專利名稱:波形測試裝置及其使用方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種波形測試裝置及其使用方法,尤其涉及一種使用方便且準確度較高的波形測試裝置及其使用方法。
背景技術:
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-kmiconductorField-Effect Transistor,簡稱MOSFET管)廣泛應用在許多電源裝置中,在電源裝置的設計及制造過程中,經(jīng)常需要對其中的MOSFET管的輸出波形進行測試,以判斷該MOSFET管的性能。在測試過程中,一般需要將示波器上的多個探針的接地線依次焊接至電路板上的接地端,以使每一探針的接地線共地設置。此類焊接過程的工作量較大,可能影響測試效率。另外,每次將一接地線焊接至電路板上時,都需要先將接地端上的焊錫熔開,如此將可能導致上一探針的焊接受損,從而降低上一探針的接地質量,影響測試的準確性。另外,多次熔化的焊錫也可能損壞電路板。
發(fā)明內容
針對上述問題,有必要提供一種使用方便且準確度較高的波形測試裝置。另,有必要提供一種上述所述的波形測試裝置的使用方法。一種波形測試裝置,包括一電路板、一示波器及若干接地裝置,該電路板上設置有一接地面,該示波器包括若干探針,每一探針均包括一接地端,每一接地裝置包括一接地部及一纏繞部,所述纏繞部一端套設在與其相應的接地端上,另一端連接至接地部上,所述接地部依次串接在一起,最后一接地部焊接至所述接地面上,使得所述接地端共地設置?!N上述所述的波形測試裝置的使用方法,該方法包括以下步驟將每一纏繞部分別穿過與其相應的探針,并套設在相應的接地端上,以與所述接地端電性連接;依次將下一接地裝置上的接地部穿過上一接地裝置上的接地部,并露出該下一接地裝置的接地部; 將最后一接地裝置的接地部焊接至所述接地面上,以使每一探針的接地端共地設置。相較于現(xiàn)有技術,本發(fā)明的波形測試裝置在測試時,僅需將由金屬環(huán)制成的接地部依次串接在一起,且將最后一接地裝置中的接地部焊接至電路板上的接地面上,便可使得探針上的接地端共地設置。本發(fā)明所需的熔錫次數(shù)較少,可有效避免因多次焊接而出現(xiàn)的降低探針接地質量及損壞電路板等問題,有效提高了測試的準確性。
圖1為本發(fā)明較佳實施方式波形測試裝置的功能框圖。圖2為圖1所示波形測試裝置中示波器與接地裝置的分解示意圖。圖3為圖2所示示波器與接地裝置的組裝示意圖。主要元件符號說明波形測試裝置100
電路板10
供電單元12
MOSFET 管14
接地面16
示波器20
探針22
接地裝置30
接地部32
纏繞部34
接地端221
隔離端222
探測端22具體實施例方式請參閱圖1,本發(fā)明較佳實施例中的波形測試裝置100包括一電路板10、一示波器 20及若干接地裝置30。該電路板10上設置有一供電單元12、至少一待測的金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-kmiconductor Field-EffectTransistor,簡稱 MOSFET 管)14 及一接地面16。該供電單元12可以為現(xiàn)有的電池等供電裝置,用于為該等MOSFET管14及示波器 20提供電能。請一并參閱圖2,該示波器20包括若干探針22,每一探針22均包括一接地端221、 一隔離端222及一探測端223。該隔離端222可以為一由絕緣材料制成的絕緣環(huán),其套設在所述接地端221與探測端223之間,以隔離所述接地端221及探測端223。每一接地裝置30均包括一接地部32及一纏繞部34。在本實施例中,該接地部32 為一金屬圓環(huán)。該纏繞部34大致呈螺旋狀,由一銅線等導電材料纏繞而成。該纏繞部34 — 端套設在與其相應的探針22上的接地端221上,另一端延伸而出以連接在該接地部32上, 以使探針22和接地部32建立電性連接。請一并參閱圖3,使用該波形測試裝置100時,首先將每一接地裝置30的纏繞部 34分別穿過與其相應的探針22,并套設在相應的接地端221上,以與所述接地端221電性連接。接著依次將下一接地裝置30上的接地部32穿過與其相鄰的上一接地裝置30上的接地部32,并露出該下一接地裝置30的接地部。以使該等纏繞部34通過該接地部32依次串接在一起,從而使得探針22的接地端221通過該接地部32依次相連,并露出最后一接地裝置30的接地部32。將該接地部32焊接至電路板10上的接地面16上,此時每一探針22 的接地端221共地設置。啟動供電單元12,以為所述MOSFET管14及示波器20提供電源; 將每一探針22的探測端223分別連接至MOSFET管14上的相應測試點,觀察該MOSFET管 14中各測試點的輸出波形,進而判斷MOSFET管14的性能??梢岳斫猓斝枰獙υO置于下一電路板10上的MOSFET管14的性能進行測試時, 僅需將該接地面16上的焊錫熔開一次,便可使得該等探針22上的接地端221與接地面16 相脫離。從而無須將上述多個接地裝置30在接地面16上反復連接及脫離,有效降低了工作量,提高整體測試效率??梢岳斫?,通過將所述接地裝置30的接地部32設置呈環(huán)狀且使得該等接地部32 依次相連,可使該波形測試裝置100獲得較短的接地路徑及信號路徑,有效降低測試過程中高頻信號的干擾,提高整體測試的準確度。顯然,本發(fā)明的波形測試裝置100在測試時,僅需將由金屬環(huán)制成的接地部32依次串接在一起,且將最后一接地裝置30中的接地部32焊接至電路板10上的接地面16上, 便可使得探針22上的接地端221共地設置。本發(fā)明所需的熔錫次數(shù)較少,可有效避免因多次焊接而出現(xiàn)的降低探針22接地質量及損壞電路板10等問題,有效提高了測試的準確性。另外,本領域技術人員還可在本發(fā)明權利要求公開的范圍和精神內做其它形式和細節(jié)上的各種修改、添加和替換。當然,這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的各種修改、添加和替換等變化,都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍內。
權利要求
1.一種波形測試裝置,包括一電路板及一示波器,該電路板上設置有一接地面,該示波器包括若干探針,每一探針均包括一接地端,其特征在于所述波形測試裝置還包括若干接地裝置,每一接地裝置包括一接地部及一纏繞部,所述纏繞部一端套設在與其相應的接地端上,另一端連接至接地部上,所述接地部依次串接在一起,最后一接地部焊接至所述接地面上,使得所述接地端共地設置。
2.如權利要求1所述的波形測試裝置,其特征在于所述接地部為一金屬環(huán)。
3.如權利要求1所述的波形測試裝置,其特征在于所述纏繞部呈螺旋形狀,由導電材料制成。
4.如權利要求1所述的波形測試裝置,其特征在于所述電路板上設置有若干金屬氧化物半導體場效應晶體管,每一探針均包括一探測端,每一探測端分別與所述金屬氧化物半導體場效應晶體管上的測試點電性連接。
5.一種如權利要求1所述的波形測試裝置的使用方法,其特征在于,該方法包括以下步驟將每一纏繞部分別穿過與其相應的探針,并連接在相應的接地端上,以與所述接地端電性連接;依次將下一接地裝置上的接地部穿過上一接地裝置上的接地部,并露出該下一接地裝置的接地部;將最后一接地裝置的接地部焊接至所述接地面上,以使每一探針的接地端共地設置。
6.如權利要求5所述的波形測試裝置的使用方法,其特征在于,該方法還包括一將每一探針的探測端分別連接至一待測的測試點的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種波形測試裝置及其使用方法,該波形測試裝置包括一電路板、一示波器及若干接地裝置,該電路板上設置有一接地面,該示波器包括若干探針,每一探針均包括一接地端,每一接地裝置包括一接地部及一纏繞部,所述纏繞部一端套設在與其相應的接地端上,另一端連接至接地部上,所述接地部依次串接在一起,最后一接地部焊接至所述接地面上,使得所述接地端共地設置。
文檔編號G01R31/26GK102279355SQ20101019846
公開日2011年12月14日 申請日期2010年6月11日 優(yōu)先權日2010年6月11日
發(fā)明者田鈞元 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司