專利名稱：電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)量及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電能計(jì)量數(shù)據(jù)的高可靠性管理方 法。
背景技術(shù)：
電子式電能表的主要工作原理是電流電壓采樣模塊將流過(guò)供電線路的大電流和 交流電壓變換為合適的小電流，小電壓信號(hào)，經(jīng)計(jì)量模塊轉(zhuǎn)換成隨功率變化的脈沖信號(hào)，微 處理器(MCU)接收功率脈沖信號(hào)，更新計(jì)量數(shù)據(jù)并將其保存，計(jì)量數(shù)據(jù)經(jīng)MCU的隨機(jī)存儲(chǔ)器 (后續(xù)簡(jiǎn)稱為RAM-Random-access memory)存入電可擦除只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器(后續(xù)簡(jiǎn)稱為 EEPR0M)內(nèi)。電子式電能表運(yùn)行過(guò)程中受到的干擾無(wú)處不在，隨著電子技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展，加 上設(shè)計(jì)理論的不斷完善和設(shè)計(jì)方法的不斷改進(jìn)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器因干擾而損壞的概率已經(jīng)很小 了，而數(shù)據(jù)在受到干擾情況下的保護(hù)、自糾和恢復(fù)成為提高計(jì)量數(shù)據(jù)可靠性的基本方式?，F(xiàn)有電子式電能表在處理計(jì)量數(shù)據(jù)過(guò)程中的缺陷在于(1)計(jì)量數(shù)據(jù)的自糾和恢 復(fù)措施沒(méi)有或者不足；(2)對(duì)計(jì)量數(shù)據(jù)的保護(hù)欠缺，被其他數(shù)據(jù)沖亂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明從計(jì)量數(shù)據(jù)保存和備份、更新及糾錯(cuò)著手，提供一種計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管 理方法，由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。一種電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于，包括保存及備份區(qū)的劃分 提供相互關(guān)聯(lián)的RAM及EEPROM，RAM中設(shè)置當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)、第一備份區(qū)及掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 區(qū)，EEPROM中設(shè)置至少兩個(gè)電量備份區(qū)和一個(gè)掉電數(shù)據(jù)備份區(qū)；計(jì)量數(shù)據(jù)的保存與備份 每次累加所獲得的最新計(jì)量數(shù)據(jù)保存在RAM的當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；每累計(jì)K個(gè)數(shù)據(jù)量則將當(dāng) 前計(jì)量數(shù)據(jù)更新到RAM的第一備份區(qū)；每累計(jì)M個(gè)數(shù)據(jù)量則將當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)更新到EEPROM 中的各電量備份區(qū)，M > K ；當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)的恢復(fù)當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)損壞時(shí)，先校驗(yàn)RAM 第一備份區(qū)數(shù)據(jù)，正確則覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；否則用EEPROM中電量備份區(qū)有效數(shù)據(jù)覆蓋 當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；如果EEPROM內(nèi)各電量備份區(qū)數(shù)據(jù)均損壞，則報(bào)錯(cuò)。上述計(jì)量數(shù)據(jù)管理方法中，每次累加獲得最新計(jì)量數(shù)據(jù)的方法具體包括①在進(jìn) 行數(shù)據(jù)累加前，先對(duì)RAM當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，如通過(guò)則直接累加，如不通過(guò)則 執(zhí)行②；②取RAM第一備份區(qū)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，如通過(guò)則用RAM第一備份區(qū)數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前 計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，如不通過(guò)則執(zhí)行③；③取EEPROM各電量備份區(qū)中的合法數(shù) 據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，并重新計(jì)算校驗(yàn)碼，然后拷貝至各備份區(qū)。其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)判斷數(shù)據(jù)塊指針?biāo)肝恢?，看是否超?規(guī)定區(qū)域，如果超過(guò)或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置。本發(fā)明有益效果在于通過(guò)合理設(shè)置數(shù)據(jù)備份區(qū)，使得數(shù)據(jù)的保存更加可靠，并為 數(shù)據(jù)的恢復(fù)提供充分準(zhǔn)備，而通過(guò)各種判斷及校驗(yàn)，使得數(shù)據(jù)的恢復(fù)和更新更加精確，使得計(jì)量數(shù)據(jù)可靠性得到有效保證。此外，其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)判斷數(shù)據(jù)塊 指針?biāo)肝恢茫绻^(guò)或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置。從而避免對(duì)其他數(shù)據(jù)的破 壞。


圖1為實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法中計(jì)量數(shù)據(jù)累加更新的處理流程圖。圖2為實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法中上電時(shí)對(duì)掉電計(jì)量數(shù)據(jù)恢復(fù)的處理流程圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一本實(shí)施例以電能表計(jì)量為例進(jìn)行說(shuō)明，電能表具有相互關(guān)聯(lián)的RAM(通 常為MCU自帶的RAM)及EEPROM(習(xí)慣稱之為內(nèi)卡)。該電能計(jì)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法主要包 括一、保存及備份區(qū)的劃分RAM中設(shè)置當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)、第一備份區(qū)及掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)， EEPROM中設(shè)置三個(gè)電量備份區(qū)(名稱分別為EEPROM第二備份區(qū)、EEPROM第三備份區(qū)、 EEPROM第四備份區(qū)，當(dāng)然也可以是更多個(gè)電量備份區(qū))和一個(gè)掉電數(shù)據(jù)備份區(qū)(用于存 儲(chǔ)計(jì)量數(shù)據(jù)和相關(guān)狀態(tài)數(shù)據(jù))；二、存儲(chǔ)和校驗(yàn)過(guò)程，包括正常運(yùn)行的的存儲(chǔ)和校驗(yàn)及掉電 時(shí)的存儲(chǔ)和上電數(shù)據(jù)恢復(fù)，分別說(shuō)明如下(1)正常運(yùn)行時(shí)計(jì)量數(shù)據(jù)的保存與備份每次累 加所獲得的最新計(jì)量數(shù)據(jù)保存在當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；每累計(jì)0. 01度電時(shí)則將當(dāng)前電量數(shù)據(jù) 更新到RAM第一備份區(qū)；每累計(jì)1度電時(shí)則將當(dāng)前電量數(shù)據(jù)更新到EEPROM第二備份區(qū)、 EEPROM第三備份區(qū)及EEPROM第四備份區(qū)。當(dāng)RAM當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)損壞時(shí)，先用RAM第一備份區(qū)合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì) 量數(shù)據(jù)區(qū)，此時(shí)損失的電量小于0. 01度電；如果RAM的第一備份區(qū)數(shù)據(jù)也損壞了，則用 EEPROM第二備份區(qū)合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；如果EEPROM第二備份區(qū)數(shù)據(jù)也損壞了， 則用EEPROM第三備份區(qū)合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；如果EEPROM第三備份區(qū)數(shù)據(jù)也損 壞了，則用EEPROM第四備份區(qū)合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；從EEPROM三個(gè)備份區(qū)恢復(fù)數(shù) 據(jù)，則損失的電量小于1度；如果EEPROM各電量備份區(qū)的數(shù)據(jù)均損壞則報(bào)錯(cuò)。上述電能計(jì)量存儲(chǔ)方法中，由于當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)在用戶用電過(guò)程中是實(shí)時(shí) 更新的，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)受到外界的干擾，本實(shí)施例進(jìn)而提供一種可靠的數(shù)據(jù)更新方法，即 每次累加獲得最新計(jì)量數(shù)據(jù)的方法。如圖1所示，該方法包括①在進(jìn)行電量數(shù)據(jù)累加前， 先判定當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)是否被非法改動(dòng)過(guò)，判據(jù)為CRC校驗(yàn)，如通過(guò)則直接累加，如 不通過(guò)則執(zhí)行②；②取RAM第一備份區(qū)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)，如通過(guò)則用第一備份區(qū)數(shù)據(jù) 覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，如不通過(guò)則執(zhí)行③；③取EEPROM各電量備份區(qū)的 合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，并重新計(jì)算CRC校驗(yàn)碼，然后將相關(guān)數(shù)據(jù) 區(qū)更新。(2)掉電時(shí)的存儲(chǔ)和上電數(shù)據(jù)恢復(fù)掉電時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法為掉電時(shí)將當(dāng)前計(jì)量 數(shù)據(jù)和相關(guān)狀態(tài)量保存在RAM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)和EEPROM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。如圖2所示，上電時(shí)對(duì)掉電數(shù)據(jù)的恢復(fù)方法為a.初始化過(guò)程中取所述RAM中掉 電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該數(shù)據(jù)恢復(fù)電量數(shù)據(jù)及相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行 b ；b.取所述EEPROM掉電數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份恢復(fù)電量數(shù)據(jù)及相關(guān)狀態(tài)量，不 通過(guò)則執(zhí)行c ；c.取所述EEPROM第二備份區(qū)電量數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份電量數(shù)據(jù)
4恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行d ；d.取所述EERPOM第三備份區(qū)中的電量數(shù)據(jù)進(jìn) 行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份電量數(shù)據(jù)恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行e ;f.取所述 EERPOM第四備份區(qū)電量數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份數(shù)據(jù)恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不 通過(guò)則報(bào)錯(cuò)。電能表掉電數(shù)據(jù)在表計(jì)檢測(cè)到電源電壓不足時(shí)進(jìn)行保存，保存完成后表計(jì)進(jìn)入掉 電模式(低功耗狀態(tài))。上述實(shí)施例中，設(shè)置了四個(gè)數(shù)據(jù)電量備份區(qū)(RAM—個(gè)，EERPOM三處)和兩個(gè)掉 電數(shù)據(jù)備份區(qū)(RAM和EERPOM各一個(gè))，對(duì)于數(shù)據(jù)的可靠性而言，EERPOM三處區(qū)域數(shù)據(jù)均 遭到破壞的概率基本上是沒(méi)有的(正常運(yùn)行和上電初始化過(guò)程計(jì)量數(shù)據(jù)最后的保障均為 EERPOM中的三處電量備份)，除非內(nèi)卡器件物理?yè)p壞。可以理解的是，數(shù)據(jù)備份區(qū)的個(gè)數(shù)不 應(yīng)被限制，本發(fā)明主要是提出在RAM和EEPROM分別備份數(shù)據(jù)的理念，并且RAM電量備份區(qū) 和EEPROM電量備份區(qū)是按計(jì)量精度分等級(jí)進(jìn)行備份。計(jì)量數(shù)據(jù)糾錯(cuò)是以CRC方式來(lái)糾錯(cuò)， 其他糾錯(cuò)方式不應(yīng)被限制，相比于累加和糾錯(cuò)，CRC的糾錯(cuò)可靠性更高更可靠，CRC糾錯(cuò)可 以精確到位的錯(cuò)誤。實(shí)施例二 實(shí)施例一主要從計(jì)量數(shù)據(jù)的保存和備份及更新和糾錯(cuò)來(lái)保證計(jì)量數(shù)據(jù) 的可靠性，而本實(shí)施例將分析RAM的當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)中數(shù)據(jù)損壞的主要原因，并提供相應(yīng) 的解決辦法。電能計(jì)量系統(tǒng)的其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)判斷數(shù)據(jù)塊指針?biāo)肝?置，看是否超出規(guī)定區(qū)域，如果超過(guò)或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置，從而避免對(duì)其他 數(shù)據(jù)的破壞，特別是計(jì)量數(shù)據(jù)。電能計(jì)量系統(tǒng)的其他模塊數(shù)據(jù)，比如通信模塊、顯示模塊、預(yù)付費(fèi)模塊都需要處理 大量的數(shù)據(jù)，這部分?jǐn)?shù)據(jù)的可靠性間接威脅到計(jì)量數(shù)據(jù)的可靠性。其他模塊對(duì)計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū) 數(shù)據(jù)的破壞主要有兩個(gè)方面1.由于通信模塊、預(yù)付費(fèi)模塊、顯示模塊需要較大RAM空間來(lái) 處理數(shù)據(jù)，特別是通信模塊和預(yù)付費(fèi)模塊從外部通信載體接收數(shù)據(jù)，外部數(shù)據(jù)有可能超過(guò) 規(guī)定數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，使得RAM緩沖區(qū)的溢出沖亂計(jì)量數(shù)據(jù)；2.指針的運(yùn)用不當(dāng)，導(dǎo)致指針越界， 破壞其他區(qū)域的數(shù)據(jù)。所以，為了避免RAM當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)中數(shù)據(jù)被損壞，可以在每接收一個(gè)數(shù)據(jù)前先 判斷接收指針?biāo)肝恢?，如果超過(guò)或者進(jìn)入非法區(qū)域則初始化指針位置；此外，RAM緩沖 區(qū)設(shè)置的長(zhǎng)度要大于可能收發(fā)數(shù)據(jù)的最長(zhǎng)幀長(zhǎng)度(例如，電能表通信規(guī)約中最長(zhǎng)幀長(zhǎng)度為 200，則RAM緩沖區(qū)的長(zhǎng)度設(shè)為256個(gè)字節(jié))，且接收計(jì)數(shù)器為char型，這樣，無(wú)論這個(gè)計(jì)數(shù) 器怎么累加都不會(huì)出現(xiàn)緩沖區(qū)溢出問(wèn)題。在用C進(jìn)行編程中，指針運(yùn)用特別注意，不同類型的指針自加運(yùn)算和自減運(yùn)算時(shí) 操作的字節(jié)數(shù)不同，如果將長(zhǎng)幀型指針當(dāng)作字節(jié)型指針處理，則后果將是操作非法數(shù)據(jù)區(qū) 域。相應(yīng)的處理方式為對(duì)于數(shù)據(jù)塊的操作時(shí)的指針全部定義為字節(jié)型指針，如需要?jiǎng)t進(jìn)行 強(qiáng)制類型轉(zhuǎn)換。以上實(shí)施例雖然是針對(duì)電子式電能表進(jìn)行闡述的，但是明顯可知，其他計(jì)量領(lǐng)域、 計(jì)量?jī)x表，都具有類似的情形，所以本發(fā)明提供的方法不應(yīng)被限制于電能計(jì)量領(lǐng)域。
權(quán)利要求
一種電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于，包括保存及備份區(qū)的劃分提供相互關(guān)聯(lián)的RAM及EEPROM，RAM中設(shè)置當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)、第一備份區(qū)及掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，EEPROM中設(shè)置至少兩個(gè)電量備份區(qū)和一個(gè)掉電數(shù)據(jù)備份區(qū)；計(jì)量數(shù)據(jù)的保存與備份每次累加所獲得的最新計(jì)量數(shù)據(jù)保存在RAM的當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；每累計(jì)K個(gè)數(shù)據(jù)量則將當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)更新到RAM的第一備份區(qū)；每累計(jì)M個(gè)數(shù)據(jù)量則將當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)更新到EEPROM中的各電量備份區(qū)，M＞K；當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)的恢復(fù)當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)損壞時(shí)，先校驗(yàn)RAM第一備份區(qū)數(shù)據(jù)，正確則覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；否則用EEPROM中電量備份區(qū)有效數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)；如果EEPROM內(nèi)各電量備份區(qū)數(shù)據(jù)均損壞，則報(bào)錯(cuò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于每次累加獲 得最新計(jì)量數(shù)據(jù)的方法具體包括①在進(jìn)行數(shù)據(jù)累加前，先對(duì)RAM當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù) 進(jìn)行校驗(yàn)，如通過(guò)則直接累加，如不通過(guò)則執(zhí)行②；②取RAM第一備份區(qū)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行校 驗(yàn)，如通過(guò)則用RAM第一備份區(qū)數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，如不通過(guò)則執(zhí) 行③；③取EEPROM各電量備份區(qū)中的合法數(shù)據(jù)覆蓋當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)，再進(jìn)行累加，并 重新計(jì)算校驗(yàn)碼，然后拷貝至各備份區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于所述EEPROM 內(nèi)設(shè)置的電量備份區(qū)為三個(gè)，分別為EEPROM第二備份區(qū)、EEPROM第三備份區(qū)、EEPROM第四 備份區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3任意一項(xiàng)所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于，掉 電時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法為掉電時(shí)將最新計(jì)量數(shù)據(jù)及相關(guān)狀態(tài)量保存在所述RAM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 區(qū)和EEPROM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于，上電時(shí)對(duì)掉 電數(shù)據(jù)的恢復(fù)方法為a.初始化過(guò)程中取所述RAM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則 以該數(shù)據(jù)恢復(fù)電量數(shù)據(jù)及相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行b ;b.取EEPROM掉電數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)數(shù)據(jù) 進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份恢復(fù)電量數(shù)據(jù)及相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行c ;c.取所述EEPROM 第二備份區(qū)電量數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份電量數(shù)據(jù)恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不通 過(guò)則執(zhí)行d ；d.取所述EERPOM第三備份區(qū)中的電量數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份電量數(shù) 據(jù)恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則執(zhí)行e ；f.取所述EERPOM第四備份區(qū)電量數(shù)據(jù)進(jìn)行 校驗(yàn)，通過(guò)則以該備份數(shù)據(jù)恢復(fù)并初始化相關(guān)狀態(tài)量，不通過(guò)則報(bào)錯(cuò)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于所述校 驗(yàn)方式為CRC校驗(yàn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，其特征在于電能計(jì)量系 統(tǒng)的其他模塊在數(shù)據(jù)塊處理過(guò)程中，需要實(shí)時(shí)判斷數(shù)據(jù)塊指針?biāo)肝恢茫绻^(guò)或者進(jìn) 入非法區(qū)域則初始化指針位置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種電能計(jì)量數(shù)據(jù)高可靠性管理方法，主要從保存及備份區(qū)的劃分、計(jì)量數(shù)據(jù)的保存與備份及當(dāng)前計(jì)量數(shù)據(jù)的恢復(fù)著手。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置多個(gè)數(shù)據(jù)備份區(qū)，使得數(shù)據(jù)的保存更加可靠，并為數(shù)據(jù)的恢復(fù)提供充分準(zhǔn)備，而通過(guò)各種判斷及校驗(yàn)，使得數(shù)據(jù)的恢復(fù)和更新更加精確，使得計(jì)量數(shù)據(jù)可靠性得到有效保證。此外，在隨機(jī)存儲(chǔ)器每接收一個(gè)數(shù)據(jù)前判斷指針位置，并且合理設(shè)置緩沖區(qū)長(zhǎng)度，從而避免其他模塊對(duì)計(jì)量數(shù)據(jù)的破壞。
文檔編號(hào)G01R22/06GK101923112SQ20101023673
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者任智仁, 冉際華, 劉振雨, 史謙, 周宣, 唐振中, 張波, 李朝培, 許永平, 賈俊, 鄧廷 申請(qǐng)人:珠海中慧微電子有限公司