、碳水化合物、脂肪、細胞、 細胞組成(如外細胞膜或內(nèi)細胞膜)、細菌、病毒、原生動物等，它們也稱為靶粒子。發(fā)光標簽典型地附連到靶粒子并由此輔助檢測靶粒子。在某些實施例中，試樣于是包括至少一個發(fā)光標簽，也稱為“光學地可變微粒”。這種光學地可變微粒可為例如熒光微粒(如上所述)、電發(fā)光微粒或化學發(fā)光微粒。所述光學地可變微?？蔀槟軌蛞曰瘜W或其它方式附著到附著點的任一實體。所述附著歸因于篩選效應(即離子、彌散和氫鍵交互作用)。共價鍵合是一種替代方式。 在上述實例中，熒光檢測透過基底進行。但是，熒光檢測可在試樣上方實施。本發(fā)明應用通常在分子診斷學領域臨床診斷、護理點診斷、復雜生物分子診斷研究——生物傳感器、基因與蛋白質(zhì)表達陣列、環(huán)境傳感器、食品質(zhì)量傳感器等。不同其它更改對本領域技術人員是顯然的。
權利要求
1.一種檢測系統(tǒng)，包括用于基底(16)的支架，所述基底具有檢測表面并能夠包含一定容量的試樣，使得所述試樣至少部分地與所述檢測表面接觸；用于提供激發(fā)輻射的激發(fā)輻射源(18)；用于將所述激發(fā)輻射提供到所述試樣的激發(fā)區(qū)域的輻射耦合裝置，所述激發(fā)區(qū)域包括所述檢測表面；用于對檢測輻射進行檢測的檢測器(22)，所述檢測輻射由所述激發(fā)輻射與所述試樣交互作用而產(chǎn)生、且從所述試樣的所述激發(fā)區(qū)域內(nèi)的分析區(qū)域采集，所述分析區(qū)域包括所述檢測表面；其中，所述系統(tǒng)還包括接近所述試樣的所述檢測表面、在所述試樣的所述檢測表面同一側、并且相對于所述激發(fā)輻射源(18)和所述輻射耦合裝置靜止地設置的磁體裝置，所述磁體裝置能夠?qū)⑺鲈嚇又械拇判灾榱?1 吸引到所述檢測表面。
2.如權利要求1所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述激發(fā)輻射為瞬逝的01)。
3.如權利要求1所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于將磁場從所述磁體裝置聚焦到所述分析區(qū)域的磁場導引裝置04)。
4.如權利要求3所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述磁場導引裝置04)包括開口，所述輻射耦合裝置能夠通過所述開口導引激發(fā)和/或檢測輻射。
5.如權利要求4所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射耦合裝置提供激發(fā)輻射到場導引裝置04)中心上方的所述分析區(qū)域，且具有輻射裝置(72)，所述輻射裝置用于將輻射聚焦到所述分析區(qū)域，以在所述試樣中產(chǎn)生瞬逝輻射。
6.如權利要求5所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射裝置(72)也用于將采集的檢測輻射聚焦到所述檢測器(22)，其中所述輻射裝置包括分束器(70)，用于為采集的檢測輻射和激發(fā)輻射提供不同輻射通路。
7.如權利要求1所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器02)安裝在所述磁體裝置 (50)的最接近試樣支架的表面處。
8.如權利要求1至3任一所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器02)和磁體裝置(82) 并排在載體(80)上，所述載體(80)可在磁性致動位置與檢測位置之間移動。
9.如前述任一權利要求所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器02)包括輻射聚焦直ο
10.如前述任一權利要求所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器02)包括輻射帶通或高通濾波器。
11.如權利要求1至3任一所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射耦合裝置包括與激發(fā)輻射源(18)相關聯(lián)的輻射裝置( )，用于將激發(fā)輻射相對于所述基底(16)的所述檢測表面成銳角地導向所述分析區(qū)域，使得所述基底提供全內(nèi)反射。
12.如權利要求1至3任一要求所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射耦合裝置包括瞬逝輻射導引器。
13.如前述任一權利要求所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述激發(fā)輻射是光且所述檢測輻射是發(fā)光輻射。
14.如前述任一權利要求所述的檢測系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測器包括像素化的光檢測器。
15. 一種檢測方法，包括操作設置在由基底保持的試樣的分析區(qū)域下方的磁體裝置，并由此將所述試樣中的磁性珠粒(1 吸引到所述分析區(qū)域中的所述基底的檢測表面；從所述檢測表面的第一側由激發(fā)輻射源向所述試樣的分析區(qū)域提供激發(fā)輻射(18)，在所述步驟中，所述磁體裝置相對于所述激發(fā)輻射源(18)且相對于所述輻射耦合裝置是靜止的；從所述試樣的分析區(qū)域并且從所述檢測表面的第一側采集由于激發(fā)輻射與所述試樣交互作用產(chǎn)生的檢測輻射；以及檢測所采集的檢測輻射。
全文摘要
一種檢測系統(tǒng)將激發(fā)輻射源(18)、檢測器(22)以及磁體裝置(24)結合，所述激發(fā)輻射源提供激發(fā)輻射(10)到具有檢測表面的基底(16)內(nèi)的試樣(14)的分析區(qū)域，所述檢測器用于檢測從包括試樣檢測表面的分析區(qū)域采集的并由激發(fā)所產(chǎn)生的輻射，所述磁體裝置在試樣分析區(qū)域下方并且相對于激發(fā)輻射源和光耦合裝置是靜止的，用于將試樣中的磁性珠粒(15)吸引到基底的表面。所述檢測輻射由基底的檢測表面采集，以賦予增強的表面特異性。本發(fā)明將表面檢測的優(yōu)點與用于將靶標帶到表面的簡單低成本磁性系統(tǒng)結合。
文檔編號G01N21/64GK102165305SQ200980137641
公開日2011年8月24日 申請日期2009年9月21日 優(yōu)先權日2008年9月25日
發(fā)明者J·H·尼烏文赫伊斯, J·J·H·B·施萊彭, R·溫貝格爾-弗里德爾 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司