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一種igct頻率測(cè)試方法及裝置的制作方法

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專利名稱:一種igct頻率測(cè)試方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電氣部件的性能測(cè)試方法及裝置,尤其是指一種IGCT頻率測(cè)試 方法及裝置。主要用于IGCT的頻率特性測(cè)試。
背景技術(shù)
IGCT作為大功率全控型器件之一,具有導(dǎo)通壓降低,開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn),被大量應(yīng) 用。IGCT在使用前,必須對(duì)其各種參數(shù)進(jìn)行詳盡的測(cè)試,頻率測(cè)試是其重要的性能測(cè)試,該 性能對(duì)可靠性影響極大。ABB等廠家,對(duì)頻率測(cè)試采用的是高電壓,大電流構(gòu)成的大功率系統(tǒng),成本高,復(fù)雜 度高。因此有必要設(shè)計(jì)一種裝置,既能較好的模擬器件真實(shí)的工作情況,又能降低成本,便 于操作運(yùn)行。根據(jù)IGCT的工作特點(diǎn),其工況分為四個(gè)狀態(tài),即開(kāi)通,導(dǎo)通,關(guān)斷,阻斷;大量的實(shí) 驗(yàn)及運(yùn)行實(shí)際情況表明失效明顯的集中在關(guān)斷過(guò)程中,其它三種狀態(tài)的失效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于 關(guān)斷過(guò)程的失效率。因此,有必要設(shè)計(jì)一種裝置,能很好的模擬器件的關(guān)斷工況,并進(jìn)行頻率試驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為了克服現(xiàn)有IGCT關(guān)斷工況頻率測(cè)試的不足,提供一種能模擬 IGCT的實(shí)際工作情況,使IGCT在電流可調(diào)的低壓大電流電路中導(dǎo)通,在電壓可調(diào)的高壓箝 位電路中關(guān)斷,以測(cè)試IGCT的頻率特性的測(cè)試方法及裝置。本發(fā)明的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種IGCT的頻率特性的測(cè)試方法,通 過(guò)一組由晶間管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路,一組改善諧波及電流沖擊的電 抗器,以及電容器和被測(cè)器件的箝位電路,使用低壓大電流和可調(diào)箝位電壓模擬IGCT的工 況,實(shí)現(xiàn)IGCT的頻率測(cè)試。所述的IGCT的頻率測(cè)試的原理是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器,熔斷器后進(jìn)入三相低 壓大電流變壓器,該變壓器的輸出經(jīng)由晶間管和整流管組成的相控系統(tǒng),經(jīng)平波電抗器后, 在主電容上形成電壓;當(dāng)被測(cè)器件開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)電感、可調(diào)電抗器以及被測(cè) 器件形成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或是改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空 比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電抗器通過(guò)二極管續(xù)流,電感通過(guò) 箝位二極管、箝位電容形成回路,電感同時(shí)在被測(cè)器件上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電容電壓 的影響,通過(guò)改變箝位電容電壓值,即可改變被測(cè)器件的關(guān)斷電壓環(huán)境。電源通過(guò)調(diào)壓器輸 出到升壓變壓器,升壓變壓器的輸出經(jīng)整流器后成為直流,通過(guò)限流電阻輸出到第三電容 上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器,即可調(diào)節(jié)的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)的電壓,改變被測(cè)器件關(guān)斷時(shí)刻的箝位電 壓,當(dāng)電壓由于被測(cè)器件的關(guān)斷過(guò)程而上升時(shí),通過(guò)開(kāi)通晶閘管,第三電容上的電壓通過(guò)電 阻釋放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管,于是第三電容的電壓能穩(wěn)定在需要的值。通過(guò) 改變主電容電壓的大小,以及改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間,可以改變被測(cè)器件電流的大小;通
4過(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)各種情況下的頻率測(cè)試。根據(jù)上述測(cè)試方法所提出的一種用于IGCT頻率測(cè)試的裝置是一種IGCT頻率測(cè) 試裝置,包括由晶間管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路;改善諧波及電流沖擊的 電抗器,以及主電容器;電感及其續(xù)流二極管;模擬關(guān)斷過(guò)壓的可調(diào)電抗器(或一組用于組 合的電抗器);IGCT的箝位電路和調(diào)節(jié)箝位電壓的電源,以及改變箝位電路電壓的調(diào)壓系 統(tǒng)和使電壓穩(wěn)定的斬波系統(tǒng)。所述的箝位電路包括箝位二極管,箝位電容,箝位電阻,以及 連接到箝位電阻的可調(diào)電壓源,同時(shí)還包括使電壓源穩(wěn)定的斬波器。所述的低壓大電流相 控整流電路是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器,熔斷器后進(jìn)入三相低壓大電流變壓器,該變壓器的 輸出經(jīng)由晶間管和整流管組成的相控系統(tǒng);電源經(jīng)過(guò)相控整流電路整流后再經(jīng)平波電抗器 改善諧波及電流沖擊,并在主電容上形成電壓;同時(shí)在主電容與被測(cè)器件之間串接有電感 和可調(diào)電抗器,當(dāng)被測(cè)器件開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)電感、可調(diào)電抗器以及被測(cè)器件形 成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或是改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空比,即 可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電抗器通過(guò)二極管續(xù)流,可調(diào)電抗器通過(guò) 箝位二極管、箝位電容形成回路,可調(diào)電抗器同時(shí)在被測(cè)器件上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電 容電壓的影響,通過(guò)改變箝位電容電壓值,即可改變被測(cè)器件的關(guān)斷電壓環(huán)境。另一方面, 電源通過(guò)調(diào)壓器輸出到升壓變壓器,升壓變壓器的輸出經(jīng)整流器后成為直流,再通過(guò)限流 電阻輸出到第三電容上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器,即可調(diào)節(jié)第三電容的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)箝位電容的 電壓,改變被測(cè)器件關(guān)斷時(shí)刻的箝位電壓,當(dāng)電壓由于被測(cè)器件的關(guān)斷過(guò)程而上升時(shí),通過(guò) 開(kāi)通晶閘管,第三電容上的電壓通過(guò)電阻釋放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管,于是第 三電容的電壓能穩(wěn)定在需要的值。通過(guò)改變主電容電壓的大小,以及改變被測(cè)器件的導(dǎo)通 時(shí)間,可以改變被測(cè)器件電流的大??;通過(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)各種 情況下的頻率測(cè)試。本發(fā)明的有益效果是采用低電壓大電流,配合可調(diào)的箝位電壓,以模擬真實(shí)工 況,測(cè)試IGCT的頻率特性,該裝置總功率低,成本低,適應(yīng)性強(qiáng)。本IGCT的頻率特性的測(cè)試 方法及裝置通過(guò)較小的功率容量,較低的成本,較好的模擬了 IGCT關(guān)斷情況下的工況,可 以實(shí)現(xiàn)IGCT的頻率測(cè)試。IGCT在電流可調(diào)的低壓大電流電路中導(dǎo)通,在電壓可調(diào)的高壓箝 位電路中關(guān)斷,通過(guò)該裝置模擬IGCT的實(shí)際工作情況,以測(cè)試IGCT的頻率特性。


圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電氣結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的電氣結(jié)構(gòu)示意圖; 圖3是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的電氣結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。如圖1所示,
一種IGCT的頻率特性的測(cè)試方法,通過(guò)一組由晶間管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相 控整流電路,一組改善諧波及電流沖擊的電抗器,以及電容器和DUT的箝位電路,使用低壓 大電流和可調(diào)箝位電壓模擬IGCT的工況,實(shí)現(xiàn)IGCT的頻率測(cè)試。所述的IGCT的頻率測(cè)試的原理是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器,熔斷器后進(jìn)入三相低壓大電流變壓器,該變壓器的輸出經(jīng)由晶間管和整流管組成的相控系統(tǒng),經(jīng)平波電抗器后, 在主電容上形成電壓;當(dāng)被測(cè)器件開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)電感、可調(diào)電抗器以及被測(cè) 器件形成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或是改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空 比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電抗器通過(guò)二極管續(xù)流,電可調(diào)電 抗器通過(guò)箝位二極管、箝位電容和輔助電容形成回路,可調(diào)電抗器同時(shí)在被測(cè)器件上產(chǎn)生 電壓,該電壓受箝位電容電壓的影響,通過(guò)改變箝位電容電壓值,即可改變被測(cè)器件的關(guān)斷 電壓環(huán)境。電源通過(guò)調(diào)壓器輸出到升壓變壓器,升壓變壓器的輸出經(jīng)整流器后成為直流,通 過(guò)限流電阻輸出到第三電容上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器,即可調(diào)節(jié)第三電容的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)箝位 電容的電壓,改變被測(cè)器件關(guān)斷時(shí)刻的箝位電壓,當(dāng)電壓由于被測(cè)器件的關(guān)斷過(guò)程而上升 時(shí),通過(guò)開(kāi)通晶閘管,第三電容上的電壓通過(guò)電阻釋放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管, 于是第三電容的電壓能穩(wěn)定在需要的值。通過(guò)改變主電容電壓的大小,以及改變被測(cè)器件 的導(dǎo)通時(shí)間,可以改變被測(cè)器件電流的大??;通過(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí) 現(xiàn)各種情況下的頻率測(cè)試。實(shí)施例一
根據(jù)上述測(cè)試方法所提出的一種用于IGCT頻率測(cè)試的裝置是一種IGCT頻率測(cè)試裝 置,包括由晶間管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路;改善諧波及電流沖擊的電抗 器,以及主電容器;負(fù)載電抗器及其續(xù)流二極管;模擬關(guān)斷過(guò)壓的可調(diào)電抗器(或一組用于 組合的電抗器);IGCT的箝位電路和調(diào)節(jié)箝位電壓的電源,以及改變箝位電路電壓的調(diào)壓 系統(tǒng)和使電壓穩(wěn)定的斬波系統(tǒng)。所述的箝位電路包括箝位二極管,箝位電容,箝位電阻,以 及連接到箝位電阻的可調(diào)電壓源,同時(shí)還包括使電壓源穩(wěn)定的斬波器。如圖1所示,所述的低壓大電流相控整流電路是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器K,熔斷器 F1,F(xiàn)2和F3后進(jìn)入三相低壓大電流變壓器Tl,該變壓器的輸出經(jīng)由晶閘管TR1、TR2和TR3 和整流管Dl、D2和D3組成的相控系統(tǒng);電源經(jīng)過(guò)相控整流電路整流后再經(jīng)平波電抗器Ll 改善諧波及電流沖擊,并在主電容Cl上形成電壓;同時(shí)在主電容Cl與被測(cè)器件DUT之間串 接有電感L2和可調(diào)電抗器L3,當(dāng)被測(cè)器件DUT開(kāi)通時(shí),主電容Cl上的電壓通過(guò)負(fù)載電抗 器L2、可調(diào)電抗器L3以及被測(cè)器件DUT形成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或 是改變被測(cè)器件DUT的導(dǎo)通時(shí)間和占空比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件DUT的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件 DUT關(guān)斷時(shí),負(fù)載電抗器L2通過(guò)二極管續(xù)流D5,可調(diào)電抗器L3通過(guò)箝位二極管C2和輔助電 容C4形成回路,可調(diào)電抗器L3同時(shí)在被測(cè)器件DUT上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電容C2電壓 的影響,通過(guò)改變箝位電容C2電壓值,即可改變被測(cè)器件DUT的關(guān)斷電壓環(huán)境。另一方面, 電源通過(guò)調(diào)壓器T2輸出到升壓變壓器T3,升壓變壓器T3的輸出經(jīng)整流器D5后成為直流, 再通過(guò)限流電阻R2輸出到第三電容C3上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器T2,即可調(diào)節(jié)第三電容C3的電 壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)箝位電容C2的電壓,改變被測(cè)器件DUT關(guān)斷時(shí)刻的箝位電壓,當(dāng)電壓由于被測(cè) 器件DUT的關(guān)斷過(guò)程而上升時(shí),通過(guò)開(kāi)通晶閘管TR4,第三電容C3上的電壓通過(guò)電阻R3釋 放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管TR4,于是第三電容C3的電壓能穩(wěn)定在需要的值。通 過(guò)改變主電容Cl電壓的大小,以及改變被測(cè)器件DUT的導(dǎo)通時(shí)間,可以改變被測(cè)器件DUT 電流的大??;通過(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件DUT的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)各種情況下的頻率測(cè)試。負(fù)載電抗器及其續(xù)流二極管可以位于低壓大電流輸出的正端,也可以位于其負(fù) 端。
連接可調(diào)電抗器或一組用于組合成不同值的電抗器與箝位電容,是軟恢復(fù)快開(kāi)通 二極管或無(wú)感電容或低感電容。實(shí)施例二
作為本發(fā)明的另一種實(shí)施方案,可以把圖1中的C4換成二極管D6,如圖2,則L3通過(guò) D4, C2,D6形成回路,實(shí)現(xiàn)圖1中對(duì)應(yīng)部分相同的功能。實(shí)施例三
當(dāng)然還可以把圖1中的L2和D5放在如圖3中L2及D5的位置,其功能基本相似。此頻率測(cè)試裝置的特點(diǎn)是采用低電壓大電流,配合可調(diào)的箝位電壓,以模擬真實(shí) 工況,測(cè)試IGCT的頻率特性,該裝置總功率低,成本低,適應(yīng)性強(qiáng)。
權(quán)利要求
一種IGCT頻率特性測(cè)試方法,其特征在于通過(guò)一組由晶閘管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路,一組改善諧波及電流沖擊的電抗器,以及電容器和被測(cè)器件的箝位電路,使用低壓大電流和可調(diào)箝位電壓模擬IGCT的工況,實(shí)現(xiàn)IGCT的頻率測(cè)試。
2.如權(quán)利要求1所述的一種IGCT頻率特性測(cè)試方法,其特征在于所述的IGCT的頻 率測(cè)試是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器,熔斷器后進(jìn)入三相低壓大電流變壓器,該變壓器的輸出 經(jīng)由晶間管和整流管組成的相控系統(tǒng),經(jīng)平波電抗器后,在主電容上形成電壓;當(dāng)被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)負(fù)載電抗器、可調(diào)電抗器以及被測(cè)器件形成回路,電流在該回 路中流過(guò),改變輸出電壓,或是改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo) 通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電抗器通過(guò)二極管續(xù)流,電感通過(guò)箝位二極管、箝位電容形成 回路,電感同時(shí)在被測(cè)器件上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電容電壓的影響,通過(guò)改變箝位電容 電壓值,即可改變被測(cè)器件的關(guān)斷電壓環(huán)境。
3.如權(quán)利要求2所述的一種IGCT頻率特性測(cè)試方法,其特征在于所述的電源通過(guò) 調(diào)壓器輸出到升壓變壓器,升壓變壓器的輸出經(jīng)整流器后成為直流,通過(guò)限流電阻輸出到 第三電容上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器,即可調(diào)節(jié)的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)的電壓,改變被測(cè)器件關(guān)斷時(shí)刻 的箝位電壓,當(dāng)電壓由于被測(cè)器件的關(guān)斷過(guò)程而上升時(shí),通過(guò)開(kāi)通晶閘管,第三電容上的電 壓通過(guò)電阻釋放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管,于是第三電容的電壓能穩(wěn)定在需要的 值;通過(guò)改變主電容電壓的大小,以及改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間,可以改變被測(cè)器件電流的 大?。煌ㄟ^(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)各種情況下的頻率測(cè)試。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述IGCT頻率特性測(cè)試方法的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于 IGCT頻率測(cè)試裝置包括由晶間管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路;改善諧波及 電流沖擊的電抗器,以及主電容器;負(fù)載電抗器及其續(xù)流二極管;模擬關(guān)斷過(guò)壓的可調(diào)電 抗器或一組用于組合的電抗器;IGCT的箝位電路和調(diào)節(jié)箝位電壓的電源,以及改變箝位電 路電壓的調(diào)壓系統(tǒng)和使電壓穩(wěn)定的斬波系統(tǒng)。
5.如權(quán)利要求4所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于所述的箝位電路包括箝位二 極管,箝位電容,箝位電阻,以及連接到箝位電阻的可調(diào)電壓源,同時(shí)還包括使電壓源穩(wěn)定 的斬波器。
6.如權(quán)利要求5所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于所述的低壓大電流相控整流 電路是三相電源系統(tǒng)經(jīng)接觸器,熔斷器后進(jìn)入三相低壓大電流變壓器,該變壓器的輸出經(jīng) 由晶閘管和整流管組成的相控系統(tǒng)。
7.如權(quán)利要求5或6所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于電源經(jīng)過(guò)相控整流電路 整流后再經(jīng)平波電抗器改善諧波及電流沖擊,并在主電容上形成電壓;同時(shí)在主電容與被 測(cè)器件之間串接有負(fù)載電抗器和可調(diào)電抗器,當(dāng)被測(cè)器件開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)負(fù) 載電抗器、可調(diào)電抗器以及被測(cè)器件形成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或是 改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電 抗器通過(guò)二極管續(xù)流,可調(diào)電抗器通過(guò)箝位二極管、箝位電容形成回路,可調(diào)電抗器同時(shí)在 被測(cè)器件上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電容電壓的影響,通過(guò)改變箝位電容電壓值,即可改變 被測(cè)器件的關(guān)斷電壓環(huán)境。
8.如權(quán)利要求5或6所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于電源通過(guò)調(diào)壓器輸出到 升壓變壓器,升壓變壓器的輸出經(jīng)整流器后成為直流,再通過(guò)限流電阻輸出到第三電容上,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)壓器,即可調(diào)節(jié)第三電容的電壓,進(jìn)而調(diào)節(jié)箝位電容的電壓,改變被測(cè)器件關(guān)斷 時(shí)刻的箝位電壓,當(dāng)電壓由于被測(cè)器件的關(guān)斷過(guò)程而上升時(shí),通過(guò)開(kāi)通晶閘管,第三電容上 的電壓通過(guò)電阻釋放,當(dāng)電壓達(dá)到要求值時(shí),關(guān)閉晶閘管,于是第三電容的電壓能穩(wěn)定在需 要的值;通過(guò)改變主電容電壓的大小,以及改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間,可以改變被測(cè)器件電 流的大??;通過(guò)改變箝位電壓和被測(cè)器件的開(kāi)關(guān)頻率,實(shí)現(xiàn)各種情況下的頻率測(cè)試。
9.如權(quán)利要求5或6所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于負(fù)載電抗器及其續(xù)流二 極管可以位于低壓大電流輸出的正端,也可以位于其負(fù)端。
10.如權(quán)利要求5或6所述的IGCT頻率測(cè)試裝置,其特征在于連接可調(diào)電抗器或一組 用于組合成不同值的電抗器與箝位電容,是軟恢復(fù)快開(kāi)通二極管或無(wú)感電容或低感電容。
全文摘要
一種IGCT頻率特性測(cè)試方法及裝置,通過(guò)一組由晶閘管和整流管構(gòu)成的低壓大電流相控整流電路,一組改善諧波及電流沖擊的電抗器,以及電容器和被測(cè)器件的箝位電路,使用低壓大電流和可調(diào)箝位電壓模擬IGCT的工況,實(shí)現(xiàn)IGCT的頻率測(cè)試。當(dāng)被測(cè)器件開(kāi)通時(shí),主電容上的電壓通過(guò)電感、可調(diào)電抗器以及被測(cè)器件形成回路,電流在該回路中流過(guò),改變輸出電壓,或是改變被測(cè)器件的導(dǎo)通時(shí)間和占空比,即可調(diào)節(jié)被測(cè)器件的導(dǎo)通電流;當(dāng)被測(cè)器件關(guān)斷時(shí),電抗器通過(guò)二極管續(xù)流,電感通過(guò)箝位二極管、箝位電容形成回路,電感同時(shí)在被測(cè)器件上產(chǎn)生電壓,該電壓受箝位電容電壓的影響,通過(guò)改變箝位電容電壓值,即可改變被測(cè)器件的關(guān)斷電壓環(huán)境。
文檔編號(hào)G01R31/28GK101937054SQ201010266620
公開(kāi)日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2010年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月30日
發(fā)明者張勁松, 蔣耀生, 趙燕峰, 郭知彼 申請(qǐng)人:南車株洲電力機(jī)車研究所有限公司
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