專利名稱：電暈偵測(cè)裝置、電暈偵測(cè)方法及耐壓測(cè)試儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與測(cè)試裝置相關(guān)，并且尤其與測(cè)試絕緣物件中是否存在瑕疵的測(cè)試裝置相關(guān)。
背景技術(shù)：
隨著科技發(fā)展進(jìn)步，近年來(lái)各種商用、家用以及個(gè)人的電子產(chǎn)品皆日益普及。除了 功能與外觀之外，產(chǎn)品的安全性和耐用性也受到相當(dāng)?shù)闹匾?。如何延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命并 避免使用者因產(chǎn)品的損壞受到傷害，是許多產(chǎn)品設(shè)計(jì)者和制造商關(guān)注的議題。一般而言，在 產(chǎn)品出廠銷售之前，也都必須經(jīng)過(guò)品質(zhì)檢驗(yàn)的程序。無(wú)論是如電阻、電容等小型電子元件，或者是產(chǎn)線機(jī)臺(tái)等大型電子設(shè)備，或多或少 都包含一些以絕緣材料制成的部份。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間使用之后，絕緣材料常會(huì)因?yàn)槠焚|(zhì)不良、周 遭環(huán)境惡劣及缺乏妥善維護(hù)等因素逐漸劣化，非但影響其性能及使用壽命，更增加了發(fā)生 意外事故的機(jī)率。隨著絕緣材料的發(fā)展和電壓等級(jí)的提升，絕緣物內(nèi)部缺陷造成的電暈放 電(corona discharge)已經(jīng)成為絕緣物劣化的重要原因之一。所謂的電暈放電，是指中性流體(例如空氣)在電場(chǎng)非常高的地方被離子化，因而 于電極附近產(chǎn)生了離子態(tài)的分子。這些離子態(tài)的分子會(huì)再去搶奪其他穩(wěn)態(tài)分子的電子，或 者是與其他離子結(jié)合，形成穩(wěn)態(tài)的分子。這一連串電子轉(zhuǎn)移、釋放的過(guò)程被稱為電暈放電。異常的電暈放電現(xiàn)象通常是待測(cè)物故障的前兆?，F(xiàn)有的安全規(guī)范測(cè)試儀器大多具 有電弧放電(arc discharge)偵測(cè)功能。然而，電弧放電偵測(cè)可偵測(cè)的頻段大多在200KHz 左右，并無(wú)法有效偵測(cè)頻率較高、放電量較細(xì)微的電暈放電。換句話說(shuō)，現(xiàn)有的品質(zhì)檢驗(yàn)程 序并沒(méi)有辦法偵測(cè)絕緣劣化造成的電暈放電，進(jìn)而防范后續(xù)的故障問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種偵測(cè)電暈放電現(xiàn)象的裝置及方法， 可有效偵測(cè)待測(cè)物內(nèi)因破洞或裂縫產(chǎn)生的高頻細(xì)微放電，改善習(xí)知偵測(cè)裝置的不足之處， 并提升客戶產(chǎn)品的可靠度。根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例為一電暈偵測(cè)裝置，其中包含一電壓提供模組、一峰 值保持模組與一判斷模組。該電壓提供模組用以為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓。該峰值保 持模組用以偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流，并根據(jù)該電流 產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓。該判斷模組用以根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是 否發(fā)生一電暈放電狀況。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該峰值保持模組包含一轉(zhuǎn)換電路，用以 將該電流轉(zhuǎn)換為一電壓，而該轉(zhuǎn)換電路包含一比流器。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該比流器的一頻率響應(yīng)范圍在 IOMHz 80MHz 之間。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該峰值保持模組包含一放大器，用以將
4該電壓放大。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該峰值保持模組包含一帶通濾波器，用 以濾除該電壓中頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該峰值保持模組包含一第一階峰值保 持電路以及一第二階峰值保持電路，該第一階峰值保持電路具有一第一反應(yīng)速度，該第二 階峰值保持電路具有一第二反應(yīng)速度，該第一反應(yīng)速度高于該第二反應(yīng)速度。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)裝置，更包括，該峰值保持模組包含一低通濾波器，電 連接于該判斷模組與該峰值保持模組間，用以濾除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例為一電暈偵測(cè)方法。該方法首先為一待測(cè)物件提供 一測(cè)試電壓，并偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流。接著，該方 法利用一峰值保持電路根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓，并根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于 承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)方法，更包括，進(jìn)一步于步驟(b)及步驟(C)之間包含 下列步驟放大根據(jù)該電流產(chǎn)生的一電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)方法，更包括，進(jìn)一步于步驟(b)及步驟(C)之間包含 下列步驟濾除頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲。根據(jù)本發(fā)明所述的電暈偵測(cè)方法，更包括，進(jìn)一步于步驟(C)及步驟(d)之間包含 下列步驟濾除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具電暈放電測(cè)試功能的耐壓測(cè)試儀器，其包 含一電壓提供模組和一判斷模組。所述的電壓提供模組，用以為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電 壓；所述的判斷模組，電連接至該電壓提供模組，用以根據(jù)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí) 通過(guò)該待測(cè)物件的一電流判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該判斷模組包含一峰值保持電路，用以 根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓，并且該判斷模組根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷是否發(fā)生該電暈放電狀 況。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該峰值保持電路包含一第一階峰值保 持電路以及一第二階峰值保持電路，該第一階峰值保持電路具有一第一反應(yīng)速度，該第二 階峰值保持電路具有一第二反應(yīng)速度，該第一反應(yīng)速度高于該第二反應(yīng)速度。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該判斷模組包含一低通濾波器，用以濾 除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該判斷模組包含一轉(zhuǎn)換電路，用以將該 電流轉(zhuǎn)換為一電壓。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該轉(zhuǎn)換電路包含一比流器。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該比流器的一頻率響應(yīng)范圍在 IOMHz 80MHz 之間。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該判斷模組包含一放大器，用以將該電 壓放大。根據(jù)本發(fā)明所述的耐壓測(cè)試儀器，更包括，該判斷模組包含一帶通濾波器，用以濾 除該電壓中頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲
本發(fā)明的有益效果在于，根據(jù)本發(fā)明的電暈偵測(cè)裝置及電暈偵測(cè)方法可有效偵測(cè) 待測(cè)物內(nèi)因破洞或裂縫產(chǎn)生的高頻細(xì)微放電，并可適用于各種不同大小或不同類型的待測(cè) 物件。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)裝置的方框圖。圖2及圖3繪示根據(jù)本發(fā)明的峰值保持模組的細(xì)部實(shí)施范例。圖4為根據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)方法的流程圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)方法的流程圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例中的耐壓測(cè)試儀器的方框圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)裝置的方框圖。電 暈偵測(cè)裝置10包含一電壓提供模組12、一峰值保持模組(peak-hold) 14與一判斷模組16。電壓提供模組12用以為一待測(cè)物件20提供一測(cè)試電壓，例如使用鱷魚(yú)夾將電壓 提供模組12的高壓輸出端及低壓輸出端分接在待測(cè)物件20的兩處。于實(shí)際應(yīng)用中，待測(cè) 物件20可為如電阻、電容等體積較小的電子元件，也可為產(chǎn)線機(jī)臺(tái)等大型電子設(shè)備。只要 采用適當(dāng)?shù)闹尉撸妷禾峁┠＝M12就可以配合多種不同的待測(cè)物件。如果待測(cè)物件20的絕緣部分存在某些瑕疵，電壓提供模組12所提供的測(cè)試電壓 就可能在其中引發(fā)電暈放電的狀況。峰值保持模組14負(fù)責(zé)偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于待測(cè)物 件20時(shí)通過(guò)待測(cè)物件20的一電流I，并根據(jù)電流I產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓VP。請(qǐng)參閱圖2，圖2進(jìn)一步繪示了峰值保持模組14的一種細(xì)部實(shí)施范例。在這個(gè)范 例中，峰值保持模組14包含一轉(zhuǎn)換電路14A、一第一階峰值保持電路14B，以及一第二階峰 值保持電路14C。轉(zhuǎn)換電路14A用以將電流I轉(zhuǎn)換為一電壓V。舉例而言，轉(zhuǎn)換電路14A可直接 利用供電流I流過(guò)的電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者也可以利用對(duì)噪聲抵抗力較高的比流器來(lái)達(dá)成電 流/電壓轉(zhuǎn)換的效果。針對(duì)一般的電暈放電狀況，該比流器的頻率響應(yīng)范圍可以被設(shè)計(jì)在 IOMHz 80MHz間，且令其最低頻率響應(yīng)為200KHz以上。
0038]第一階峰值保持電路14B負(fù)責(zé)初步擷取并維持上述電壓V的峰值。實(shí)務(wù)上，第一 階峰值保持電路14B可將電壓V中正向及負(fù)向的峰值波形都會(huì)轉(zhuǎn)成正電壓，并將該電壓峰 值延長(zhǎng)一段時(shí)間(例如10ms)。接著，第二階峰值保持電路14C負(fù)責(zé)將第一階峰值保持電路 14B輸出的電壓峰值再次延長(zhǎng)(例如20秒)，做為峰值保持模組14的輸出電壓VP。根據(jù)本發(fā)明，第一階峰值保持電路14B具有一第一反應(yīng)速度，第二階峰值保持電 路14C具有一第二反應(yīng)速度，該第一反應(yīng)速度高于該第二反應(yīng)速度。更明確地說(shuō)，第一階峰 值保持電路14B負(fù)責(zé)滿足快速反應(yīng)的需求，但其信號(hào)保持時(shí)間可以較短，比方說(shuō)令被第一 階峰值保持電路14B延長(zhǎng)后的電壓值約為每毫秒下降5%。第二階峰值保持電路14C的反 應(yīng)速度不需要像第一階峰值保持電路14B這么快，但是它可以提供較長(zhǎng)的延長(zhǎng)時(shí)間，讓后 續(xù)電路有足夠的時(shí)間判斷電壓Vp的大小。判斷模組16用以根據(jù)延長(zhǎng)電壓Vp判斷待測(cè)物件20于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。于圖2所示的范例中，判斷模組16用以接收第二階峰值保持電路14C的 輸出信號(hào)VP。實(shí)務(wù)上，判斷模組16可包含一模擬/數(shù)字電壓轉(zhuǎn)換器，用以將第二階峰值保 持電路14C的輸出電壓Vp的大小轉(zhuǎn)換為一數(shù)字?jǐn)?shù)值。如果這個(gè)數(shù)值大于某個(gè)預(yù)設(shè)門(mén)檻值， 即表示待測(cè)物件20于承受該測(cè)試電壓時(shí)發(fā)生了電暈放電的狀況。除此之外，這個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)值 本身也可用以表示電暈放電的程度。請(qǐng)參閱圖3，圖3繪示峰值保持模組14的另一種實(shí)施范例。相較于前一個(gè)范例，本 范例中的峰值保持模組14進(jìn)一步包含一放大器14D、一帶通濾波器14E，以及一低通濾波器 14F。放大器14D用以將轉(zhuǎn)換電路14A的輸出電壓V放大為電壓\。如先前所述，相較 于電弧放電，電暈放電造成的電流/電壓通常頻率較高、放電量較細(xì)微。藉由放大器14D提 供的放大效果，后續(xù)的電路可更容易判斷電流I/電壓V中是否存在異常狀況。帶通濾波器14E用以濾除電壓V中頻率大致在IMHz 50MHz之外的噪聲，亦即排 除電暈放電信號(hào)之外的噪聲。相較于轉(zhuǎn)換電路14A的輸出電壓V，經(jīng)過(guò)第一階峰值保持電路 14B和第二階峰值保持電路14C延長(zhǎng)后的電壓Vp具有較低的變化頻率。低通濾波器14F用 以進(jìn)一步濾除延長(zhǎng)電壓Vp中的高頻噪聲。如上所述，除了采用工作頻段符合電暈放電信號(hào)的頻段的電路(比流器、濾波 器)，根據(jù)本發(fā)明的電暈偵測(cè)裝置10還可提供將電壓放大以及保持電壓峰值的功能，因此 可有效偵測(cè)頻率較高且放電量較細(xì)微的電暈放電。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的電暈偵測(cè)裝置 10可進(jìn)一步配合偵測(cè)電弧放電的電路，同時(shí)提供偵測(cè)電弧放電和電暈放電的功能。請(qǐng)參閱圖4，圖4為根據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)方法的流程圖。該 方法首先執(zhí)行步驟S41，為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓。接著，步驟S42偵測(cè)該測(cè)試電壓施 加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流。步驟S43為利用一峰值保持電路根據(jù)該電流 產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓。步驟S44則是根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否 發(fā)生一電暈放電狀況。請(qǐng)參閱圖5，圖5為根據(jù)本發(fā)明的第三具體實(shí)施例中的電暈偵測(cè)方法的流程圖。在 這個(gè)實(shí)施例中，步驟S42 步驟S43之間進(jìn)一步包含了步驟S45及步驟S46。步驟S45為 放大根據(jù)該電流產(chǎn)生的一電壓。步驟S46則是濾除頻率大致在IMHz 50MHz之外的噪聲。 此外，此實(shí)施例中的步驟S43 步驟S44之間進(jìn)一步包含步驟S47。步驟S47為濾除該延長(zhǎng) 電壓中的一高頻噪聲。根據(jù)本發(fā)明的第四具體實(shí)施例為一種具電暈放電測(cè)試功能的耐壓測(cè)試儀器。請(qǐng)參 閱圖6，圖6為該耐壓測(cè)試儀器的方框圖。本實(shí)施例中的耐壓測(cè)試儀器60包含一電壓提供 模組62與一判斷模組64。電壓提供模組62用以為待測(cè)物件70提供一測(cè)試電壓。判斷模 組64則用以根據(jù)該測(cè)試電壓施加于待測(cè)物件70時(shí)通過(guò)待測(cè)物件70的一電流判斷待測(cè)物 件70于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。如圖6所示，判斷模組64包含一轉(zhuǎn)換電路64A、一放大器64B、一帶通濾波器64C、 一第一階峰值保持電路64D、一第二階峰值保持電路64E、一低通濾波器64F，以及一判斷單 元64G。這些元件的功能與圖3所示的實(shí)施例中的元件大致相同，因此不再贅述。如以上說(shuō)明所述，根據(jù)本發(fā)明的電暈偵測(cè)裝置10以及耐壓測(cè)試儀器60皆針對(duì)電 暈放電信號(hào)的頻段而設(shè)計(jì)，并且提供了保持電壓峰值的功能，因此可有效偵測(cè)頻率較高、放
7電量較細(xì)微的電暈放電，有效改善現(xiàn)有的測(cè)試裝置大多僅提供電弧放電偵測(cè)功能的不足。根據(jù)本發(fā)明的電暈偵測(cè)裝置、電暈偵測(cè)方法以及耐壓測(cè)試儀器適用于各種不同大 小或不同類型的待測(cè)物件。藉由正確可靠地檢測(cè)與辨識(shí)電暈放電是否存在，可達(dá)到預(yù)防性 的效果，降低絕緣物劣化造成故障的機(jī)率。在現(xiàn)有的耐壓測(cè)試技術(shù)中加入電暈偵測(cè)功能，可 偵測(cè)待測(cè)物內(nèi)絕緣物因破洞或裂縫產(chǎn)生的高頻細(xì)微放電，大幅提高產(chǎn)品在長(zhǎng)時(shí)間或惡劣環(huán) 境下的可靠度。藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而 并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望 能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
一種電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，包含一電壓提供模組，用以為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓；一峰值保持模組，用以偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流，并根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓；以及一判斷模組，電連接至該峰值保持模組，用以根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。
2.如權(quán)利要求1所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該峰值保持模組包含一轉(zhuǎn)換電路， 用以將該電流轉(zhuǎn)換為一電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該轉(zhuǎn)換電路包含一比流器。
4.如權(quán)利要求3所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該比流器的一頻率響應(yīng)范圍在 IOMHz 80MHz 之間。
5.如權(quán)利要求2所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該峰值保持模組包含一放大器，用 以將該電壓放大。
6.如權(quán)利要求2所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該峰值保持模組包含一帶通濾波 器，用以濾除該電壓中頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲。
7.如權(quán)利要求1所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該峰值保持模組包含一第一階峰 值保持電路以及一第二階峰值保持電路，該第一階峰值保持電路具有一第一反應(yīng)速度，該 第二階峰值保持電路具有一第二反應(yīng)速度，該第一反應(yīng)速度高于該第二反應(yīng)速度。
8.如權(quán)利要求1所述的電暈偵測(cè)裝置，其特征在于，該峰值保持模組包含一低通濾波 器，電連接于該判斷模組與該峰值保持模組間，用以濾除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。
9.一種電暈偵測(cè)方法，其特征在于，包含下列步驟(a)為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓；(b)偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流；(c)利用一峰值保持電路根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓；以及(d)根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。
10.如權(quán)利要求9所述的電暈偵測(cè)方法，其特征在于，進(jìn)一步于步驟(b)及步驟(c)之 間包含下列步驟放大根據(jù)該電流產(chǎn)生的一電壓。
11.如權(quán)利要求9所述的電暈偵測(cè)方法，其特征在于，進(jìn)一步于步驟(b)及步驟(C)之 間包含下列步驟濾除頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲。
12.如權(quán)利要求9所述的電暈偵測(cè)方法，其特征在于，進(jìn)一步于步驟(c)及步驟(d)之 間包含下列步驟濾除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。
13.一種具電暈放電測(cè)試功能的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，包含一電壓提供模組，用以為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓；以及一判斷模組，電連接至該電壓提供模組，用以根據(jù)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通 過(guò)該待測(cè)物件的一電流判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。
14.如權(quán)利要求13所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該判斷模組包含一峰值保持電路，用以根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓，并且該判斷模組根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷是否發(fā)生該電 暈放電狀況。
15.如權(quán)利要求14所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該峰值保持電路包含一第一階 峰值保持電路以及一第二階峰值保持電路，該第一階峰值保持電路具有一第一反應(yīng)速度， 該第二階峰值保持電路具有一第二反應(yīng)速度，該第一反應(yīng)速度高于該第二反應(yīng)速度。
16.如權(quán)利要求14所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該判斷模組包含一低通濾波器， 用以濾除該延長(zhǎng)電壓中的一高頻噪聲。
17.如權(quán)利要求13所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該判斷模組包含一轉(zhuǎn)換電路，用 以將該電流轉(zhuǎn)換為一電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該轉(zhuǎn)換電路包含一比流器。
19.如權(quán)利要求18所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該比流器的一頻率響應(yīng)范圍在 IOMHz 80MHz 之間。
20.如權(quán)利要求17所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該判斷模組包含一放大器，用以 將該電壓放大。
21.如權(quán)利要求17所述的耐壓測(cè)試儀器，其特征在于，該判斷模組包含一帶通濾波器， 用以濾除該電壓中頻率在IMHz 50MHz之外的噪聲。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電暈偵測(cè)裝置，其中包含一電壓提供模組、一峰值保持模組與一判斷模組。該電壓提供模組用以為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓。該峰值保持模組用以偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流，并根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓。該判斷模組用以根據(jù)該延長(zhǎng)電壓判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生一電暈放電狀況。本發(fā)明還提供一種電暈偵測(cè)方法。先為一待測(cè)物件提供一測(cè)試電壓，并偵測(cè)該測(cè)試電壓施加于該待測(cè)物件時(shí)通過(guò)該待測(cè)物件的一電流。接著，利用一峰值保持電路根據(jù)該電流產(chǎn)生一延長(zhǎng)電壓，并據(jù)此判斷該待測(cè)物件于承受該測(cè)試電壓時(shí)是否發(fā)生電暈放電。該裝置和方法可有效偵測(cè)待測(cè)物內(nèi)因破洞或裂縫產(chǎn)生的高頻細(xì)微放電。
文檔編號(hào)G01R31/14GK101949998SQ20101027786
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月10日
發(fā)明者翁健昆, 范富強(qiáng), 陳鶴升 申請(qǐng)人:致茂電子(蘇州)有限公司