專利名稱：一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測(cè)方法，特別涉及一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
愛潑斯坦方圈法是國標(biāo)(GB/T 3655-2000)規(guī)定的電工鋼磁性檢測(cè)方法，對(duì)試樣的重量和表面質(zhì)量等要求較為嚴(yán)格；當(dāng)試樣重量過小或表面質(zhì)量不良等情況，則不能采用愛潑斯坦方圈進(jìn)行磁性能檢測(cè)(國標(biāo)GB/T3655-2000要求試樣的有效質(zhì)量至少應(yīng)為 240g，推薦的試樣長度為300mm，質(zhì)量約為Ikg ；試樣的剪切要求剪切整齊、平坦，直角性良好，邊沿?zé)o明顯毛刺)。蝕坑是由試樣表面的晶面進(jìn)行擇優(yōu)溶蝕形成，利用該特性可以使用金相蝕坑法直接計(jì)算出試樣中每個(gè)晶粒的晶體學(xué)位向(“蝕坑的形成條件及其幾何多樣性”，羅陽，金屬學(xué)報(bào)，1982,18 ) 472 ；“高磁感取向硅鋼軋制和再結(jié)晶織構(gòu)的研究”，呂其春、帥仁杰、 周秀媛等，金屬學(xué)報(bào)，1981，，7(1) 58 ；"The application of the etch-pit method to quantitative texture analysis'^. T. LEE，G. deWIT、A. MORAffIEC,J. A. SZPUNAR,J0URNAL0F MATERIAL SCIENCE，1995，30，1327-1332)；然后計(jì)算該晶粒的取向偏差角9i( “蝕坑法求算取向硅鋼再結(jié)晶織構(gòu)的0DF”劉剛，王福等，《東北大學(xué)學(xué)報(bào)》，1997，18(6) :614; “The application of the etch-pit method to quantitative texture analysis，，， K. T. LEE、G. deWIT、A. M0RAWIEC、J. A. SZPUNAR，《JOURNAL OF MATERIAL SCIENCE》，1995，30， 1327-1332)。磁晶各向異性是由于電子軌道和磁矩與晶體點(diǎn)陣的耦合作用，使磁矩沿一定晶軸擇優(yōu)排列的現(xiàn)象，這導(dǎo)致各晶軸方向的磁化特性不同。<100>晶軸為易磁化方向，<111>晶軸為難磁化方向，<110>晶軸介于兩者之間。對(duì)于取向硅鋼而言，電磁性能與試樣的晶粒取向<100>密切相關(guān)(電工鋼，何忠治，北京冶金工業(yè)出版社，1996 ； "Mechanism of Orientation Selectivityof Secondary Recrystallization in Fe~3% Si Alloy", Yoshiyuki USHIGAMI, Takeshi KUBOTA and Nobuyuki TAKAHASHI, ISIJ International,1998,38(6),553 ；"The Relationship between Primary and Secondary Recrystallization Texture of Grain Oriented Silicon Steel"Tomoji KUMAN0>Tsutomu HARATANI and Yoshiyuki USHIGAMI, ISIJ hternational，2002，42 (4)，440。因此可以利用金相蝕坑法加上計(jì)算公式替代磁測(cè)設(shè)備進(jìn)行取向硅鋼電磁性能檢測(cè)的創(chuàng)新性做法，同時(shí)又具有以下優(yōu)點(diǎn)，解決試樣重量過小或表面質(zhì)量不良等無法采用愛潑斯坦方圈進(jìn)行磁性能檢測(cè)情況。中國專利公開號(hào)CN 101216440A，該發(fā)明采用固定2 θ角，進(jìn)行ω掃描的非對(duì)稱X 射線衍射方法來測(cè)定取向硅鋼易磁化方向W01]晶向取向的分布。但該專利不足之處在于只是測(cè)量取向硅鋼成品W01]晶向偏離角，而并沒有結(jié)合取向硅鋼成品W01]晶向偏離角與磁性的相關(guān)性進(jìn)行進(jìn)一步的研究。中國專利公開號(hào)CN 101210947Α，該發(fā)明利用EBSD系統(tǒng)中測(cè)得樣品每點(diǎn)取向的三個(gè)歐拉角，及每一相同或近似取向所占比例X，結(jié)合推算出的厚度系數(shù)fH、成分f。及取向差對(duì)性能影響系數(shù)e，利用這些系數(shù)在純鐵性能B0的基礎(chǔ)上進(jìn)行修正，得到該樣板的磁性能 B。但該專利存在如下不足首先，由于EBSD設(shè)備昂貴以及操作方面的繁瑣，使得很多企業(yè)， 特別是中小企業(yè)無法使用該技術(shù)；其次，對(duì)于成品磁性能計(jì)算模型而言，從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(厚度 0. 2 0. 3_的取向硅鋼)發(fā)現(xiàn)厚度對(duì)于成品磁性能基本沒有影響，而對(duì)化學(xué)成分方面的研究發(fā)現(xiàn)，主要影響因子為Si，其他化學(xué)成分影響較小或基本沒有影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法，解決了沒有磁測(cè)設(shè)備的情況下，或者由于試樣重量和尺寸過小或表面質(zhì)量不良等原因而無法采用磁測(cè)設(shè)備的情況下，完成試樣的磁性檢測(cè)的難題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是，本發(fā)明通過利用金相蝕坑法測(cè)得成品試樣中每個(gè)晶粒的歐拉角(α，β，Y)(歐拉角(α，β，Υ)是用來確定定點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)剛體位置的3個(gè)一組獨(dú)立角參量，由章動(dòng)角β、旋進(jìn)角(即進(jìn)動(dòng)角)α和自轉(zhuǎn)角Y組成；并換算出該晶粒的取向偏差角θ i，并利用其它相關(guān)參數(shù)推算出該樣板的電磁性能。具體地，本發(fā)明的一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法，通過金相蝕坑法測(cè)得試樣中每個(gè)晶粒的歐拉角，并計(jì)算出該晶粒的取向偏差角θ i (度)，結(jié)合該晶粒的面積Si (mm2) 及Si元素的修正系數(shù)X，X = 0. 1 IOT/度)，利用這些參數(shù)(θ ρ Sp X)在單晶材料磁性能Btl (飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度，T)的基礎(chǔ)上進(jìn)行修正，修正的公式(見式1)為
權(quán)利要求
1. 一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法，該取向硅鋼Si百分含量為2. 8% 4.0%，通過金相蝕坑法測(cè)得試樣中每個(gè)晶粒的歐拉角，并計(jì)算出該晶粒的取向偏差角θ i(度)，結(jié)合該晶粒的面積SiOnm2)及Si元素的修正系數(shù)X，X = 0. 1 IOT/度，利用這些參數(shù)(θ ^Si, X)在單晶材料磁性能Btl (飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度，Τ)的基礎(chǔ)上進(jìn)行修正，修正的公式為
全文摘要
一種取向硅鋼電磁性能的檢測(cè)方法，通過金相蝕坑法測(cè)得試樣中每個(gè)晶粒的歐拉角，并計(jì)算出該晶粒的取向偏差角θi(度)，結(jié)合該晶粒的面積Si(mm2)及Si元素的修正系數(shù)X，X＝0.1～10T/度)，利用這些參數(shù)(θi、Si、X)在單晶材料磁性能B0(飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度，T)的基礎(chǔ)上進(jìn)行修正，修正的公式為通過上述推算，得到該取向硅鋼的電磁性能B8。本發(fā)明解決了沒有磁測(cè)設(shè)備的情況下，或者由于試樣重量和尺寸過小或表面質(zhì)量不良等原因而無法采用磁測(cè)設(shè)備的情況下，完成試樣的磁性檢測(cè)的難題。
文檔編號(hào)G01R33/12GK102298127SQ201010207498
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者吳美洪, 孫煥德, 李國保, 楊國華, 沈侃毅, 靳偉忠, 黃杰 申請(qǐng)人:寶山鋼鐵股份有限公司